1.

因為如果是多晶矽，晶粒邊界散射的電子會嚴重影響 P-N 接面的特性(因為

晶格方向排列不一致容易造成電子散射而產生不同的接面特性)
2. 自己畫
3. 矽是地球上最豐富的元素之一 矽容易與氧反應形成保護層，而且二氧化矽
是強且穩定的介電質 矽有較大的能隙，能夠承受較高的操作溫度和較大的
雜質摻雜範圍，臨界崩潰電場也比 Ge 高
4. HCl H2 高溫時 H2 容易爆炸
5. 把坩鍋加溫到 1415°C，使裡面矽剛好融熔，在將單晶矽晶種緩緩降到熔融
矽中，晶種的溫度被精確控制在剛好略低於矽的熔點(過度冷卻)，當系統熱
穩定後，緩緩將晶種拉出，透過晶種拉升速度和溫度控制晶棒大小，CZ 法
有較高的氧濃度是因為在拉晶的過程中，坩鍋本身材料而引起
6. Barrier layer for the bipolar transistor，也可以提升 CMOS 和 DRAM 性能
7. 磊晶薄膜生長的速度比摻雜物擴散的速度還慢，則整個磊晶層將被基板的摻
雜物摻雜，稱為自摻雜效應，為了避免自摻雜效應，磊晶層沉積速度要大於
摻雜物擴散速度，可以透過常壓磊晶製程，低壓磊晶製程使磊晶溫度降低來
避免自摻雜效應
8. SiH4 SiH2Cl2 SiHCl3
9. AsH3 PH3 B2H6 皆具有劇毒 易燃 易爆性
10. 有較高的磊晶層生長速率和較高的可靠性，重複性，可以沉積高質量，低成
本的薄膜
11. 鍵結 SOI:氫離子佈值 SIMOX SOI:氧離子佈值
12. 因為只有閘極氧化層下方的通道區需要應變，沒必要整個矽晶片表面應變，
而且 PMOS 需要壓應變，NMOS 需要拉伸應變，所以要用到局域應變技術
13. 因為 PMOS 電洞遷移率在<110>晶向上比較高，而 NMOS 需要使用<100>基板，
來達到最佳化特性