CAP{TULO 4 Transistores de potencia Los objetivos de aprendizaje para este capitulo son los siguientes: Aprender las caracteristicas de un interruptor ideal “Apicuiles lus dlistintos transistores de potencia, como BIT, MOSFET, SIT, IGBT'Y COOIMOS ‘Aprender las limitaciones de los transistores como interruptores ‘Comprender las caracteristicas, los requisitos de control y los modelos de transistores de potercia. INTRODUCCION Los transistores de potencia tienen caracteristicas controladas de encendido y apagado. Los transistores, que se utilizan como elementos de conmutacién, se operan en la regidn de satura ciiin, y producen una pequena caida de voltaje en el estado de encendido. La velocidad de con- ‘muitaciiin de los transistores modernos es mucho mayor gue la de los tiristores y se empleait frecuentemente en convertidores cd-ed y ed-ca, con diodos conectados en paralelo inverso pars proporeionar flujo bidireccional de corriente. Sin embargo, sus especificaciones nominates de vollaje y cotriente son menores que las de los tiristores, y normalmente Ios transistores se empleant ‘en aplicaciones de baja a mediana potencia. Los transistores de potencia se pueden clasificar, de ‘manera general,en cinco categorias: 1, Trunsistores bipolares de unién (BIT) 2, ‘Transistores de efecto de campo de metal dxido semiconductor (MOSFET) 3, Transistores de induccidn estatica (SIT) 4, ‘ransistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) 5, COOLMOS Se puede considerar a los BIT, MOSFET, SIT, IGBT 0 COOLMOS como interruptores ideales para expliear las téenicas de conversi6n de potencia. Un transistor se puede operar como un interruptor. Sin embargo, la cleceién entre un BIT y un MOSFET en los circuitos conver- tidores no es obvia, aunque cada uno de elles puede sustituir a un interruptor, siempre y cuando ‘sus especificaciones nominales de voltaje y corriente cumplan con los requisitos de sctida delzdo. Los 2 satura | de con- emplean 50 para inales de emplean, ificar, de sruptores srar como s conver- -y cuando salida del 4.2 Transistores bipolares de unin 123 convertidor. Los transistores practicos difieren de los dispositivos ideales; tienen ciestas limita- cciones,y se restringen a algunas aplicaciones. Se deben examinar las varacteristicas y especitica- clones nominales de cada tipo para determinar su adecusci6n a determinada aplicacion, ‘TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION ‘Un transistor bipolar se forma agregando una sogunda regin p 0 a un diodo de unién pn. Con, dos regiones n y una p,se forman dos uniones, eniéndose asi un mansistor NPN, como se muestra cen Ia figura 41a. Con dos regiones p y una regiGn n, se forma lo que se llama transistor PNP, que se muestra en la figura 4.1b. Las tres terminales son colecior, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones: la unidn colector-base (CBI) y la uniéin base-emisor (BES) [1-5]. En la figura 4.2 aparecen transistores NPN de varios tama. “Hay dos regiones r* para el emisor del transistor NPN de la figura 4.32, y dos regiones p para el emisor del transistor PNP de la figura 4,3b, Para un transistor NPN, la capa n del lado de! ‘emisor es ancha, la base p es angosta, y la capa m del lado del colector es angosta y con un fuerte dopado, Para un transistor PNP, la capa p del Indo del emisor es ancha, la base es angosti y ka ceapa p del lado del colector es angosta y con un fuerte dopado, Las corrientes de base y de coleetor io ? ? Tenis (oytanserNPS (tan NP FIGURA 4.1 “Transistoresbipolares. FIGURA 42 "Transistores NPN (Cortesa de Powerex, Ine.)124 Capitulo —Transistores de potencia Emisor Base Colector Emisor (2) Transistor NPN (©) Transistor PNP FIGURA 4.3 Sceciones ransversales de un BIT, fluyen por dos trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia colector-emisor en satu= raci6n Rene 1 Caracteristicas en estado permanente ‘Aunque hay (res configuraciones posibles: colector comin, base comitin y emisor comin, la con= figuracién emisor comin, que se ve en la figura 4.4a para un transistor NPN, es la que generale ‘mente se utiliza en aplicaciones de conmutaci6n, En Ia figura 4.4b se muestran las caracterfsticas Lipicas de entrada de corriente de base Js en funcidn del voltaje base-emisor Vg La figura 442 nuestra las caracteristicas lipicas de salida de corriente de colector J- en funeiGn del voltaje de volector-emisor Ver. Para un transistor P!VP, se invicrten las polaridades de todas las co:tientes y vollajes. Hay tres regiones de operacién de un transistor: de corte, activa y de saturaci6n, En ta re~ én de corte, el transistor esti abierto 0 apagado, Ia corriente de base no es suficiente para sate rarlo, y las dos unioncs estan polarizadas inversamente. En la region activa, el transister acta como un amplificador,en el que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje colector-emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La uni6n colector-base (CBD) esta polarizada inversamente, y la uni6n colector-emisor (BEI) tiene polarizacién directa. En la tegion de saturacién, la corriente de base es suficientemente alta como para que el voltaje > Ts corriente de coletorse puede expresar como lew orl donde a constante ase relasiona con por eles ore Bee es decir, Bre= 7a 43) Ta; ‘Examinemos el cireuito de la figura 4.7, donde se ve que el transistor se opera como inte rruptor. Vp = Vor z 49) Jy BeRe Ve = Ver = Vee — leRe = Vee — “Ry Ve — Vac) Ver = Ven + Vag‘Transistores bipolares de union 127 FIGURA 47 Interruptor de transistor. Veo = Vor — Vor ly) Ea ecuacién (4.11) indica que siempre que Ver = Vp 1a unin CBI tiene una polarizacion in- ‘sens y el transistor estd en la regin activa. La eorriente méxima de colector en la region activa s= puede obtener igualanda Vey = Oy Vig = Ven. es Veo ~ Ver _ Voc ~ Var ey Re Re (4.12) ‘sl valor correspondiente dela corriente de base es Tay = 443) Br Sita misma corricnte de base sumenta atiba de Iya emtonces Vay aumenta la corrcnte de co- Ector aumenta yet Veg baja a menos de Vpp. Esto contnga hasta quela unin colector-hase fe polarizacion inversa,con Vac aproximadamente de 04 a 0.5 V. Entonces ol transistor pasa a ‘Ee Sturacion, La sauracion de wn transistor se puede definie como el punto ariba del cual todo [gemeni0 en la corrionte de base no aumenta en forma apreciable a coriene de colector. En la saturacién,laconiente de colector permancoe casi constant. Sil voliaje de saturacién “gecolector a emisor es Vera la corriente de coleeior es Vee ~ Veet) les = 1a) ‘el valor correspondiente de la corriente de base es k iy i (4.15) ‘el caso normal, el circuito se disefta para que Jy sea mayor que Ig, La relacién de Ig a Ips 80 factor de sobresaturacién (ODF, de overdrive factor): de. DF = SEE nlCapitulo 4 Transistores de potencia y la relacién de Icy fy se llama B forzada: = ics Bie = 7 La disipacién total de potencia en las dos uniones es, Pr = Vopls + Veele Un valor alto de ODF no puede reducir en forma apreciable el voltaje de colector a emisor. Sin ‘embargo, Vj, aumenta debido al incremento de la corriente de base, y el resultado es mayor disi pacién de potencia en la unién BES, Ejemplo 4.1 Determinacién de los parémetros de saturacién de un BJT El transistor bipolar de la figura 4.7 iene ua valor nominal de Ben el intervalo de 8 40. La resistsncin de In carga es Re = 11 9 El voltaje de suministco de ed es Ve = 200'V y el voltae de entrada al circuito de base es Vp = 10V.Si Veejeay = 1.0 Vy Vacs) © 15 V.determinar a) el valor de Ry que produzca satura con con tin ODF de $.) 18 Biers ¥€) a disipaciOn de potencia Pren el taasistor. Vee = 200 V. Bais = 8. Bmax = 4, Re = 11.0, ODF = 5, Vip = 10V, Vena = LOV y Vara) acuerdo eon Ia ecusciGn (4.14), fes = (200 ~ LOYAL = 18.1 A.De acuerdo con In ecuaciGn (4.18), as |B = 2.2625 A. La ecuacién (4.16) define la corriente de base para un factor de so>resat Ip = 5 2.2605 = 113125 A a. La ccuacidn (49) determina el valor pedo de Rey Ya ~Vacion) _ 10 ~ 1. Ry = ig 7 OTST 1b. De cenerdo con la ecuactn (4.17), Bynes = 181/113125 = 16, La ecuacin (4.18) indies que la disipacion total de poteneia es Py = 15 © 113125 + 10 x 181 = 1697 + 18:1 - 3507 W ‘Nota: Para un ODE de 10, /g = 22.265 A y la disipacién de potencia es Py = 1.5 * 22.265) + {8.1 = 51.5 W, Una vez que el transistor esti saturado, el yoltaje de colector a emisor no se reduce en relacién con el aumento en la corriente de base. Sin embargo, la disipacion de po- tencia s{aumenta, A un valor alto del ODF se puede dafar el transistor, debido a une avalan= ccha de corriente causada por la temperatura. Por otro lado, si el transistor est subsaturado (uy © Foy), puede Tuncionar en la regi6n activa, y aumenta Ver causando mayor disipacin de potencia, Caracteristicas de conmutacion ‘Una unién pn con polatizacién dirceta contiene dos capacitancias en paralelo: una capacitancia de la capa de agotamiento y una capacitancia de difusidn. Por otra parte, una unién pn con pola-stencia de cuito de la 15V.De 15) as = sobresatt 42. Transistores bipolares de unién 129 (8) Modelo con gananeia de corriemts (@} Modelo con transconductancia FIGURA 48 Modelo de transitorios en BIT rizacin inversa slo tiene la capacitancia de agotamicnto. Bajo condiciones de estado permanente, ‘eas capacitancias no uegin papel alguno. Sin embargo, balo condiciones transiteres infuyen sabre el comportamiento del transistor en su encendido y apagad El modelo de un transistor bajo condiciones transitorias se ve en la Figura 48, donde Cy Cason las capocitancias efectivas de las uniones CBU y BES, respectivamente, La transconduc tuncia gq de un BIT se define como la relaciéa de Alc a AVap. Esas eapacitancias dependen de jos valtgjes en las uniones y de In construccin fsica del transistor. La capncitancia Cy aleeta en forma apreciable a la capacitancia de entrada, debido al efecto de ‘multiplicacién de Miller [6], [Las resistencias de colector a emisor y de base a emisor Son ra ¥ Fj Fespectivament "A cause de las eapacitancasinternas cl transistor no se enciende al instante. La igura 49 jtustra las formas de onda y los tiempos de conmutaciéa, Cuando el voltaje de entrada vy a smenta de cero a V; y la corriente de base aumenta a nla conriente de colector no responde Je jnmediato. Hay un retardo, llamado tiempo de retardo {para que haya un flujo de cortiente por tl calecor. Este tetardo se requiere para cargar la capacitancia de Ia unin BE hasta el voltaje Ge polarivacign direotn Vgc (unos 0.7 V). Después de ese retardo, la eorriente de colector sube hasta el valor [cs de estado permanente. tiempo de subida , depende de la constante de tiem- po determinads por la capacitancia de la unién BEL. Enel caso norml, l corriente de base es mayor que la necesaria para satura al transistor: ‘El resuitude ex que el exceso de carga debido a os portadores minoritarios se almacena en la = tion dela base Mientras mayor sea el ODF, mas alta ser la camtidad de carga adicional alae ude en In bose Esa carga adicional, llamada carga de sateracion, es proporcional al exceso de ‘xeitacin de lacorriente de base y la cortiente J, correspondiente es les = I~ “B= ODE Ips ~ Tas = tas(ODF ~ 1) (419) ‘ya carga de saturacién se determina por Q, = Tule = tolns(ODF ~ 1) (4.20) “donde ¢, se llama consiante de tiempo de almacenamiento del transistor. ‘Cuando el voltaje de entrada se invierte de Vy a ~V2 y la corriente de base también Jbia a — Imp, la corriente de colector no cambia durante un tiempo t,lamado tiempo de alma- iento. Se requiere el t, para remover la carga de saturacién de Ia base. Como tae todavia ‘positivo, aproximadamente sélo de 0.7 V, la corriente de base invierte su direecion debido al130 Capitulo —_Transistores de potenci FIGURA 69 ‘Tiempon de conmutacién de transisoresbipolares cambio de polaridad de up, desde V; hasta ~Vp. La corriente ~Jgp en sentido inverso ayuda descargar la base y a remover la carga extra de Ia base. Sino hay ~/pp,la earga de saturecién bbe removerse por completo por recombinacion,v el tiempo de almacenamiento seria mayor. Una ver removidia le carga adicional, la capacitancia de la unién BEI se carga hasta voltaje de entrada ~V,y la corriente de base cae a cero, El tiempo de eufda ¢,depende de constante de tiempo, que esd determinada por la eapacitancia de la unién BEJ con polaizaci inversa {La figura 4.10a muestra la carga de almacenamiento extra en Ja buse de un transistor s rado, Durante ol apagado esta carga adicional se remueve primero en el tiempo fy el peril {a carga cumbia de a a c,como se ve en la figura 4.10, Durante el tiempo de caida, el pecil de ‘carga baja desde el perfil c hasta que se remueven todas las cargas. El tiempo de encendido o tiempo de activacin, , € Ia sua del tiempo de retardo t cl tiempo de subidaf: hens itirtity yeel tiempo de apagado o ticmpo de desactivaciGn, ig, es la suma del tiempo de almacenemiet ‘Yel tiempo de cafda tp42 Transistores bipolares de unién Pe (@) Almacenamiento de earga en la base (b) Peril de carga durante ol ere FIGURA 4.10 ‘Almmacensmiento do carga en transistor bipoares saturados. 42. Determinacién de la pérdida por conmutacién de un BJT "a figura 11 se muestram Is formas de onda de resistor interruptor de la Sigare 67, Lx pardmettos fon Vee ~ 250, Variay ~3 Nola = 8A. Vesey =2¥. les ~1OU At, = 05 wt, 1 n8 = Susy 3 m8 y E ~ 10 kz. El ciclo de trabajo es k ~ 50%. La corrieate de fuga de colectoru emisor es Lora ‘Determinar la dsipaci de potenciadebida tI corrente del eolector a) durante el encendido fox “S) durante el periodo de conduceién 6) durante ol apagadd fg = 1, fd) durante el iempo desactivado “c_y ©) las pétdidas de potencia totales promedio P.f) Trazar a grifica de la potcaciainstantnen P.() “Srbida a corcieme de coletor Selucién Sif, = 100 as k= O5,kT = ty +h tty = 50 ssty= 50-05 —1= 48S ys. (1 KP =G tH thy S0-5-3=82us Durante el tiempo de demora,0 = 15 tp ie Peet La potencia iastanténea debida a a corriente de colestor es P(t) = ieter = IceoVec 3.x 107 x 250 = 0.75 W La disipacidn promedio de potencia durante el tiempo de demora es - r= [ Plo = lesovecuas 3X 10 X 250 x OS x 10 x 10 x 10? = 3.75 mW Durante empo de subi, 0 = des ay = 8 n= =F eel") ~ Voc + Westen ~ Vee)132° Capitulo 4 —_Transistores de potencia Vanoa | FIGURA 4.11 -Foumas de onda de un transistor interruption 2.0) = ten = Tes E | Wee + Venta ~ VoodS] La potencia P(t) es méxima euando 1 ~ donde Wee Wee — Ver wil 250 =| agg oy 70S as ten ylaecuacign (4.22) determina Ie potencia pico Veoles Woe ~ Vous) = 250? x 100 430 3 > 8004.2. Transistores bipolares de union 133 1f* Yoo, Veetw ~ Yer] B= bf Rede htew [e+ | arose x 01 22 + 22288] car La pérdida, total de potencia durante el encendido es Poe = Pa + Py 0.00375 + 42.33 = 4233 W b. Petiodo de conduccién,0 5 #5 ty iclt) = les ter(f) = Vertan) PAO = levee = Veewanles = 2% 100 = 200 gf mar [ Pdsde = Verialestabs = 2% 100 x 48.5 x 10% x 10 x 10° = 97 W ce Periodo de almacenamieno,0 = 4: iO) = kes Meal) = Verte) P(t) = fever = Vesvanyles 2x 100 = 200 W 1 1 [nina = Vero = 2% 100% 5x 10* x 10 x 10° = 10W Eltiempo de cafda,0=1= 65 ity = tes(1- ; ) sin ener on neni ene Veo nee(t) = YE 4, sin tener en cuenta a Tero (429) y PAu) = tavee = Veek [@-24] (0) = tice = Veotes|(1- 7) Esta disipaci de potencia durante el tiempo deena es maxima cuando ¢ = if2 = 1.5 psy la poteaca pio se calcula con ccuacia (4.29), p= Meeks 4 (430)