Provođenje električne struje kod poluprovodnika

U elekrtonici su osnovni poluprovodnički materijali koje koristimo germanijum i silicijum.

Provođenje struje kroz poluprovodnike je različito od provođenja struje kroz metale pa je potrebno
poznavati atomsku strukturu tih pp.

To su četverovalentni elementi i silicij zauzima 14. mjesto, a germanij 32. mjesto u periodnom
sistemu, tj. Si ima 14 elektrona, a Ge 32 elektrona. Njihova struktura izgleda:

Iz strukture vidimo da i Si i Ge imaju po 4 valentna elektrona u zadnjoj ljusci koji učestvuju u protoku
struje i oba elementa su četverovalentni.

Ako su pp bez primjesa drugih materijala kažemo da su čisti poluprovodnici i oni nastoje da formiraju
geometrijski pravilnu kristalnu rešetku. Svaki valentni elektron jednog atoma udružuje se sa
valentnim elektronimdrugog atoma stvarajući kovalentnu vezu i one održavaju pravilan raspored
atoma u kristalnoj rešetci kako pokazuje slika:
Na niskim temperaturama (apsolutnoj nuli -273⁰C) svi valentni elektroni su u kovalentnim vezama i
poluprovodnik se ponaša kao izolator.

Pri normalnoj temperaturi 20⁰C kristalna rešetka poluprovodnika prima neku količinu toplote
(energije) pa neke od kovalentnih veza pucaju i elektroni postaju slobodni.

Pucanjem kovalentne veze nastaje slobodan elektron, a na njegovom mjestu ostaje šupljina i ta
pojava se naziva generisanje para.

Da bi se popunila šupljina privlači se jedan valentni elektron od susjednog atoma, a taj proces
popunjavanja šupljina slobodnim elektronima naziva se rekombinacija.

Iz ove dvije definicije zaključujemo da je smjer kretanja elektrona suprotan od smjera kretanja
šupljina.

U poluprovodniku parovi slobodan elektron-šupljina stvaraju se brzinom koja je proporcionalna

dovedenoj toploti (energiji), a brzina rekombinacije srazmjerna je koncentraciji slobodnih elektrona i
šupljina.
Čisti poluprovodnik može se smatrati električki neutralnim jer je u svakom trenutku broj slobodnih
elektrona i šupljina jednak (ni=pi).

ni- koncentracija elektrona u čistom poluprovodniku

pi- koncentracija šupljina u čistom poluprovodniku

n- koncentracija elektrona u nekom poluprovodniku (npr.sa primjesama)

p- koncentracija šupljina u nekom poluprovodniku (npr. sa primjesama)

Ako u nekom dijelu poluprovodnika postoji različita koncentracija slobodnih elektrona i šupljina,
slobodni elektroni će se kretati sa mjesta veće koncentracije prema mjestu manje koncentracije
elektrona i popunjavat će šupljine dok se ne uspostavi ravnomjerana koncentracija elektrona i
šupljina u cijelom volumenu materijala. Ovo kretanje naelektrisanja zove se difuziono kretanje, a
ovakva struja koja pri tom nastaje zove se difuziona struja.

Ako se krajevi poluprovodničke spoje na izvor napona tada će doći do kretanja slobodnih nosioca
naelektrisanja (elektroni i šupljine).

Električnu struju u poluprovodniku čine elektroni koji se kreću prema + polu izvora i šupljine koje se
kreću prema – polu izvora. Fizički šupljine ne predstavljaju fizikalne čestice već samo nedostatak
elektrona u kristalnoj rešetci. Ipak osobine su im slične osobinama relanih čestica, imaju pozitivno
naelektrisanje po apsolutnoj vrijednosti jednako naelektrisanju elektona. Ova struja kroz pp izazvana
djelovanje električnog polja u poluprovodniku naziva se struja drifta ili struja provodnosti.

Šupljine i elektroni se kreću u suprotnim smjerovima. Srednja brzina kretanja šupljina 2x je manja od
srednje brzine kretanja slobodnih elektrona. Slobodni elektroni se kreću kinetičkom energijom koja
odgovara energji provodne zone, a šupljine imaju energiju koja odgovara energiji valentne zone.

Par elektron šupljina obrazuje električnu struju sve dok se ne izvrši rekombinacija (sve dok su
slobodni). Vrijeme trajanja života nosilaca naelektrisanja može biti kraće ili duže, a obično se uzima
srednje vrijeme života (za Ge na sobnoj temepraturi srednje vrijeme života iznosi 10 -3s).

Prema tome srednje vrijeme života nosilaca naelektrisanja možemo reći da je vrijeme koje protekn
od pojave generisanja para do pojave rekombinacije.

Difuziona dužina je put koji slobodni nosilac naelektrisanja pređe za srednje vrijeme života.

Pošto imamo dvije vrste slobodnih nosilaca postoji difuziona dužina elektrona i difuziona dužina
šupljina:

ʎn=√ Dn∗τ (cm)

ʎp=√ Dp∗τ (cm)

pri čemu je τ vremenska konstanta odnosno srednje vrijeme života nosilaca naelektrisanja,

Dp, Dn- difuziona konstanta materije Dn>Dp i

ʎn i ʎp- difuziona dužina elektrona i šupljina

Što je veća temperatura veći je broj slobodnih nosilaca naelektrisanja i na osnovu Fermi-dirakove
statistike može se izvesti jednadžba za gustoću nosilaca naboja u ovisnosti od temperature:

n*p=ni*pi=ni2=pi2