‫תוכן העניינים‪:‬‬

‫פרק ‪2 ................................. ................................ ................................ 1‬‬

‫אלקטרונים וחורים במוליכים למחצה ‪2 ........................ ................................‬‬
‫כללי‪2............................................................................................................................ :‬‬
‫סיכום כללי‪2 ....................................................................................................................................... :‬‬
‫שאלות‪11 ............................................................................................................................................ :‬‬
‫תשובות סופיות‪13 ................................................................................................................................ :‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫פרק ‪1‬‬
‫אלקטרונים וחורים במוליכים‬
‫למחצה‬
‫כללי‪:‬‬

‫סיכום כללי‪:‬‬
‫חוק מור (‪:)Moore's Law‬‬

‫סוגי חומרים בטבע‪:‬‬

‫מוליכים‪:‬‬
‫חומרים שבהם אלקטרונים חופשיים אשר מסוגלים לנוע בחופשיות לאורך החומר‪.‬‬
‫מבודדים‪:‬‬
‫חומרים שבהם האלקטרונים קשורים לאטומים שלהם ולא מסוגלים לנוע כלל‬
‫לאורך החומר‪.‬‬
‫מוליכים למחצה‪:‬‬
‫חומרים שבהם נדרש להשקיע אנרגיה על מנת לשחרר אלקטרונים כדי שינועו‬
‫לאורך החומר‪.‬‬

‫‪2‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫גרף ההתנגדות והמוליכות החשמלית של חומרים וסיווגם‪:‬‬

‫אטום הסיליקון ומבנה גביש הסיליקון‪:‬‬

‫תא יחידה (‪ )Unit Cell‬הינו מבנה של גביש סיליקון אשר נצפה ע"י ‪.X-rays‬‬
‫לצורת המבנה קוראים "מבנה יהלומי" (‪.)Diamond Structure‬‬
‫כל אטום סיליקון מחובר ל‪ 4-‬אטומים שכנים שלו‪.‬‬

‫משטחי חיתוך‪:‬‬
‫גביש הסיליקון מגיב באופן שונה לאופן שבו חותכים אותו‪.‬‬
‫הדבר משפיע על הזרמים שבו וכן על תכונות חשמליות נוספות‪.‬‬
‫בתהליך הגידול והייצור של הסיליקון‪ ,‬מקפידים על חיתוך הסיליקון לפי מישורים‬
‫הקובעים את כיווניות הגביש‪ .‬האינדקסים של מילר (‪ )Miller Indices‬מתארים את‬
‫מישור החיתוך אשר זרימת אלקטרונים מאונכת לו‪.‬‬

‫‪3‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫סידור אלקטרונים באטום (כללי)‪:‬‬
‫מבנה האלקטרונים באטום קובע את תכונותיו הכימיות‬
‫ואופן ההתחברות שלו לאטומים אחרים ליצירת מולקולות‪.‬‬
‫אלקטרונים חגים סביב גרעין האטום במסלולים הנקראים אורביטלים‪.‬‬
‫פונקציה אשר מתארת את ההסתברות למצוא אלקטרון‬
‫בנקודה מסוימת (אזור מסוים) נקראת פונקצית הגל‪.‬‬
‫האורביטלים מסודרים ברמות אנרגיה בדידות‪,‬‬
‫כאשר כל אחד יכול לאכלס כמות אלקטרונים שונה על פי סדר מסוים‪.‬‬

‫‪13.6‬‬
‫‪. En = −‬‬ ‫רמות אנרגיה (לפי מודל בוהר)‪ eV  :‬‬
‫‪n2‬‬
‫האנרגיה שנבלעת או נפלטת ממעברים של אלקטרונים‬
‫לרמות אנרגיה שונות מגיעה במנות קצובות התלויות בתדר הקרינה ‪. f‬‬
‫‪‬‬
‫‪E = hf = h‬‬ ‫כותבים את אנרגיה זו‪=  :‬‬
‫‪2‬‬
‫כאשר ‪ h = 6.626 10−34  J  sec = 4.1357 10 −15 eV ‬נקרא קבוע פלנק‪.‬‬
‫כמו כן‪. = 1.054 10−34  J  sec  = 6.582 10−16 eV  :‬‬

‫עיקרון אי הוודאות‪:‬‬
‫היות ולא ניתן למצוא אלקטרון בזמן נקודתי במיקום מסוים ובעל תנע מסוים יחדיו‪,‬‬
‫אלא ידיעת גודל אחד 'מקריסה' את האחר‪ ,‬קבוע פלנק משמש כחסם תחתון‬
‫למכפלתם‪ . ( x )( p )  :‬לחסם זה קוראים בשם עיקרון אי הוודאות של אייזנברג‪.‬‬

‫(ניתן גם לכתוב עבור אנרגיה בפרק זמן‪.) ( E )( t )  :‬‬

‫רמות האנרגיה באטום‪:‬‬

‫בוהר הגדיר מספר סוגי אורביטלים אפשריים שנצפים בכל רמת אנרגיה‪.‬‬
‫‪ -‬ברמת האנרגיה הראשונה קיים אורביטל אחד‪ ,s ,‬אשר מכיל ‪ 2‬אלקטרונים‪.‬‬
‫‪ -‬ברמת האנרגיה השנייה יש אורביטל אחד מסוג ‪ s‬ושלושה אורביטלים מסוג ‪.p‬‬
‫‪ -‬ברמת האנרגיה השלישית יש אורביטל אחד מסוג ‪ ,s‬שלושה מסוג ‪ p‬וחמישה מסוג ‪.d‬‬
‫‪ -‬ברמת האנרגיה הרביעית יש אורביטלים מסוגים ‪ d ,p ,s‬ו‪.f-‬‬
‫רמת האנרגיה האחרונה אשר קשורה לגרעין האטום נקראת שכבת הערכיות‬
‫של האטום (‪.)Valence Shell‬‬

‫‪4‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
‫אלקטרון שעוזב את שכבת הערכיות משתחרר מהאטום וחופשי לנוע לאורך הגביש‪.‬‬
‫• אלקטרון שנמצא בשכבת הערכיות נקרא אלקטרון‪-‬ערכיות (‪.)Valence Electron‬‬
‫• אלקטרון שעזב את שכבת הערכיות וחופשי לנוע לאורך סריג נקרא‬
‫אלקטרון‪-‬הולכה (‪.)Conduction Electron‬‬

‫לאטומים תהיה נטייה להיקשר לאטומים אחרים (מאותו הסוג או לא)‬

‫לפי כמות האלקטרונים שנמצאים בשכבת הערכיות שלהם‪:‬‬
‫• אטומים עם ‪ 8‬אלקטרונים בשכבת הערכיות נחשבים אצילים‬
‫ולא יגיבו כימית כלל עם אטומים אחרים‪.‬‬
‫• אטומים ללא ‪ 8‬אלקטרונים יחפשו 'שכנים' כך שבחיבור שלהם‬
‫הם ישתפו אלקטרונים ליצירת שכבת ערכיות שלמה‪.‬‬

‫מודל ההיקשרות של אלקטרונים וחורים‪:‬‬

‫נתאר את גביש הסיליקון באופן דו מימדי‪:‬‬
‫לקשר שנוצר בין אטומי הסיליקון קוראים קשר קוולנטי‬
‫(‪ covalent bond‬המשמעות‪ :‬שכבת ערכיות משותפת)‪.‬‬
‫באפס מוחלט אין אלקטרונים אשר חופשיים לנוע לאורך‬
‫הסריג אולם בטמפרטורת החדר‪ ,‬חלק מהאלקטרונים ישתחררו וייצרו זרם‪.‬‬

‫אלקטרון (‪ )Electron‬וחור (‪:)Hole‬‬

‫חור הוא היעדר אלקטרון‪.‬‬
‫לחור מטען חיובי‪.‬‬
‫נתייחס לחורים כאל ישויות‬
‫שמסוגלות לנוע לאורך הסריג‪.‬‬

‫‪5‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫זיהום‪/‬אילוח (‪:)doping‬‬
‫כדי להעצים את כמות נושאי המטען (החיוביים והשליליים)‬
‫נעזר בתהליך שנקרא זיהום (או סימום‪/‬אילוח)‪ ,‬באנגלית ‪.Doping‬‬
‫• תורמים ‪ .Donors‬אלו חומרים מסוג ‪ . N-type‬כמו ‪ As‬או ‪.P‬‬
‫• מקבלים ‪ .Acceptors‬אלו חומרים מסוג ‪ .Type-P‬כמו ‪ Boron‬או ‪ In‬או ‪.Al‬‬

‫שיערוכי אנרגיות יינון‪:‬‬

‫שיערוך האנרגיה הנדרשת לשיחרור של אלקטרון מתורם (תהליך יינון) מתבצעת ע"י‬
‫‪m0 q 4‬‬
‫= ‪Eion‬‬ ‫לקיחת הביטוי לאנרגית יינון של אטום המימן‪= 13.6eV :‬‬
‫‪8 02 h2‬‬
‫כאשר‪:‬‬
‫‪ m0‬היא המסה של אלקטרון חופשי‪.‬‬
‫‪  0‬הוא מקדם הפרימיטיביות של ריק‪.‬‬
‫‪ h‬הוא קבוע פלאנק‪.‬‬
‫נחליף‪ m0 → mn :‬ו‪  0 → 12 0 -‬ונקבל את הערך המקורב‪. Eion  50 meV :‬‬
‫נקבל כי על כל אטום ליחידת נפח משתחרר אלקטרון אחד‪ ,‬כלומר חומר מסוג 'תורם'‬
‫עם ‪ 1020‬אטומים ליחידת נפח ( ‪ ) 1020 cm−3‬ישחרר ‪ 1020‬אלקטרונים ליחידת נפח!‬

‫מסה אפקטיבית‪:‬‬
‫בהשפעת שדה חשמלי‪ ,  ,‬האלקטרון והחור יחוו תאוצה לפי החוק השני של ניוטון כך‪:‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪q‬‬
‫‪ae = −‬‬ ‫= ‪; ah‬‬
‫‪mn‬‬ ‫‪mp‬‬
‫כאשר‪ mn , m p :‬הן מסות אפקטיביות של אלקטרון וחור‪.‬‬

‫‪6‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫‪2‬‬
‫= ‪effective mass‬‬ ‫נגיד את המסות האפקטיביות באופן הבא‪:‬‬
‫‪d 2 E / dk 2‬‬
‫כאשר ‪ k‬הוא מספר הגל ו‪ E -‬היא האנרגיה של אלקטרון‪.‬‬
‫אלו מתקבלים ממשוואת שרדינגר ופתרונה הכללי‪.‬‬

‫צפיפות מצבים‪:‬‬
‫ניקח תחום רמות אנרגיה ‪ E‬בשכבת ההולכה ונוכל להגדיר צפיפות מצבים באופן‬
‫‪number of states in E‬‬
‫= ) ‪Dc ( E‬‬ ‫הבא‪:‬‬
‫‪E  volume‬‬
‫‪number of states in E‬‬
‫= ) ‪.) D ( E‬‬ ‫(באותו האופן נוכל להגדיר צפיפות מצבים בשכבת הערכיות‪:‬‬
‫‪E  volume‬‬
‫‪v‬‬

‫מחישוב מקבלים את הקשרים הבאים‪:‬‬

‫) ‪8 mn 2mn ( E − Ec‬‬
‫= ) ‪Dc ( E‬‬ ‫‪E  Ec‬‬
‫‪h3‬‬
‫) ‪8 m p 2m p ( Ev − E‬‬
‫= ) ‪Dv ( E‬‬ ‫‪E  Ev‬‬
‫‪h3‬‬

‫צפיפות המצבים היא ביחידות של מצבי אנרגיה ליחידת נפח‬

‫‪1‬‬
‫)‪ ,‬ולכן ‪ Dc ( E ) dE , Dv ( E ) dE‬מתארים את מספר רמות‬ ‫(ניתן לכתוב‪:‬‬
‫‪cm  eV‬‬
‫‪3‬‬

‫האנרגיה ליחידת נפח בין ‪ E‬ל‪. E + dE -‬‬

‫שיווי משקל תרמי ופונקצית פרמי‪:‬‬

‫פונקצית ההתפלגות של פרמי‪-‬דיראק (‪)Fermi-Dirac Distribution Function‬‬
‫‪1‬‬
‫= )‪. f (E‬‬ ‫‪( E − EF ) / kT‬‬
‫מתוארת באופן הבא‪:‬‬
‫‪1+ e‬‬
‫זו היא פונקציה המתארת את הסיכוי (ההסתברות) למצוא אלקטרון‬
‫ברמת אנרגיה ‪ E‬כלשהי כאשר ‪ EF‬היא אנרגית פרמי‪.‬‬

‫‪7‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
‫‪( f ( E )  e−( E −E‬קירוב בולצמן)‪.‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪) / kT‬‬
‫‪ E − EF‬נוכל לקרב‪:‬‬ ‫עבור רמות אנרגיה גבוהות ‪kT‬‬
‫‪. f ( E )  1 − e−( E −E‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪) / kT‬‬
‫‪ E − EF‬נוכל לקרב‪:‬‬ ‫עבור רמות אנרגיה נמוכות ‪kT‬‬

‫‪. 1 − f ( E )  e−( E −E‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪) / kT‬‬

‫עבור חורים מקבלים את ההיפך‪:‬‬

‫ריכוז אלקטרונים וחורים‪:‬‬

‫‪ Dc ( E ) dE‬מתאר את מספר רמות האנרגיה ליחידת נפח בין ‪ E‬ל‪. E + dE -‬‬

‫המכפלה ‪ f ( E )  Dc ( E )  dE‬מתארת את מספר האלקטרונים בין הרמות הנ"ל ליח' נפח‪.‬‬
‫‪Top of conduction band‬‬

‫= ‪.n‬‬ ‫‪‬‬ ‫מספר האלקטרונים ליחידת נפח מוגדר‪f ( E )  Dc ( E )  dE :‬‬

‫‪Ec‬‬

‫‪2 mn kT ‬‬
‫‪3/2‬‬

‫‪. Nc  2 ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ n = Nc e−( E − E‬כאשר‪:‬‬ ‫‪c‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪) / kT‬‬

‫כאשר נפתח ונחשב את האינטגרל נקבל‪:‬‬
‫‪ h‬‬ ‫‪‬‬
‫‪2‬‬

‫‪ Nc‬נקרא הצפיפות האפקטיבית של המצבים (‪.)Effective Density of States‬‬

‫‪Ev‬‬

‫=‪.p‬‬ ‫באופן דומה נגדיר את צפיפות החורים‪ f ( E )  D ( E )  dE :‬‬

‫‪−‬‬
‫‪v‬‬

‫‪ 2 m p kT ‬‬
‫‪3/2‬‬

‫‪. Nv  2 ‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ p = N ve−( E‬כאשר‪:‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪− Ev ) / kT‬‬

‫נקבל את התוצאה הבאה‪:‬‬
‫‪ h‬‬ ‫‪‬‬

‫נבחין כי ‪ N v‬ו‪ Nc -‬שונים רק בגלל המסות האפקטיביות‪.‬‬

‫בגדול הן בסדר גודל של ‪ 1019 cm−3‬אלקטרונים (ליחידת נפח)‪.‬‬
‫הערכים האלה משתנים מחומר לחומר‪.‬‬

‫‪8‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫הקשר שבין רמת פרמי וריכוז נושאי המטען‪:‬‬

‫נוכחות של מזהם‪:‬‬

‫• בהינתן מזהם שהוא 'תורם' (‪ )Donor‬נקבל צפיפות אלקטרונים הגדולה משמעותית‬

‫מצפיפות החורים‪.‬‬
‫החומר הוא ‪ N-Type‬ונאמר כי האלקטרונים הם נושאי מטען הרוב (‪)Majority carriers‬‬
‫והחורים הם נושאי מטען המיעוט (‪.)Minority carriers‬‬
‫• בהינתן מזהם שהוא 'מקבל' (‪ )Acceptor‬צפיפות החורים הגדולה משמעותית מצפיפות‬
‫האלקטרונים‪.‬‬
‫החומר הוא ‪ P-Type‬ונאמר כי החורים הם נושאי מטען הרוב (‪)Majority carriers‬‬
‫והאלקטרונים הם נושאי מטען המיעוט (‪.)Minority carriers‬‬

‫הגדרות חומרים‪:‬‬

‫• חומר אינטרינסי‪:‬‬
‫חומר שאינו מזוהם (או שמזוהם ומקיים‪ ) Na = Nd :‬ובו תמיד מתקיים‪. n = p = ni :‬‬

‫• חומר מסוג ‪:N-Type‬‬

‫חומר המזוהם בתורמים ) ‪ , ( N d‬או בתורמים ומקבלים כך שמתקיים ‪. Nd  Na‬‬

‫• חומר מסוג ‪:P-Type‬‬

‫חומר המזוהם במקבלים ) ‪ , ( N a‬או בתורמים ומקבלים כך שמתקיים ‪. Na  Nd‬‬

‫‪9‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 :‫משוואות‬

. np = ni2 :‫עבור כל חומר תמיד מתקיים‬

:‫אקספטורים או שניהם‬/‫בהינתן זיהום של תורמים‬
. n = N d − N a ; p = ni2 / n :‫) אז‬N-Type ‫ (חומר מסוג‬Nd − Na ni :‫) אם‬1
. n = N d ; p = ni2 / N d :‫ אז‬Nd Na :‫ אם מתקיים‬,‫יתרה מכך‬
. p = N a − N d ; n = ni2 / p :‫) אז‬P-Type ‫ (חומר מסוג‬Na − Nd ni :‫) אם‬2
. p = N a ; n = ni2 / N a :‫ אז‬Na Nd :‫ אם מתקיים‬,‫יתרה מכך‬

:‫נוסחאות של רמות פרמי‬

:‫נוסחאות עבור נושאי מטען הרוב‬
Type Relation Simplification
− ( Ec − EF ) / kT N 
N-Type n = Nce Ec − EF = kT  ln  c 
 n 
− ( EF − Ev ) / kT N 
P-Type p = N ve EF − Ev = kT  ln  V 
 p 

:‫נוסחאות עבור הריכוז האינטרינסי‬

Type Relation Simplification
− ( EF − Ei ) / kT n
N-Type ni = n  e EF − Ei = kT  ln  
 ni 
−( Ei − EF ) / kT  p
P-Type ni = p  e Ei − EF = kT  ln  
 ni 

:‫תיאור רמות אנרגיה‬

P-Type ‫חומר‬ N-Type ‫חומר‬

10 www.gool.co.il
 ‫הערות‪:‬‬
‫‪ )1‬הגודל ‪ kT‬בטמפרטורת החדר (כלומר‪ ) T = 300K :‬הוא ‪. 26 meV‬‬
‫‪. k  8.66 10−5 ‬‬
‫‪eV ‬‬
‫ניתן לבודד את ‪ k‬מהקשר‪ kT T =300 K = 0.026 :‬ולקבל‪:‬‬ ‫‪)2‬‬
‫‪ K ‬‬

‫ריכוזים שונים‪:‬‬

‫מגדירים את הריכוז האינטרינסי‪. ni = Nc Nv e− E /2kT :‬‬

‫‪g‬‬

‫‪ 2 m p kT ‬‬
‫‪3/2‬‬
‫‪2 mn kT ‬‬
‫‪3/2‬‬

‫‪. Nv = 2 ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ Nc = 2 ‬ו‪-‬‬ ‫‪‬‬ ‫כאשר‪:‬‬

‫‪ h‬‬ ‫‪‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ h‬‬ ‫‪‬‬

‫ריכוזי מצבים אפקטיביים בטמפרטורת החדר ) ‪: (T = 300K‬‬

‫‪Ge‬‬ ‫‪Si‬‬ ‫‪GaAs‬‬

‫‪Nc cm−3 ‬‬ ‫‪1.04 1019‬‬ ‫‪2.8 1019‬‬ ‫‪4.7 1017‬‬
‫‪N v cm−3 ‬‬ ‫‪6 1018‬‬ ‫‪1.04 1019‬‬ ‫‪7 1018‬‬

‫אנרגית ה‪ band-gap-‬והריכוז האינטרינסי בטמפרטורת החדר ) ‪: (T = 300K‬‬

‫‪Ge‬‬ ‫‪Si‬‬ ‫‪GaAs‬‬

‫‪E g  eV ‬‬ ‫‪0.67‬‬ ‫‪1.12‬‬ ‫‪1.42‬‬
‫‪ni cm−3 ‬‬ ‫‪2 1013‬‬ ‫‪1010‬‬ ‫‪2.1106‬‬

‫שאלות‪:‬‬
‫‪ )1‬נתונה פיסת סיליקון המזוהמת באקספטורים בזיהום של ‪. N a = 1014 cm −3‬‬
‫א‪ .‬מה הוא ריכוז האלקטרונים ( ‪ ) n‬ומה הוא ריכוז החורים ( ‪) p‬‬
‫בטמפרטורת החדר?‬
‫ב‪ .‬מה הוא ריכוז התורמים (‪ )Donors‬שיש להוסיף כדי להקטין את ריכוז‬
‫החורים ל‪?90%-‬‬

‫‪11‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫‪ )2‬נתונה פיסת סיליקון המזוהמת באקספטורים בזיהום של ‪. N a = 4 1015 cm−3‬‬
‫מוסיפים דונרים בריכוז של ‪ N d = 5 1013 cm−3‬לאזור מסוים‪.‬‬
‫א‪ .‬מה הוא סוג האזור (‪ n-Type‬או ‪?)p-Type‬‬
‫ב‪ .‬מה הוא ריכוז החורים ‪ p cm−3 ‬באזור זה?‬
‫ג‪ .‬מה הוא ריכוז האלקטרונים ‪ n cm−3 ‬באזור זה?‬

‫‪ )3‬נתונה פיסת סיליקון שמזוהמת בדונרים עם ‪. N d = 8 1016 cm−3‬‬

‫מוסיפים אקספטורים בריכוז של ‪ N a = 3 1016 cm−3‬לאזור מסוים‪.‬‬
‫א‪ .‬איזה מהמטענים הוא נושא מטען הרוב (‪?)majority charge carriers‬‬
‫ב‪ .‬מה הוא ריכוז האלקטרונים ‪ n cm−3 ‬באזור זה?‬
‫ג‪ .‬מה הוא ריכוז החורים ‪ p cm−3 ‬באזור זה?‬

‫‪ )4‬נתונה פיסת סיליקון בטמפרטורת החדר‪.‬‬

‫מחממים את הפיסה לטמפרטורה ‪ T‬כלשהי‪.‬‬
‫כתוב את הקשר שבין ) ‪ ni ( 300K‬לבין ) ‪. ni (T K‬‬
‫(הנח כי ‪ Eg‬והמסות האפקטיביות נשארות קבועות בתחום הטמפרטורה ‪.) T‬‬

‫‪ )5‬נתונה פיסת סיליקון המזוהמת באטומי ‪ As‬בריכוז של ‪ 1017 cm−3‬בטמפרטורת החדר‪.‬‬

‫א‪ .‬חשב את ריכוז נושאי מטען הרוב ונושאי מטען המיעוט‪.‬‬
‫ב‪ .‬חשב את רמת פרמי וצייר את מודל פסי האנרגיה‪.‬‬
‫ג‪ .‬כיצד תשתנה רמת פרמי אם הטמפרטורה עולה ל‪? 400K -‬‬
‫(הנח כי ‪ Eg‬והמסות האפקטיביות אינן משתנות)‪.‬‬
‫ד‪ .‬כיצד תשתנה רמת פרמי אם מקטינים את ריכוז אטומי ה‪ As-‬ל‪? 1015 cm−3 -‬‬
‫(לא מחממים את הפיסה אלא היא נשארת בטמפרטורת החדר)‪.‬‬

‫‪ )6‬חשב את רמת פרמי (כלומר‪ ,‬אנרגית פרמי ‪ ) EF‬בכל אחד מהמקרים הבאים‪:‬‬
‫א‪ .‬פיסת סיליקון ‪ Si‬יחסית ל‪ Ei -‬עבור זיהום של ‪. N d = 5 1016 cm−3‬‬
‫ב‪ .‬פיסה של ‪ GaAs‬יחסית ל‪ Ei -‬ויחסית ל‪ Ec -‬עבור זיהום של ‪. N d = 2 1017 cm−3‬‬
‫ג‪ .‬מטיל ‪ GaAs‬יחסית ל‪ Ei -‬עבור זיהום של ‪. N a = 1018 cm −3‬‬
‫הערה‪:‬‬
‫היעזר ב‪. ni ( GaAs )  2.25 1016 cm −3 @ 300K -‬‬

‫‪12‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬
 ‫‪ )7‬פיסת סיליקון בטמפרטורת החדר מכילה ריכוז אקספטורים של ‪. N a = 1017 cm −3‬‬
‫מצא את ריכוז הדונרים שיש להוסיף על מנת שפיסת הסיליקון תהיה מסוג ‪n-Type‬‬
‫ואנרגיית פרמי תהיה ‪ 0.12eV‬מתחת לקצה פס ההולכה‪.‬‬

‫‪ )8‬נתון מוליך למחצה כלשהו שבו‪ ni ( 300K ) = 1.42 1010 cm −3 :‬ו‪. Eg = 1.26 eV -‬‬
‫א‪ .‬בכל אחד מהמקרים הבאים‪ ,‬קבע את סוג החומר וכתוב ביטויים עבור ריכוז‬
‫נושאי המטען החופשיים במל"מ זה בטמפרטורת החדר‪ .‬הנח כי המל"מ מזוהם‬
‫ע"י דונרים ואקספטורים‪.‬‬
‫‪. N d = 1016 cm−3 N a .i‬‬
‫‪. N a = 1016 cm−3‬‬ ‫‪Nd‬‬ ‫‪.ii‬‬
‫‪. N a = N d = 1016 cm−3 .iii‬‬
‫ב‪ .‬מצא את סוג החומר ואת ריכוז הזיהום שיש לזהם את מל"מ זה על מנת‬
‫שבטמפרטורה של ‪ 450K‬נקבל ריכוז של ‪ 3 1013 cm−3‬אלקטרונים בפס ההולכה‪.‬‬
‫הנח כי ‪ Eg‬והמסות האפקטיביות אינן משתנות בטמפרטורה‪.‬‬

‫תשובות סופיות‪:‬‬
‫ב‪. N d = 1013 cm −3 .‬‬ ‫א‪p = 1014 cm−3 , n = 106 cm−3 .‬‬ ‫‪)1‬‬
‫ג‪. n = 2.5 104 cm −3 .‬‬ ‫ב‪p = 3.95 1015 cm−3 .‬‬ ‫א‪p-Type .‬‬ ‫‪)2‬‬
‫‪−3‬‬
‫ג‪. p = 2 103 cm−3 .‬‬ ‫‪n = 5 10 cm‬‬‫‪16‬‬
‫ב‪.‬‬ ‫‪ )3‬א‪n-Type .‬‬
‫‪1.5‬‬

‫‪. ni (T K ) = 1010 ‬‬

‫‪T ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪6461 ‬‬
‫‪  exp 21.58 −‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪)4‬‬
‫‪ 300 ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪T ‬‬
‫ב‪Ec − EF = 0.146eV .‬‬ ‫א‪p = 103 cm−3 , n = 1017 cm−3 .‬‬ ‫‪)5‬‬
‫ד‪. Ec − EF = 0.266eV .‬‬ ‫ג‪Ec − EF = 0.157 eV .‬‬
‫‪ )6‬א‪EF − Ei = 0.4eV .‬‬
‫ג‪. Ei − EF = 0.098eV .‬‬ ‫ב‪EF − Ei = 0.056eV , Ec − EF = 0.022eV .‬‬
‫‪. N d = 3.77 1017 cm−3 )7‬‬
‫א‪p = 2.016 104 cm−3 , n = 1016 cm−3 :N-Type .i .‬‬ ‫‪)8‬‬
‫‪n = 2.016 104 cm−3 , p = 1016 cm−3 :P-Type .ii‬‬
‫‪ .iii‬אינטרינסי‪. p = n = ni = 1.42 1010 cm−3 :‬‬
‫ב‪ .‬סוג ‪ P-Type‬ו‪. N a = 2 1014 cm−3 -‬‬

‫‪13‬‬ ‫‪www.gool.co.il‬‬