1.

微影技術是一種圖案化製程，使用紫外光將光罩過倍縮光罩上設計的圖案轉
移到暫時塗佈在晶圓表面的光阻上
2. 正光阻接觸光源後變成可溶性，負光阻接觸光源會因為聚合物交連作用而成
為不可溶性
3. 聚合物:作為圖案化轉移的遮蔽層，抵抗蝕刻和離子佈值
感光劑:能控制並調整光阻在曝光過程中的光化學反應
溶劑:溶解聚合物和感光劑浮在液態的光阻中
添加劑:控制並調整光阻在曝光時的光化學反應，達到最佳的解析度
4. 晶圓清洗 預烘烤 HDMS 底漆層塗佈 光阻旋轉塗佈 軟烘烤 對準及曝光 曝光
後烘烤 去除光學邊緣小珠 顯影 硬烘烤 圖案檢測
5. 減少污染 增加光阻附著力
6. 預烘烤: 去除晶圓表面水氣
底漆塗佈: 增加光阻的附著力
7. 旋轉塗佈 蒸氣底漆層塗佈 先進 IC 製程使用蒸氣底漆層塗佈 因為能減少液態
化學品所攜帶的微粒汙染表面
8. 自旋轉速 自旋轉速增加方式 光阻溫度 晶圓溫度 空氣流速度 氣體溫度
9. 軟烘烤能去除大部分溶劑 增光光阻在晶圓表面的附著力
過度烘烤: 光阻聚合 影響曝光感光度
烘烤不足: 過量溶劑而造成模糊不清的影像 造成光阻剝離
10. 接觸式曝光 近接式曝光 投影式曝光 步進機曝光 又以步進機曝光解析度最
高
11. 光的強度 曝光時間
12. 曝光後烘烤可以緩解駐波效應
烘烤過度:造成光阻聚合作用而影響顯影過程
烘烤不足:無法消除駐波圖案 影響解析度
13. 顯影 沖洗 甩乾
14. 將殘餘的溶劑從光阻去除，改善蝕刻 離子佈值的抵抗力和光阻附著力
烘烤不足:光阻在蝕刻中損失
過度烘烤:引起光阻流動並影響解析度
15. 硬烘烤 圖案檢測
16. 將有問題的晶圓分離出來，避免進一步的損失
17. 短波長的光源有較好的解析度 高強度光源可以減少曝光時間，間接提高解
析度
18. 因為晶圓表面需要高度的平坦化，只有 CMP 製程能做到
19. 因為物鏡和晶圓之間液體的折射率大於 1 折射率在解析度公式中在分母 增
加解析度
20. 不同意，即使光學微影到了極限，依舊可以透過其他技術取代光學微影技術
21. 離子束微影技術 電子束微影技術 奈米壓印微影
22. 電子束微影技術