Kolegji UBT

ELEKTRONIKA
Kreu 3: TRANSISTORËT BIPOLARË

Përpiloi:
Dr. sc. Lutfi Bina, prof. inordinar

Prishtinë, 2016
 Elektronika

TRANSISTORËT BIPOLARË
Përmbajtja

Transistorët bipolarë
Parimi i punës së transistorit bipolar
Komponentet themelore të rrymave në transistor
Mënyrat e lidhjes së transistorit
Koeficienti i përforcimit të rrymës
Karakteristikat statike të transistorit
Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me emiter të përbashkët (EP)
Pika e punës e transistorit
Kufizimet në punën e transistorit

2
 Transistorët bipolarë

 Transistorët bipolarë janë elemente gjysmëpërçuese me tri elektroda.

 Emërtimi: TRANSISTOR = TRANSfer resISTOR – resistor a komponente gjysmëpërçuese e cila
mund t’i amplifikojë (përforcojë) sinjalet elektrike gjatë transferimit të tyre nga terminali (skaji) i
hyrjes në terminalin e daljes. [Kështu e kanë shpjeguar emërtimin transistor shpikësit e tij, William
Shockley, John Bardeen dhe Walter Brattain nga Bell Labs, më 1948].
 Transistori quhet element aktiv sepse mund ta amplifikojë (përforcojë, zmadhojë) sinjalin që vepron në
hyrjen e tij.
 Rezistorët, kondensatorët e diodat janë elemente pasive sepse nuk mund t’i amplifikojnë sinjalet.

 Transistorët ndërtohen nga Si ose Ge, punojnë në temperatura të larta (Si deri në 150oC, Ge deri
në 100oC), tensione të mëdha, rryma të kundërta të vogla dhe frekuenca të larta.
 Ekzistojnë dy lloje transistorësh:
 transistorët bipolarë
 transistorët unipolarë

 Transistorët bipolarë zakonisht quhen thjesht transistorë. Rryma e përgjithshme e këtyre

transistorëve formohet nga bartësit kryesorë dhe dytësorë të elektricitetit (prej elektroneve dhe
vrimave). Për këtë arsye quhen bipolarë, d.m.th. kanë dy lloje bartësish të elektricitetit. Shënohen
me BJT (Bipolar Junction Transistor = transistor bipolar me bashkim).
 Transistorët unipolarë zakonisht quhen thjesht FET (Field Effect Transistor = transistor me efekt
të fushës). Për dallim nga transistorët bipolarë, rrymën e transistorit unipolar e formojnë vetëm
bartësit kryesorë të elektricitetit (elektronet ose vrimat), prandaj quhen ‘unipolarë’ d.m.th. kanë
vetëm një lloj bartësish të elektricitetit. Shënohen me UJT (Unipolar Junction Transistor = transistor
unipolar me bashkim).
 BJT dhe UJT kanë përdorim të gjerë në qarqe të ndryshme elektrike dhe elektronike.
3
 Parimi i punës së transistorit

 Transistorët a transistorët bipolarë formohen me bashkimin e tri shtresave gjysmëpërçuese prej të

cilave njëra është e tipit P dhe dy të tjerat janë të tipit N ose anasjelltas.
 Sipas radhitjes së shtresave gjysmëpërçuese transistorët ndahen në:

 NPN (shih fig a: struktura dhe simboli i transistorit NPN)

 PNP (shih fig a: struktura dhe simboli i transistorit PNP)

4
 (Parimi i punës së transistorit)

 Shtresa e mesme e transistorit NPN është e tipit P dhe quhet bazë, ndërsa shtresat e
jashtme N quhen njëra emiter dhe tjetra kolektor.

 Te transistori i tipi PNP radhitja e shtresave ndryshon. Baza është shtresë gjysmëpërçuese
e tipit N, emiteri dhe kolektori janë të tipit P.

 Baza, emiteri dhe kolektori shënohen me shkronjat B, E dhe C, përkatësisht.

 Simbolet grafike të këtyre dy tipave të transistorëve dallohen për nga kahu i shigjetës së
emiterit.

 Shigjeta tregon kahun e rrjedhës së rrymës konvencionale (të vrimave).

 Në tipin NPN vrimat lëvizin prej bazës në emiter, ndërsa në tipin PNP - prej emiterit në bazë.

5
 (Parimi i punës së transistorit)

 Në figurë është paraqitur struktura e supozuar e transistorit të tipit NPN (dhe PNP) me zonat e
emiterit, bazës dhe kolektorit të cilat dallohen sipas përqindjes së papastërtive dhe gjerësive të
tyre (gjerësitë e paraqitura në figurë nuk janë reale!).

 Zona e emiterit ka përqindje më të madhe të papastërtive

 Zona e bazës, krahasuar me zonën e

emiterit ka përqindje më të vogël të
papastërtive dhe është shumë më e
ngushtë se emiteri dhe kolektori.

 Zona e kolektorit ka përqindje të papastërtive më të vogël se emiteri, por më të madhe se baza.

 % e papastërtive E > % e papastërtive C> % e papastërtive B
 Siç shihet, transistori është element me dy kalime (bashkime) PN:

 Ndërmjet emiterit dhe bazës është bashkimi (PN) emiter-bazë ose shkurt bashkimi i emiterit.
 Ndërmjet kolektorit dhe bazës është bashkimi (PN) kolektor-bazë ose shkurt bashkimi i kolektorit.

 Dukuritë që ndodhin në bashkimin PN janë shqyrtuar më parë. Ngjashëm do të shqyrtohen

dukuritë në të dy bashkimet PN.
 Parimi i punës së transistorit NPN dhe PNP në esencë është i njëjtë, vetëm se ndryshon lloji i bartësve
të elektricitetit dhe polariteti i tensioneve (të ushtruara për polarizimin e transistorit)
 Se cilin transistor do ta zgjedhim për shqyrtim është krejt njësoj.

6
 (Parimi i punës së transistorit)

 Në figurë është paraqitur transistori NPN.

 Në mungesë të burimeve ose me fjalë të

tjera kur transistori është i papolarizuar,
barriera potenciale në bashkimet emiter-bazë
dhe kolektor-bazë është e njëjtë UB. (Fig. b.)

 Bartësit kryesorë (elektronet në zonën

N dhe vrimat në zonën P) lëvizin në
mënyrë difuzive, duke formuar rrymën
e difuzionit, ndërsa bartësit dytësorë
(vrimat në zonën N dhe elektronet në
zonën P) formojnë rrymën e driftit.

 Meqë, këto rryma e anulojnë njëra-

tjetrën, rryma e përgjithshme në
transistor është zero që d.m.th
transistori nuk punon.

7
 (Parimi i punës së transistorit)

 Kur transistori lidhet për burim të jashtëm atëherë ai polarizohet.

 Le ta polarizojmë bashkimin emiter-bazë në
kah të drejtë dhe bashkimin kolektor-bazë
në kah të kundërt. Transistori i polarizuar në
këtë mënyrë do të punojë. Kjo mënyrë e lidhjes
së polariteteve kur transistori punon quhet
zonë aktive a zonë normale punës së transistorit.

 Për shkak të polarizimit të drejtë, barriera

potenciale në shtresën penguese të bashkimit
emiter-bazë zvogëlohet në vlerën U’B (si te
dioda), ndërsa barriera potenciale në shtresën
penguese të bashkimit kolektor-bazë
zmadhohet në vlerën U’’B.

8
 Mënyrat e lidhjes së transistorit

 Transistori i ka tri terminale (ose skaje) që quhen: i pari terminal i hyrjes, i dyti terminal i
daljes dhe i treti terminal i përbashkëta për hyrje dhe dalje.

 Terminali i përbashkët, zakonisht përtokëzohet, prandaj lidhja quhet lidhje me bazë (ose
emiter, ose kolektor) të përtokëzuar.

 Në lidhjen e transistorit, varësisht nga lidhjet e tri terminaleve të tij kemi këto raste:

 Në figurën a. është paraqitur lidhja e transistorit me bazë të përbashkët (BP) sepse B është
terminali i përbashkët edhe për hyrje edhe për dalje.
 Kur emiteri (E) është terminal i përbashkët, lidhja e tillë quhet lidhje e transistorit me emiter të
përbashkët (EP)-(shih figurën b.), dhe
 Në figurën c. është paraqitur lidhja e transistorit me kolektor të përbashkët (KP).

 Në të gjitha figurat shihet se sinjali i hyrjes dhe i daljes vepron ndërmjet dy terminaleve
(E, B dhe C).

9
 Koeficienti i përforcimit të rrymës

 Le ta marrim transistorin si një nyjë të qarkut elektrik (shih figurën), duke zbatuar L1K
(Ligjin e parë të Kirkofit), për atë nyje, kemi:
-IE + IB + IC = 0, gjegj. IE = IC + IB
prej nga rryma e bazës do të jetë:
IB = IE – IC = I2 + I3 – ICBO
 Nga shprehja IC =I1 - I2 + ICBO është e qartë se në kolektor nuk ka arritur e tërë rryma
I1, por rryma I1 - I2 , gjegj. një pjesë e saj ka mbetur në B (rryma I2).

- Pjesa e rrymës së E e cila arrin në C është I1 - I2 .

IE IC
- Ky zvogëlim mund të shprehet nëpërmjet faktorit të UBE +
zvogëlimit α në produkt me rrymën IE. IB
- Kështu, shprehja IC e mësipërme për rrymën e C e merr + UCE
I C - I CBO
këtë formë: IC = αI E + I CBO ose: α=
IE
ku, α quhet koeficient i përforcimit (ose koeficienti i amplifikimit) të rrymës së vazhduar
(njëkahore) të transistorit në lidhjen (qarkun) me bazën e përbashkët (kujto skemën e lidhjes
sllajdi 13!)
- Meqë ICBO << IC, atëherë rryma ICBO është e papërfillshme krahasuar me IC , kështu që shprehja
e mësipërme bëhet :
IC
α≈
IE
TR _ me _ me _ B _ te _ perbashket
10
 (Koeficienti i përforcimit të rrymës)

 Meqë IC<< IE del se koeficienti α nuk mund ta kalojë vlerën 1, gjegj. α < 1.

 α = f (I E , UCB , temperatura) . Vlera e α = (0.9 ÷ 0.998) .

 Le ta quajmë rrymën e emiterit rrymë të hyrjes dhe rrymën

e kolektorit rrymë të daljes për qarkun e dhënë në figurë.
Atëherë, koeficienti i përforcimit të rrymës është raporti
ndërmjet rrymës së daljes dhe rrymës së hyrjes.

 Në disa qarqe rryma e hyrjes është rryma e B, IB, ndërsa

rryma e daljes është rryma e C, IC, dhe raporti i tyre
shënohet me β: IC
β=
IB
ku, β paraqet koeficientin e përforcimit të rrymës në dalje ndaj rrymës në hyrje për
transistorin i cili është i lidhur ashtu që emiteri (E) është i përbashkët për B dhe C.
 Vlera e β < 500 (Vlera tipike është 100)

 Koeficienti i përforcimit të rrymës së vazhduar për transistorët në lidhje me C të

përbashkët shënohet me γ dhe është: I
γ= E

IB
 Për α ≈ 1 del se IC ≈ IE. Duke zëvendësuar IC ≈ IE në shprehjet për β dhe γ del se
koeficientet e përforcimit β dhe γ janë përafërsisht të barabartë, pra: β ≈ γ . 11
 (Koeficienti i përforcimit të rrymës)

 Koeficientët e përforcimit të rrymës α, β, γ janë përkufizuar për tri lidhjet e

mundshme të transistorit në regjimin statik, përkatësisht kur në qark janë
lidhur vetëm burime të tensionit të vazhduar (njëkahor). Vlerat e përcaktuara
në këtë mënyrë vlejnë vetëm për një pikë të caktuar të punës.

 Për qarkun e transistorit me burime të tensionit alternativ përkufizohen

koeficientët e përforcimit të rrymës alternative me kusht që tensioni alternativ
në dalje të jetë i barabartë me zero.

 Kështu shprehjet për koeficientët e përforcimit të rrymës alternative për transistorin e

lidhur në ndonjërën nga lidhjet e përcaktuara do të jenë:

ΔI ΔI C ΔI E
α ≈ C
'
β ≈
'
γ ≈
'

ΔI E
ΔUCB =0 ΔI B ΔU CE = 0
ΔI B ΔU EC = 0

12
 (Koeficienti i përforcimit të rrymës)

 :

ΔIC Idal ΔI C ΔI E
'
α ≈ = β ≈
'
γ ≈
'
ΔI E
ΔUCB =0
Ihyr ΔI B ΔU CE = 0 ΔI B ΔU EC = 0

 Nga këto shprehje shihet se koeficienti i përforcimit të rrymës alternative

paraqet herësin e ndryshimit të rrymës në dalje ndaj ndryshimit të rrymës
në hyrje, kur tensioni në dalje mbahet i pandryshueshëm.

 Shprehjet e mësipërme vlejnë për sinjale me amplituda të vogla në

hyrje të transistorit.

 Për llogaritjen e koeficientit të përforcimit për sinjale të mëdha

përdoren metoda grafike dhe karakteristikat statike të transistorit.

13
 Karakteristikat statike të transistorit

 Karakteristikat statike të transistorit të paraqitura grafikisht

paraqesin varësinë ndërmjet:

o tensionit në hyrje,
o rrymës në hyrje,
o tensionit në dalje dhe
o rrymës në dalje të tij.

 Karakteristikat statike të transistorit jepen si familje lakoresh,

gjegj. si varësi (funksion) ndërmjet dy madhësive të ndryshme
(të përmendura më lart), por duke mbajtur njërën nga madhësitë
(të tretën) si një parametër të pandryshueshëm.

14
 Karakteristikat statike të transistorit

 Sipas kësaj, për një lidhje të transistorit mund të jepen më shumë

varësi (deri 12 sosh!), prej të cilave 4 janë me rëndësi:
1. Karakteristika e hyrjes : varësia e rrymës në hyrje nga tensioni në hyrje duke
mbajtur konstant tensionin në dalje.

I hyr = f1 ( U hyr )
U dal = konst

2. Karakteristika e daljes: varësia e rrymës në dalje nga tensioni në dalje duke

mbajtur konstante rrymën në hyrje.
Idal = f 2 ( U dal ) I
hyr = konst

3. Karakteristika e transferimit: varësia ndërmjet rrymës në dalje dhe rrymës

në hyrje duke mbajtur konstant tensionin në dalje.
I dal = f 3 (I hyr )
U dal = konst
4. Karakteristika e transferimit të kundërt: varësia ndërmjet tensionit në dalje
dhe tensionit në hyrje duke mbajtur konstante rrymën në hyrje.

U dal = f 4 ( U hyr )
I hyr = konst

15
 Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP

 Skema për nxjerrjen e karakteristikave të transistorit në lidhjen me EP është

dhënë në figurë.

 Karakteristika e hyrjes të transistorit në lidhjen me EP paraqet varësinë

ndërmjet rrymës së bazës IB dhe tensionit në hyrje UBE, por për tension konstant
në dalje UCE (si parametër).
( I hyr = f1( Uhyr ) )
U dal =konst

 Shprehja matematikore e kësaj varësie mund të shkruhet kështu:

I B = f ( U BE ) U CE = konst . 16
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Karakteristikat statike të hyrjes të transistorit të ndërtuar nga

Si, me emiter të përbashkët, për tri tensione të ndryshme UCE=0V,
-1V, -10V, janë dhënë në figurë.
 Meqë paraqiten më shumë lakore për vlera të ndryshme të
tensionit të daljes UCE, këtë grup lakoresh (në këtë rast 3 lakore) e
quajmë familje lakoresh të rrymës së hyrjes IB.

17
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Rryma e hyrjes IB deri te një vlerë e tensionit UBE (>0,4V) vlerën e ka zero
(IB =0), e pastaj me rritjen e tensionit UBE rryma fillon të rritet në mënyrë
eksponenciale. Vlera e tensionit UBE për të cilën fillon të rritet rryma IB quhet
tensioni i pragut të përçueshmërisë ose vetëm pragu i përçueshmërisë.
o Shënohet me UP.
o UP e ka vlerën ndërmjet 0,5V dhe 0,6V.
o Pragu i përçueshmërisë për transistorin
prej Ge është ndërmjet 0,1 dhe 0,2 V.

 Pragu i përçueshmërisë praktikisht është vlera

e tensionit UBE për të cilën rryma fillon të rrjedhë
nëpër transistor.

 Karakteristika e hyrjes e transistorit i përngjan

shumë karakteristikës së diodës së polarizuar në kah të drejtë.

18
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Karakteristika e daljes e transistorit për lidhjen me EP paraqet varësinë e

rrymës së daljes IC nga tensioni i daljes UCE duke mbajtur konstante rrymën e
bazës IB (si parametër). Matematikisht mund të shprehet kështu:

I C = f ( U CE ) I B = konst .

 Në figurë janë paraqitur një familje

lakoresh të karakteristikave të daljes të
transistorit për rryma të ndryshme
konstante të bazës, IB.

 Me fillimin e rritjes së UCE rritet shpejt IC.

 Varësisht nga rryma e B (IB), fitohen

lakore të ndryshme të IC.

19
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

(Karakteristika e daljes)
 Varësisht nga rryma e B (IB) fitohen lakore të ndryshme të IC.
I C = f ( U CE ) I B = konst .

Le ta marrim në shqyrtim lakoren e IC për IB=40 μA. Nga grafiku i dhënë

është e qartë se në zonën e shënuar me 1, për vlerat fillestare të tensionit
UCE , vlerat e rrymave IC nuk mund të
marrin vlera në atë zonë (por, vetëm
djathtas saj!) edhe nëse rritet rryma, IB .

Zona (1) quhet zona e ngopjes së

transistorit.

Transistori do të gjendet në zonën

e ngopjes në qoftë se:
o kalimet E-B dhe C-B janë
të polarizuar drejt.
20
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Në të djathtë të ‘bërrylit’ të secilës lakore nga familja e paraqitur

në figurë, me rritjen e UCE rritet shumë ngadalë IC.

 Në këtë zonë të familjes së karakteristikave rryma IC varet kryesisht

nga rryma IB. Kjo pjesë e karakteristikave quhet zonë aktive e
transistorit (në figurë e shënuar me 2).

 Në zonën aktive
o bashkimi E-B është i polarizuar drejt,
o bashkimi C-B është i polarizuar në të
kundërt.

Në këtë zonë
transistori punon si përforcues.

21
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Zona e shënuar me 3 paraqet zonën e bllokimit të punës së

transistorit. Në këtë zonë për IB=0 , IC= ICEO, që d.m.th. se edhe kur
në hyrje nuk ekziston rryma IB, në dalje do të rrjedhë një rrymë (ICEO).
o Te transistorët prej Si rryma ICEO është e papërfillshme, ndërsa te ata
prej Ge merret parasysh.
o Pra, pa marrë parasysh se rritet UCE, në qoftë se rryma IB=0 ,
rryma e IC nuk do ta kalojë vlerën ICEO.

 Transistori do të gjendet në
zonën e bllokimit në qoftë se:

o bashkimet E-B dhe C-E janë

të polarizuar në të kundërt.

22
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Në qoftë se transistori punon me parametra të punës të cilat

janë në zonat 1 dhe 3 themi se transistori punon si ndërprerës.

 Kur,
- IC është përafërsisht zero, pra kur nuk ka rrjedhje të rrymës nëpër
transistor, themi se transistori punon si ndërprerës i hapur (zona 3)

- IC ka vlerë maksimale (zona 1), themi se

transistori punon si ndërprerës i mbyllur.

23
 (Karakteristikat statike të transistorit në lidhjen me EP)

 Karakteristika transmetuese e drejtë e transistorit me EP tregon

varësinë e rrymës së C (IC) nga rryma e B (IB) nëse tensioni i
daljes mbahet konstant, (UCE=konstant):
I C = f (I B ) U CE = konst .

 Diagrami i familjes së karakteristikave transmetuese është dhënë

në figurë. Kjo varësi është lineare.

 Kjo karakteristikë tregon se edhe

kur rryma IB = 0, rryma IC nuk është
zero, gjegj. (në temperaturë 15oC)
IC për Si është 0.01μA
IC për Ge është 2μA
Kjo është rrymë e kundërt e
ngopjes, ICEO.
24
 Pika e punës së transistorit

 Transistori pra, siç thamë, mund të punojë: si përforcues ose si

ndërprerës.

 Kjo ishte e mundur duke bërë zgjedhjen e burimeve dhe

rrymave të transistorit me vlera të përshtatshme për punë
si përforcues ose si ndërprerës.

 Burimet dhe rrymat e zgjedhura për

punë të transistorit e përcaktojnë të
ashtuquajturën pikë e punës të
transistorit.
 Zgjedhja (caktimi) e pikës së punës
të transistorit është shumë me
rëndësi për punën e mirë (efikasitet
të shfrytëzimit) të transistorit.
25
 Pika e punës së transistorit

 Caktimi i pikës së punës. Pikën e punës mund ta caktojmë me

anë të tensioneve dhe rrymave të vazhdueshme në hyrjen dhe
daljen e transistorit.

Kjo pikë e caktuar nga madhësitë e vazhdueshme quhet pikë

statike e punës së transistorit.

 Pika statike e punës caktohet kur janë

të njohura karakteristikat statike
të transistorit (4 sosh).

Pika e punës zakonisht jepet në

zonën e familjes së karakteristikave
të daljes së transistorit me anë të
vlerave të rrymës dhe tensionit të
daljes (pika B).
26
 (Pika e punës së transistorit)

 Në dallim nga pika statike e punës e caktuar me vlera të

pandryshueshme të tensioneve dhe rrymave të transistorit mund të
caktohet pika dinamike e punës së transistorit me anë të
madhësive të ndryshueshme momentale të rrymave dhe
tensioneve të transistorit.

 Puna e transistorit në pikën dinamike të punës quhet regjim

dinamik i punës.

 Pozita e pikës së punës (shih pikat A, B

dhe C në figurë) në karakteristikën
statike të daljes varet nga kërkesat
e punës që i parashtrohen transistorit.

27
 (Pika e punës së transistorit)

 Shembull:
 Nëse kërkohet që gjatë punës transistori të mos krijojë zhurma, atëherë
pika e punës së tij zgjidhet në intervalin e rrymave të vogla të kolektorit.
 Nëse nga transistori kërkohet fuqi e madhe e dobishme, atëherë pika e
punës së transistorit do të zgjidhet ashtu që vlerat e rrymës së kolektorit
dhe të tensionit C-E të jenë të mëdha.

 Nëse nga transistori kërkohet të bëjë

përforcim të madh të tensionit, atëherë
pika e punës zgjidhet në atë pjesë të zonave
të transistorit ku koeficienti i përforcimit
ka vlerë më të madhe. Në këtë rast, pika e
punës duhet të zgjidhet në zonën aktive të
punës së transistorit (zona 2).

 Nëse kërkohet që transistori të punojë si ndërprerës, atëherë pika e

punës së tij zgjidhet të ketë vlera të rrymës dhe të tensionit nga zonat
1 dhe 3. 28
 Kufizimet në punën e transistorit

 Kufizimet në punën e transistorit mund të ndahen në:

 Kufizimet e tensionit
 Kufizimet e rrymës, dhe
 Kufizimet e fuqisë

Prandaj, prodhuesit e transistorëve e bëjnë specifikimin e tensioneve, rrymave dhe

fuqisë maksimale me anë të të cilëve mund të punojë ose të ngarkohet transistori dhe
ai mos të pësojë dëmtime ose shkatërrim.

 Kufizime t e tensioneve. Prodhuesit e transistorëve i japin vlerat maksimale të

lejuara të tensionit të kundërt të cilat nuk bën të tejkalohen sepse do të ndodhte
shpimi ose shkatërrimi i transistorit.

 Në rastin e aplikimit të tensioneve të kundërta më të mëdha se ato të lejuarat në

transistorët, në transistor rritet shumë rryma e kolektorit (në lidhjen me EP) për shkak
të shpimit i cili mund të ndodhë në bashkimin PN, C-E.

 Vlera e tensionit të shpimit varet prej tipit të transistorit si dhe prej qarkut në të cilin ai
përdoret.

29
 (Kufizimet në punën e transistorit)

 Kufizimet e rrymës.
Prodhuesit e transistorëve e japin vlerën e rrymës së lejueshme maksimale të kolektorit, Icmax.

 Kufizimet e fuqisë

 Prodhuesit e japin vlerën e fuqisë maksimale të lejuar të disipacionit (të shpërndarjes, të

çliruar), PCmax e cila mund të zhvillohet në transistor, gjatë punës së tij në qarqe.

 Fuqia e disipacionit e transistorit është e barasvlershme me fuqinë e cila brenda një

njësie kohore shndërrohet në nxehtësi gjatë punës së tij.

 Pra, kristali i gjysmëpërçuesit prej të cilit është ndërtuar transistori nuk lejon tejkalim të
temperaturave të caktuara e që është e lidhur me fuqinë e cila në transistor shndërrohet
në nxehtësi.

 Pra, në regjimin normal të punës së transistorit, fuqia e disipacionit (PC) është e

barabartë me fuqinë të cilën transistori ia jep mjedisit në formë të nxehtësisë.

 Fuqi e cila zhvillohet në anën e kolektorit (në shtresën penguese PN , C-B), mund të llogaritet
si:
PC = UCBIC
dhe paraqet fuqinë maksimale (më të madhe) e cila mund të zhvillohet në transistor.
30
 (Kufizimet në punën e transistorit)

 (Kufizimet e fuqisë)
 Nëse transistori ngarkohet së tepërmi (rritet fuqia e tij) mund të ndodhë prishja e
baraspeshës termike në transistor (rritet temperatura e kristalit gjysmëpërçues) që si
pasojë shkakton shkëputjen e lidhjeve valente, rrjedhimisht rritjen e numrit të bartësve të
lirë të elektricitetit, gjegj. rritjen e rrymës së kolektorit dhe si pasojë ndodh dukuria e
shpimit termik të transistorit.

 Që të mos ndodhë shpimi termik i transistorit,

IC[mA]
përcaktohet vlera e fuqisë maksimale të Rritje e
lejuar e cila nuk bën të tejkalohet. shpejtë e IC
ICmax për shkak të
 Vlera e fuqisë maksimale të lejuar për tensionit të
transistorin në lidhje EP është: shpimit
E
PCdmax = UCEIC
D F
 Vlera e rrymës së lejuar nëpër transistor
(kolektor) do të jetë:
UCEmax UCEshp UCE
Pcd max Zona e punës së transistorit
IC =
U CE
31
 (Kufizimet në punën e transistorit)

 Nga shprehjet e mësipërme, në një paraqitje (shih figurën e mëposhtme) mund të

jepen tri kufizimet e fuqisë (PCdmax), tensionit (UCEmax) dhe rrymës (ICdmax).

 Pika e punës së sigurt të transistorit duhet të gjendet brenda zonës së kufizuar

me anë të lakoreve PCdmax, UCEmax dhe Icdmax (p.sh. Pika D, E dhe F).

 Transistori mund të punojë për pika të punës që janë jashtë zonës së hiperbolës së
fuqisë, por për një kohë të shkurtër, nëse kohëzgjatja e ngarkimit të transistorit
është më e shkurtër se konstantja kohore e nxehtësisë së transistorit.

32
 (Kufizimet në punën e transistorit)

 Në praktikë, që transistori të mbrohet nga dëmtimet për shkak të

temperaturës (për shkak të rritjes së disipacionit të fuqisë) së transistorit,
në trupin e transistorit vendosen ftohës (ose radiatorë) me sipërfaqe
sa më të madhe e cila ndihmon ftohjen më të mirë dhe më të shpejtë të
transistorit.

33
 Pyetje

1. Çka është transistori?

2. Cilat janë llojet e transistorëve?
3. Për cilin transistor themi se është i polarizuar?
4. Çka nënkuptojmë me efektin transistorik?
5. A mund të ndërtohet transistori prej dy diodave?
6. Cilët janë bartësit kryesorë të elektricitetit në transistorin NPN, e cilët në PNP?
7. Të përkufizohen rrymat kryesore dhe sekondare në transistor.
8. Të tregohen mënyrat e lidhjes së transistorit.
9. Cila lidhje e transistorit përdoret më së shpeshti?
10. Cilat janë komponentet e rrymave të transistorit?
11. Çka është koeficienti i përforcimit të rrymës te transistori?
12. Çka quhet koeficient i përforcimit të transistorit?
13. Pse është α < 1?
14. Cilat janë karakteristikat statike të transistorit?
15. Të përkufizohen zonat e punës së transistorit në karakteristikën e tij statike të daljes.
16. Çka paraqet pika e punës dhe cila është rëndësia e saj për punën e transistorit?
17. Pse transistori quhet element aktiv?
18. Të përcaktohet zona e punës së transistorit në karakteristikën e daljes të transistorit.
19. Cili është shkaku i shpimit të transistorit?
20. Çka paraqet hiperbola e fuqisë?

34