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    CAPITULO 18 Proteccién de dispositivos y circuitos Los objetivos de aprendizaje para este capitulo son los siguientes: 181 18.2 Comprender Ia analog{a eléctrica de los modelos térmicos, y los métodos para enfriar dispositivos de potencia Aprender los métodos para proteger los dispositivos contra tasas de d/dt y dvdr excesivas,y contra voltajes transitorios debides a desconexién de carga y suministro Aprender emo se seleccionan fusibles de accién rapida para proteger los dispositivos de potencia ‘Aprender sobre las fuentes de interferencia electromagnética (EMI) y los métodos para minimizar sus efectos sobre los circuitos que las reciben INTRODUCCION Debido al proceso de recuperacién en sentido inverso de los dispositivos de potencia, y las accio- nes de eonmutacion en presencia de inductancias de circuit, pueden presentarse voltajes transi- torios en los circuitos convertidores. Aun en los circuitos disefados con cuidado, pueden existir condiciones de falla por cortocircuito, dando como resultado un flujo excesivo de corriente por Jos dispositivos, EI calor producido por las pérdidas en un semiconductor se debe disipar de mo- do suficiente y eficaz para que las condiciones del circuito no se salgan de las especificaciones de los dispositivos de potencia, proporcionando proteccién contra sobrevoltaje, sobrecorriente y sobrecalentamiento. En la préctica, los dispositivos de potencia se protegen contra 1) avalancha térmico, con disipadores de calor, 2) altas tasas did y d/dt,con amortiguadores,3) estados tran- sitorios por recuperacién inversa, 4) estados transitorios en el lado de la alimentaci6n y de Ia car- a, y 5) condiciones de fala, con fusibles, ENFRIAMIENTO Y DISIPADORES DE CALOR Debido a las pérdidas en estado activo y por conmutacién, dentro del dispositivo de potencia se ‘genera calor. Este calor se debe transferir del dispositivo a un medio de enfriamiento, para mi tener la temperatura de operacién en la unidn dentro del intervalo especificado. Aunque esta 791 792 Capitulo 18 Proteccién de dispositives y circuitos n Rie Res Ts Te Or aa FIGURA 18.1 Ts ‘Analogiaelétrica de la transferencia de car. transferencia de calor se puede efectuar por conduccidn, conveceién 0 radiacién, lo que mis se usa en aplicaciones industriales es la conveccién natural (enfriamiento natural) o forzada (en- friamiento forzado) con aire. El calor debe pasar del dispositivo a su encapsulado y después al disipador 0 radiador de calor en el medio de enfriamiento. Si P, es la pérdida promedio de potencia en el dispositivo, le analogfa eléetrica del mismo, cuando esté montado en un disipador de calor, se ve en la Fgura 18.1.La temperatura de unin de un dispositivo es 7; y se determina con Ty = Pa(Ryc + Res + Rsa) (8dy donde Ryc = resistencia térmica de unién a caja, CAV esistencia térmica del encapsulado al disipados, “CTW resistencia térmica de disipador a ambiente, "CW temperatura ambiente, °C En el caso normal, las resistencias Ryc ¥ Rcs las especifican los fabricantes del dispositive de potencia, Una vez conocida Ia pérdida de potencia P,,se puede ealcular la resistencia térmi= a requerida del dsipador de calor, para determinada temperatura ambiente T,. Elsiguient: pa- 50 es elegir un disipador, y su tamafto, que cumplen con el requisito de resistencia térmica. Hay disponible una amplia variedad de disipadores de calor de aluminio extruido en el co- merci, yusan aletas de enfriamiento para aumentar la cepacidad de transferencia de eslor Las ccaracteristicas de resistencia térmica de un disipador de calor tipico, con enfriamiento por con ‘veccisn natural y forzada se ven en la figura 18.2, donde se muestra la disipacién de poteneia en fancisn del aumento de temperatura del disipador, pars enfriamiento natural, En el enfriamien- to forzado, la resistencia térmica disminuye al aumentar la velocidad del aire. Sin embargo,més alld de cierta velocidad, la reduceién de resistencia térmica no es importante. En la figura 183 se ven dsipadores de calor de diversos tipos. Tiene importancia extrema el rea de contacto entre el dispositive y el radiador de calor para minimizar la resistencia térmica entre el encapsulado y el disipador. Las superficies debea ser planas, sas y sin polvo, corrosién ni xidos superticiales. En el caso normal, se aplican grases de silicona para mejorar la capacidad de transferencia térmica y para minimizar la formacién de “xides y corrosiones. El dispositive se debe montar en forma correcta sobre el disipador de ealor, para obtener la presi6n correcta de montaje entre las superficies correspontiientes Los fabricantes del dispositi- vo suelen recomendar los procedimientos adecuados de instalacién, En el caso de dispositivos 18.2 Enfriamiento y disipadores de calor 793 ‘Velo det aire (piesimin) ropa a) on mo _ 1p, oof —t jail } 09 0} —Lany - —s a eo | ai ais & { | 3 ] | Resistencia térmica del disipador al ambientet (@CAW) & Hy | ‘Aumento de temp del isipadorsahre el ambiente (°C) L L 30100 180200280300 38040 as0 Disipacion de porencia (W) FIGURA 182 (Caractristicas de resistencia térmica. (Cortesta de EG&G Wakefield Engineering) con perno de montaje, los pares excesivos de apriete pueden causar daiios mecéinicos a la oblea de silico, y el perno no se debe engrasar ni lubricar, porque la lubricacién aumenta la tensién en el perno, El dispositivo se puede enftiar con tubos térmicos parcialmente llenos con un liquide de baja presién de vapor, El dispositivo se monta en un lado del tubo, y en el otro lado esté un con. ‘ensador (0 disipador de calor), como se ve en la figura 184.El calor producido por el dispositive FIGURA 18.3 Disipadores de calor. (Cortese de EGAG Wakefield Engineering) 794 Capitulo 18 Proteccién de dispositives y cireuitos nicURA 184 | Tubosdecaior, 1) TL Atte entiamiento evapora al liquido y entonces el vapor va hacia el lado de condensacién, donde se condensa, ye Tiquido regresa al lado de la fuente de calor. El dispositivo de potencia puede estar a alguna dis tancia del disipador de calor. ‘En aplicaciones con altas potencias, los dispositivos se enfrfan mejor con Ifquidos, que ene ‘caso normal son aceite o agua. El enfriamiento con agua es muy eficiente, unas tres veces ‘ficiente que el enftiamiento con aceite, Sin embargo, es necesario usar agua destilada para = nimizar la corrosidn, y agregarle anticongelante. El aceite es inflamable, El enfriamiento por faccite, que puede estar restringido a algunas aplicaciones, proporciona un buen aislamiento y ele mina los problemas de corrosién y congelamiento, Los tubos térmicos y los disipadores d> calor tnfriados con liquide se consiguen en el comercio. En la figura 1855 se ven dos interruptores Se ta enftiados por agua. Los convertidores de potencia se comsiguen en unidades para ensamblas: como los dela figura 18.6. ‘La impedancia térmica de un dispositivo de potencia es muy pequetia, el resultadoes que la temperatura de unién del dispositivo varia en funcidn de la pérdida instanténea de potencis La temperatura instanténea de la unin siempre debe mantencrse més baja que el valor acepta= ble, Los fabricantes de dispositivo proporcionan una gréfica de la impedancia térmica de estady transitorio en funcién de la duracidn de un pulso cuadrado, como parte de sus hojas de datos. partir del conocimiento de la onda de corriente por un dispositivo, se puede determinar una aré= fica de pérdida de potencia en funcién del tiempo, ya continuacién las caracteristicas de impe= dancia transitoria se pueden usar para calcular las variaciones de temperatura en funcién del tiempo. Siel medio de enfriamiento falla en los sistemas précticos, en el easo normal el aument de temperatura de los disipadores de calor sirve para desconectar los convertidores de petencis éenespecial en aplicaciones con grandes potencias. ‘Se puede aplicar la respuesta eseal6n de un sistema de primer orden, para expresar Ia impe= dancia térmica transitoria. Si Zy es la impedaneia térmica del encapsulado a la union en estado FIGURA 18.5 Inverrypiores deca entiador por agua, (Cortesin de Powerox, Inc) 18.2 Enfriamiento y disipadores de calor 795 Z(t) = Zo{l — ets) (18.2) donde 7p, €s la constante de tiempo térmico del dispositivo. Si a pétdida de potencia es Py, cl ‘aumento instanténeo de temperatura en la unién, respecto al encapsulado, es Ty= PZ) (18.3) Si la pérdida de potencia es de tipo pulsado, como la de la figura 18.7, se puede aplicar la ecuacién (18.3) para graficar las respuestas escalon de la temperatura 7,(1) de la unin, Sit, es la duracién del n-ésimo pulso de potencia, las impedancias térmicas correspondientes al principio yal final del n-ésimo pulso son Zo = Z(¢ = 0) = Oy Z, = Z(t = ,),respectivamente. La impedancia térmica Z, = Z(¢ = f,) correspondiente a la duracién de f, se puede determinar a partir de las ca- racteristicas de impedancia térmica transitoria. Si P,, P,P... son los pulsos de potencia con P) = P Oa temperatura de a unin al final del m-ésimo pulso se puede expresar como sigue Ty(t) = Typ + Py(Zy ~ Za) + PlZs~ Za) + PhZs — Ze) + Tro + 3 Pi(Zn — Znvt) ase) donde Ty esa temperatura ini de ln unin Los signos negatives de 2. nian que la temperatura de la unin baja durante los intervalos fff. Pe) role °, Ps Z Pe of] ' tlateta tetets mop bt + ae ricuRa 167 ‘Temperatura de unién con pulsos © rectangulaes. we 0 796 Capitulo 18 Proteccién de dispositives y circuitos PU) Bs FIGURA 18.8 Aproximecisn 2 un pulso de potencia. Tp ‘mogiante pulsos zectangulares. ° El concepto de respuesta escalon de Ja temperatura de unién se puede extender a otras formas de onda de potencia [13]. Cualquier forma de onda se puede representar, en forma apro- ‘ximada, por pulsos rectangulares de duracién igual o desigual, siendo la amplitud de cada pulso igual ala amplitud promedio del pulso real durante el mismo periodo. Se puede mejorar la exacti- tud de esas aproximaciones, aumentando la cantidad de pulsos y reduciendo la duracién de cada une. Esto se ve en la figura 18.8. La temperatura de la unién al final del m-ésimo pulso se puede determinar con T(t) = Ty + ZiP + ZalPy— Pi) + ZA(P~ BY + (18.5) dorde Z,, es la impedancia al final del n-ésimo pulso de duracién 1, = &¢. P, es la pérdida de po- tencia para el n-ésimo pulso, y Py = 0:7 es el intervalo de tiempo. Ejemplo 18.1. Grafica de la temperatura de unién instantanea Lapérdida de potencia de un disposit peratura respeeto al encapsulado, P, = P, = P= 0,P; = 800W, Ps ms, a hoja de datos indica 2=4)=% 10 se ve en la figura 18.9. Graficar el aumente instantineo de la tem= 200 W y Ps = 600 W. Para f= f= 035°C 1200 FIGURA 18.9 érdida de potenciaen dispositive, Has) 18.3 Modelado térmico de los dispositives conmutadores de potencia 797 FIGURA 12.10 tims) Aumento de temperatura de unin para el ejemplo 18.1 Para ty = 4 = 0:5 ms, Eb = hh) = Za = Zy= Ze = 0.025°CW Solucion Se puede aplicar en forma directa la ecuaci6n (18.4) para calcular el aumento de temperatura en la unién, AT)(t = 1 ms) = Ty(¢ = 1 ms) ~ Tq = ZF, = 0.035 x 800 = 28°C ATj(s = 15 ms) = 28 ~ Z;P, = 28 ~ 0,025 x 800 = BC AT(t = 25 ms) = 8 + Z,P\ = 8 + 0.035 x 1200 = SOC ATy(a = 3ms) = 50 ~ Z,P, = 50 ~ 0.025 x 1200 = 20°C ATy(t = 4ms) = 20 + ZsPy = 20 + 0.035 x 600 = 41°C ATy(e = 45 ms) ~ 41 — Z4P, = 41 ~ 0.025 x 600 = 26°C El aumento de temperatura de ta uni6a, respecto al encapsulado, se ve en la figura 18.10, 18.3 Puntos clave de la seccién 18.2 * Se deben proteger los disponitivos de potencia contra el calor excesivo que se genere debi- 4 a la potencia disipada, mediante disipadores de calor. ‘+ La temperatura instamténea de la uni6n no debe ser mayor que la temperatura méxima es- pecificada por el fabricante. MODELADO TERMICO DE LOS DISPOSITIVOS CONMUTADORES DE POTENCIA. La potencia generada dentro de un dispositive aumenta la temperatura del mismo, lo cual, ast vez, afecta en forma importante sus caracteristicas. Por ejemplo, la movilidad (valores tanto en el interior como en la superficie), el voltaje de umbral, la resistencia de drenaje y diversas capaci- tancias debidas al 6xido en un transistor metal dxido semiconductor (MOS), todos depenclen de la temperatura. La dependencia de la movilidad en el interior respecto a la temperatura causa, lun aumento en la resistencia al aumentar la temperatura, y con ella afecta a la disipacién de po- tencia, Esos pardmettos de dispositivo pueden afectar la exactitud del modelo de transistor. En 798 Capitulo 1B Proteccién de dispositivos y circuitos 183.1 ‘TABLA 18.1. Equivalencias entre las variabloseléetricasytérmicas Termicas Elketrcas| Temperatura, en K Valiae,Voen vols Fiujo de calor, Pen wats Corriente, en amperes Resistencia térmica, Ryjen KW Resistencia, R,en VIA (Q) Capactanciatérmica,Cy.en WalK — Capacitencia. Cen ASV consecuencia, cl calentamiento instanténeo de! dispositivo se debe incorporar, acoplar, en forma ditecte con su modelo térmico y con su disipador térmico. Esto es la disipacién instanténca de potencia en el transistor est4 determinada en todo momento, y se debe alimentar una corrieate proporcional a la potencia disipada a la red térmica equivalente [13]. La tabla 18.1 muestrs la equivalencia entze las variables cléctricas y érmicas. Equivalente eléctrico del modelo térmico La trayectoria del calor del semiconductor al disipador de calor se puede modelar con un anélo~ go de la linea de transmisidn eléctrica que se ve en la figura 18.11. Se necesitan la resistencia y la capacitancia térmica por unidad de longitud para caracterizar con exactitud las propiedades 1ér- micas. La fuente de alimentacién eléctrica P(t) representa la disipacién de potencia (flujo de ca~ lor) interna del semiconductor, en el equivalente térmico. Ry: ¥ Cy Son los pardmetros equivalentes concentrados de los elementos en el interior de un dispositive, Se pueden deducir en forma directa de la estructura del elemento, cuando pre~ senta bésicamente flujo unidimensional (0 unidireccional) de calor. La figura 18.12 muestra los clementos del equivalente térmico de un transistor tipico en un enefpsulado con perno para di- sipador (por ejemplo, TO-220 0 D-Pak). Los elementos equivalentes térmicos se pueden deter- ‘minar en forma directa a partir de la estructura fisica. La estructura se segmenta en volimenes parciaies (normalmente por un factor de 2 a 8) con constantes térmicas de tiempo (Ry Cad progresivamente mayores en direccién de la propagacién de calor. Siel étea inductora de calor es menor que la seccidn transversal del material conductor, se preserta un efecto dle “reparticién de calor" como se ve en la figura 18.12. Se puede tener em ‘cuente ese efecto aumentando la seccién transversal conductora de calor A [1]. La capacitarcia Rat Raa Rive RGURA 18.11 Circuito equivalent a una inex de transmisiin eléotrica, para modelar la conduccn de cao. 18.3 Modelado térmico de los dispositivos conmutadores de potencia 799 FIGURA 18.12 Elementos del equivalente térmico para modelar Ia conduceién de calor. [Rel 1, M. Mra] térmica Cj, depende del calor especifico cy de la densidad de masa p. Para que el calor se propa- {gue en medios homogéneos se supone que el angulo de propagacidn es de unos 40°, y que las ca- Pas siguientes no obstruyen la propagacién de calor por baja conductividad térmica. El amano de cada elemento de volumen se debe determinar con exactitud, porque su capacitancia térmica tiene una influencia decisiva sobre la impedancia térmica del sistema, cuando suceden pulsos de disipacién de potencia de muy corta duracién. La tabla 18.2 muestra los datos térmicos de mate- riales comunes. ‘También se pucde usar el método de andlisis por elementos finitos (FEA, de finite element analysis) para calcular el flujo de calor, En este método se divide toda la estructura, que a veces ccubre varias decenas 0 centenas de miles de elementos finitos, en subestructuras adecuadas para determinar elementos concentrados equivalentes. A menos que este proceso se tesuelva con. herramientas normales de programacién de FEA, esta solucién es demasiado compleja en la mayor parte de las aplicaciones. omnes (Ref. 1) rafWink)) eek) Sie 0 o7 Soldora (o-P8) 0 02 a 3103390 oss a0ar aI 1700230 09095 ‘ios 7" os Fat 2 03 “ Pata conducoradecilor oan26 = Hoja anlote = o9aa7 = 800 Capitulo 18 Proteccién de dispositivos y circuitos 18.3.2. Circuito equivalente térmico matematico El circuito equivalente de la figura 18,11 se llama con frecuencia circuito equivalente natural fisico de la conduccién de calor, y describe en forma correcta la distribucién interna de la tempe~ ratura. Permite tener una correlacién clara de los elementos equivalentes a los elementos estruc- turales reales, Si no se necesita la distribuci6n interna de temperatura, que es el caso normal, la red térmica equivalente, como se muestra en la figura 18.13, se usa con frecuencia para describir, ‘en forma correcta, el comportamiento térmico en las terminales de datos de la caja negra. Los elementos RC individuales representan los términos de una division en fracciones par- cialesde la funcién de transferencia térmica del sistema. Usando la representaci6n en fraceiones parciales, se puede expresar Ia respuesta escal6n de la impedancia térmica como sigue: Sali ~ ete) (18.6) [La impedancia equivalente de entrada, en las terminales de entrada, se puede expresar como sigue: Zalt Zn 1 sCus + Ring + sCino + 1 (18.7) pes Rann Los datos de la curva de impedancia térmica transitoria se pueden procesar con algoritmos rnormales de ajuste de curva, de programas de cmputo como Mathcad, para determinar los cle~ rmentos Ry ¥ Cj La curva de impedancia térmica transitoria se suele proporcionar con las hojas de datos del dispositivo. Este modelo sencillo se basa en la parametrizacién de los elementos del circuito equivalen- te, usando datos de mediciones y un ajuste de curvas. El procedimiento normal para la curva de ‘enfriamiento es, en la préctica, primero calentar el componente con una disipacién especitica P de potencia hasta que Hlegue a una temperatura estable, Ti. Sise conoce la dependencia térmica | Rat Ryo Ras Bins Pa FIGURA 18.13 Circuito equivalent simple del modelo matemético, Ret. 1. 183.3 18.3 Modelado térmico de los dispositivos conmutadores de potencia 801 exacta de un pardmetro del semiconductor, como por ejemplo la caida de voltaje en polarizacién directa, se puede determinar la grafica de T;(), llamada curva de enfriamiento, reduciendo la di- sipacién de potencia P, en forma progresiva hasta cero. Esta curva de enfriamiento se puede usar para determinar la impedancia térmica transitoria del dispoxitivo. Tx = TO, Pe Acoplamiento de componentes eléctricos y térmicos Con el acoplamiento de! circuit térmico equivalente con el modelo del dispositivo, como se ve en la figura 18.14 para un transistor de efecto de campo metal Sxido semiconductor (MOSFET) se puede simular la temperatura instanténea de la unin. La disipacidn instanténea de potencia en el dispositive ([pVns) est determinada en todo momento, y se alimenta una corriente pro- pporcional a la potencia disipada en la red térmica equivalente. Entonces, el voltaje en el nodo 7; define la temperatura instanténea de uni6n, que afecta en forma directa a los parimetros del MOSFET dependicntes de la temperatura, E] modelo acoplado de cicuito puede simular Ia tem- peratura instantdnea de la unin bajo condiciones dindmicas, como por ejemplo cortocircuito y sobrecarga, El canal MOS puede describirse con un modelo de MOS de tres niveles (X1) en SPICE, La temperatura se define con la variable global “Temp” de SPICE. El voltaje de umbral, la co- rriente de drenaje y la resistencia de drenaje se escalan de acuerdo con la temperatura instanté- nea 7; de la unién. La corriente de drenaje Zp, (Temp) se escala con um factor dependiente de la temperatura definido por Zn (18.8) dn(t) = totemo)( =) ass) = volgje de unbral tine un eoefiete térmico de~25 mVIKy vol efetv de compuer tnatalopsivo MOS puede Haceme dopenicns ds a wmnperatara anos! componente Drenaje 20k} Cat ‘Compuerta PA) = in(vns() Fuente FIGURA 18.14 ‘Acoplamiento de componentes eléctios y térmions [Ref. I, M. Marz) 802 Capftulo 18 Proteccién de dispositivos y circuitos del modelo anlogo de SPICE. Debido a la importancia del modelado térmico del dispositive, algunos fabricantes de dispositivos (Infineon Technologies) ofrecen modelos de dependencia térmica en SPICE y en SABER para sus dispositivos de potencia. Ejemplo 18.2 Calculo de los parémetros del circuito térmico equivalente Un cispositiva con un encapsulado TO-220 esté montado con hoja aslante de 0.33 mm de espesor,en in pe queto disipador térmico de aluminio, como se ve en la figura 18.15a. La resistencia térmica del disipador térmico es Ry. xx = 25 KIW y st masa es mi = 2 g El drea dela superficie del paquete TO-220 es, = 1 on, El del semiconductor es A, = 10 mum*sla cantidad de cobre en torno a a parte piramidal del eneap- sulado es my = I gy el espesor del cobre es dy = 08 mm. Determinar los pardmetros del eireuto térmico cequivalente Soluetén ‘Ya que el disipador de calor es pequetio y compacto, no hay necesidad de dividir la estructura en varios elementos RC. El circuit térmico equivalene de primer orden se ween la figura 18.15b. rg = 28, Ra rx 25 KW, dg = 03 mim, Aggy = Lest, Ag, = 10 min rig = BY day = 08 mam Bn tabla 182 se ve gue el clo espectfico del aluminio ese ~ 095 J/gK). As, a capacitancia térmica del dsipador de calor es Ts gate 5 02% = 15 095 502 = 198 Para la hoja aslantesla tabla 18,2 muestra yg = Ll Wit. Eatonees, la resistencia térmica de la toja es dye 03mm 27 kK Rasa caw Rema Wx tent 70.209 Hojslio_Disipador de calor Sur | Ruy i \ Race eo i Rae | a. | i {a) Dispesitivo montado en un disipador de ealor (b) Circuito térmico equivalente FIGURA 1.15, Dispostivo montado en un dsipador térmico ys cixuito equivalents [Ret 1, M. Marz] 184 184 Circuitos emortiguadores 803 Para el cobre del chip, la tabla 18.2 muestra que ¢qy = 0.39 JMgK) La capacitancia térmica del chip es Ciyy = Z I 039 eX 12 = 0395 day 08mm K 0.205 A, Ww Aen 399 x 10m nk *! Punto clave de la seccién 18.3 + Los parémetros clave de un modelo térmico matemtico se pueden determinar a pa Ja curva de entriamiento del dispositivo. CIRCUITOS AMORTIGUADORES En el caso normal, se coneeta un amortiguador RC en paralelo con un cispositivo semiconductor para limitar la tasa dovar para que quede dentro de la especificacién maxima permisible [2,3]. El amortiguador podria ser polarizado o no polarizado. Un amortiguador polarizado en sentido directo es adecuado cuando un tristor 0 un transistor se conecta con un diodo en antiparalelo, ‘como muestra la figura 18.16a, El resistor R limita la tasa duvat en sentido directo, y Ry limita la corriente de descarga del capacitor, cuando se activa el dispositive. tador polarizado en sentido inverso que limita Ia tasa deren sentido inverso se ve en la figura 18.16b, donde R; limita la corriente de descarga del capacitor. El capacitor no se descarga a través del dispositivo, y resulta una pérdida reducida en el mismo. ‘Cuando se conecta un par de tristores en forma paralela inversa, el amortiguador debe ser lectivo en cualquier direcciSn, En la figura 18.16c se ve un amortiguador no polarizado. Punto clave de la seccién 18.4 + Los dispositivos de potencia se deben proteger contra tasas diddr y do/dt excesivas agre- ‘gando cireuitos amortiguadores. el RSF 5 R R Ds D, RoR 4 ROR 4 (2) Folaraado (b)Polarizadoinverso (©) No polasianto FIGURA 18.16 Redes com amortiguador, 804 Capitulo 18 Proteccién de dispositives y circuitos 18.5 ‘TRANSITORIOS DE RECUPERACION INVERSA Debido al tiempo s,, de recuperacién inversa, ya la corriente J de recuperacién, queda atrapada ciorta cantidad de energia en las inductancias del circuito, y en consecuencia aparece un voltsje transitonio a través del dispositive. Ademas de la proteccion contra la tasa du/dt,¢] amortiguador limita el voltaje transitorio pico a través del dispositive, En la figura 18.17 se ve el eircuilo equie velente, donde el voltaje inicial del capacitor es cero, y el inductor conduce una corrients inicial Ip. Los valores de RC del amortiguador se seleccionan para que el circuito quede un poco suba= mortiguado y la figura 18.18 muestra la corriente y el voltaje transitorio de recuperacién. El amortiguamiento eritico suele producir un valor grande del voltaje inverso inicial R/,, ¥ un amor tiguado insuficiente causa una gran desviacidn del voltaje transitorio. En el siguiente andlisis se supondrd que la recuperacién es abrupta, y que la corriente de recuperaciGn se cambia de repent Lacortiente en el amortiguador se expresa como sigue: =0)=%, (18.10) (18.11) y/as condiciones iniciales son i(r = 0) = Ip y u,{f = 0) = 0. Se ha visto en la secci6n 2.1! que la forma de la soluci6n de la ecuaciGn (18.10) depende de los valores de RLC. En el caso sukamorti- ageado, las soluciones de las ecuaciones (18.10) y (18.11) definen el voltaje a través del dispositivo, en sentido inverso, como 10 = Vs Ws~ Rig (cose ~Ssenur)ew + Lem'senor (1812) donde (18.13) a frecuencia natural sin amortiguamiento es = (18.14) Larelacién de amortiguamiento es (18s) oak c i Da y ‘ , ® Disposivo FiGURA 18.17 cn Circuito equivalente durante la roeuporacin, 18.5. Transitorios de recuperacién inversa 805 FIGURA 18.18 (@) Cortiente de recuperacin (6) Volaje transitorio ancl rasan da esmperecin, ya frecuencia natural amortiguada es 0 = Vo = = VI - F (18.16) ‘Al diferenciar la ecuaci6n (18.12) se obtiene i ai a. (V,~ Rlgy( 20 cos + sen we“ ae Je « +E (coswr - Ssen wr) ror (18.17) El voltaje inicial en sentido inverso y do/dt se pueden determinar con las ccuaciones (18.12) y (18.13), igualando ¢ = 0: v(t = 0) = Rig (18.18) de _ Jn (Y= Rle)R Ie atl, (V, — Rip)2a + co Cc Veay(28 — 4d8? + d) (18.19) donde el factor (0 telacidn) de cortiente se define con In [E_ tn aay VE i, (18.20) Sila tasa du/dt inicial de la ecuacién (18.19) es negativa, el voltae inicial inverso Res el maximo, y puede producir una tasa d/dr destructiva. Para una tasa du/dt positiva, Vjin(26 ~ 4d8? + d) >0, es decir, elias 4d yel voltaje inverso es méximo cuando f= El tiempo f,,que se puede obtener igualando a cero la ecuacién (18.17), es 8 agai) ol(V, — Rip)2a + ERIC] Uy - Rie?) — alge (18.22) yel voltaje pico se determina con la ecuacién (18.12): ¥,= oe = 4) (18.23) 806 Capitulo 18 Proteccién de dispositives y circuitos El voltaje inverso pico depende de la relacién de amortiguamiento 8 y del factor de corriente a Paradeterminado valor de d, hay un valor éptimo de la relacién de amortiguamiento 8,, qu: mi nimira el voltaje pico, Sin embargo, a tasa du/dt varia al variar d, y Ia minimizacién del voltaie pica puede no minimizar Ia tasa dn/dt. Fs necesario hacer un compromiso entre el voltaje pico V, ¥ la tasa do/dt. McMurray [4] propuso minimizar el producto V,(dv/dt) y la figura 18.19 muestra las curvas de diseiio éptimo, donde la tasa dv/d es el valor promedio durante el tiempo fy, d, es el valor 6ptimo del factor de corriente. ‘La energia almacenada en el inductor L, que se transfiere al capacitor amortiguador C, se disipa principalmente en el resistor amortiguador. Esta pérdida de potencia depende de le fre- cuencia de conmutacion y de la corriente de carga, Para convertidores con grandes potencias, donde es importante la pérdida en el amortiguador, la eficiencia del circuito se puede mejorar ativo que use un transformador de recuperacién de energfa, como con un amortiguador no di Yn 7 LLL a 2} __| — rH eg (avi, Ven 06; o4 Or 02 oa 06 ORT 2 6 8 Factor de corrente inca, FIGURA 18.19 Parimetros 6ptmos de amortiguador en dives de compromiso. (Reprodocido de W. MeMurray, ‘Optimum snubbers for power semiconductors” IEEE Transactions on Industry Applications, Vol. 1IAS,No, 5, 1972, Pgs 503 S10, Fig. 7.0 1972 por IEEE) 18.5 Transitorios de recuperacion inversa 807 & 6 == Dispsitno, FIGURA 1620 SM TECUPETION A gportiguador no dispatvo. Carrs Secrets ‘el que se ve en la figura 18.20, Cuando aumenta la corriente en el primario,el voltaje inducido Ey €@s positivo,y el diodo D, se polariza en sentido inverso Si I corriente de recuperacién del dio- do Dy, comienza a bajar, el voltaje inducido E; se vuelve negativo y el diodo Dj conduce, regre- sando enrgia ala alimentacién de ed Ejemplo 18.3 Determinacién de los valores del circuito amortiguador La cortiente de recuperacién de un diodo, como el dela figura 18.17, I= 20 A, y la inductancia del cir- cuito es L = 50 HL El voltae de entrada es V; = 220 V. Si es necesario limitar el voltjetransitorio pico a 1.5 veces el votaje de entrada, determinar a el valor éptimo del factor de corrientea,,) el factor de amor- tiguariento dptimo.8,,c) la capacitancia del amortiguador,C,d) la resistencia del amortiguador, Re) la du/dt promedio yf) el voltajeinverso inci Solucién Te= 20, L = 50 wH, V, = 200V y Vp = 1.5 X 220 = 330'V. Para Vj/V, = 14, se ve en la figura 18.19 que: a, El factor éptimo de corriente esd = 0.75. 'b, El factor dptimo de amortiguaniento es 8, = 0. ‘& De acuerdo oon la ecuacién (18.20), la capacitancia del amortiguadr (con d ~ d,) es e-laml “Lay, 29 ssa] «ona "(075 X 220. 7 4. eatin ho amir é v (18.25) & De acuerdo con la ecuaciéa (18.14), 10 = Sea = 100957 6s = Tapas 7 108957 ras 808 Capitulo 18 Proteccién de dispositivos y circuitos Dela figura 18.19, olde esdecir = 088m = 088 20% 16.957 = 319¥hs £ De acuerdo con la ecuacién (1818), el voltajeinicial en sentido inverso es oe )) = 6.6 x 20 32 Ejemplo 18.4 Determinacién del voltaje pico y los valores de dit y de dv/dt del circuit amortiguador Un crcuito amortiguador RC, como el de la figura 18.160, tiene C= 0.75 uF, R= 6.6..y voltae de entrada V, =220 V. La inductancia del circuito es Z. = $0 wH., Determinar a) el voltae pico en sentido directo, Vp 0) la do/dr nical ye) la ddr maxima, Solucion R= 66.0,C= 025 uF L = 50H y V, = 220 V.Ieualando Fy dlispositivo se puede determinar cos la ecuacién (18.12), el voliajeen sentido directo a travis del 10 = Vs ~V, (cose ~ semen) e™ (1826) De nceuncin (1817) para = 0 av ar vi(uicne's = eae san La de/dtiniial se puede determinar ya sea con Ia ecuacién (1827) iguslando 1 = 0, 0 con la eeusclén (18.19), haciendo que T= 0: (18.28) El voltaje en sentido directo ¢s maximo cuando f = 4. El tiempo f, que se puede obtener igualando acero 4a ecuncién (1827) 0 bien haciendo que /y = 0 en a ecuacién (1822), se determina con tan wr, = 282 meen Fae (1829) waa? Cen Pew (1830) senor) = a “Fre say) 18.5 Transitorios de recuperaciOn inversa 809 ‘Sustituyendo las eouaciones (18.30) y (18.31) en la ecuacién (1826), se determina el voltae pico siguiente: % n= V1 +e™) (1832) endonde (083) ie (a Dineen 7 cn eed ase diene as aE ear 3a2) 608 ay = 0 (wt ~ 302) rey (1834) 140 ty = Sustituyendo et valor de fen la ecusci6n (18.27) y simplificando los téminos en seno y coseno, se obtiene el valor ms -ViVer tee paras = 05 (1835) Para que haya un méximo, d(do/di/dt debe ser postiva si Sty, y la ecuacion (18.34) define que la condi- ‘ign necesaria es azo 0 Sst 5 s 0, da/d llega al méximo euanda = 0,y se obtiene com la ecuacién (1827), Oe bee Hl para > 0.5 (1836) De acuerdo con Ia eeuacién (18.13), = 6.6/(2 x 50 x 10°) = 66,000, com la ecuacién (18.14), De acuerdo com la ecuaciGn (18.15), 6 = (6.612) VOLTSISO = 0.404, y de la ecuacion (18.16), = 163.2991 — 040# = 149,379 rads Sogin la ecuacin (18.33), ) = 15.46 us, y en conseeuencia ls ecuacion (18.32) determina el vol taje pico, V, = 220(1 + 0.36) = 2993 V, 810 Capitulo 18 Proteccién de dispositivos y circuitos bb La ecuacién (18:28) determina la dv/dt nical como (220 x 6.6/50) = 29 Vins. 2 fe Yaques < 05, se debe usar la ecuacisn (18.35) para caleular la dvs maxima, De acuerdo con le ecuaci6n (1834); ~ 2.16 sy Ta ecuacidn (18.35) determina que la v/a maxima es 31.2 Vis ‘Nota: Vp = 299.3 V.y la du/dt maxima es 31.2 V/s. El disefio 6ptimo del amortiguador, del ejemplo 18.2, da como resultado V, = 330 V, yla dv/dt promedio = 31.9 ps. Puntos clave de la seccién 18.5, + Cuando el dispositivo de potencia se desactiva al final del tiempo de recuperacién inversa, a snergia elmacenada en el inductor limitante de dvdr, debido a la corriente inversa, pue- de causar una gran de/di ‘+ Elamortiguador de du/dr debe diseftarse para que el rendimiento sea éptimo, 18.6 _ ESTADOS TRANSITORIOS EN LOS LADOS DE ALIMENTACION Y DE CARGA En el caso normal, se conecta un transformador en el lado de alimentacién de los convertidores. Bajo condiciones de estado permanente, se almacena una cantidad de energta en la inductancia magnetizante L., del transformador,y al desconectar la alimentacién se produce wn voltaje tran- sitorio hacia la entrada del convertidor, Se puede conectar un capacitor en paralelo con el pri- mario ocon el secundario del transformador, para limitar el voltaje transitorio, como se ve en le figura 18.2ia, y en la préctica también se conecta una resistencia, en serie con el capacitor, pata Iimitar la oscilaci6n transitoria de voltaje. ‘Supongamos que el interruptor se haya cerrado durante un tiempo lo bastante largo. Bajo condiciones de estado permanente, », = V, sen ai, y la corriente magnetizante es di Ln Vy Sen wt ccuya solucisn es Vr i) = Fp eoser Si se abre el interruptor cuando av = 0, el voltaje del capacitor al principio de I desconexién es Vo = Vm sen @ (st) () Diagrama de ciruito (b) Circuito equivalente dorante desacivacion FIGURA 18.21 “Transitorio por desconexi6n 18.6 Estados transitorios en los lados de alimentacién y de carga 811 yla corriente magnetizante es Vr f= fh cos (18.38) El circuito equivalente durante cl estado transitorio se ve en la figura 18216, y la corriente en el capacitor se expresa como sigue: tn cme! furs atr=0)=0 (839 , mh ‘Ln ap (18.40) con las condiciones iniciales i(¢ = 0) = ~fyy v.(t = 0) = V,.El voltaje transitorio ve) se puede leterminar con las ecuaciones (18.39) y (18.40), para condiciones subamortiguadas. En el caso normal, una relacién de amortiguamiento 8 = 0.5 es satisfactoria. Se puede simplficar cl andlisi suponiendo que el amortiguamiento es pequefio y tiende a cero (es decir, 8 = 0,0 R = 0). Se puede aplicar la ecuacién (D.16), parecida a Ia (18.39), para determinar el voltaje transitorio vo(0) Este voltae transitorio (2) es igual que el voltaje del capacitor, v,(), 8) = nt) = Ve 608 wot + Zon/-Z sen ot Law -(u+84) sen (wot + 6) (1841) = Vx (sest0 + 5 costo) + = (sn are) sen (ot +8) 2 \ue cos) neh (ugt 4) (18.42) donde oni (E oat t fe ass) y 18.44) ” "Yer, aed Si oy < @,€l voltae transitorio de ta ecuacién (18.42), que es méximo cuando cos 0 = 0 (0 0 = 9°),es Vp (18.45) 812 Capitulo 18 Proteccién de dispositives y circuitos FIGURA 18.22 Circuito equivalente durante la conexién de la alimentacin. En la practicaay > @ y el voltaje transitorio, que es maximo cuando cos 6 = 1 (0 0 = 0),es V, = Var (18.46) {que es el voltae transitorio pico debido a la desconexién de la limentacién, Usando la relacisn entre voltaje y corriente en un capacitor, se puede determinar la cantidad necesaria de capa: tancia para limitar el voltaje transitorio, como sigue: ale Onin (18.47) Sustituyendo a ay de la ecuacién (18.46) en la ecuacién (18.47),se obtiene — Mm mae c: (18.48) ‘Ahora, con el capacitor conectado en paralelo con el secundario de! transformador, el val- taje méximo instanténeo del capacitor depende del voltaje instantineo de ca de entrada en el ‘momento de conectar ese voltaje de entrada. El circuito equivalente durante la conexién se ve cenla figura 18,22, donde Les la inductancia equivalente de la alimentacién, més la inductancia de fuge del transformador. En el funcionamiento normal, se almacena cierta cantidad de energia en Ia inductancia de ‘carga y la inductancia de fuga del transformador, Cuando se desconecta la carga se producen voltajes transitoriog, debidos a la energfa almacenada en las inductancias. El circuito cquivalen- te parala desconexién de la carga se ve en la figura 18.23. FIGURA 18.23 ireito equivalente durante la desconexi6n dela cargs. 18.7 Proteccion contra voltaje con diodos de selenio y varistores de metal éxido 813, Ejemplo 18.5 Determinacién de los parametros de rendimiento con estados transitorios en conmutacion ‘Un capacitor se conecta en paralelo con el secundario de un transformador de entrada, como se ve en la figura 18212, con cero resistencia de amortiguamiento, R = 0, El voltaje del seeundario es V, ~ 120'V, 60 Hz, Si la inductancia magnetizante referida al secundario es Ly = 2 mT y la entrada de alimentacién al pri- ‘mario de! transformador se desconecta cuando el éngulo es = 180° del votaje de ea de entrada, determi- ‘nc a) el voltae nical del capacitor, a,b) la cortiente magnetizante fy ye) el valor de la eapacitancia para limitar el voltaje transivorio maximo en el capacitor a V, = 300 Solucién Vy = 120 ¥,¥qg= VE % 120 = 169.7 V, 0 = 180°, f= 60 Hz, Ly, = 2mH, yo = 2 x 60 =377 rads '& De acuerdo con la eouacién (18.37), V; = 169.7 sen # = 0. b. Dols ecuacion (18:38), ¥, it con 9 = tO o 2254 Gs S77 x 0,002 “Obn eM 300 V.Segtn la ecuacién (18.48), la capacitancia necesaria es 169.7 c= 205 x 107 * 3008 x 377 = 11253 uaF Puntos clave de la seccién 18.6 ‘ Aparecen estados transitorios de conmutacién, a través del convertidor, cuando se desco- neeta el transformador de entrada del convertidor, y también cuando se desconecta del convertidor una carga inductiva, ‘+ Se deben proteger los dispositivos de potencia contra estos estados transitorios de conmu- tacién, 18.7 PROTECCION CONTRA VOLTAJE CON DIODOS DE SELENIO Y VARISTORES DE METAL OXIDO Los diodos de selenio se pueden usar para proteccién contra sobrevoltajes transitorios. Esos dio- dos tienen un voltaje de conduccién bajo en sentido directo, pero uno bien definido en sentido Volaje de sujecion, FIGURA 18.24 | (@) Caractecistcas v — (b)Simbolo _Caraeterstias del dodo de seenio. 814 Capitulo 18 Proteccién de dispositivos y circuitos ttt (2) Polarizado (b)Nopolarizado (¢) Protecién ifésica polarizada FIGURA 1825 Diowos de supresin de voltae. inverso. Las curvas caracteristicas de los diodos de selenio son como la de la figura 18.24a, En el ‘caso normal, el punto de operacisn esté antes del punto de inflexién o “rodilla” de la curva caracteristica y toma una corriente muy pequefia del circuito. Sin embargo, cuando aparece un sobrevoliaje, se cruza el punto de rodilla y aumenta de repente el fujo de corriente en sentido inverso por él selenio, y con ello se limita, en el caso tipico el voltaje transitorio al doble del vol- taje normal Un diodo de selenio (0 supresor) debe ser capaz de disipar la acumulacién de energia sin demasiado aumento de temperatura. Cada celda de un diodo de selenio se especifica, en el caso normal, con un voltaje raiz.cuadrético medio (rms) de 25 V, con un voltaje de sujeci6n tipico de ‘72V. Para la proteccion del circuito de cd, se polariza el circuito de supresi6n, como se ve en la figura 18.25a, En los circuitos de ca, como el de la figura 18.25b, los supresores no estn polariza- dos, for lo que pueden limitar sobrevoltajes en ambas direeciones. Para circuitos trifésicas se pueden usar supresores polarizados conectados en Y, como el de Ia figura 18.25e. Sise va a proteger un cireuito de 240 V con celdas de selenio de 25 V, entonces se necesita- 240125 = 10 celdas y el voltaje total de sujecién seria 10 X 72 = 720 V. Para proteger uncir~ ceuito monatésico de ca de 208 V, 60 Hz con celdas de selenio de 25 V, se necesitarfan 208/25 = 9 celdas en cada direccién, y un total de 2 x 9 = 18 celdas. Debido a la baja capacitancia interna, los diodos de selenio no limitan la dv/at con el mismo grado que los circuitos amortiguadores de RC. Sin embargo, imitan los voltajes transitorios a magnitudes bien definidas. Para proteger un dispositivo, a fiabilidad de un circuito RC es mejor que la de los diodos de selenio. Los varistores son dispositivos no lineales de impedancia variable, formados por particulas de Gxido metitico separadas por una capa o aislamiento de dxido. Al aumentar el voltae aplicido, la pelicula se vuelve conductora y aumenta el flujo de la corriente, La cortiente se expresa como T= Kv" (18.49) donde Kes una constante y V ¢s el voltaje aplicado, El valor de a varia entre 30 y 40. Puntos clave de la secci6n 18.7 ‘= Se pueden proteger los dispositivos de potencia contra sobrevoltajes transitorios mediante diodos de selenio 0 con varistores de metal 6xido, 188 Protecciones contra sobrecorriente 815 Alimentacién ‘deca (@) Recifcador eontrolado (b) Circuito amortiguador de GTO FIGURA 18.25 rotecein de dspositivos de potenci, * Estos dispositivos toman una corriente muy pequefia bajo condiciones de operacién normal, ‘+ Sin embargo, cuando aparece un voltaje muy alto, la resistencia de esos dispositivos dismi- ‘uye en funcién del sobrevoltaje y con ello permite el paso de més corriente, y limita la ‘magnitud del voliaje transitorio. 188 — PROTECCIONES CONTRA SOBRECORRIENTE En los convertidores de potencia se pueden presentar cortocircuitos o fallas,y las corrientes de {alla que resulten deben eliminarse con rapidez. Para proteger los dispositivos semiconductores ‘se suelen usar fusibles de acciGn répida. Al aumentar la corriente de falla,el fusible se abre y su- prime la corriente de falls en pocos milisegundos. 18.8.1 Accién fusible Los dispositivos semiconductores se pueden proteger escogiendo con cuidado los lugares de los fusibles,como se ve en la figura 18.26 [5,6].Sin embargo, los fabricantes de fusibles tecomiendan (a) Reetfcador controlado () Inversor McMurcay FIGURA 18.27 Protec individual de los dspostves 816 Capitulo 18 Proteccién de dispositivos y circuitos FIGURA 18.28, Fusiblesde semioonductor.(Reproducide on autorizacion de Brush Electrical Machines Lia, Inglaterra.) instalar un fusible en serie con cada dispositive, como se ve en la figura 18.27. La proteecién in- dividual que proporciona una mejor coordinacién entre un dispositivo y su fusible permite una mejor utilizacion de las posibilidades del dispositivo. y lo protege contra fallas por corto (por ejemplo. a través de 7; y Ten la figura 18,27a). En la figura 18.28 se muestran fusibles de varios tamafios para semiconduetores [7]. Cuando aumenta la corriente de falla, aumenta también la temperatura del fusible hasta que # = ty, en ese punto el fusible se funde y se producen arcos a través del mismo. Debidc al arco, aumenta la impedancia del fusible y con ello se reduce la corriente. Sin embargo, a través dl fusible se produce un voltaje de arco. El calor generado evapora al elemento fusible y produ- ‘ce mayor longitud de arco y mayor reduccién de la cortiente. El efecto combinado es la extin- cin del areo en un tiempo muy corto, Cuando termina el arqueo en el tiempo f,, desaparece la falla, Mientras con mas rapidez acti el fusible, el voltaje de arquco es mayor [8]. El tiempo de despeje 1, es la suma del tiempo de fusidn f, y el tiempo de arqueo fy. El tiempo f,, depende de Is corriente de carga, mientras que i, depende del factor de potencia o de ppardmetros del circuito de falla. En el caso normal, la falla desaparece antes de que la corriente de fallaIlegue a su primer pico,y esa corriente, que podria habcr pasado si no hubiera fusible, se lama corriente prospectiva de faila. Esto se ve en la figura 18.29 Las curvas corriente-tiempo de los dispositivosy fusibles se pueden usar para coordinar un fusible para un dispositivo. La figura 18.30a muestra las caracteristicas corriente-tiempo de un dispositive y su fusible, y en este caso el dispositivo se puede proteger en todo el intervalo de so brecargas. Esta clase de proteccién se usa en el caso normal en convertidores de baja potencia La figura 18.306 muestra el sistema que més se usa, en el que el fusible es para proteger contra cortocireuito al principio de la falla, y la proteccién normal contra sobrecarga se proporciona con un interruptor automstico u otro sistema limitador de corriente. Si R es la resistencia del circuito de falla e ies la corriente instantnea de falla, entre el instante en que sucede la fallay el instante de Ia extincién del arco, la energfa alimentada al cir- cuito se puede expresar como sigu We = SRP ae (1850) es aw Oe eT 18.8 Protecciones contra sobrecortiente 817 Corriente prospectiva Seals ° ‘ "emps Tempo 4efoatn, de argue, aera Tempo de Sema FiGURA 1829, % Convent on un abe Si la resistencia R permanece constante, el valor de tes proporcional a la energia alimentada al cireuito. Ese valor it se Llama energia admitida y es responsable de fundir el fusible. Los fa- bricantes de fusibles especifican la caracteristica Ht de su producto, y la figura 18.31 muestra las caracteristicastipicas de fusibles IR, tipo TT350. Para seleccionar un fusible es necesario estimar la corriente de falla, para entonces satisfacer los siguientes requisitos: 4. El fusible debe conducir la corriente nominal del dispositiv en forma continu 2, Elvalor admitido de del fusible antes de que desaparezca la corrente de falla debe ser menor que el valor nominal de 1 del dispostivo que se va a proteger. 3. El fusible debe ser capaz de resistr el voltaje después de Ia extincién del arco, 4. El voltaje pico de arco debe ser menor que el voltae pico nominal del dispositive, Coninte ms Corriente ms, Carscreritica \ ce dispositive 4 bev! Broveeeca! Poe fob, wrt 1 10 we? ott 10 10 (@) Proteesion completa (6) Solo protecisn en cortcircuito FIGURA 18.30 CCaracteristcascorrieme-tiempo del cispositvo ye fusible. 818 Capitulo 18 Protecci6n de dispositives y circuitos INTERNATIONAL RECTIFIER |TC2R T350 SERIES 290V/175-450A r.m.s. Semiconductor Fuses Suitable for roesng High Power Senicondscar Dees ‘Confer 1 B55. Part 4: 1976 and IEC 2004 [ASTA ces fig soreeruierating one ‘entation of ieevectt ane ae vlage ‘racers avi ‘ore operated nen manana mt ale ELECTRICAL SPECIFICATIONS. Fwanum rama vege og zaov Masur ted pa olage asov smu ds vltoge ating (RSIS) ‘ov mur orcng voltage for ACSupply Vale = 240V

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