ĐHQG Tp HCM – ĐHBK

Khoa Điện-ĐT – Bộ môn Điện Tử

Đáp án của Môn: Quang điện tử (MSMH: 402704) – KTGHK 201 – PFIEV
Ngày kiểm tra: 13/11/2020 – Thời gian làm bài: 60 phút
Chú ý:
· SV KHÔNG được sử dụng tài liệu, ĐTDĐ, Laptop và máy tính bảng.
· Các câu LT nên trả lời ngắn gọn và đủ ý.
Câu 1: (2 đ)
a) (0.5 đ) Một bóng đèn huỳnh quang 40 W phát ra 3250 lm. Tìm hệ số hiệu suất K của nó?
b) (0.5 đ) Một ánh đèn flash 5W cho FP = 750 lm chiếu sáng thành hình tròn đường kính 0.2 m ở cách nguồn
sáng là 10 m. Hãy tìm cường độ sáng I ?
c) (0.5 đ) Người ta đo được E = 875 lm/m2 từ nguồn sáng điểm đến chỗ đo là 2 m. Giá trị E bằng bao nhiêu
nếu khoảng cách từ nguồn sáng đến điểm cần biết là 3 m?
d) (0.5 đ) Một bộ thu quang có mặt thu hình tròn đường kính 2 cm cách nguồn sáng 14 cm. Nguồn sáng có I0
= 250 mcd. Tính OTF và NA khi nguồn sáng là nguồn Lambert (biết Φθ = π I0 sin2θ).
BG.
a) K = 3150 lm / (0.9 x 40 W) » 90.28 lm/W
b) Góc khối w = p(0.2/2)2/102 » 3.1416 x 10–4 sr Þ I = F P/w = 750/3.1416x10–4 » 2.387 x 106 cd
c) E2 = E1(d1/d2)2 = 875 x (2/3)2 » 388.89 lm/m2
d) NA = sinθ » tg q = (2/2)/14 = 1/14 » 0.0714
OTF = sin2θ = 0.07142 » 0.0051 Þ OTF = 0.0051 và NA = 0.0714
(tính chính xác thì NA = sin(atan(1/14)) » 0.0712 và OTF = 0.0051)
Câu 2: (2 đ)
a) (0.5 đ) Chuyển tiếp dị thể có các đặc điểm gì mà ta thường dùng trong các dụng cụ QĐT và dụng cụ bán
dẫn có hiệu năng cao?
BG.
Các ưu điểm của chuyển tiếp DH
· Các rào thế năng tại các chuyển tiếp dị thể làm cho các hạt dẫn bị giam trong miền tích cực Þ
hiệu suất lượng tử cao hơn.
· Các miền có chiết suất khác nhau tạo nên ống dẫn sóng quang Þ chùm tia photon hẹp hơn.
b) (0.5 đ) Cách phân loại vật liệu theo khe năng lượng. Trong dụng cụ quang điện tử làm nguồn sáng, người
ta thường dùng các vật liệu nào trong các vật liệu sau: Ge, GaAs, Si.
BG.
· Chất cách điện: Eg > 4eV
· Chất dẫn điện: 0 < Eg < 0.2 eV hoặc Eg < 0.
· Chất bán dẫn: 0 < Eg < 4 eV
· Người ta thường dùng GaAs trong 3 bán dẫn để làm nguồn sáng.
c) (0.5 đ) Chiết suất trong bán dẫn phụ thuộc các tham số nào? Tại sao bán dẫn có tính tán sắc?
BG.
· Chiết suất trong bán dẫn phụ thuộc các tham số: bước sóng, hệ số hấp thu a, nhiệt độ và mức
pha tạp chất.
· Bán dẫn có tính tán sắc vì dn/dl khác không!
d) (0.5 đ) Xét bán dẫn thuần Si (có ni = 1.5 x 1010 cm–3 ở 300 K), hãy tìm n và p trong điều kiện cân bằng nhiệt
và bán dẫn loại gì cho trường hợp pha tạp chất sau: NA = 8.5 x 1016 cm–3 và ND = 1017 cm–3.
(Chú ý: Khi X/Y ≥ 100 thì xem như X >> Y)
BG.
NA = 8.5 x 1016 cm–3 < ND = 1017cm–3 Þ Bán dẫn loại N.
ND – NA = 10 x 1016 – 8.5 x 1016 = 1.5 x 1016 cm–3 >> ni = 1.5 x 1010 cm–3
Þ nn = 1.5 x 1016 cm–3 và pn = ni2/nn = 2.25 x 1020/1.5 x 1016 = 15000 cm–3

Câu 3: (2 đ)
a) (1 đ) Cấu tạo và nguyên tắc hoạt động của LED.

Đáp án QĐT-KTGHK-201_VP – trang 1/4

BG.
· Cấu tạo: chuyển tiếp bước PN (thí dụ: pn+)
với bán dẫn trực tiếp và được đóng gói với
vật liệu dễ cho ánh sáng phát ra được. Để có
hiệu năng thì người ta có thể dùng chuyển
tiếp dị thể kép (DH).

· Nguyên tắc hoạt động: Khi đưa phân cực

thuận vào chuyển tiếp PN, rào thế của chuyển
tiếp nhỏ hơn, do đó có sự bơm hạt dẫn thiểu
số (điện tử vào P và lỗ vào N) và khi di chuyển
như vậy một phần của chúng sẽ tái hợp bức
xạ ở miềnn nghèo và lân cận để tạo nên phát
xạ photon

b) (0.5 đ) Các photon phát xạ trong LED không thể hoàn toàn xuất ra khỏi LED do các nguyên nhân gì? (Chỉ
liệt kê tên nguyên nhân). Về tại sao người ta có chế tạo LED với đóng gói plastics hình vòm cầu?
BG.
· Các photon phát xạ trong LED không thể hoàn toàn xuất ra khỏi LED do các nguyên nhân: hấp
thu lại photon trong bán dẫn, mất mát Fresnel và mất mát góc tới hạn (hiện tượng TIR).
· Về chế tạo, người ta đóng gói LED có hình vòm cầu pastic để khắc phục mất mát photon do TIR.
Vật liệu đóng gói phải có chiết suất bằng chiết suất bán dẫn trong chuyển tiếp pn.

c) (0.5 đ) Xét LED có Eg = 2.42 eV ở 300 K và Eg thay đổi theo nhiệt độ với dEg/dT = –5.4 x 10–4 eV/K. Hãy
tìm l phát ra từ LED ở T = 300 K và tìm Dl/DT (từ T = 300 K) và ứng dụng tính l ở T = 320 K?
BG.
Ta có:
l300 = 1240/2.42 = 512.397 » 512.4 nm
Dl/DT = dl/dT = dl/dEg x dEg/dT = –1240/Eg2 xdEg/dT = –1240/(2.42)2 x(–5.5x10–4) = 0.1165 nm/K
Þ Dl = (320 – 300) x 0.1165 = 2.818 = 2.33 nm
Þ l320 = l300 + Dl = 512.4 + 2.33 = 514.73 nm
Suy ra: l300 » 512 nm và l320 » 515 nm

Câu 4: (2 đ)
a) (0.5 đ) Công suất ánh sáng toàn phần từ một LED là 10 mW khi nó hoạt động ở dòng 50 mA và biết LED
có sụt áp 2 V khi dòng LED là 20 mA, hãy tính hext cho LED này.
BG.
Ta có:
Popt = hext EgiLED với Eg [eV] » VLED@20mA x q = 2 V x q = 2 eV
Suy ra
hext = Popt/(Eg x iLED) = 10 / (2 x 50) = 10 %

b) (0.5 đ) Vẽ mạch dủng IC số thông thường và ngõ ra cực thu hở để lái LED 7 đoạn loại CC.
BG.
IC số thông thường – ngõ ra nối với BJT lái LED IC số có ngõ ra cực thu hở

Đáp án QĐT-KTGHK-201_VP – trang 2/4

c) (0.5 đ) Khi sử dụng LED làm nguồn sáng phát tín hiệu thì ta cần cải thiện cho cường độ sáng mạnh hơn.
Hãy liệt kê các giải pháp khả thi để tăng cường độ sáng của nguồn sáng dùng LED?
BG.
Các giải pháp khả thi để tăng cường độ sáng của nguồn sáng dùng LED khi phát tín hiệu:
1. Mắc nối tiếp thêm LED
2. Lái LED bằng dòng xung (điều chế xung)
3. Dùng thấu kính để hội tụ chùm tia
Có thể sử dụng 1 (hoặc 2) trong các giải pháp trên hoặc kết hợp tất cả.

d) (0.5 đ) Cho trước mạch ở hình 1, nếu giữ chu kỳ xung lái cố định (T = 0.25 s) nhưng chỉ thay đổi TON (thời
gian mà LED sáng trong chu kỳ T), hãy tìm dòng điện trung bình qua LED Iavg (giả sử mức thấp làm cho
transistor ON – VCEsat » 0 V, dẫn đến LED sáng) nếu VS = 9 V, sụt áp trên mỗi LED là 2.2 V, R = 40 W. Ta
phải chỉnh TON như thế nào để Iavg thay đổi trong đoạn [20 mA, 85 mA].
BG.
Ø Dòng trung bình qua LED là
Iavg = IpTON/T
Với dòng đỉnh
Ip = (Vs – 2VLED – VECsat)/R » (Vs – 2VLED)/R
= (9 – 2x2.2)/40 = 0.115 A = 115 mA
Suy ra Iavg = 115 mA x TON/0.25 = 460 x TON (mA)

Ø Để có dòng Iavg = 20 mA thì

TON = Iavg/460 = 20/460 = 43.5 ms
Để có dòng Iavg = 85 mA thì
TON = Iavg/460 = 85/460 = 184.8 ms
Như vậy TON thuộc đoạn [0.0435 s, 0.1848 s]
Hình 1
Câu 5: (2 đ)
a) (1 đ) Khi ta cho dòng qua LED bằng 45 mA thì nó sẽ tạo ra công suất quang Popt tương ứng là 8 mW (giả
sử LED chưa bão hòa). Nếu lái LED bằng dòng i(t) = 12 + 14 sin wt ]mA], hãy vẽ Popt theo thời gian trong
1 chu kỳ của tín hiệu này và tìm băng thông điện của nó nếu có thời gian lên là 5 ns.
BG.
Giả sử quan hệ giữa công suất quang và dòng Đồ thị công suất ra theo thời gian trong 1 chu kỳ
LED vẫn ở vùng tuyến tính: của tín hiệu này (giả sử nếu iLED ³ 0 mA thì có
Popt = k x iLED công suất quang ra Popt ³ 0 mW).
Suy ra k = 8/45 = 0.1778 [W/A]
Þ Poptl [mW] = 0.1778 x iLED[mA]
Nếu lái LED bằng dòng analog
i(t) = 12 + 14sinwt ]mA]
Þ Popt [mW] = 0.1778 x iLED[mA]
Popt [mW] = 2.1336 + 2.4892sin wt [mW]

· Băng thông điện của LED nếu nó có

tr = 5 ns là 0.35/tr = 0.35/5x10–9 = 70 MHz

b)
c) (1 đ) Cho mạch lái LED bằng dòng hằng ở hình 2, hãy tính các trị số linh kiện (R1, RE, tham số b của
transistor) và số LED tối đa N mà mạch này có thể lái được. Cho trước VCC = 12 VDC, Zener có VZ = 5 V
và PZmax = 0.2 W, BJT có VBEQ = 0.7V và VCEsat = 0.2 V, LED cần cấp dòng hằng 20 mA và sụt áp trên LED
là 2 V. Giả sử ta phân cực Zener với IZ = IZmax/2.

Đáp án QĐT-KTGHK-201_VP – trang 3/4

BG.
· Zener có VZ = 5 V và PZmax = 0.2 W
Þ IZmax = Pzmax/Vz = 0.2/5 = 0.04 A = 40 mA
Þ Dòng phân cực Zener IZ = IZMax/2 = 20 mA
Þ R1 = (12 – 5)/0.02 = 350 W
Þ R1 = 350 W (0.25 đ)
và R1 chịu được công suất
PR1 ³ (12 –5) x 0.02 = 0.14 W

· RE = (VZ – VBE)/ILED = (5 – 0.7)/0.02 = 215 W

Þ RE = 215 W (0.25 đ)

· BJT phải thỏa:

IZ >> IB = IC/ b Þ b >> IC/IZ = 0.02/0.02 = 1
Chọn b ³ 100 x IC/IZ = 100
hay b ³ 100 thì thỏa điều kiện trên. (0.25 đ)
(Nếu chọn b ³ 10 x IC/IZ = 1 hay b > 11 thì thỏa điều kiện trên,
nghỉa là mọi BJT đều thỏa!)
Hình 2
· Số LED tối đa có thể lái được:
Ta có:
VCC = NVLED + VCE + (VZ – VBE)
Þ VCE = VCC – NVLED – (VZ – VBE) > VCESAT = 0.2 V
Þ N < (VCC – (VZ – VBE) – VCESAT)/VLED
N < (12 – (5 – 0.7) – 0.2)/2 = 3.75
Þ Nmax = 3 (0.25 đ)

Kết thúc bài KTGHK

GV ra đề và soạn đáp án: Hồ Trung Mỹ

Đáp án QĐT-KTGHK-201_VP – trang 4/4