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    NA peers an gr Diodos semiconductores de potencia y circuitos Los objetivos de aprendizaje para este capitulo son los siguientes: ‘Comprender las caracteristicas de los diodes y sus modelos “Aprender las clases de diodos “Aprender el funcionamiento de los diodos en serie yen paralelo Aprender el modelo SPICE de diodo Estudiar los efectos de un dispositive unidiceecional, como un diodo, sobre los circuitos RLC Etudiar las aplicaciones de los diodos en corrida libre y en recuperacidn de energfa almacenada INTRODUCCION Se han encontrado muchas aplicaciones para los diodos, en circuitos clectrOnicos y en la ingenie~ ria eléctrica. Los diodos de potencia juegan un papel importante en los circuitos electrénicos de poteneia, para la conversi6n de la energia eléctrica. En este capftulo se repasan algunos circuitos de diodo que se encuentran con frecuencia en la electrénica de potencia, para el procesamien- tode la energis. ‘Un diode funciona como interruptor que efecta diversas funciones, como por ejemplo,con- ‘mutadores en rectificadores, corrida libre en reguladores conmutados, inversiGn de carga de capa- citor y transferencia de energia entre componentes,zislamiento de voltaje, reereso de energia, de Ja carga a la fuente de alimentacion, y recuperacién de la enerefa atrapada, En la mayor parte de las aplicaciones se puede suponer que los diodos de potencia son in- terruptores ideales, pero las caracteristicas de los diodos précticos differen de las ideales y tienen ciertas limitaciones, Los diodos de potencia se parecen @ los diodos de sefal de unién pz. Sin ‘embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades de manejo de potencia, voltaje y corriente que las de los diodos ordinarios de sefal. La respuesta a la frecuencia (0 velocidad de ‘conmutacién) es baja, en comparacidn con la de los diodos de seal. FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES Los dispositivos semiconductores de potencia se basan en el silicio monoeristalino de alta pure- za. Se cultivan monocristales de varios metros de longitud, con el didmetro requerido (hasta de 31 32 Capitulo 2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos 150 mm) en los llamados homos de zona de flotacién. Cada uno de esos eristales gigantescos se rebana en obleas delgadas, que a continuacién pasan por numerosas etapas de process para con- vertirse en los dispositivos de potencia. El silicio es un elemento del grupo TV de la tabla periédica; es decir, tiene cuatro electro- nes por tomo en su érbita externa. Un material de silicio puro se llama semiconducior intrinse- co, y su resistividad es demasiado baja para ser un aislador y demasiado alta para sex un ‘conductor, Tiene alta resistividad y una rigider dieléctrica muy alta (més de 200 kViem). La re- sistividad de un semiconductor intrinseco, y sus portadores de carga disponibles para la con- ‘duecidn, se pueden cambiar, conformarse en eapas y graduar por implantacién de impurezas ‘espectficas. Al proceso de agregar impurezas se llama dopado, que implica agregar ua atomo de Ia impureza por eada més de un millon de atomos de silicio. Con distintas impurezas, concen- traciones y formas de dopado, alta tecnologia de fotolitografia, y con corte con léser, grabado, aislamiento y empaquctado, se producen los dispositivos de potencia terminados:partiendo de diversas estructuras de capas semiconductoras tipo py tipo n. “Material tipo n: Si el silicio puro se dopa con una pequefia cantidad de un elzmento det ‘grupo V, como fésforo, atsénico 0 antimonio, cada étomo del dopante forma un enlace co- Valente dentro de la red cristalina del silcio y queda un electron suelto. Estos electrones sueltos aumentan mucho la conductividad del material. Cuando el siicto se dupa eu forma feve con una impureza como f6sforo, al proceso se le llama dopado ny el material que re~ sulta se lama semiconductor tipo n. Cuando se dopa en forma intensa se denomina dopa- do n+,y el material se llama semiconductor de tipo n+: Material tipo p: Sie silico puro se dopa con una pequefia cantidad de un ekmento del {grupo IIL, como boro, galio 0 indio, se introduce un sitio vacante,lamado fueco en la ted Cristalina del silicio. A semejanza de un elecir6n, se puede considerar que un hueco es un portador mévil de carga, porque puede llenarse con un eleetrén adyacemte el cual a su vez deja atrés un agujero, Esos huccos aumentan mucho la conduetividad del material. Cuan- doel silico dopado en forma ligera con una impureza como boro, recibe el nombre de do- pado p y el material que resulta se llama semiconducior de ripo p. Cuando esté muy Uopado, xe trata de dopado p-+,y al material se le lama semiconductor de tipop +. En consectencia, hay electrones libres disponibles en un material de tipo n y huceos libres disponi- ‘bles en um material de tipo p: En un material de tipo p ,a los huecos sc les lama portadores de ma- yorin, y a los electrones se les ama portadores tle minorfa, En cl material de tipo 7 les eleetrones son los portadores de mayorfa y los huecos son los portadores de minoria. Esos portadores se perte- ran cn forma continua por agitaciones térmicas, se combinan y recombinan de acuerdocon su tiem- po de vida y alcanzan unia densidad de equilibrio de portadores entre 10"° 8 10"/em* dentro de un intervalo aproximado de 0°C hasta 1000°C. Asi, un campo eléctrico aplicado puede ceusar el paso de corrienic en un material de tipo mo de tipo p. Puntos clave de la seecién 2.2 «+ Se obtienen clectrones o huevos libres agregando impurezas al silicio o al germanio puro, mediante un proceso de dopado, Los electrones son los portadores de mayorfa (o mayor Larios) en el material de tipo 1, mientras que los huecos son portadores de mayoria en el 23° Carecteristicas del diode 33 § inateril de tipo p. Ast ln aplicacion de un campo eléetrico puede causar un flujo de co- a triente en un material de lipo no de tio p a CARACTERISTICAS DEL DIODO on Un diodo de potencia ex un dispoitve de unin pm om dos terminates [12], Una union pe 8 . forma, en el caso normal, por aleaidn, difusion y crecimiento epitaxial, La enens moderns _ de conirl de los procesos de fusion yeptexales permiten obtener Ins caracteristicasdeseadas as nel dsponitiv. La figura 2.1 muestra un corte de una wnién pel simbolo de dodo de Canndo el potencies positivo con respcto al eétodo, se dice que el dodo ets poli - do directo, y conduce electriidad, Un dodo conductor tiene una end directa de voltae ata J, ves deel relatvamente pequeia a magnitud de esta cada depende de proceso de mametura de ¥ dela temperatura de In unin, Cuando el potencal de todo es postva com respect ade finodo, se dice que el dioda est polarizado inverso. Bajo condiciones de polarizaccn inversa, pasa tna corrente pequsta invetsa (que tambien se llama coriente de fugao content de per del tida),en del orden de micro o milamperes; esta corriente de fuga aumenta de magnitad en for So ‘na poulatina hasta que se Mega al voltaje de avalnncha o de Zener. La figura 22a muestra las ~ caracteristics pide estado permanente para un diodo Para la mayor parte de los fines prél- ot cos, se pede considerar que un diodo es un interruptor ideal, cuyascaracteritics se ven la a figura 22, 3 Las caractersticas vi que seven en I igura'2.2a se pueden expresne por medto de una ecuacin,talamada ecuacidn de dlodo de Schockly, que para el uneionamiento en estado per munente es del Eo Ip= Ie" — 1) @ay vee en la que Zp = corriente a través del diodosA; 3 cla del diodo, eon dnodo positivo respecto al esto, Vs corriente de fuga (o de saturacién en sentido inverso),normalmente entre 10° By yl0-5A; n= constante empltica llamada coeficiente de emisién o factor de ideatielad, cuyo valor varia de 1 a 2 Jente de emisién m depende del material y de la construceiénfisiea del diodo, Para los dio- ones, ds de germanio, se considera que n es 1. Para los de silicio, el valor teGrico de n es 2, pero para la ene: ‘mayor parte de les diodos précticos de sllicio, el valor de m esta entre I.Ly 1.8 paso Anode Cétodo oe vuro, Foi FIGURA 21, on el (@) Union pa (6)Simbolo del diode Unga pny simboko de diode, 34 Capitulo2 —_Diodos semiconductores de potencia y circuitos Cortiente de fuga en sentido inverse FIGURA 22 (a) Prietico (©) tdeat CCarscteristicas vi de un diod, En la ecuaci6n (2.1) V;-es una constante Ilamada voltaje érmico, yse define por pies Q2) donde q = carga del electrén: 1.6022 x 10° C (coulomb); T = temperatura absoluta en kelvin (K = 273 + °C); k = constante de Boltzmann: 1.3806 x 10" J/K. ‘A.una temperatura de 25°C en la unién, la ecuacién (2.2) da como resultado ke _ 1.3806 x 107 x (273 + 25) fe sd a 1.6022 X 10° Vr ‘A una temperatura especificada, la corriente de fuga J, es constante para un diodo dado. La cure ‘a caracteristica del diodo en la figura 2.2a se puede dividir en tres regiones: Regin de polarizacién directa, donde Vip > 0 egién do polarizacicn inversa, donde Vip <0 Regién de rompimiento, donde Vp < —Vax Region de polasizacién directa. En esta regién, Vp > Vo. La cortiente [p rel diodo es muy pequetia, sel voliaje del diodo Vip es menor que un valor especifico Vp (en forma tipica os 0.7 V).B1 diodo conduce en forma total si Ves mayor que Vrp,al que se Ie conoce como volta: je de wmbral, voltaje de entrada, voltaje de activacién, voliaje de cerre o voltae de encendido. Aste) voltae de umbral es aquel con el eual el diodo conduce en forma total. Tmaginemos ua volaje pequetio ce diodo, Vp = 0.1 V,n = 1y Vz =25.7 mV. Deacuerdo con la eouacién (2.1) se puede determinar la corriente correspondiente en el diodo, /p como sigue: I = Ifeto'nte = 1) = dfeO*90257 — 1) = 148.96 — 1) = 47.96, ‘que se puede aproximar a Jp © 1e¥0!"¥* — 48.96 J,, con wn error de 2.1%, Al aumentar vp, el ‘error disminuye con rapider. 24 Caracteristicas de recuperacién inversa 35 En consecuencia, cuando Vi > 0.1 V, como suele ser el easo normal, fp >> Jy. y In eeune cin (2.1) se puede aproximar dentro de un error de 2.1%, a Ip = bfe¥#M¥e — 4) ws LeVals 03) Regi6n de polarizaciin inversa. En esta regién Vp <0. SiV; ex negativa y Wp] > Vp. lo 7 cual sucede cuando Vp < —0.1 V, el término exponencial de In cevacién (2.1) se vuelve muy pe+ uetio en comparaciGn com la unidad y se puede despreciar; entonees la corciente en el diodo Jp es Ip = LeWeolletr — 1) 95-1, (24) lo cual indica que la corriente en el diodo, Zp, en sentido inverso, es constante e igual a 7, Regién de rompimiento. En esta regin de rompimientos (o de ruptura, de disrupein o de avalancha) el voltaje en sentido inverso es alto, por lo general con una magnitud mayor que 1000 V. La magnitud del voltaje en sentido inverso puede ser mayor que un Voltaje especificade amado vortaje de rompimiento (a voltaje de ruptura, voltaje de disrupcidn o tensién de ruptu- +a) Vg. con un pequeiio cambio en el voltaje en sentido inverso mis alla de Ving. Con aumento pequefio de voltaje en sentido inverso Vgg la corriente en sentido inverso aumenta en forma ra (22) ida. El funcionamiento en la region de rompimiento no serd destructivo siempre y cuando tn di- sipacidn de la corriente quede dentro de un “nivel de seguridad” que se especifica en Ins hojas de datos del fabricante, Sin embargo, con frecuencia es necesario limiter la vorriente inversn en la regiGn de rompimiento, para limitar la disipacién de potencia a un valor admisible. Ejemplo 2.1 Célculo de la corriente de saturacion ‘La fea directa de voltaje de un diodo de potencia &s Vp = 1.2V a [p = 300A. Suponiendo que n = 25 mV calcular Ia corriente de saturacisn inversa J, Solucién ‘ise aplica la ecuacién (21) se puede caleular Ia corriente de fuga (a de saturacisn) J, com: 100 = 1feteasanar) 4 Lacur- Cuyo resultado es J, = 2.17746 x 10, Puntos clave de la seeci6n 2.3, + Undiodo tiene una curva caracteristica »—i no lineal, formada por tres regiones: polariza- jiodo es cin directa, polarizacién inversa y rompimiento. En la condicién de conduccién en senti- pica 08 do directo, la cafda en el diodo es pequefta de 0.7 V en forma tipica. Siel voltaje en sentido volte inverso cs mayor que el voltaje de rompimiento, puede dafiarse el diodo. » Asie c, CARACTERISTICAS DE RECUPERACION INVERSA do con eo ‘La corriente,en un diado de unisn con polarizacién directa, se debe al efecto ncto de los portado- res de mayoria y de minoria. Una vez que un diodo esta en modo de conducciGn directa, y a con- tinuacién su corriente en sentido directo se reduce a cero (por el comportamiento natural del ireuito del diodo, o por la aplicacién de un voltaje en sentido inverso), el diodo continda condu- ar vp,el ciendo, por los portadores de minoria que quedan almacenados en la unin pn y en la masa del ‘material semiconductor. Los portadores de minoria requieren determinado tiempo para recombi- 36 Capitulo2 —_ Diodos semiconductores de potencia y circuitos ota ' FIGURA23 Caraorristicas de recuperacién en sentido inverso. (@) Recuperacion suave narse con cargas opuestas y quedar neutralizados.A este tiempo se le lama ilempo de recupera- Cin en sentido isverso, o tempo de recuperacién inversa del diodo. La figura 2.3 muestra dos cur- vas caracteristiens de recuperacidn inversa de diodos ce unin, El ipo de recupcracign suave es el mas comin, El tiempo de recuperacién inversa se representa por i, ¥se mide a partir del eruce {nicial dela corriente en el diodo con cero, hasta que la corriente en sentido inverso llega el 25% de su yalor maximo (0 pico), Fae- Elf, esté formado por dos componcates, ty y- El, varianle se ebe al almacenamiento de cargas en la regidn de agotamiento de la unin, y representa el tiem- po desde el crave con cero hasta el pico en sentido de corricnte en sentido invers0 Fea. Ft 36 de~ be al almacenamiento de carga en Ia masa del material semiconductor. La razén dy/ se ama factor de suavidad (SF. de sus siglas en inglés sofiness factor). Pata fines précticos uno debe ocu- parse del tiempo total de recuperacion fy del valor pico de la cortiente en sentido invers9 Le le + ty @5) La corriente pico en sentide inverso se puede expresar en funcién de difdt en sentido inverso ¢o- mo sigue’ bn di at El iempo de recuperaciOn iversa fy 82 puede definir camo el intervalo de tiempo catre el instante len qui In corriente-pasa por cero durante el cambio de conduccién directa a la condicién de blo- (queo inyerso,y el momento en que la corriente en sentido inverso ha bajado hasta el 25% desu va- lor pivo Ine La variable t,, depende de la temperatura de la unién, de la velocidad de caide de ka corriente en sentido direeto, asi como la corriente en sentide directo antes de la conmutacisn, Ls La carga de recuperacivn inversa Qe esa cantidad de portadores de carga que atraviesan al diodo en el sentido direccién inverso, debido a un cambio de conduccién directa a una condi- cidn de blogueo inverso, Su valor se determina con el area encerrada por la trayectoria dela co- rriente de reeuperacisin inversa. ‘La carga de almacenamionto, que es el drea encertada por la trayectoria de Ta corriente de la curva de reeuperacién es, en forma aproximada, (26) Jaw Qn = Sante * Peale = bent, an vs dlecir, (28) 24. Caractersticas de recuperation inversa 37 Se iguala Fx en la ecuaciGn (2.6) com Zen lu ecuacién (2.8) se obtiene as) Si fy es despreciable en comparacién con fg lo cual sucle ser el caso, entonces frp * fa, ¥ la ecua= in (2.8) se convierte en fe SN dildt dt Ira = [20a0'G; fem) Se puede notar en las ecuaciones (2.10) y (2-11) que el tiempo de recuperacisn invert yy ka co sriente pico de recuperacién inversa Iga dependen de la carga de almacenamiento Ox de la difdt inversa (o reaplicada). La carga de almacenamiento depende de la corriente de died en sentido directo [p. La corriente pico de recuperaciGn inversa fra. ta carga en sentido inverso Ox y cl FS (factor de suavidad) tienen interés para el disefindor del circuito, y esos parémetros s¢ in- cluyen com frecuencia en las hojas de especificaciones de 1s diodos, Si un diodo est4 en condicién de polatizacién inversa, pasa una corriente de tuga, debida a Jos portadores de minoria, En ese caso, In. aplicacion de un volte en sentido directo foraaria @ que ldiodo condujera la corriente en sentido directo, Sin embargo. se requiere de cierto tiempo llama- do tiempo de recuperacion directa (0 tiempo de activaciGn,o tiempo de encendilo) para que todos los portadores de mayoria en toda la unién puedan contribuiral flujo de la cortient. Sila veloc dad de aumento de la corriente en sentido directo es alta,y esa corriente se concentra en un sea ppequeta de la unin, puede ser que falleel diodo. Asi el tiempo de recuperacién directa limita la velocidad de aumento de Ia corriente en sentido directo, la velocidad de conmutacién, Ejemplo 2.2 Calculo de la corriente de recuperaci6n inversa El tiempo de recuperacin inversa de un diodo @s Ty, = 3 w&y la velocidad de cafda de In corriente por el diodo es dit ~ 30 A/us Determinar 8) la carga Oya de almacenamiento y b) la corriente pico en sentido inverso Je Sotucién fy = Busy daldt = 30 Als a. De acuerdo con Ia ecuacién (12.10), One 5x 30 Alps x (3X 107 1h, De acuerdo com Ia ecuacién (12.11), 2x 135 x 10° 30 x 10° = WA 38 Capitulo 2 —_Diodos semiconductores de potencia y circuitos 25 25.1 252 Puntos clave de la seccién 2.4 ‘+ Durante el tiempo de recuperacion inversaf,, el diodo se comporta en forma eficaz como cortocircuito, y no es capaz de bloquear el voltaje en sentido inverso, y deja pasér la co- rriente en sentido inverso; después, de repente interrumpe la corriente. El pardmetro i, es importante en las aplicaciones de conmutaci6n, TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA Enel caso ideal, un diodo no deberfa tener tiempo de recuperacién inversa. Sin embargc, el cos- to de fabricacién de ese diodo podria aumentar. En muchas aplicaciones no son importantes los ‘efectos del tiempo de recuperacidn inversa y se pueden usar diodos poco costosos. Dependiendo de las caracteristicas de recuperaci6n y de las téenicas de manufactura, los diodos de potencia se pueden clasificar en las tres categorias siguientes: 1. Diodos normales, de propésito general 2. Diodos de recuperacién répida 3. Diodos de Schottky Las caracteristicas y las limitaciones précticas de estos tipos restringen sus aplicaciones. Diodos de propésito general Los diodos rectficadores de propsito (0 uso) general tienen un tiempo de recuperacién inversa telativamente grande, en el caso tipico de unos 25 ps, y se usan en aplicaciones de baja velocidad, donde no es eritco el tiempo de recuperacién (por ejemplo, en rectfieadores y convertidores de diodo, para aplicaciones con una frecuencia de entrada baja, hasta de 1 KH, y para conrertido- tes conmutados por linea). Es0s diodos cubren especificaciones de corriente desde menosde LA y hasta varios miles de amperes, y las especificaciones de voltaje van de 50 V hasta 5 KV. En ge- rncral, e508 diodos se fabrican por difusin. Sin embargo, los tipos de rectificadores de aleacion ‘que se usan en las fuentes de poder para soldar, son lo més econémicos y robustos, y sus capaci- dads pueden llegar hasta 1500 ¥, 400 A. La figura 2.4 muestra diversas configuraciones de los diodos de propésito general, que «cuen casi siempre en dos tipos: uno se lama tipo perno, o montado en pera, espiga o terminal: el otro se llama tipo de disco, paguete prensado o puck de hockey. En un diodo del tipo montado en permo, el énodo o el eétodo puede ser el perno. Diodos de recuperacion réy Los diados de recuperacidn répida tienen tiempo de recuperaci6n corto, en el caso normal me- nor que 5 js. Se usan en circuitos convertidores de cl a ed y de ed a ea, donde con frecuencia la velocidad de conmutacién tiene importancia critica. Eos diodos abarcan especilicaciones actua- les de voltaje desde 50 V hasta unos 3 KV, y de menos de 1A hasta cientos de amperes. Para voltajes nominales mayares que 400 V, los diodos de recuperacién ripida se suelen {fabricar por difusion, y el tiempo de recuperacidn se controla por difusiGn de platino o de oro. Para expecificaciones de voltaje menores que 400 V, os diodos epitaxiales proporcionan veloci- ades mayores de conmutacién que las de los diodos por difusién. Los diodos epitaxiales son an- zostos de 1a base, lo que da como resultado un tiempo corto de recuperacién tan corto como 50 ns, Los diodos de recuperaci6n répida de diversos tamatios se ven en la figura 2.4. 2.6 Diodos de carburo de silicio 39 { co- los ido nse IGURA24 Diodes de recuperacién pda. (Cortera de Powerex. Ine) 25.3 Diodos Schottky [ El problema de almacenamiento de carga de una unién pa se puede eliminar o minimizar en un diodo de Schottky. Esto se logra estableciendo un “potencial de barrera" (0 “barrera de poten- : cial”) con un contacto entre un metal y un semiconductor, Se deposita una capa de metal sobre una capa delgada epitaxial de silicio tipo n. La barrera de potencial simula el comportamiento " de una unién pn. La aceiGn rectficadora s6lo depende de los portadores de mayorfa, yen con- : secuencia no queda exceso de poriadores de minoria que se recombinen, El efecto de recupe. DA raciGn sélo se debe a la capacitancia propia de la unién del semiconductor. a La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalen- - te de unién pn. Ya que es solo se debe e la capacttancia de a unida, es bastante independientc de 2 la dir inversa. Un diodo de Schottky tiene ina aida de voltae relalivamente baje en sentido directo hs La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de uniéa pn. Un Mi dliodo Schottky con voltaje de conducci6n relativamente bajo tiene una corriente algo alta, y vi- ceversa. El resultado es que el voltaje maximo admisible para este diodo se limita en general a ; 100 V. Las especificaciones de corriente de los diodos Schottky varfan de 1 a 400 A. Son ideales ppara fuentes de alimentacién de gran corriente y alto voltaje de ed. Sin embargo, esos diodos también se usan en fuentes de poder de poca corriente, para tener mayor eficiencia. En la figura _ 2.5,se ven rectificadores duales Schottky de 20 y de 30 A. | a Puntos clave de Ia seccién 2.5 ‘+ Dependiendo del tiempo de recuperacién en conmutaciGn,y dela caida en estado de conduc- en «in, los diodos de potencia son de tres tipos: uso general, recuperacién répida y de Schottky. oro. 5. 25 —_DIODOS DE CARBURO DE SILICIO m0 El carburo de silcio (SiC) es un material nuevo en la electronica de potencia, Sus propiedades fisicas mejoran mucho las del Si y del GaAs. Por ejemplo, los diodos Schottky de SiC fabricados 40 Capitulo2 Diodes semiconductores de potencia y circuitos 27 FiguRA 25 Rectficadorescontrales dates do Schottey para 20 30.8. (Cortesia de International Reeier) por Infineon Technologies [3] tienen pérdidas ultrabajas de poteneia, y gran fiabilidad. También tienen las siguientes propiedades: ‘+ No tienen tiempo de recuperacién inversa; + Comportamiento ultrarrépido en conmutacién: *+ La temperatura no influyc sulve el cumportamiemto de conmutacion. La carga tipica de almacenamiento Qge es 21Nc para un diodo de 600V y 23Ne para uno de 600V y 10a. MODELO SPICE DE DIODO El modelo SPICE de diodo [4-6] se incluye en la figura 2.6b. La corriente de diodo Ip, que depen- de de su voltaje, se representa por una fuente de corriente. R, es la resistencia en serie, y se debe ala resistencia del semiconductor, También, R, se llama resistencia de la masa y depede de la ccantidad de dopado. Las modelos para sefial pequefia y estifticos que genera SPICE se ven en las figuras 2.6c, 2.6d, respectivamente. Ci es funcién no lineal del vollaje de diodo vy yes igual a Cb ~ dyaldp, donde qy es la carga de la capa de agotamiento, SPICE genera los parimettos de sefial pequefla a partir del punto de operacign. La declaraciéa de modelo SPICE de un diodo tiene la forma general +DNOMBRE MODELO D (PL=v1 p2-V2 P3-V3 ..... PN-vm) DNOMBRE es el nombre del modelo, y puede comenzar con cualquier carécter:sin embargo su tamaao de palabra se limita normalmente a 8. es la letra de simbolo de los diodas. P1, P2,...y V1,V2, ..$on os pardmetros del modelo y sus valores, respectivamente. Entre los muchos parametros de los diodos, los més importantes [5] para la conrutacion de potencia son: IS Corricate de saturacién BV —_Yollaje de rompimicnto en sentido inverso IBV Corriente de rompimiento en sentido inverso TT Tiempo de transito CIO Capacitancia pra polarizacién cero 27 Modelo SPICEdediado 44 A én K (@)Diodo (6) Modelo SPICE fn A de sete be ela nas al a de 4 (6) Modeto para sel pequeta (4) Modet esiteo FIGURA 26 “Modelo SPICE de diodo eon polarizacén en sentido inverso ost pa Como los diodos de SiC usan una tecnologia totalmente mueva, el uso de SPICE para los diodos cién de silicio puede introducir una cantidad apreciable de errores. Sin embargo, los fabricantes [3] ‘suministran los modelos SPICE para sus diodos. Puntos clave de Ia seecién 2.7 ‘+ Los parvimetros de SPICE, que se pueden deducir de las hojas de datos, pueden afeetar en forma apreciable cl comportamiento transitorio de un eircuito de conmutacién en estado a 2.8 Capitulo 2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos DIODOS CONECTADOS EN SERIE En muchas aplicaciones de alto voltaje (por ejemplo, ineas de transmisién de corriente directa cn alto voltaje [HVDC]), un diodo de los que se consiguen en el mereado no puede cumplir con las especificaciones de voltaje, y los diodos se conectan en serie para aumentar sus posibilidades de bloqueo inverso. Consideremas dos diodos conectados en serie, como se ve en la figura 2.7a. Las variables ip ¥ Up Son la cortiente y el voltae, respectivamente, en sentido directo; vp: Y Upp Sor: los volta- jesen sentido inverso compartidos de los diodos D, y D3, respectivamente, En la préctica, las ¢&- racter(sticas wien diodos de un mismo tipo difieren, debido a las tolerancias de sus procesos de produceidn. En la figura 2.7b se ven dos caracteristicas »~i para tales diodos. En la condicién de polarizacién directa, ambos diodos conducen 1a misma cantidad de corriente, y Ia cafda de voltaje de cada diodo en sentido directo seria casi igual. Sin embargo, en la condicién ce bloqueo inverso, eada diodo debe conducir la misma corriente de fuga, y en consecuencia los voltajes de bloqueo pueden ser distintos en forma apreciable. ‘Una solucién sencilla para este problema es, como se ve en la figura 2.8a, forzar la parti- cin 4 voltajes iguales conectando un resistor en paralelo con cada diodo. Debido a la particién igual de voltajes, la corriente de fuga de cada diodo seria distinta, lo cual se ve en la Figura 2.8(b). (Como la curriente Wlal de fuga debe eumpartirse por un diodo y su resistor, Tat Tey Lat Tee (2.12) Sin embargo, Int = Vpi/Ri, © Iza = Voy'Re = Voy/Ro-La ecuacién (2.12) determina a relacién centre Ry Ry,para voltajes compartidos iguales, que es: Int 2 = p+ (2.13) Si las resistencias son iguales, entonces R = Ry = Ro, y los voltajes en los dos diodos serfan un poco diferentes, dependiendo de las desigualdades entre las dos caracteristicas vi. Los valores Yor Dy + vor 22 | + 1 } (a) Dingrama de cxeuito () Caractersticas =i FIGURA 2.7 Dos iodos comectades en serie con polarizacién en sentido inverso. 28 Diodos conectadosen serie 43 es % (c)Dingama de cro @ canter cura ke Dios conssados en sri con arses de alae de ex exe compat, 0). 2 Vattsje 2 peri gle wy on eerie estado transitorio — FIGURA 2.9. Diode teas dee | copiompeecan aren | Suey evade anion 3) e fn de Vy ¥ Vane pueden determinar eon las ecuaciones (2:14) y (215)a continuacion: = i, = Jy + hn ty + 2.18 R Int R (2.14) Vin + Von = Ve a3) Los voltajes compartides bajo condiciones transitorias (por ejemplo, debidas a cargas conmu- tantes,y las aplicaciones iniciales del voltaje de entrada) se obtienen conectando capacitores en paralelo con cada diodo, como se ve en Ia figura 2.9, R, limita la velocidad de aumento del volta- je de bloqueo. Ejemplo 2.3 Determinacién de resistores para compartir voltaje ‘Se conectan dos diodos en serie, coma se ve en la figura 2.8, para compartir ua voltaje total de ed en sentido inverso de Vy = 5 kV. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos son Jj; = 30 mA € J 35 mA. a Determinar los voltsjes de diodo, si las resistencias de voltae compartido son igual, = R; ~ 100 KO. b) Determinar las resistencias de voltaje compartido R, y R; para que los votajes en los diodos sean iguales, Vp = Vop = Vp/2.6) Usar PSpive para comprobar los resultados de la parte a). Los pardnictras ‘30 mA para el diodo Dj, IS = 35 mA para el el modelo PSpice de los diodos son BV = 3kV a I iodo D;. 44 Capitulo2 —_Diodas semiconductores de potencia y circuitos Solucion fe [y= 30mA, [= 35 MAy Ry = Rs = R= 100K. Vp = Vox ~ Von es decir Von = Vp ~ Vor-De la ecuacisn (2.14), You n+ ® ‘Sustituyendo Vos = Va — Voi y despejando el voltaje del diodo D, se Mega a Yo, Ry Vou = P+ 5a had ++ HOKE 35 x10 = 30 x 10") = 2750 19) SRV ~ 2750 ~ 2250. /p/2 = 2.5 kV. De acuerdo con fa eeuacion (2.13), donde se obtiene la resistencia R, para un valor conocido de R como sigue: Vonks BV = Rilla = Tad es ‘Suponiende que R = 100 kO, se obtiene 25KV X 1002. SRY A NOOKG ____ = ask. 2S RV — 100KkO x GS x 107 — 30x 10") «&Eleirenito con dlovios para simulaciéin con PSpice se ve en In figura 2.10.1 archive delcireuito ‘es el siguiente: ee Rjomplo 2.3 ‘Circuito de diodes con voltaje compartido wot 0) ome ORY R12 O01 Rea 9-00 m3 «0 400K D2 2 OL mb 3 ome [MOORE MODL D (IS-30A HV=3KV) ; Pardmetros del modelo de diode MODEL MOO? D (1S=35.R } Pardmetzos del modelo de diodo oP } Andlisis de punto de operacién en od 16) 17) 2.9. Diodes conectados en paralelo 45 R tops FIGURA2.10 Circuito de diodo paca simulacién con spice del ejemplo Los resultados dela simulacidn con PSpice son Py -3.508-02 Tyj--35 mh 2150 V expected -2750 V-2.25803 Vige-2250 V expected -2250 V REQ 1,008+12 Ry GD 1.008412 Ry=l GO Nota: SPICE proporciona los mismos voltajes que los esperados. Se inserta una pequeiia resistencia R = 10 m0 para evitar un error de SPICE por un lazo de valtaje con resistencia vero, Puntos clave de la seccién 2.8 ‘+ Cuando se concetan en serie diodos del mismo tipo, no comparten el mismo voltaje inver- so, por Ia falta de coincidencia en sus curvas caracteristicas vi. Las redes de voltaje com- partido se necesitan para igualar las repeticiones voltaje. DIODOS CONECTADOS EN PARALELO En aplicaciones de alta potencia, se conectan diodos en paralelo para aumentar la capacidad de conduceisn de corriente conectan en paralelo para aumentar la capacidad de conductidn de co- rriente y eumplir con los requisitos deseados, La reparticién de corriente entre los diodos, debe estar de acuerdo con sus respectivas cafdas de voltaje directo. Se puede lograr un separto unifor- me de corriente mediante inductancias iguales (por ejemplo, en las ramas) 0 concctando resisto- res (los cuales pueden ser précticos, debido a las pérdidas de potencia); lo anterior se muestra en Ja figura 2.11, Es posible minimizar este problema seleccionando diodos con caidas iguales de voltaje directo o diodos del mismo tipo. Ya que los diodos esti conectados en paraleto, los vol- tajes de bloqueo inverso de cada diodo serfan los mismos. Los resistores de la figura 2.11a contribuyen a compartir la corriente en condiciones de es- tado permanente. Se puede lograr la corriente compartidas bajo condiciones dindmicas, conectan- do inductores acoplados, como se ve en la figura 2.11b. Si aumenta la corriente a través de Ds, aumenta la L die a través de L; y se induce un voltaje correspondiente de polaridad opuesta a través del inductor J. El resultado es una trayeetoria de baja impedancia a través del diodo D3, y la corriente se transfiere a D3. Los inductores pueden generar picos de voltaje, y pueden ser ca- +08 y voluminosos, especialmente en corrientes altas. 46 Capitulo2 _Diodos semiconductores de potencia y circuitos 2.10 Dd, XD, Dy Dy + a Rr SR, > 0 nee {| | : hy FGURA 211 ‘Diodes conectados en paralelo, (a) Estado estable (b) Particién dindmica Puntos clave de la seccién 2.9 + Cuando diodos del mismo tipo se conectan en paralelo, no comparten la misma corriente ‘en el estado de conduccién, debido a faltas de coincidencia de sus curvas caract v-# ;por lo que se necesitan redes para igualar la corriente compartida. DIODOS CON CARGAS RCY RL La figura 2.12a muestra un citeuito con diodo y carga RC. Para simplificar, se considera que el dodo es ideal. Por “ideal” se entiende que el tiempo de recuperacién inversa ty y la caida de vol- taje en sentido directo son despreciables. Esto es fy = 0 y Vp = 0-El yoltaje de Ia fuerte Vs €8 de ed y constante, Cuando se cierr el intertuptor 5, en el momento s = 0,la corriente de eargad {que fluye por el eapacitor se puede determinar partienda de que Vino m met d [ide tule = 0) (2.18) bg = Ri 2.19) i a R y R ° (Diagrams del cireito FIGURA 2.12 Circuito de diode eon una carga RC. eel vol- ses gai 18) 2.10 Diodos con cargasRCy RL a7 Con la condiciéninicial (¢ = 0) = 0, la solucton de la eouaci6n (2.18) (que se demuestra en el apéndice D,ecuaci6n Dit) para la cortiente de carga ies (2.20) El voltaje u, del capacitor es ne) =3 fi 221) endonde-r= RC esta constnte de empo de una caren RC La velocidad inl de cio del folnjeneeaperes aM, Re (2.22) yyla velocidad inicial de cambio de ese capacitor (cuando 1 = 0) se obtiene de la ecuacitn (2.22) ay, v, “dt lio RC En Ja figura 2.13a se ve un eircuito con diodo y earga RL. Cuando se cierra el interrup- tor S, en el momento £ = 0, aumenta Ia corriente ia través del inductor, y se obtiene partien- do de que di SER (2.24) Via ot up= Lb Para la condicisn iniial (+= 0) = 01a soluci6n dela ecuackén (224) (que se demuestra en el apéndice D, ecuasion D2) es i) = ea = etl (2.25) (4) Disgrama dal crcuito (8) Formas de onda FIGURA2.13 Cizeuito de iodo con una carge RE. 48 Capitulo2 —_Diodos semiconductores de potencia y circuitos La velocidad de cambio de esta corriente se obtiene con la ecuacién (2.25) como: di Mam hod y la velocidad inicial de aumento de fa cortiente (para r = 0) se obtiene con la ecuaci6n (2.26): = 27) El voltaje vy a través del inductor es ox(t) = Were (2.28) donde 1/R = 7, la constante de tiempo de una carga LR. Las formas de onda del voltaje vz y de la corriente ise ven en le figura 2.13b,Sit >> L/R, el voltaje a través del inductor tiende a cero y su corriente alcanza su valor de estado estable de J, = V»/R. Si entonces se trata de abrir el interruptor la energia almacenada en el inductor (= 0.512} se transformaré en un voltaje alto en inverso, a través del iterruptor y el dioco. Esta fenerata te disipa en forma de chispas eu el iutctsuptor, y es probable que en este proceso se «lume el diodo Dy, Para remediar esta situacién se eonecta un diodo, llamado diodo de corrida f- brea través de una carga inductiva, como se ve en la figura 2.21a, Nou: Como la eorriente i en las figuras 2.12a y 2.13a es unidireccional, y no tiende a cam- biar su polatidad, los diodes no tienen efecto sobre la operaciGn del circuito. Punto clave de la seccién 2,10 * La corriente de un cireuito RC o RL que aumenta o disminuye en forma exponencial con tina constante de tiempo del circuito, no invierte su polaridad, La dv/dr initial de carga de un capacitor en un citcuito RC es V_/RG, y la di/dtinicial en un citcuito RL es VAL Ejemplo 2.4 Determinacién de la corriente pico y la pérdida de energia en un circuite RC En lo figura 24a se muestra un cireuito de diodo, donde R = 44 y C = 0.1 ul! El capacitor Gene un Volta inicial Vag = Ve 2200V. Si se cerra el interruptor 5, euanda 1 = 0, determine 4) Ia coriente pico en el diodo, ) la eneigia disipada en el resistor R y c) el voltaje en el capacitor cuando f= 2us Solucién ‘Las formas de unda se ven on Ts fg 2.146, 4% Se puede usar la ecuacién (2.20) con V; = Vay la corriente pico en el diodo, es 20 La energia W disipada es W = O5CV% = 05 x 0.4 x 10° x 2207 = 100242 J = 2.42. mi 2.11 Diodos con cargasLCy RL 49 (0) Diagrama del creito (6) Formas de onda FIGURA 2.14 Circuito de diodo con una carga RC Para RC= 44 x 0.1 ps ys =f) = 2 sel volte en el capacitor es v(t = 2 ys) = Vie = 200 x ‘Nota: Como la corriente es unidireccional, el diodo no afecta la operacién del cireuito, DIODOS CON CARGAS LCY RL En la figura 2.15a se ve un cireuito con diodo y carga LC. El voliaje de la fuente V, es de cd y constante. Cuando se cierra el interruptor $; en el momento 1 = 0, ln corriente de carga {del ca- pacitor se obticne partiendo de que nants fare emo ex (@) Diagrama del eixeito (0) Formas de onda FIGURA 2.15) Citeuito de diodo eon une carga LC 50 Capitulo 2 _Diodos semiconductores de potencia y circuitos Con las condiciones iniciales {é = 0) = 0 y v(t = 0) = 0, la ecuacién (2.29) puede resolverse pa- +a la corriente éen el capacitor como (ecuacién D3 en el apéndice D) Be) = VaglEsen ont 2x0 Ty S20 ayt (2.31) donde wy = VEL y a coriente pico J, es ha wy (232) La velocidad de aumento de la corriente se obtiene de la ecuacién (2.30) como a _v, Ge LoS wot (233) y la ecuacién (2,33) determina la velocidad inicial de aumento de la corriente (para t= 0) como: dil] _¥, alee (234) El votaje a través del capacitor se puede obtener como EG) aia = ¥,(1 = c0s wt) (2.38) Jn En cl momento = 1, = VEC, la corricnte i en el diodo cae a cero,y el eapacitor se carga a 2¥,. Las formas de onda para el voltaje v, y la corriente i se ven en la figura 2.15b, ‘Nota: Como en el cireuito no hay resistencia, no puede haber pérdida de enerpi. Asi, cuando no hay resistencia la corriete de un circuito LC oscil y la energia se transfiere de ¢ a Lay vieevers Ejemplo 2.5 Determinacién del voltaje y la corriente en un circuito LC En In figura 2,16a se muestra un eiruito de diodo y carga 1.C, donde el capacitor tiene un volte inicialy V.{0= 0) = ~Vag = Vo ~ 220 Vs copecitancia C = 20 yF e inductancia Z. = 80 lH, Si se cerra elinterruptor ‘5: ¢n 61 momento r = 0, determinar a) la corriente pico en el diodo; b) el tiempo de conduecicn del dado, y Jl voltaj en el expacitor en estado permanente. Solucion % Aplicando 1a fey de vottaje de Kirchhoff podemos escribir la ecuacién de Ia corrien com: dif Hed fiareeen=o 2.11 Diodos con cargasL¢y RL 51 (2) Diagrama del cxevito (©) Formas de onda FIGURA 2.16 Circuito de diode eon una carga LC. y la corriente con Jas condiciones inicles de {/ = 0) = 0 y wr = 0) = fe Ha) = Ven 7 $00 ot en donde wy = VEC = 10%V20 80 = 25,000 rads. La corriente pico Jy es vol = 20,/0 = 1104 Cuando? = 1, = = VC, la cortionte en et diodo se hace cero y el tiempo de conduecion j, det iodo es f= BVEE = V20 XW = 125.66 ps ‘& Se demuestra con faclidad que el voltgje en el eapacitor es af) b [iV Vig008 wt Para f= 1 = 126.66 ps, 2 220 c08 # = 220. Ena figura 2.17 se ve un circuito con diodo y carga RLC. Si se cierra el interruptor S; en el momento r = 0, se puede aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff para plantear la ecuacidn de la corriente de carga / como: ai 1 LatR+G fiasne=o=¥ (2.36) ‘con condiciones iniciales i(t = 0)= Oy n,{t = 0) = Vig, Diferenciando la ecuacidn (2.36) y divi ddiendo ambos lados entre L se obtiene la couaci6n caracteristica ai Ra i Set aie (237) 52 Capitulo2 —_Diodos semiconductores de potencia y circuitos FIGURA 2.17 Circuito de diode con una carga RL En condiciones de estado permanente, el capacitor esta cargado al voltaje de la fuente V, y la co- rriente de estado permanente es cero. La componente forzada de la corriente en ls ccuacién (2.37) también es cero: La corriente se debe a la componente natural. La ecuacién caracieristica en el dominio de Laplace (de s) es y lar raices de la ecuacién cuadratiea (2.38) son oe a cae pa A continuacién se definirdn dos propiedades importantes de un circuito de segundo orden: el ato at o (2.40) Ext 2 y la frecwencia de resonancia, (241) 1 9 ie: Sustituyondo las definiciones anteriores en la ecuacidn (2.39) se obtiene ssa t Vo? — of (2.42) ‘La soluci6n para la cocriente, la eval depende de los valores de a y de wp se apegaria a uno de los res casos posibles siguientes: Caso 1 Sia = a, las raices son iguales,.s, = s2 y se dice que el circuito es criticamente amortiguado. La solucién toma la forma at) = (Ay + Apte™ (2.43) Caso 2, Si a > ov, las raices son reales y se dice que el ciruito esta sobreamortiuado, La solucién toma la forma " it) = Aye + Age™ (244) ‘Case 3. Sir < iy las rafces Som complejas y se dice que el circuito esta bajo umertignado. Las raices son Sig = —0+ jo, (245) 2.11 Diodos con cargas icy RL 53 Yu, se lama frecuencia de anillo (0 froovensia de resonancia.amortiquade), y oo, = Vd ~ o2. La sohcion tiene fa forma "w(A; cos wt + Az Sen W,1) (2.46) que es una sinusoide amortiguada 0 decayente. Nota: Las constantes A, y A, se pueden determinar a partir de las condiciones iniviales del circuito, La relacién de aly se suele Hamar razén de amortiguamiento 8 = R/2\/C/L, En gence ral los circuitos electrOnicos de potencia son bajo amortigundos, de tal modo que la corriente del ireuito sea aproximadamente sinusoidal y para lograr una salida de ca casi sinusoidal, para de- sactivar un dispositivo semiconductor de potencia, Fjemplo 2.6 Determinacién de la corriente en un circuito RLC El civeito RUC de la iguca 217 tiene un voltae V, ~ 220. inductonca Z.~ 2 mH, eapecitancia C= 005 Py resistencia R = 160 0. I valor incial del voltajeen el eapuclior es 2(1 = 0) ~ Vip = O.y ta eorvieme nel conductor it = 0) = 0.Sise cierra el interrupt 5 cuando = 0 determinar a) una expresion para a onriente (yb el tempo de conducién del diodoc)Trazar un esquema de ().d) Usa PSpie para gra far la corrienteinstantinea | para R = $0 0, 16090 y 320.0 Solucion (2.40), « = RI2L. ~ 160 10Y(2 x 2) = 40,000 rads, y de la ceuacion (2.41), = 10° radis, La frecuencia de anillo es 0, = \/1099 = 16 X10 = 91,652 rads ‘como a < ty. 28 un citeuito bajo amortiguado,y Ja solucién tiene la forma i(Q) = e“*(A, cos w,t + Azsen wa) ,y esto da como resultado A, = 0. Lasolucidn es i() =e Agsen vt La dorivada de i() es a a 10, 608 wt Are™ ~ ersen ont Age ™ (Cuando se cierra el interruptor en el momento = 0 capacitor presenta baja impedancin, ye inductor presenta alta impedancia, La velocidad iniial de aumento de la corriente es imitada ‘inicamente por el inductor Z. Ast, cuando 1 = 0, la dds del citeuito es V,/L. Por teat, 220 x 1,000 2 91652 x2 ~ 124 54 Capitulo2 _Diodos semiconductores de potencia y circuitos amp FIGURA 2.18, Forma de onda dela corsiente para el ejemplo 26, La expresin final para la cortiente i() es ff0) = 12 sen(91,6s2e-" A, 'b, Bt tiempo de conduccién f del diodo se obtiene cuando i = 0 Esto es eh = or ne = 3427 ps 91,652 © Elesquema de la fouma de onda de corriente se ve en la figura 2.18 4. Eleircuito para simulaci6n en PSpice se muestra en la figura 219 La lista del archivo ds ciruito es asiguiente: Bjewple 2.6 Cireuito RLC con dicdo PARAM VALU = 260 ;Definir parénetro VALU STEP PARK VALU LIST $0 160320; ‘Variar pardmetro VALU VS £0 Fm (0 0 INS 220V IMs 220¥) ; Lineal en seccienes R 203 (va) ) Resistencia variable L 374 at ¢ 40 0.05ur mooi 2 omen } Diodo cen medele cao “MODEL CMOD D(1S=2. 228-15 BV-1800V} _—-: -Pardmetros modelo de diode TRAN 0.1US 60us ; Andlisic de transitorics PROBE } Postprocesador gréfico cD {La grfica de la cortiente 1(R) que Mluye por la resistencia R, se ve en Ia figura 2.20. La respuesta de la corriente depende de a resistencia R.Con un mayor valor de R, la coriente se vuelve mis amortigua ds, y con valores menores, tiende més hacia la sinusoide, Para R ~ 0, la cortiente pico ex V(C/L) 220 (005 p/2maFt) = 156,. 2.11 Dlodos con cargasLCy RL 55 (@) Gireito —- -——— Tas Tm AGURA 219 (6) Votaje de entrada ‘Giteuito RLC para simuacion con Pee. Un citcuito RLC eon un diode ‘Temperataen:27.0 oA Ons 104s 30y8 4018, sts i, - B= 6 1) Tiempo C= Tae, 91SSEm| = boon. 0.000 uesta de dif = 14385, 913.522 m| mortise (Ci) = FIGURA 220 Grafs par el gjemplo 2.6. 56 2.12 Capitulo 2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos Puntos clave de la seecién 2.11 + La corriente de un circuito LC pasa por oxcilacién de resonancia con un valor pico de VAC/L), El diodo , detiene el flujo de corriente en sentido inverso, y el capacitor se car- gaa2v, «+ Lacorriente de un circuito RLC depende de la raz6n de amortiguamiento’ = (R/2)(C/L). En general, los cicuitos electrénices de potencia son bajo amortiguadas de tal manera que la corriente en el circuito sea casi sinusoidal. DIODOS DE CORRIDA LIBRE Sise ciersa cl interruptor S; de la figura 221a durante un tiempo f),se establece una corriente & través de la carga; después, si se abre el interruptor, se debe proporcionar una trayectoria para la corriente hacia la carga inductiva. En caso contrario, la energia induetiva produce un voltaje ‘muy alto, y se disipa en forma de ealor a través del interruptor, como chispas. La trayectoria se proporciona normalmente conectando un diodo Dj, como se indica en la figura 2.2la, ¥ a este iodo se le suele llamar diodo de corrida libre. La operacién del circuito se pucde dividir en dos modos. El modo 1 comienza cuando se cierra el interruptor en el momento t = Oy el modo 2 ini cia cuando se abre después el interruptor. En la figura 221b se muestran los cxcuitos equivalene tes para los dos modos. Las variables je se dlefinen como las corrientes instanténcas para los ‘Modo Modo? (2) Diagrama del circito (©) Creates equivalentes (© Formas de onda FIGURA 221 Circuito con un diodo de marcha Libre, ente a vara la voltaje orin se acste en dos 22 ini- valen- ara los 242 Diodos de corrida libre 57 modos 1y 2, En la figura 2.21ay a este diodo 1, yf som las duraciones correspondientes de esos modos, respectivamente, ¥ f ¥ 2 Modo 1. Durante este modo, la corriente é, en el diodo, que es parceida a la ccuacion (2.25),¢5, (247) Cuando se abre el interruptor on ¢ = 4, (al final de este modo), la corriente en ese momento es yy Ms 1 = a(t = 4) = 20 - 4) 248) Si el tiempo es suicentemente largo, la coriente ga précticamente ala corrieate de estad estable J, = V,/R, y pasa por Ja carga. Modo 2. Este modo comienza cuando se abre el interruptor y la corriente en la carga co: mienza a pasar por el diodo de marcha libre Dp. Si se redefine el origen del tiempo como en el principio de este modo, la corriente que pasa por cl diodo de marcha libre se calcula con (2.49) con la condici6n inicial ¢e Ty, La solucién de la eeuacién (2.49) da como resultado la eo- rriente de mareha libre jy = i, que es g(t) = he” (2.50) y cuando ¢ = festa corriente baja en forma exponencial précticamente hasta cero, siempre que {2 >> LR. Enla figura 22Iese ven las formas de onda de las corriontes. ‘Nota: La figura 2.21e muestra que en yt; las corrientes ya llegaron 2 las condiciones de «estado estable, Estos son los casos extremos. En el caso normal, un cireuito funciona bajo cond ciones tales que la corriente permanece continua, 72.7 Céleulo de la energia almacenada en un inductor con un diodo de marcha libre ‘Ea la figura 22a, la resistencia es muy pequefia (R= 0),el voltgj¢ de suministro es V, = 220V (constante ‘ex tiempo) y la induetancia de carga es L.= 20 lH. Trazar la forma de onda de la corriente de carga si se ‘Serra el interruptor cuando f= 100 us, y después se abre,b) Determinar la energia final almacenada ea cl nductor de carga Soluci6n ‘a. Eldiagrama de citeuito se ve en a figura 2.22a, con corriente incial igual a cero. Cuando se eierra ¢! interruptor en ¢= Ola corrienteen la carga sube en forma lineal,y expresa como 2.13 Capitulo 2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos () Diagrama dol cizeuito (0) Formas de onda FIGURA222 Gireuite de diodo con una carga L, 1, Cundo se abre el intetruptor S, en el momento # = 1, Ja cortiente en Ia carga comicnza a a pe- ‘ar por el diodo D,., Como no hay elemento disipative (rcxistivo) en el eircuito, la eorriente de carga permanece constante en fy = 100 y a enetgia almacenada en el induetor es .SLf ~ 1.1 1 Las formas de onda de corriente se ven en la figura 2.226, mo clave de la seceién 2.12 ‘carga es inductiva, un diodo antiparalelo, llamado diodo de marcha libre, se debe co- nectar a través de la carga para proporcionar una trayectoria para que pase la corriente in- ductiva, Sino es asi, la energfa puede quedar aprisionada en una carga inductiva, RECUPERACION DE LA ENERGIA APRISIONADA CON UN DIODO En el crcuito ideal sin périda [7] de la figura 2.22a, la energia almacenada en el inductor queda prisionada alli porque en el circuito no existe resistencia, En un citcuito préctico es preferible sgjorar la efiiencia regresando la cnergia almacenada a la fuente de abastecimiento. Esto se ‘puede hacer agrogando al inductor un segundo devanado, y conectando un diodo D, como se ve con le figura 2.23a, El inductor y el devanado secundario se comportan como un transformador. El secundario del transformador se conecta de tal modo que si ves positivo, % es negativo con respecto a v1,y viceversa, El devanado secundario que faciita el regreso de la energfa almacena- dda a la fuente, a través del diodo D;, se llama devanado de retroalimentacién. Suponiendo un transformador con una inductancia magnetizante de Lp, ¢l circuito equivatente se ve en la figu- 192236. Siel diodo y cl voltaje secundario (yoltaje de suministro) son el lado primario del transfor- ‘mador,clcircuito equivalente es como el que se muestra en la figura 2.23, Los pardimetros iy fp definen las corrientes on el primatio y el secundario del transformador, respectivamente. debe co- jente in- or queda reterible > Esto se mo se ve ormador. ativo con Jmacena- jendo un mn la figu- 2.13 Recuperacién de la energia aprisionada con un dinde 59 ™ (9) Diagrama del crete “Tansformadar ideal x, (c) Cieuito equvalentereferido al lado de primario FIGURA 223 ‘Gizeuito con un diodo pata reeuperacin de cnergi. [Ref 7,5. Dewan] La relacin de vueltas de un transformador ideal se define por ™ ™ 251) El funcionamiento del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 comienza cuando el in- ‘errupior 5; se cierra cuando ¢ = 0,y ef modo 2 comienza cuando se abre el interruptor. Los cit- -guitos equivalentes de Ios dos modos se ven en la figura 2.24a, siendo f, y ty las duraciones del modo | y el modo 2, respectivamente. 60 Capitulo2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos ‘Modo 1 Mode (0) Formasde onda FIGURA 224 Circuitos equivalentes y formas de onda 2.13 Recuperacion de la energia aprisionada con un diode 61 Modo 1. Durante este modo, el interruptor $; se cierra cuando ¢ = U. El diodo Dy se polariza en sentido inverso y la corriente que pasa por él (corriente del secundario) es alz = ‘es decir, y = 0. Se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff en la figura 2.248 parn el modo 1, von V, (vp — V.)/a y se obtiene el voltaje del diodo en sentido inverso: up = V,{1 + a) (2.52) Suponiendo que no hay corriente inicial en el circuito, la corriente en el primario es la misma {que la corriente en el interruptor i,y se expresa como diy Ve = Ln que da como resultado para OS0= 4 Este modo es vido para 0 = = fy termina euando se sbre el interruptoren = 1. AL final de este modo, la corriente en el primario es Ye 4 (2.55) rt 5) Modo 2, Durante este modo se abre el interruptor, se invierte el voltaje a través del is ductor, y €l diodo D, se polariza en sentido directo. Por el secundario del transformador pasa ‘una corriente, y la energia almacenada en el inductor se regresa al suministro, Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff y redefiniendo el origen de! tiempo al principio de este modo, la corrien- te en ol primario se expresa como con In condici6n inicial/,(¢ = 0) = Jh,y se puede despejar la eortiente como sigue: V, ita) r4[y para O21=h (257) Eltiempo de condueci6n del diodo D, se caleula a partir de la condicién i( Ode ta vous: cin (2.57) y es pp = tel ary, at, (258) El modo 2 es vilido para 0 = 1 = ty, Al fal de este modo, cuando # = f, la energfa almavena- daen el inductor Z, regresa a la fuente, En la figura 2.24b se ven las diversas formas de onda de las corrientes y vollajes para a = 106. 62 Capitulo2 —_Diodos ser nductores de potencia y circultos Ejemplo 2.8 Calculo de la recuperacion de energia en un inductor con un diode de retroalimentaci6n Para el circuito de recuperacin de energia dela figura 2.23 la inductaneia magnetizante dl transform: or €8 Le = 250 WH, Ny = 10,.N) = 1000. Las inductancias y resistencias de fuga del transformidor son des preciables Fl voltaje de sumiaistro ¢s V, = 220 V y no hay corrienteinical en el circuito. Si se elerra el interruptor S; durante un tiempo f; = 50 ys y después se abre, a) determinar el voltaje en sextida inverso ‘del diodo D,, b) ealeular el valor pico de la cortiente en el primario,c) caleular et valor pica ds la corriente fen el secundario,d) determinar el tiempo de conducciOn del diode D, ye) determinar la energiasuministrada por la fuente Solucién Larelacicn de wueltas es. aN ‘® De acuerdo con la ecuacisn (2.52),e1 voltae en sentido inverso del diodo es t= V,(1 + a) = 220 x (1 + 10) 2420 '. De acuerdo con la ecuacién (255), el valor pico dela corriente en el primario es © Elvalor pico de la cortiente en el secundatio es fy = fla = 4470 = 44. 44 De acuerdo con la ecuneién (2.58), al tiempo de eonduccidn del diodo es nly 10 = 250 44 x 3 = 500 ys Lacncrgia de la fuente es 7 i we [ova [pir Se usu la J; obtenida con la eeuacién (2.55) para obtener W = 0.5LqI} = 05 x 250 x 10° x 44? = 0.2425 = 242 mI Punto clave de la seccién 2.13 ‘+ La energfa aprisionada en una carga inductiva se puede regresar a la fuente de

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