Infineon-FP75R12KT3 Inversor

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP75R12KT3
EconoPIM™3ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode
EconoPIM™3modulewithfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom 75 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC 105 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 150 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 355 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,70 2,15 V
VCE sat
Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C 1,90 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,70 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 10 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,30 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,20 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,26 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,29 µs
RGon = 4,7 Ω
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,03 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,05 µs
RGon = 4,7 Ω
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,42 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,52 µs
RGoff = 4,7 Ω
Fallzeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,09 µs
RGoff = 4,7 Ω
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C 6,55 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon 9,40 mJ
RGon = 4,7 Ω
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C 6,80 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff 8,00 mJ
RGoff = 4,7 Ω
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 300 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,35 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,125 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 125 °C
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS revision:3.0
1
IGBT-Module
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 75 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 150 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 1200 A²s
I²t-value

Durchlassspannung IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,15 V
VF
Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 80,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 86,0 A
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 9,30 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 16,5 µC
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 3,20 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 6,50 mJ
VGE = -15 V
proDiode/perdiode RthJC 0,58 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,205 K/W
Tvj op -40 125 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C IFRMSM 80 A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 80°C IRMSM 115 A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 500 A
IFSM
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 400 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 1250 A²s
I²t
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 800 A²s

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 75 A VF 1,10 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 3,00 mA
Reversecurrent
RthCH 0,23 K/W
Tvj op °C
2
IGBT-Module
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom 40 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC 55 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 80 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 210 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 40 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,80 2,30 V
VCE sat
Collector-emittersaturationvoltage IC = 40 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C 2,05 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 1,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,33 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 6,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,50 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 40 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,09 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,09 µs
RGon = 27 Ω
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 40 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,03 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,05 µs
RGon = 27 Ω
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 40 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,42 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,52 µs
RGoff = 27 Ω
Fallzeit,induktiveLast IC = 40 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,09 µs
RGoff = 27 Ω
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 4,10 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon 6,00 mJ
RGon = 27 Ω
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 3,10 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff 3,55 mJ
RGoff = 27 Ω
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 160 A
proIGBT/perIGBT RthJC 0,60 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,21 K/W
Tvj op -40 125 °C
3
IGBT-Module
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
Dauergleichstrom
IF 25 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 50 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 170 A²s
I²t-value

Durchlassspannung IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,20 V
VF
Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 26,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 24,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 2,80 µC

Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 5,00 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 0,90 mJ

Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 1,80 mJ
RthCH 0,425 K/W
Tvj op -40 125 °C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
4
IGBT-Module
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Cu
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al203
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 7,5
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 225
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH 0,009 K/W
Modulstreuinduktivität
LsCE 60 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 4,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch mΩ
RAA'+CC' 2,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 300 g
Weight
5
IGBT-Module
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=125°C
150 150
Tvj = 25°C VGE = 19 V
135 Tvj = 125°C 135 VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13V
120 120 VGE = 11V
VGE = 9 V
105 105
90 90
IC [A]
IC [A]
75 75
60 60
45 45
30 30
15 15
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V
150 30
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
135 Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
25
120
105
20
90
E [mJ]
IC [A]
75 15
60
10
45
30
5
15
0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
VGE [V] IC [A]
6
IGBT-Module
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V
25 1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
20
15
ZthJC [K/W]
E [mJ]
0,1
10
5
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,03949 0,158 0,08884 0,06139
τi[s]: 0,002345 0,0282 0,1128 0,282
0 0,01
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=125°C
160 150
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip 135 Tvj = 125°C
140
120
120
105
100
90
IC [A]
IF [A]
80 75
60
60
45
40
30
20
15
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V] VF [V]
7
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=4.7Ω,VCE=600V IF=75A,VCE=600V
10 10
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
9 9
8 8
7 7
6 6
E [mJ]
E [mJ]
5 5
4 4
3 3
2 2
1 1
0 0
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
IF [A] RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJC=f(t) IF=f(VF)
1 150
ZthJC : Diode Tvj = 25°C
135 Tvj = 150°C
120
105
90
ZthJC [K/W]
IF [A]
0,1 75
60
45
30
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,05906314 0,3815072 0,1098891 0,03480464
τi[s]: 0,0033328 0,0342858 0,1294332 0,7662325 15
0,01 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
t [s] VF [V]
8
IGBT-Module
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IF=f(VF)
VGE=15V
80 80
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 125°C
70 70
60 60
50 50
IC [A]
IF [A]
40 40
30 30
20 20
10 10
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V] VF [V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
10000
R[Ω]
1000
100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TC [°C]
9
IGBT-Module
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fineon
10
IGBT-Module
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
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-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
11

Infineon-FP75R12KT3 Inversor

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CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

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Sperrverzögerungsladung IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 2,80 µC

AbschaltenergieproPuls IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 0,90 mJ

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