Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο

Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών

Τομέας Επικοινωνιών, Ηλεκτρονικής και Συστημάτων Πληροφορικής

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ
6o Εξάμηνο

Ασκήσεις 1-5

2020

Νικόλαος Βουδούκης
 Άσκηση 1 [Α1: 1/8]
Ακολουθητής τάσης Darlington (Darlington voltage follower)

Στο κύκλωμα του παρακάτω σχήματος έχουμε:

+VCC

RS
Q1
uS +
-
Q2 uo
Rin RE
Rout

-VEE
2
 Λύση [Α1: 2/8]

Ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς

σήματος χαμηλών συχνοτήτων με
χρήση Τ-μοντέλου

ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 3

 Λύση [Α1: 3/8]

ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 4

Λύση [Α1: 4/8]

5
Λύση [Α1: 5/8]

6
 Λύση [Α1: 6/8]

Ισοδύναμο κύκλωμα ασθενούς σήματος χαμηλών συχνοτήτων με χρήση Τ-μοντέλου

7
 Λύση [Α1: 7/8]

Για ΙΕ2=5mA, β1=β2=100, RΕ=1kΩ και RS=100kΩ έχουμε:

Τότε θα είναι:

8
 Λύση [Α1: 8/8]

Υπολογισμός «με το μάτι»,

από το αρχικό κύκλωμα.

9
 Άσκηση 2 [Α2: 1/4]
Ενισχυτής CD-CE (Amplifier CD-CE)

I2
ui M1
uo

Q2

Rin I1

10
 Λύση [Α2: 2/4]

ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 11

Λύση [Α2: 3/4]

12
Λύση [Α2: 4/4]

Τα αποτελέσματα για την αντίσταση

εισόδου Rin και το κέρδος τάσης Gυ είναι
ίδια, είτε η αντίσταση Rsig είναι 4kΩ, είτε
είναι 400kΩ. 13
 Άσκηση 3 [Α3: 1/5]
Κασκωδικές διατάξεις με BJT και MOS (Cascode with BJT and MOS)

14
Σημείωση
Κασκωδικοί ενισχυτές [Α3: 2/5]

(cascode amplifiers)

ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 15

Σημείωση
Διαγωγιμότητα βραχυκυκλώσεως [Α3: 3/5]

(short-circuit transconductance)


ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 16

 Λύση [Α3: 4/5]

Το CS Q1 είναι το τρανζίστορ που

ενισχύει (amplifying), ενώ CΒ Q2
είναι το cascode τρανζίστορ

ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 17

 Λύση [Α3: 5/5]

Το CS Q1 είναι το τρανζίστορ που

ενισχύει (amplifying), ενώ CG Q2
είναι το cascode τρανζίστορ

18
 Άσκηση 4 [Α4: 1/7]
Ακολουθητής αυτοδύναμης εκκίνησης(Bootstrapped follower)

Για το διπλανό κύκλωμα, το οποίο

ονομάζεται
ακολουθητής αυτοδύναμης εκκίνησης
(bootstrapped follower):
α) Βρείτε το dc ρεύμα εκπομπού και τα
gm, re και rπ. Θεωρήστε β=100.
β) Αντικαταστήστε το BJT με το Τ-μοντέλο
του (αγνοώντας την rο) και υπολογίστε
την αντίσταση εισόδου Rin και το κέρδος
τάσης υo/υsig
γ) Επαναλάβετε το (β) ερώτημα
θεωρώντας ότι ο πυκνωτής CB είναι
ανοικτοκύκλωμα.
19
 Λύση [Α4: 2/7]
α) Για την dc ανάλυση
ανοικτοκυλώνουμε τους
πυκνωτές

ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 20

Λύση [Α4: 3/7]

21
 Λύση [Α4: 4/7]
β) Αντικαθιστώντας το BJT με το Τ-μοντέλο του
(αγνοώντας την rο) και βραχυκυκλώνοντας τους
πυκνωτές, προκύπτει το παρακάτω ισοδύναμο
κύκλωμα.

22
Λύση [Α4: 5/7]

23
 Λύση [Α4: 6/7]

θεωρώντας ότι ο πυκνωτής

CB είναι ανοικτοκύκλωμα,
έχουμε το διπλανό
ισοδύναμο κύκλωμα. Τότε:

Τώρα η αντίσταση εισόδου

είναι πολύ μικρότερη. Η
μικρότερη τιμή της αντίστασης
εισόδου Rin θα έχει ως
αποτέλεσμα τη μείωση του
λόγου υb/υsig.
24
 Λύση [Α4: 7/7]

Η μικρότερη τιμή της αντίστασης

εισόδου Rin θα έχει ως
αποτέλεσμα τη μείωση του λόγου
υb/υsig.

Το κέρδος τάσης υo/υsig είναι

πολύ μικρότερο από αυτό που
λαμβάνεται με το bootstrapping.

25
Άσκηση 5 [Α5: 1/3]
Ενισχυτής cascode

26
 Λύση [Α5: 2/3]
Αν όλα τα τρανζίστορς είναι ταιριασμένα
(matced), τότε προφανώς λειτουργούν με το ίδιο
ρεύμα ID. Τότε όλες οι τάσεις υπεροδήγησης
θα είναι ίσες και άρα ίσες με αυτές του Q1.

Η χαμηλότερη τιμή της υDS2 είναι

Οπότε θα είναι:

Όμοια

ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 27

 Λύση [Α5: 3/3]

Έχουμε:

Η χαμηλότερη τιμή της υSD3 είναι

Οπότε:

28