1.

氧化、退火和沉積是三個重要的加熱製程
2. 氧化製程，
3. 整面氧化一般使用濕氧化製程，因為整面氧化需要長大約 5000~10000A 厚的
氧化層，用濕氧化製程速度比較快。
4. 氫氧燃燒氧化製程
優點:可以忽略液體和氣體相處理的過程(H2 O2 都是氣體)
可以準確控制氣流的流量
缺點:氫氣易燃且易爆，最後要有燃燒室把殘餘的氫氣燒掉
5. 才能保證氫氣反應的過程中有足夠的氧氣將氫氣完全氧化，否則可能在爐管
內爆炸
6. 高純度 N2: 製程吹除淨化的氣體
低純度 N2: 閒置吹除淨化的氣體
HCl:減少氧化物中的移動離子(Na)，並將介面電荷(懸浮鍵)降到最低
O2: 氧化所需氣體
7. 溫度增加氧化層生長速率變快，壓力增加氧化層生長速率變快或降低氧化溫
度
8. 閘極氧化層最薄，全區氧化層最厚
9. 因為高溫爐在早期半導體工業中廣泛應用於擴散摻雜
10. 直立式高溫爐比較節省體積，微粒汙染較低，均勻性好和維修成本低
11. 擴散製程三種製程流程: 摻雜氧化層沉積、氧化反應、摻雜物擴散
12. 大多數半導體使用的摻雜原子(例如 P、B)在二氧化矽中的擴散速率遠低於在
單晶矽中的速率
13. 接面深是擴散的摻雜濃度等於基板濃度時的深度
14. 製程流程:鈦沉積，第一次退火，去鈦金屬，第二次退火
15. 因為離子佈植完之後，矽晶體結構遭到破壞，透過退火使晶格重新排列，且
活化摻雜物。RTA 可以精確控制熱積存，因為元件越小，可以擴散的空間也
會縮小
16. 1100°C 時，PSG 會軟化並開始流動，軟化後的 PSG 會隨著隨著表面流動使介
電質表面更加圓滑平坦，使後續製程更順利。USG 加熱到 1500°C 以上時，
他會開始軟化並開始流動，但矽的熔點是 1400°C，因此在矽軟化前矽晶圓
會先融化，不適用於製程
17. B2H6，SiH4，製程用氮氣，淨化用氮氣
18. 因為氮氣不容易產生反應，要在非常高溫才可以，所以氨氣相對於氮氣容易
分解出氮原子
19. 50~250°C/sec 5~10°C/min 因為高溫爐的熱容量很大，所以反應爐管或反應室
的溫度只能緩慢的升高或降低，而 RTP 是單晶圓製程，升溫速率可以很快
20. 產量高 成本低
21. 瞬間退火的升溫速率比快速退火還快
22. 為了滿足元件特徵尺寸的繼續縮小，熱積存縮小
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1. 氧化、退火和沉積是三個重要的加熱製程
2. 佔地面積小，微粒汙染較低，均勻性好，維修成本低，能處理大量晶圓
3. 痾
4. 如果矽表面受到汙染，會在成核位置形成二氧化矽多晶層
5. 乾式氧化製程形成氧化層的速度比較慢，但它的質量比較好，所以適合運用
在較薄的氧化製程上面，例如:閘極氧化層。濕式氧化製程形成氧化層的速
度很快，但質量比較差，適合用於比較厚的氧化層，例如:遮蔽氧化層
6. 擴散製程三種製程流程: 摻雜氧化層沉積、氧化反應、摻雜物擴散
7. 因為擴散技術摻雜有等向性，會擴散到遮蔽氧化層下面，而且擴散摻雜不能
獨立控制摻雜物濃度和接面深
8. 磊晶矽沉積、多晶矽沉積、低壓化學氣相氮化物沉積
9. 透過退火使晶格重新排列，且活化摻雜物。
10. 熱積存的控制能力比高溫爐製程還好，減少雜質擴散