‫دا ﺪه ﻋ ﻮم‬

‫وه آ ﻮز ﯽ ﺰﯾﮏ‬

‫ﭘﺎﯾﺎن ﻧﺎﻣﻪ ﺑﺮاي درﯾﺎﻓﺖ درﺟﻪ ﮐﺎرﺷﻨﺎﺳﯽ ارﺷﺪ‬

‫رﺷﺘﻪ ﻓﯿﺰﯾﮏ ﮔﺮاﯾﺶ ﺣﺎﻟﺖ ﺟﺎﻣﺪ‬

‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺧﻮاص ﻧﻮري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي‬

‫دوﺑﻌﺪي ﺑﻪ روش ﺟﺎروب‪Z-‬‬

‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺮ‪:‬‬
‫اﻓﺸﯿﻦ ﻋﻠﯽﭘﻮر‬

‫اﺳﺘﺎد راﻫﻨﻤﺎ‪:‬‬
‫دﮐﺘﺮ ﻓﺮﻫﺎد ﺳﺘﺎري و دﮐﺘﺮ ﺻﻐﺮي ﻣﯿﺮارﺷﺎدي‬

‫اﺳﺘﺎد ﻣﺸﺎور‪:‬‬
‫دﮐﺘﺮ ﺳﯿﺪه زﻫﺮا ﻣﺮﺗﻀﻮي‬

‫آﺑﺎن ‪1397‬‬
 ‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺧﻮاص ﻧﻮري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي دوﺑﻌﺪي ﺑﻪ روش ﺟﺎروب ‪Z-‬‬
‫ﻋﻨﻮان و ﻧﺎم ﭘﺪﯾﺪآور‪:‬‬
‫‪ /‬اﻓﺸﯿﻦ ﻋﻠﯽﭘﻮر‬
‫دﮐﺘﺮ ﻓﺮﻫﺎد ﺳﺘﺎري‬
‫اﺳﺘﺎداﻧﺮاﻫﻨﻤﺎ‪:‬‬
‫دﮐﺘﺮ ﺻﻐﺮي ﻣﯿﺮارﺷﺎدي‬
‫دﮐﺘﺮ ﺳﯿﺪه زﻫﺮا ﻣﺮﺗﻀﻮي‬ ‫اﺳﺘﺎدان ﻣﺸﺎور‪:‬‬
‫‪1397/08/09‬‬ ‫ﺗﺎرﯾﺨﺪﻓﺎع‪:‬‬
‫‪ 133‬ص‪.‬‬ ‫ﺗﻌﺪادﺻﻔﺤﺎت‪:‬‬
‫ﮔﺮوه ﻓﯿﺰﯾﮏ ‪ /‬ﺷﻤﺎره ﭘﺎﯾﺎن ﻧﺎﻣﻪ‬ ‫ﺷﻤﺎره ﭘﺎﯾﺎنﻧﺎﻣﻪ‪:‬‬

‫ﭼﮑﯿﺪه‪:‬‬
‫ﻫﺪف‪:‬از ﺑﯿﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﻻﯾﻪاي‪ ،‬ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن و ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﮐﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﯽ در ادوات ﮐﺎرﺑﺮدي‬
‫ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻟﯿﺰرﻫﺎي ﻓﻮق ﺳﺮﯾﻊ‪ ،‬ﻓﻮﺗﻮ ﮐﺎﺗﺎﻟﯿﺴﺖﻫﺎ‪ ،‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺣﺎﻓﻈﻪدار دارﻧﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن و‬
‫ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﺎ ﺧﻮاص ﻧﻮري ﺟﺎﻟﺐ و ﭘﺎﺳﺦ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻣﺤﺪود ﮐﻨﻨﺪهﮔﯽ ﻧﻮري‪ ،‬ﺟﺬب اﺷﺒﺎع‪ ،‬ﺟﺬب‬
‫دوﻓﻮﺗﻮﻧﯽ‪ ،‬ﺟﺬب ﭼﻨﺪﻓﻮﺗﻮﻧﯽ و ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻫﻤﺎﻫﻨﮓ دوم و ﺳﻮم اﻣﮑﺎن ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮي آنﻫﺎ در ادوات ﻣﺨﺘﻠﻒ وﺟﻮد‬
‫دارد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ اﯾﻦ ﻣﻮاد اﭘﺘﯿﮑﯽ ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮي ادوات ﻓﻮﺗﻮﻧﯿﮑﯽ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻣﺤﺪود ﮐﻨﻨﺪهﻫﺎي ﻧﻮري‪ ،‬ﻗﻔﻞ ﻣﺪﻫﺎ‬
‫و ﺳﻮﯾﭻ ﮐﻨﻨﺪهﻫﺎي ‪ Q‬را دارا ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﻫﺪف ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻣﺎ ﺑﺮرﺳﯽ ﺧﻮاص ﻧﻮري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ‬
‫ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن و ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ روش ﺟﺎروب‪ Z-‬ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫روشﺷﻨﺎﺳﯽ ﭘﮋوﻫﺶ‪:‬ﭘﺎﺳﺦ ﻧﻮري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي دوﺑﻌﺪي ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن و ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ روش‬
‫ﺟﺎروب‪ Z-‬و ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮي ﻟﯿﺰر ﭘﯿﻮﺳﺘﻪ ﺑﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ‪ 532‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﺗﮑﻨﯿﮏ ﺟﺎروب‪Z-‬‬
‫ﯾﮏ روش ﺣﺴﺎس و اﺳﺘﺎﻧﺪارد اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺮاي اﻧﺪازهﮔﯿﺮي ﻣﻘﺪار و ﻋﻼﻣﺖ ﺿﺮﯾﺐ ﺷﮑﺴﺖ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ و ﻧﯿﺰ و‬
‫ﺿﺮﯾﺐ ﺟﺬب ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﺑﻪ ﺳﺎدﮔﯽ و ﺑﺎ دﻗﺖ ﺑﺎﻻ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪ .‬از ﺟﻤﻠﻪ ﮐﻤﯿﺖﻫﺎي ﻗﺎﺑﻞ‬
‫اﻧﺪازهﮔﯿﺮي ﺟﺬب ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ و ﺿﺮﯾﺐ ﺷﮑﺴﺖ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ اﺳﺖ‪ .‬ﺟﺬب ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺣﺎﻟﺖ دﯾﺎﻓﺮاﮔﻢ‬
‫ﺑﺎز و ﺿﺮﯾﺐ ﺷﮑﺴﺖ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﺑﺎ ﺣﺎﻟﺖ دﯾﺎﻓﺮاﮔﻢ ﺑﺴﺘﻪ ﺗﻌﯿﯿﻦ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﯾﻦ‪ ،‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﯾﻦ‬
‫ﺗﮑﻨﯿﮏ ﻣﯽﺗﻮان ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﺣﻘﯿﻘﯽ و ﻣﻮﻫﻮﻣﯽ ﭘﺬﯾﺮﻓﺘﺎري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﻣﺮﺗﺒﻪي ﺳﻮم را ﻧﯿﺰ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ ،‬و‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ اﻃﻼﻋﺎت ﻣﻬﻤﯽ در ﻣﻮرد ﺧﻮاص اﭘﺘﯿﮑﯽ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﻣﻮاد اراﯾﻪ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪.‬‬
‫ﯾﺎﻓﺘﻪﻫﺎ‪:‬ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻧﺪازهﮔﯿﺮي ﺟﺎروب‪ Z-‬ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ ﮐﻪ ﺧﻮاص‬
‫اﭘﺘﯿﮑﯽ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ را در ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي دوﺑﻌﺪي ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن و ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﻣﯽﺗﻮان ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺿﺨﺎﻣﺖ‬
‫ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ و ﺗﻮانﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻟﯿﺰر ﻓﺮودي ﺗﻨﻈﯿﻢ ﮐﺮد‪.‬‬
‫ﻧﺘﯿﺠﻪﮔﯿﺮي‪:‬ﭘﺬﯾﺮﻓﺘﺎري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﻣﺮﺗﺒﻪي ﺳﻮم از ﻣﺮﺗﺒﻪي)‪ 10-7(esu‬ﺗﻌﯿﯿﻦ ﮔﺮدﯾﺪ‪ .‬ﭼﻨﯿﻦ ﺧﻮاص ﻧﻮري‬
‫ﻣﺮﺗﺒﻪي ﺳﻮم ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ را ﮐﺎﻧﺪﯾﺪاي ﻣﻨﺎﺳﺒﯽ ﺟﻬﺖ ﺑﮑﺎرﮔﯿﺮي در ادوات اﭘﺘﻮاﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﮑﯽ و‬
‫ﻓﻮﺗﻮﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮرﻫﺎ ﻣﻌﺮﻓﯽ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪.‬‬

‫واژهﻫﺎي ﮐﻠﯿﺪي‪:‬ﭘﺬﯾﺮﻓﺘﺎري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‪،‬ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي دوﺑﻌﺪي ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن و ﮔﺮاﻓﯿﻦ‪ ،‬ﺧﻮاص اﭘﺘﯿﮏ‬

‫ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‪ ،‬روش ﺟﺎروب‪ ،Z-‬ﺿﺮﯾﺐ ﺷﮑﺴﺖ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‪ ،‬ﺿﺮﯾﺐ ﺟﺬب ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‪.‬‬
 ‫‪ -1-1‬ﻣﻘﺪﻣﻪ‬

‫ﻃﯽ ﭼﻨﺪ دﻫﻪ اﺧﯿﺮ ﺗﺼﻮر ﺑﺮ اﯾﻦ ﺑﻮد ﮐﻪ اﻣﮑﺎن ﺗﺸﮑﯿﻞ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي دوﺑﻌﺪي وﺟﻮد‬
‫ﻧﺪارد وﻟﯽ ﺑﻌﺪﻫﺎ در ﺳﺎل ‪ 2004‬ﭘﮋوﻫﺸﮕﺮان و داﻧﺸﻤﻨﺪاﻧﯽ ﻫﻤﭽﻮن ﺟﯿﻢ‪ 1‬و ﻧﻮﺳﻠﻮف‪ 2‬ﺑﺎ‬
‫ﯾﮏ آزﻣﺎﯾﺶ ﺳﺎده ﻣﻮﻓﻖ ﺷﺪﻧﺪ اوﻟﯿﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر دوﺑﻌﺪﯾﺒﻪ ﻧﺎم ﮔﺮاﻓﯿﻦ‪ ٣‬را ﺳﻨﺘﺰ ﮐﻨﻨﺪ‪،‬ﺑﻪ‬
‫ﻫﻤﯿﻦ ﺧﺎﻃﺮ ﻫﻢ ﺟﺎﯾﺰه ﻧﻮﺑﻞ ﻓﯿﺰﯾﮏ‪ 2010‬ﺑﻪ اﯾﻦ دو داﻧﺸﻤﻨﺪ اﻋﻄﺎ ﺷﺪ ‪(Yan et al.,‬‬
‫)‪ .2010‬ﻫﻤﯿﻦ اﻣﺮ ﺑﺎﻋﺚ ﺷﺪ ﺗﺎ ﭘﮋوﻫﺸﮕﺮان زﯾﺎدي ﺑﻪ ﻣﻄﺎﻟﻌﻪي ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي دوﺑﻌﺪي دﯾﮕﺮ‬
‫ﻋﻼﻗﻤﻨﺪ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﭘﮋوﻫﺶﻫﺎي ﺑﺴﯿﺎري ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر دﺳﺘﺮﺳﯽ ﺑﻪ ﻣﻮادي ﺑﺎ ﺧﻮاص‬
‫ﻧﻮري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﺑﺎﻻ و زﻣﺎن ﭘﺎﺳﺦ ﮐﻮﺗﺎه ﺑﻪ ﺳﯿﮕﻨﺎلﻫﺎي ﻧﻮري ﺻﻮرت ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬در اﯾﻦ‬
‫ﻣﯿﺎن ﺧﻮاص اﭘﺘﯿﮑﯽ ﻣﻮاد اﮐﺴﺎﯾﺘﻮﻧﯽ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﭼﺎه ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ﭼﻨﺪﮔﺎﻧﻪ ﻧﯿﻤﺮﺳﺎﻧﺎ‪ ،‬ﺑﻪ دﻟﯿﻞ‬
‫اﻧﺮژي ﭘﯿﻮﻧﺪ اﮐﺴﺎﯾﺘﻮﻧﯽ ﺑﺎﻻ در ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي دوﺑﻌﺪي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﺳﻪ ﺑﻌﺪي‪ ،‬ﺑﻪ‬
‫ﺷﺪت ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻮده اﺳﺖ‪ .‬از ﻣﯿﺎن اﯾﻦ ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﺟﺪﯾﺪ دوﺑﻌﺪي‪ ،‬ﻣﯽﺗﻮان ﻋﻼوه ﺑﺮ‬
‫ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي دوﺑﻌﺪي دﯾﮕﺮي ﻣﺎﻧﻨﺪ‪ :‬ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ‪ ،4‬ﺳﯿﻠﯿﺴﯿﻦ‪ 5‬و‬
‫ﻓﺴﻔﺮﯾﻦ‪ 6‬اﺷﺎره ﮐﺮد‪.‬‬
‫اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ داراي ﺧﻮاﺻﯽ ﻣﺎﻧﻨﺪ‪ :‬اﯾﺠﺎد اﮐﺴﺎﯾﺘﻮن‪ 7‬ﭘﺎﯾﺪار و اﻧﺮژي ﭘﯿﻮﻧﺪ اﮐﺴﺎﯾﺘﻮﻧﯽ‬
‫ﺑﺎﻻﺗﺮ اﺳﺖ)‪ .(Ugeda et al., 2014‬ﻻزم ﺑﻪ ذﮐﺮ اﺳﺖ در اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﮐﺎﻫﺶ ﺑﻌﺪ‬
‫و ﭘﻮﺷﺎﻧﻨﺪﮔﯽ ﺿﻌﯿﻒ در دﻣﺎي اﺗﺎق اﻣﮑﺎن ﺗﺸﮑﯿﻞ اﮐﺴﺎﯾﺘﻮنﻫﺎي ﭘﺎﯾﺪار ﻧﯿﺰ وﺟﻮد دارد‪ ،‬ﺑﺎﻻ‬
‫ﺑﻮدن ﺑﺎزه و ﺷﺪت ﺟﺬب در ﻧﺎﺣﯿﻪ ﻧﻮر ﻣﺮﺋﯽ‪ ،‬ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻧﻮر ﮔﺴﯿﻠﯽ ﺑﺎ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎ‪،‬‬
‫ﺧﺎﺻﯿﺖ ﻟﻮﻣﯿﻨﺴﺎﻧﺲ‪ 8‬ﻣﻮﺛﺮﺗﺮ و ﺗﺤﺮك ﺑﺎﻻﺗﺮ ﺣﺎﻣﻞﻫﺎ از دﯾﮕﺮ ﺧﻮاص اﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ‬
‫ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ)‪.(Bernardi et al., 2017‬در اﯾﻦ ﭘﺎﯾﺎن ﻧﺎﻣﻪ ﺧﻮاص ﻧﻮري ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ از ﻗﺒﯿﻞ ﺿﺮﯾﺐ‬
‫ﺷﮑﺴﺖ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‪ ،‬ﺿﺮﯾﺐ ﺟﺬب ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ و ﭘﺬﯾﺮﻓﺘﺎري اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ ﻣﺮﺗﺒﻪي ﺳﻮم‬
‫ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎر دوﺑﻌﺪي ﮔﺮاﻓﯿﻦ و ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬در‬
‫اداﻣﻪ در ﻣﻮرد ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻨﺪﺳﯽ‪ ،‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﻮاري و ﺧﻮاص اﭘﺘﯿﮑﯽ ﮔﺮاﻓﯿﻦ و ديﺳﻮﻟﻔﯿﺪ‬
‫ﻣﻮﻟﯿﺒﺪن ﺑﺤﺚ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪.‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Geim‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Novoselov‬‬
‫‪3‬‬
‫‪Graphene‬‬
‫‪4‬‬
‫‪Molybdenum Disulfide‬‬
‫‪5‬‬
‫‪Silicene‬‬
‫‪6‬‬
‫‪Phosphorene‬‬
‫‪7‬‬
‫‪Exciton‬‬
‫‪8‬‬
‫‪Luminescence‬‬
 ‫‪-2-1‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻨﺪﺳﯽ ﮔﺮاﻓﯿﻦ‬

‫ﻗﺮﯾﺐ ﺑﻪ ﻫﻔﺘﺎد ﺳﺎل ﭘﯿﺶ ﻻﻧﺪاﺋﻮ‪ 9‬و ﭘﯿﺮﻟﺲ‪ 10‬اﻋﻼم ﮐﺮدﻧﺪ ﮐﻪ ﺷﺒﮑﻪﻫﺎي دوﺑﻌﺪي از‬
‫ﻟﺤﺎظ ﺗﺮﻣﻮدﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ ﻧﺎﭘﺎﯾﺪار ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻧﻤﯽﺗﻮاﻧﻨﺪ وﺟﻮد ﺧﺎرﺟﯽ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ ‪(Zhu, et al.,‬‬
‫)‪ .2010‬ﺗﺎ اﯾﻨﮑﻪ در ﺳﺎل ‪ 2004‬ﯾﮏ ﮔﺮوه از ﻓﯿﺰﯾﮑﺪان در داﻧﺸﮕﺎه ﻣﻨﭽﺴﺘﺮ اﻧﮕﻠﺴﺘﺎن‪ ،‬ﺑﺮاي‬
‫اوﻟﯿﻦ ﺑﺎر ﺻﻔﺤﻪ ﭘﺎﯾﺪار ﮔﺮاﻓﯿﻦ را ﺑﺎ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﯾﮏ اﺗﻢ ﮐﺮﺑﻦ ﺗﻮﻟﯿﺪ ﮐﺮدﻧﺪ‪ .‬ﮔﺮاﻓﯿﻦ از آﻟﻮﺗﺮوپ‬
‫دوﺑﻌﺪي ﮐﺮﺑﻦ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺿﺨﺎﻣﺖ آن ﺑﻪ اﻧﺪازهي ﯾﮏ اﺗﻢ اﺳﺖ ﮐﻪ در ﯾﮏ ﺷﺒﮑﻪ ﺑﻠﻮري ﻻﻧﻪ‬
‫زﻧﺒﻮري ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ ‪ 1-1‬ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-1‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﺶ ﺿﻠﻌﯽ ﻻﻧﻪ زﻧﺒﻮري ﮔﺮاﻓﯿﻦ دوﺑﻌﺪي)‪(Vozmediano, 2011‬‬

‫را ﺑﺎ‬ ‫در ﮔﺮاﻓﯿﻦ‪ ،‬اورﺑﯿﺘﺎلﻫﺎي‪ 2s‬و ‪ 2‬و ‪ 2‬ﻫﺮ اﺗﻢ ﺑﺎ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ‪،‬اورﺑﯿﺘﺎلﻫﺎﯾﻬﯿﺒﺮﯾﺪي‬
‫زاوﯾﻪ ‪ 120‬درﺟﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻫﻢ ﻣﯽﺳﺎزﻧﺪ‪ ،‬ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ ‪ 1-2‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫اﺗﻢ ﻣﺠﺎور‪ ،‬ﭘﯿﻮﻧﺪ ﺑﺴﯿﺎر ﻗﻮي از ﻧﻮع ﮐﻮاﻻﻧﺴﯽ‬ ‫ﻫﺮ اﺗﻢ ﺑﺎ اورﺑﯿﺘﺎلﻫﺎي‬ ‫اورﺑﯿﺘﺎلﻫﺎي‬
‫)‪ (σ‬ﺗﺸﮑﯿﻞ ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮري ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ وﺟﻮد ﭘﯿﻮﻧﺪﻫﺎي ﻗﻮي‬
‫ﮐﻮاﻻﻧﺴﯽ‪ ،‬اوﻟﯿﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر دوﺑﻌﺪي اﺳﺖ ﮐﻪ در ﻃﺒﯿﻌﺖ ﯾﺎﻓﺖ ﺷﺪه و از ﭘﺎﯾﺪاري ﺑﺴﯿﺎر ﺑﺎﻻﯾﯽ‬
‫‪2‬دارد ﮐﻪ ﻋﻤﻮد ﺑﺮ ﺻﻔﺤﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ اﺳﺖ و‬ ‫ﺑﺮﺧﻮردار اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﻫﺮ اﺗﻢ ﯾﮏ اورﺑﯿﺘﺎل‬
‫‪ 2‬اﺗﻢ ﻣﺠﺎور ﭘﯿﻮﻧﺪي ﺿﻌﯿﻒ از ﻧﻮع واﻧﺪرواﻟﺴﯽ )‪ (π‬ﻣﯽﺳﺎزد‪.‬‬ ‫ﺑﺎ اورﺑﯿﺘﺎلﻫﺎي‬

‫‪9‬‬
‫‪Landau‬‬
‫‪10‬‬
‫‪Peierls‬‬
 ‫)‪(Fuchs and Goerbig, 2008‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-2‬ﻧﻤﺎﯾﺶ ﺷﻤﺎﺗﯿﮏ ﻫﯿﺒﺮﯾﺪ‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮري ﮐﻪ ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ‪ ،‬ﺷﺒﮑﻪاي ﻻﻧﻪ زﻧﺒﻮري از اﺗﻢﻫﺎي ﮐﺮﺑﻦ اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ ﺷﺒﮑﻪ‬
‫ﺑﺮاوه ﻧﯿﺴﺖ‪ ،‬زﯾﺮا ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺷﺒﮑﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ را ﮐﻪ ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ اﺗﻢﻫﺎي ﮐﺮﺑﻦ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪،‬‬
‫ﻧﻤﯽﺗﻮان ﺑﺎ ﺗﺮﮐﯿﺐ ﺧﻄﯽ از ﺑﺮدارﻫﺎي ﺷﺒﮑﻪ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬وﻟﯽ ﻣﯽﺗﻮان ﺷﺒﮑﻪي ﮔﺮاﻓﯿﻦ را‬
‫ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺑﺎ ﺷﮑﻞ ‪ 1-3‬ﺑﻪ ﺻﻮرت دو زﯾﺮ ﺷﺒﮑﻪ ﻣﺜﻠﺜﯽ ﺑﺎ ﭘﺎﯾﻪ دو اﺗﻤﯽ‪ A‬و ‪ B‬در ﻫﺮ ﺳﻠﻮل‬
‫واﺣﺪ ﮐﻪ ﻫﺮ ﮐﺪام ﯾﮏ ﺷﺒﮑﻪ ﺑﺮاوه را ﺗﺸﮑﯿﻞ ﻣﯽدﻫﺪ‪ ،‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬

‫)‪3‬و‪( i=1,2‬‬ ‫ﺑﺮدارﻫﺎي ﭘﺎﯾﻪ ﺷﺒﮑﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﻣﯽﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬ ‫و‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪) - 1-3‬اﻟﻒ(‪ :‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﺒﮑﻪاي ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﮐﻪ‬
‫ﺑﺮدارﻫﺎﯾﯽ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﮐﻪ ﻧﺰدﯾﮑﺘﺮﯾﻦ ﻫﻤﺴﺎﯾﻪﻫﺎي اول را ﺑﻪ ﻫﻢ وﺻﻞ ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ‪) ،‬ب(‪ :‬ﻣﻨﻄﻘﻪي اول ﺑﺮﯾﻠﻮﺋﻦ ﺷﺒﮑﻪ‬
‫)‪(Neto et al., 2009‬‬ ‫=‬ ‫‪,−‬‬ ‫و‬ ‫=‬ ‫‪,‬‬ ‫ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ ﻣﺨﺘﺼﺎت‬
‫√‬ ‫√‬ ‫√‬ ‫√‬

‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ اﮔﺮ ﯾﮏ اﺗﻢ ﻣﺘﻌﻠﻖ ﺑﻪ زﯾﺮ ﺷﺒﮑﻪ ‪ B‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺳﻪ اﺗﻢ ﮐﺮﺑﻦ دﯾﮕﺮ ﮐﻪ ﻧﺰدﯾﮑﺘﺮﯾﻦ‬
‫ﻫﻤﺴﺎﯾﻪ اول آن ﻣﺤﺴﻮب ﻣﯽﺷﻮد‪ ،‬ﻣﺘﻌﻠﻖ ﺑﻪ زﯾﺮ ﺷﺒﮑﻪ ‪ A‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از‬
‫ﺑﺮدارﻫﺎي ﺷﺒﮑﻪ ﻣﯽﺗﻮان ﺗﻤﺎم ﻧﻘﺎط ﺷﺒﮑﻪ را ﮐﻪ ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ اﺗﻢﻫﺎي ﮐﺮﺑﻦ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺪﺳﺖ‬
‫آورد‪.‬‬
‫در راﺑﻄﻪ ‪ 1-1‬ﭘﺎراﻣﺘﺮ ‪a‬ﺛﺎﺑﺖ ﺷﺒﮑﻪ ﻧﺎﻣﯿﺪه ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ در آن ﻃﻮل ﭘﯿﻮﻧﺪ ﮐﺮﺑﻦ ـ ﮐﺮﺑﻦ‬
‫در ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻮده و در ﺣﺪود ‪ 0.142‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫)‪(1-1‬‬

‫( ﺑﺎ راﺳﺘﺎي‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ‪ ،1-3‬زاوﯾﻪاي ﮐﻪ ﺑﺮدارﻫﺎي ﭘﺎﯾﻪي ﺷﺒﮑﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ) و‬

‫ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ ﻣﯽﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬ ‫ﻣﺤﻮر ‪x‬ﻣﯽﺳﺎزﻧﺪ ‪ 30‬درﺟﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺑﺮدارﻫﺎي و‬

‫)‪(2-1‬‬

‫ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از رواﺑﻂ زﯾﺮ ﻣﯽﺗﻮان ﺑﺮدارﻫﺎي ﺷﺒﮑﻪ وارون ﮔﺮاﻓﯿﻦ را ﻫﻢ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪.‬‬

‫)‪(3-1‬‬

‫)‪(4-1‬‬

‫)‪(5-1‬‬

‫در ﻧﻈﺮ‬ ‫ﻣﯽﺗﻮان ﺑﺮدار ﺳﻮم را ﺑﺮداري واﺣﺪ در راﺳﺘﺎي ﻣﺤﻮر ‪ z‬ﺑﻪ ﺻﻮرت )‪= (0,0,1‬‬
‫ﮔﺮﻓﺖ و در رواﺑﻂ ﺑﺎﻻ ﺟﺎﮔﺬاري ﮐﺮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺑﺮدارﻫﺎي ﺷﺒﮑﻪ وارون ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ ﺑﺪﺳﺖ‬
‫ﻣﯽآﯾﻨﺪ‪.‬‬

‫)‪(6-1‬‬
‫ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ در ﺷﮑﻞ‪ ،1-3‬اﺗﻢ ﻣﺘﻌﻠﻖ ﺑﻪ زﯾﺮ ﺷﺒﮑﻪ ‪B‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﻧﺰدﯾﮏﺗﺮﯾﻦ‬
‫ﻫﻤﺴﺎﯾﻪﻫﺎي اول آن ﻣﺘﻌﻠﻖ ﺑﻪ زﯾﺮ ﺷﺒﮑﻪ ‪A‬ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﺳﻪ ﺑﺮدار زﯾﺮ ﻧﺰدﯾﮏﺗﺮﯾﻦ‬
‫ﻫﻤﺴﺎﯾﻪﻫﺎي اول را در ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ ﻫﻢ ﻣﺮﺗﺒﻂ ﻣﯽﺳﺎزﻧﺪ‪.‬‬
‫)‪(7-1‬‬

‫‪ -1-3‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﻮاري ﮔﺮاﻓﯿﻦ‬

‫ﮔﺮاﻓﯿﻨﺎزﺟﻬﺎﺗﻤﺨﺘﻠﻔﯿﻤﻮردﺗﻮﺟﻬﻔﯿﺰﯾﮑﺪاﻧﺎﻧﺎﺳﺘﮑﻪ ﻋﻤﺪهﺗﺮﯾﻨﻌﺎﻣﻞ‪،‬ﺳﺎﺧﺘﺎرﻧﻮارﯾﻤﻨﺤﺼﺮ ﺑﻪ‬

‫ﻓﺮدآﻧﺎﺳﺖ‪ .‬در ﻓﯿﺰﯾﮏ ﻣﺎده ﭼﮕﺎل‪ ،‬ﻣﻌﺎدﻟﻬﺸﺮودﯾﻨﮕﺮ ﺧﻮاص اﻟﮑﺘﺮوﻧﯽ ﻣﻮاد را ﺗﻮﺿﯿﺢ ﻣﯽ‬
‫دﻫﺪ‪ .‬اﻣﺎ رﻓﺘﺎر ﺣﺎﻣﻞﻫﺎي ﺑﺎر در ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﺎ ﻣﻌﺎدﻟﻪ دﯾﺮاك ﮔﻮﻧﻪ ﺗﻮﺻﯿﻒ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺳﺎﺧﺘﺎر‬
‫ﻧﻮاري ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﮐﻪ ﻣﯽﺗﻮاﻧﺪ از روش ﺑﺴﺘﮕﯽ ﻗﻮي اﻟﮑﺘﺮونﻫﺎي اورﺑﯿﺘﺎل ‪ p z‬ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ‬
‫ﮔﺮﻓﺘﻦ ﺗﻨﻬﺎ ﻧﺰدﯾﮏﺗﺮﯾﻦ ﻫﻤﺴﺎﯾﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺗﺤﻠﯿﻠﯽ ﺑﺪﺳﺖ آﯾﺪ ﮐﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﮑﻞ ‪4-1‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﮐﻪ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪ ،‬در ﻧﺰدﯾﮑﯽ ﺷﺶ ﻧﻘﻄﻪ ﮐﻪ ﻧﻘﺎط دﯾﺮاك ﻧﺎﻣﯿﺪه‬
‫ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ اﻧﺮژي اﻟﮑﺘﺮون و ﺣﻔﺮه ﺑﻪﻃﻮر ﺧﻄﯽ ﺑﻪ ﺑﺮدار ﻣﻮج واﺑﺴﺘﻪ اﺳﺖ‪.‬‬
 ‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-4‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﻮاري ﮔﺮاﻓﯿﻦ در ﻧﺰدﮐﯽ ﻧﻘﺎط دﯾﺮاك )‪(Neto et al., 2009‬‬

‫راﺑﻄﻪي ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺮاي ﻧﻮار اﻧﺮژي ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش ﺑﺴﺘﮕﯽ ﻗﻮي ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ‬
‫از‪:‬‬
‫‪‬‬
‫)‪E ( k )   0 1  4 cos( 3ak y / 2) cos(ak x / 2)  4 cos 2 (ak x / 2‬‬ ‫)‪(8-1‬‬

‫ﻋﻼﻣﺖ ‪ ‬ﺑﺎﻧﺪ ‪  Error! Bookmark not defined.‬و آﻧﺘﯽ ﺑﺎﻧﺪ * ‪ ‬را ﻧﺸﺎن‬

‫ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﮐﻪ در آن ‪ ، a  2.46 Å‬ﺛﺎﺑﺖ ﺷﺒﮑﻪ )اﻟﺒﺘﻪ ‪ a  3a0‬ﮐﻪ ‪ a 0  1 .42 Å‬ﻓﺎﺻﻠﻪ‬

‫ﻣﯿﺎن دو اﺗﻢ ﮐﺮﺑﻦ ﻫﻤﺴﺎﯾﻪ اﺳﺖ( و ‪  0  2.82 eV‬اﻧﺮژي ﺟﻬﺸﯽ ﻫﻤﺴﺎﯾﻪ ﻧﺰدﯾﮏ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺑﺮاي ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﮐﻮﭼﮏ ‪ kx‬و ‪ ky‬راﺑﻄﻪ ﭘﺎﺷﻨﺪﮔﯽ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ راﺑﻄﻪ ‪ 1-9‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪3a‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪3a‬‬ ‫)‪(9-1‬‬

‫‪E (k )  ‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪k x2  k y2  ‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪k ,‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪3 a / 2   v F  10 6 m / s .‬‬

‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ‪ ،‬در اﯾﻦ ﺻﻮرت راﺑﻄﻪ ﭘﺎﺷﻨﺪﮔﯽ را ﻣﯽﺗﻮان ﺑﻪ ﺷﮑﻞ زﯾﺮ ﺑﺎز ﻧﻮﯾﺴﯽ ﮐﺮد‪:‬‬
‫‪‬‬
‫‪E (k )  vF k ,‬‬ ‫)‪(10-1‬‬

‫در راﺑﻄﻪي ‪ v f ،10-1‬ﺳﺮﻋﺘﻔﺮﻣﯽ اﻟﮑﺘﺮون و ﺑﺮاﺑﺮ ﯾﮏ ﺳﯿﺼﺪم ﺳﺮﻋﺖ ﻧﻮر ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ و‬

‫ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ‪ k  k x2  k y2‬ﺑﺮدار ﺗﮑﺎﻧﻪ اﻟﮑﺘﺮون اﺳﺖ‪ .‬ﺳﺮﻋﺖ ﻓﺮﻣﯽ اﻟﮑﺘﺮون در ﮔﺮاﻓﯿﻦ‬
‫ﺣﺪود ‪ 100‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺰرگﺗﺮ از ﺳﺮﻋﺖ ﻓﺮﻣﯽ اﻟﮑﺘﺮون در ﻓﻠﺰات اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﻪ ﻫﻤﯿﻦ دﻟﯿﻞ اﻧﺮژي‬
‫ﺑﺮﻫﻢﮐﻨﺶ ﮐﻠﻤﺒﯽ در ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﺎ اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﯽ اﻟﮑﺘﺮونﻫﺎ ﻗﺎﺑﻞ اﻏﻤﺎض اﺳﺖ‪ .‬راﺑﻄﻪ ‪10-1‬‬
‫‪c‬‬
‫‪vF ‬‬ ‫ﺷﺒﯿﻪ راﺑﻄﻪ ﭘﺎﺷﻨﺪﮔﯽ ﻧﻮﺗﺮﯾﻨﻮ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻧﻘﺶ ﺳﺮﻋﺖ ﻧﻮر)‪ (c‬راﺳﺮﻋﺖ ﻓﺮﻣﯽ‬
‫‪300‬‬
‫ﺑﺎزي ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ ﻣﯽﺗﻮان ﻧﺘﯿﺠﻪ ﮔﺮﻓﺖ‪ ،‬ﮐﻪ رﻓﺘﺎر اﻟﮑﺘﺮونﻫﺎ در ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﻣﺜﻞ ذرات‬
‫ﻧﺴﺒﯿﺘﯽ ﺑﺪون ﺟﺮم اﺳﺖ)‪.( Peres et al., 2007‬‬
 ‫‪ -1-4‬روشﻫﺎي ﺗﻮﻟﯿﺪ و ﺷﻨﺎﺳﺎﯾﯽ ﮔﺮاﻓﯿﻦ‬

‫ﺗﻼش‬ ‫ﺑﺎﺗﻮﺟﻬﺒﻬﺨﻮاﺻﻘﺎﺑﻠﺘﻮﺟﻬﮕﺮاﻓﯿﻨﻮاﻣﯿﺪﺑﻬﮑﺎرﺑﺮدﻫﺎﯾﻤﺨﺘﻠﻔﺂﻧﺪرآﯾﻨﺪهﻧﺰدﯾﮏ‪،‬‬
‫ﺧﻮاﺻﺴﺎﺧﺘﺎرﯾﻮدﯾﮕﺮ‬ ‫ﻫﺎﯾﺘﺤﻘﯿﻘﺎﺗﯿﺰﯾﺎدﯾﺎزﺳﻮﯾﻤﺤﻘﻘﺎﻧﺪرزﻣﯿﻨﻪﻫﺎﯾﺘﻮﻟﯿﺪ‪،‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪي‬
‫ﺑﻬﻄﻮرﮐﻠﯿﺎﻧﺘﻈﺎرﻣﯽرودﮐﻬﮕﺮاﻓﯿﻨﺘﻨﻬﺎاز‬ ‫ﺧﻮاﺻﻔﯿﺰﯾﮑﯿﮕﺮاﻓﯿﻨﺎﻧﺠﺎﻣﺸﺪﻫﺎﺳﺖ‪.‬‬
‫ﯾﮑﻼﯾﻬﺘﺸﮑﯿﻠﺸﺪﻫﺒﺎﺷﺪ‪،‬اﻣﺎﻋﻼﻗﻬﻘﺎﺑﻠﺘﻮﺟﻬﯿﺒﺮاﯾﺘﺤﻘﯿﻘﺪرﻣﻮردﮔﺮاﻓﯿﻨﺪوﻻﯾﻬﻮﮐﻢ‬
‫ﻻﯾﻬﻨﯿﺰوﺟﻮددارد‪ .‬روشﻫﺎﯾﻤﺨﺘﻠﻔﯿﺒﺮاﯾﺴﺎﺧﺘﮕﺮاﻓﯿﻨﻮﺟﻮدداردﮐﻬﺪرﺣﺎﻟﺖ ﮐﻠﯽ ﺑﻪ دو روش زﯾﺮ‬
‫ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي ﻣﯽﺷﻮد‪:‬‬
‫‪11‬‬
‫‪ ‬ﺗﻮﻟﯿﺪ از ﺑﺎﻻ ﺑﻪ ﭘﺎﯾﯿﻦ‬
‫‪12‬‬
‫‪ ‬ﺗﻮﻟﯿﺪ از ﭘﺎﯾﯿﻦ ﺑﻪ ﺑﺎﻻ‬
‫ﻣﻨﻈﻮر از روش ﺗﻮﻟﯿﺪ از ﺑﺎﻻ ﺑﻪ ﭘﺎﯾﯿﻦ اﯾﻦ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺻﻔﺤﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻨﯽ را ﻣﯽﺗﻮان ﺑﻪ روش‬
‫ﻫﺎﯾﻤﮑﺎﻧﯿﮑﯿﺎز ﻣﻮادي ﻣﺎﻧﻨﺪ ﮔﺮاﻓﯿﺖ و ﻣﻮاد ﮐﺮﺑﻦدار دﯾﮕﺮ ﺟﺪا ﮐﺮد‪ ،‬ﯾﻌﻨﯽ از ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﺑﺎ‬
‫اﺑﻌﺎد ﺳﻪﺑﻌﺪي ﺑﻪ ﺳﯿﺴﺘﻢ دوﺑﻌﺪﯾﮕﺮاﻓﯿﻦ رﺳﯿﺪ‪ .‬در روش ﺗﻮﻟﯿﺪ از ﭘﺎﯾﯿﻨﺒﻪ ﺑﺎﻻ اﺑﺘﺪا اﺗﻢﻫﺎي‬
‫ﮐﺮﺑﻦ ﺑﻪ روشﻫﺎﯾﺸﯿﻤﯿﺎﯾﯽ از ﻣﺎده ﮐﺮﺑﻦدار ﺟﺪا ﺷﺪه و ﺑﻪ روشﻫﺎﯾﻼﯾﻪ ﻧﺸﺎﻧﯽ اﺗﻢﻫﺎي‬
‫ﮐﺮﺑﻦ روي ﯾﮏ زﯾﺮﻻﯾﻪ رﺷﺪ داده ﺷﺪه و ﺳﺎﺧﺘﺎر ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺗﻮﻟﯿﺪﻣﯽﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ روشﻫﺎﯾﻤﺨﺘﻠﻔﯿﺒﺮاﯾﺴﻨﺘﺰﮔﺮاﻓﯿﻨﻮﺟﻮدداردﮐﻪ ﻣﯽﺗﻮان ﺑﻪ ﭘﻨﺞ ﻣﻮرد آن ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ‬
‫اﺷﺎره ﮐﺮد‪:‬‬
‫اﻟﻒ‪ -‬روش ﻣﮑﺎﻧﯿﮑﯽ‪:‬ﺑﺪﺳﺖ آوردن ورﻗﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ از ﻣﺎده ﮔﺮاﻓﯿﺖ ﺑﺎ روش ﻣﮑﺎﻧﯿﮑﯽ‬
‫ﻓﺮآﯾﻨﺪي ﺳﺎده اﺳﺘﻮ ﺑﺮاي اوﻟﯿﻦ ﺑﺎر ﺟﯿﻢ و ﻫﻤﮑﺎراﻧﺶ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﯾﻦ روش ﺑﻪ ﺟﺪا ﮐﺮدن‬
‫ﮔﺮاﻓﯿﻦ از ﮔﺮاﻓﯿﺖ ﻣﻮﻓﻖ ﺷﺪﻧﺪ‪ .‬ﯾﻌﻨﯽ آنﻫﺎ ﺑﻪ ﻃﺮز ﻣﻮﻓﻘﯿﺖ آﻣﯿﺰي ﺻﻔﺤﺎت ﮔﺮاﻓﯿﻦ را ﺑﺎ‬
‫اﺳﺘﻔﺎده از ﻧﻮار ﭼﺴﺐ ﺟﺪا ﮐﺮدﻧﺪ‪ .‬ﻧﻮار ﭘﯿﻮﺳﺘﻪ ﻣﮑﺮراً اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪ ﺗﺎ ﮔﺮاﻓﯿﺖ را ﺑﻪ ﺗﮑﻪﻫﺎي‬
‫ﻧﺎزكﺗﺮي ﺟﺪا ﮐﻨﺪ‪ .‬ﺳﭙﺲ ﻧﻮار ﺑﺎ ﺗﮑﻪﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﺖ ﻣﺠﺰا در اﺳﺘﻮن ﺣﻞ ﺷﺪ و ﺑﻌﺪ از ﭼﻨﺪ‬
‫ﻓﺮآﯾﻨﺪ‪ ،‬ﺗﮑﻪﻫﺎي ﺷﺎﻣﻞ ﺗﮏ ﻻﯾﻪ روي ﯾﮏ ﻗﺮص ﺳﻠﯿﮑﻮﻧﯽ رﺳﻮب داده ﺷﺪ‪ .‬ﮔﻔﺘﻨﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ‬
‫ﺟﻬﺖ ﮐﻨﺘﺮل ﻣﺮاﺣﻞ ﻣﺬﮐﻮر از ﯾﮏ ﻣﯿﮑﺮوﺳﮑﻮپ ﻧﻮري اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ روش ﺑﻪ‬
‫ﻧﻮار اﺳﮑﺎچ ﻣﻌﺮوف ﮔﺸﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺎﯾﯿﻦ ﺑﻮدن ﺳﺮﻋﺖ و ﻋﺪم اﻣﮑﺎن ﺗﻮﻟﯿﺪ در ﺣﺠﻢ ﻗﺎﺑﻞ‬
‫ﺗﻮﺟﻪ‪ ،‬اﯾﻦ روش را ﻣﺤﺪود ﻧﻤﻮده اﺳﺖ)‪.(Novoselov et al., 2004‬‬

‫‪11‬‬
‫‪Top-Down‬‬
‫‪12‬‬
‫‪Down-Top‬‬
‫ب‪ -‬روش ﺣﻼﻟﯽ‪:‬در اﯾﻦ روش از ﯾﮏ ﺣﻼل ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽﺷﻮد‪ ،‬اﻣﺎ وﻇﯿﻔﻪ اﺻﻠﯽ‬
‫ﺟﺪاﮐﺮدن ﻻﯾﻪﻫﺎﯾﮕﺮاﻓﯿﺖ ﺑﺮ ﻋﻬﺪهي ﻫﻤﺰنﻫﺎي ﻣﮑﺎﻧﯿﮑﯽ ﯾﺎ اﻣﻮاج ﻓﺮاﺻﻮت ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در‬
‫واﻗﻊ ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺑﻮدن اﻧﺮژي ﺳﻄﺤﯽ اﯾﻦ ﺣﻼلﻫﺎ ﺑﺎ اﻧﺮژي ﺳﻄﺢ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ ﺟﺪا ﺷﺪن ورﻗﻪﻫﺎي‬
‫ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﮐﻤﮏ ﻣﯽﮐﻨﺪ)‪.(Blake et al., 2008‬‬
‫اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﺤﻠﻮل آﺑﯽ ﺣﺎوي ﺳﻄﺢ ﻓﻌﺎل ﻧﯿﺰ رﺳﯿﺪن ﺑﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺗﮏ ﻻﯾﻪ ﯾﺎ ﮔﺮاﻓﯿﺖ ﮐﻢ‬
‫ﻻﯾﻪ را ﻣﺤﻘﻖ ﻣﯽﻧﻤﺎﯾﺪ)‪.(Green and Hersam, 2009‬‬

‫ج‪ -‬ﻗﺮاردادن ﻣﻮﻟﮑﻮل ﺧﺎرﺟﯽ در ﻣﯿﺎن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﺖ‪ :‬ﯾﮑﯽ از روشﻫﺎي ﺗﻬﯿﻪ‬
‫ﮔﺮاﻓﯿﻦ‪ ،‬ﻧﺸﺎﻧﺪن ﻻﯾﻪاي ﮐﻮﭼﮏ از ﻣﻮﻟﮑﻮل ﯾﺎ ﭘﻠﯿﻤﺮ ﺑﯿﻦ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﺖ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻄﺎﺑﻖ‬
‫ﺷﮑﻞ ‪5-1‬اﯾﻦ ﻣﻮﻟﮑﻮلﻫﺎي ﻣﯿﻬﻤﺎن ﺑﺎ ﻗﺮارﮔﯿﺮي در ﻣﯿﺎن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﺖ‪ ،‬اﯾﺠﺎد ﻓﺎﺻﻠﻪ و‬
‫ﺗﻀﻌﯿﻒ ﺑﺮﻫﻢﮐﻨﺶ ﺑﯿﻦ ﻻﯾﻪﻫﺎ‪ ،‬ﺑﻪ ورﻗﻪاي ﺷﺪن آن ﮐﻤﮏ ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﮐﻠﯽ روﺷﯽ‬
‫ﻧﺴﺒﺘﺎ ﮐﻢ ﻫﺰﯾﻨﻪ و ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﯿﺪ در ﺣﺠﻢ ﺑﺎﻻﺳﺖ اﻣﺎ ﮐﯿﻔﯿﺖ ﮔﺮاﻓﯿﻨﺤﺎﺻﻞ‪ ،‬ﺗﻀﻤﯿﻦ‬
‫ﻧﻤﯽﺷﻮد؛ زﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﺖ ﺑﺎ اﯾﻦ ﻣﻮﻟﮑﻮلﻫﺎ ﺑﺮﻫﻢﮐﻨﺶ ﻓﯿﺰﯾﮑﯽ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ‬
‫ﺧﻮاص اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺗﺤﺖ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺮار ﻧﻤﯽﮔﯿﺮد‪ ،‬اﻣﺎ اﯾﺠﺎد ﭘﯿﻮﻧﺪ ﮐﻮاﻻﻧﺴﯽ ﺳﺒﺐ ﺑﺮﻫﻢ‬
‫ﺧﻮردن ﻫﯿﺒﺮﯾﺪاﺳﯿﻮن و اﻓﺖ رﺳﺎﻧﺎﯾﯽ اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﮔﺮدد ‪(Potts et al.,‬‬
‫)‪.2011‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-5‬ﻗﺮار دادن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﭘﺘﺎﺳﯿﻢ در ﻣﯿﺎن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﺖ)‪(Dresselhaus, 2002‬‬

‫د‪ -‬اﺣﯿﺎي اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ‪ :‬ﺗﺒﺪﯾﻞ ﮔﺮاﻓﯿﺖ ﺑﻪ اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﯾﮑﯽ از روشﻫﺎي ﺑﺴﯿﺎر‬
‫راﯾﺞ ﺟﻬﺖ رﺳﯿﺪن ﺑﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ اﺳﺖ؛ ﮔﺮوهﻫﺎي ﻋﺎﻣﻠﯽ اﮐﺴﯿﮋﻧﯽ ﺳﺒﺐ اﯾﺠﺎد ﺧﺎﺻﯿﺖ‬
‫آﺑﺪوﺳﺘﯽ در اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﺖ‪ ،‬ﭘﺮاﮐﻨﺪﮔﯽ ﭘﺎﯾﺪار در آب‪ ،‬ﺳﻬﻮﻟﺖ ﺟﺪاﺷﺪن ﻻﯾﻪﻫﺎي آن و در‬
‫ﻧﻬﺎﯾﺖ دﺳﺖ ﯾﺎﻓﺘﻦ ﺑﻪ اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﻣﯽﮔﺮدد‪ .‬اﻣﺎ ﭘﯿﻮﻧﺪ ﮐﻮواﻻﻧﺴﯽ اﺗﻢﻫﺎي ﮐﺮﺑﻦ ﺑﺎ ﭼﻨﯿﻦ‬
‫ﮔﺮوهﻫﺎﯾﯽ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ از ﺑﯿﻦ رﻓﺘﻦ ﻫﯿﺒﺮﯾﺪ در ﺻﻔﺤﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ و ﻧﻘﺺ در ﺳﺎﺧﺘﺎر اﻟﮑﺘﺮوﻧﯽ‬
‫آن ﻣﯽﺷﻮد و ﻣﺘﻌﺎﻗﺒﺎ ﺗﻤﺎﻣﯽ ﺧﻮاص ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺗﺤﺖ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪ .‬اﺣﯿﺎي اﮐﺴﯿﺪ‬
‫ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﺎ از ﺑﯿﻦ ﺑﺮدن اﯾﻦ ﮔﺮوهﻫﺎ و ﺗﺮﻣﯿﻢ ﻧﻮاﻗﺺ ﺳﺎﺧﺘﺎري‪ ،‬ﺧﻮاص ﮔﺮاﻓﯿﻦ را ﺗﺎ ﺣﺪود‬
‫زﯾﺎدي ﺑﺎز ﻣﯽﮔﺮداﻧﺪ‪ .‬اﺣﯿﺎي ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﯽ اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ وﺳﯿﻠﻪ اﺣﯿﺎﮐﻨﻨﺪهﻫﺎﯾﯽ ﻫﻤﭽﻮن‬
‫ﻫﯿﺪرازﯾﻨﻮ ﺳﺪﯾﻢ ﺑﺮومﻫﯿﺪرﯾﺪ ﻗﺎﺑﻞ اﻧﺠﺎم اﺳﺖ‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪاي از ﻣﺮاﺣﻞ اﺣﯿﺎي اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ‬
‫ﺗﻮﺳﻂ ﻫﯿﺪرازﯾﻦ در ﺷﮑﻞ ‪6-1‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﮔﺮدد‪ .‬اﺣﯿﺎي ﺣﺮارﺗﯽ روش دﯾﮕﺮي اﺳﺖ ﮐﻪ در‬
‫آن ﮔﺮوهﻫﺎي ﻋﺎﻣﻠﯽ اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﺖ ﺑﺎ ﻗﺮارﮔﯿﺮي در ﻣﻌﺮض دﻣﺎي ﺑﺴﯿﺎر ﺑﺎﻻ‬
‫)ﺣﺪود‪1000‬درﺟﻪ ﺳﺎﻧﺘﯽﮔﺮاد( ﺑﻪ ﮔﺎز دياﮐﺴﯿﺪ ﮐﺮﺑﻦ ﺗﺒﺪﯾﻞ و در اﺛﺮ ﻓﺸﺎر ﺧﺮوج اﯾﻦ‬
‫ﮔﺎز‪ ،‬ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﻦ اﯾﺠﺎد ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-6‬واﮐﻨﺶ اﺣﯿﺎي اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺗﻮﺳﻂ ﻫﯿﺪرازﯾﻦ)‪(Stankovich et al., 2007‬‬

‫ه‪-‬رﺳﻮب دﻫﯽ ﺑﺨﺎر ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﯽ‪ :(CVD)13‬ﻣﺮﻏﻮبﺗﺮﯾﻦ ﻧﻮع ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﮐﻪ ﺑﺎﻻﺗﺮﯾﻦ ﻣﯿﺰان‬

‫اﻧﺘﻘﺎل اﻟﮑﺘﺮون را اﻧﺠﺎم ﻣﯽدﻫﺪ ﺑﻪ وﺳﯿﻠﻪ روش رﺳﻮب دﻫﯽ ﺑﺨﺎر ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﯽ ﺣﺎﺻﻞ‬
‫ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬در اﯾﻦ ﻓﺮآﯾﻨﺪ زﯾﺮﻻﯾﻪي ﻓﻠﺰي )ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻣﺲ و ﻧﯿﮑﻞ( در ﯾﮏ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺧﻼء ﺑﺎ دﻣﺎي‬
‫زﯾﺮ‪ 1000‬درﺟﻪ ﺳﺎﻧﺘﯽﮔﺮادﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪ .‬ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ‪7-1‬ﻓﺮآﯾﻨﺪﺗﻮﻟﯿﺪﮔﺮاﻓﯿﻦ ﻧﺸﺎن داده‬
‫ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﮔﺮاﻓﯿﻦ اﺑﺘﺪا ﺑﺎ ﯾﮏ ﻻﯾﻪي ﻧﺎزك از ﭘﻠﯽ ﻣﺘﯿﻞ ﻣﺘﺂﮐﺮﯾﻼت‪(PMMA) 14‬‬
‫ﭘﻮﺷﯿﺪﻫﻤﯽﺷﻮدو ﺳﭙﺲ ﺗﺎ دﻣﺎي‪ 120‬درﺟﻪي ﺳﺎﻧﺘﯽﮔﺮادﺣﺮارت دادﻫﻤﯽﺷﻮد ﺗﺎ ﻣﺤﻠﻮل‬
‫ﺗﺒﺨﯿﺮﺷﻮد‪ .‬ﺳﭙﺲ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﻓﻠﺰﯾﻨﯿﮑﻞ )‪ (Ni‬ﯾﺎﻣﺲ)‪ (Cu‬ﺑﺮداﺷﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮد‪ ،‬و ﺗﻨﻬﺎ‬
‫ﻓﯿﻠﻢ‪PMMA‬و ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﺎﻗﯽ ﻣﯽﻣﺎﻧﺪ‪ .‬اﯾﻦ ﻓﯿﻠﻢ ﺑﺎ آب دﯾﻮﻧﯿﺰه ﺷﺪه ﺗﻤﯿﺰ ﻣﯽﺷﻮد و ﭘﺲ از‬

‫‪13‬‬
‫‪Chemical Vapour Deposition‬‬
‫‪14‬‬
‫‪Poly Methyl Methacrylate‬‬
‫ﺗﺒﺨﯿﺮ ﺑﺨﺎر آب‪ PMMA ،‬ﺗﻮﺳﻂ اﺳﺘﻮن ﺣﺬف ﺷﺪه وﯾﮑﻼﯾﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ در ﺑﺎﻻﯾﺰﯾﺮﻻﯾﻬﻤﻮرد‬
‫ﻧﻈﺮ ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪.‬ﻋﺪم وﺟﻮد ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﯽ در ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺣﺎﺻﻞ از روش رﺳﻮب دﻫﯽ ﺑﺨﺎر‬
‫ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﯽ و ﺑﺮﻗﺮاري ﻫﯿﺒﺮﯾﺪاﺳﯿﻮن در اﺗﻢﻫﺎي ﮐﺮﺑﻦ آن‪ ،‬از ﻣﺰاﯾﺎي اﯾﻦ ﻓﺮآﯾﻨﺪ ﻧﺴﺒﺖ‬
‫ﺑﻪ ﺳﺎﯾﺮ روشﻫﺎي ذﮐﺮ ﺷﺪه ﺑﻪ ﺷﻤﺎر ﻣﯽ رود)‪.(Zhang et al., 2013‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-7‬ﻓﺮآﯾﻨﺪ ﺗﻮﻟﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﻪ روش رﺳﻮب دﻫﯽ ﺑﺨﺎر ﺷﯿﻤﯿﺎﯾﯽ)‪(Zhang et al., 2013‬‬

‫روشﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﯽ ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﯾﯽ ﻣﻮاد از ﺟﻤﻠﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ وﺟﻮد دارد ﮐﻪ ﻋﺒﺎرتاﻧﺪ از‪:‬‬
‫‪ ‬ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﯾﮑﺲ‪(XRD)15‬‬
‫‪ ‬ﻃﯿﻒ ﺳﻨﺠﯽ ﺗﺒﺪﯾﻞ ﻓﻮرﯾﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ‪(FT-IR) 16‬‬
‫‪17‬‬
‫‪ ‬ﻃﯿﻔﺴﻨﺠﯿﺮاﻣﺎن‬
‫‪18‬‬
‫‪ ‬ﻣﯿﮑﺮوﺳﮑﻮﭘﺎﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﺮوﺑﺸﯽ )‪(SEM‬‬
‫‪19‬‬
‫‪ ‬ﻣﯿﮑﺮوﺳﮑﻮﭘﺎﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﻌﺒﻮري )‪(TEM‬‬

‫ﭘﺮاﺷﺎﺷﻌﻪ اﯾﮑﺲ‬
‫ﺑﺮاﯾﺎﻃﻤﯿﻨﺎن از ﺗﺒﺪﯾﻠﻤﻮﻓﻘﯿﺘﺂﻣﯿﺰﮔﺮاﻓﯿﺘﺒﻬﺎﮐﺴﯿﺪﮔﺮاﻓﯿﺘﻮ ﺳﭙﺲ ﺗﺒﺪﯾﻞ آن ﺑﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﻣﯽ‬
‫ﺗﺠﺰﯾﻬﻮﺗﺤﻠﯿﻠﭙﺮاﺷﭙﺮﺗﻮاﺷﻌﻬﺎﯾﮑﺲ)‪(XRD‬اﺳﺘﻔﺎده‬ ‫ﺗﻮاﻧﺎزروش‬
‫ﮐﺮد‪.‬ﻫﻤﺎﻧﻄﻮرﮐﻬﺎزﻃﯿﻔﻤﺮﺑﻮﻃﺒﻬﺼﻔﺤﺎﺗﮕﺮاﻓﯿﻨﮑﻪ در ﺷﮑﻞ‪)8-1‬ج(‪،‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪،‬‬
‫ﻗﻠﻪي ﻇﺎﻫﺮ ﺷﺪه در زاوﯾﻪي‪25‬درﺟﻪ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﻠﺮ ﺑﺎ ﺷﺎﺧﺺ‬
‫>‪<002‬اﺳﺘﻮﻓﺎﺻﻠﻬﺒﯿﻨﺼﻔﺤﺎت‪3.4‬آﻧﮕﺴﺘﺮوﻣﻤﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻃﯿﻒ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻬﺎﮐﺴﯿﺪﮔﺮاﻓﯿﺖ )ﺷﮑﻞ‬

‫‪1‬‬
‫‪X-ray Diffraction‬‬
‫‪16‬‬
‫‪Fourier-Transform Infrared Spectroscopy‬‬
‫‪17‬‬
‫‪Raman Spectroscopy‬‬
‫‪18‬‬
‫‪Scanning Electron Microscope‬‬
‫‪19‬‬
‫‪Transmission Electron Microscope‬‬
 ‫‪)8-1‬ب((ﺑﻬﻮﺿﻮﺣﺒﯿﺎﻧﮕﺮازﺑﯿﻨﺮﻓﺘﻨﻘﻠّﻪﻫﺎﯾﮕﺮاﻓﯿﺘﯿﻮﻇﻬﻮرﻗﻠّﻬﺠﺪﯾﺪدر‪10.50‬درﺟﻪ‬
‫اﺳﺘﮑﻬﺒﻬﺼﻔﺤﻪ>‪<002‬اﮐﺴﯿﺪﮔﺮاﻓﯿﺘﻨﺴﺒﺘﺪادﻫﻤﯽﺷﻮد‪.‬‬
‫اﯾﻨﻘ ّﻠﻬﺒﻬﺎﻓﺰاﯾﺸﻔﺎﺻﻠﻬﺼﻔﺤﺎﺗﮕﺮاﻓﯿﻨﺎز‪ 3.4‬آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺑﻪ ‪ 8.5‬آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﻧﺴﺒﺘﺪادﻫﻤﯽ‬
‫ﺷﻮدﮐﻬﺒﻬﻌﻨﻮاﻧﻨﺘﯿﺠﻪاﯾﺎزﺷﮑﺴﺘﮕﯿﭙﯿﻮﻧﺪﺿﻌﯿﻔﻮاﻧﺪرواﻟﺴﺒﯿﻨﻼﯾﻪﻫﺎﯾﺪاﺧﻠﯿﮕﺮاﻓﯿﺘﺎﺳﺖ ‪(Wang et‬‬
‫)‪.al., 2011‬‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ - 8- 1‬اﻟﮕﻮي ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﯾﮑﺲ)‪(XRD‬از )اﻟﻒ( ﮐﺮﺑﻦ ‪) ،12‬ب( اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﺖ‪)،‬ج( ﮔﺮاﻓﯿﻦ ‪(Wang et‬‬
‫)‪al., 2011‬‬

‫ﻃﯿﻒ ﺳﻨﺠﯽ ‪FT-IR‬‬

‫‪FT-IR‬از‬ ‫ﺳﻨﺠﯽ‬ ‫ﻃﯿﻒ‬
‫اﺑﺰارﻫﺎﯾﻤﻨﺎﺳﺒﯿﺒﺮاﯾﺸﻨﺎﺳﺎﯾﯿﭙﯿﻮﻧﺪﻫﺎﯾﺸﯿﻤﯿﺎﯾﯿﺪرﻣﻮادﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﭙﯿﭽﯿﺪﻫﺎﺳﺖ‪.‬ﻫﻤﺎﻧﻄﻮرﮐﻬﺎزﻧﻤﻮدار‬
‫ﻃﯿﻒ ﺳﻨﺠﯽ‪FT-IR‬ﻣﺮﺑﻮﻃﺒﻬﮕﺮاﻓﯿﻦ در ﺷﮑﻞ ‪9-1‬ﻣﺸﺨﺺ اﺳﺖ‪،‬ﺷﺪﺗﻘﻠّﻪﻫﺎﯾﺠﺬﺑﯿﮕﺮاﻓﯿﻨﺪر‬
‫اﮐﺴﺎﯾﺪ‬ ‫ﮔﺮاﻓﯿﻦ‬ ‫ﺑﺎ‬ ‫ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ‬
‫ﺑﻬﻄﻮرﻗﺎﺑﻠﺘﻮﺟﻬﯿﮑﺎﻫﺸﻤﯽﯾﺎﺑﺪﯾﺎﺣﺘﯿﺒﻌﺪازﻣﺮاﺣﻼﺣﯿﺎﯾﺸﯿﻤﯿﺎﯾﯿﻨﺎﭘﺪﯾﺪﻣﯽﺷﻮد‪.‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻨﻤﯽﺗﻮان‬
‫ﮔﻔﺘﮑﻬﮕﺮوهﻫﺎﯾﺤﺎوﯾﺎﮐﺴﯿﮋﻧﺪراﮐﺴﯿﺪﮔﺮاﻓﯿﺘﺪراﺛﺮ اﺣﯿﺎاﮐﺴﯿﺪﮔﺮاﻓﯿﻨﺘﺠﺰﯾﻬﻤﯽﺷﻮد ‪(Shen et‬‬
‫)‪.al., 2011‬‬
‫)اﻟﻒ(‬

‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-9‬ﻃﯿﻒ ﺳﻨﺠﯽ ‪ FT-IR‬از اﻟﻒ( اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﺖ و ب( ﮔﺮاﻓﯿﻦ)‪(Shen et al., 2011‬‬

‫ﻃﯿﻔﺴﻨﺠﯿﺮاﻣﺎن‬
‫ﻃﯿﻔﺴﻨﺠﯿﺮاﻣﺎﻧﺮوﺷﻤﻨﺎﺳﺒﯿﺒﺮاﯾﺒﺮرﺳﯿﻤﺎﻫﯿﺘﭙﯿﻮﻧﺪﻣﻮادﮐﺮﺑﻨﯿﻤﺨﺘﻠﻔﺎزﺟﻤﻠﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ‪ ،‬ﮔﺮاﻓﯿﻦ‬
‫اﮐﺴﺎﯾﺪ و ﻧﺎﻧﻮ ﻟﻮﻟﻪﻫﺎي ﮐﺮﺑﻨﯽ را ﻓﺮاﻫﻤﻤﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪10-1‬ﻃﯿﻔﺮاﻣﺎن ﺗﻮﺳﻂ ﻟﯿﺰرﺑﺎ ﻃﻮل‬
‫ﻣﻮج‪ 532‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮي را ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪﮐﻪ دو ﻗﻠّﻪ ﺑﺎ ﺷﺪت ﺑﺎﻻ ﯾﮑﯽ در‪ 1580cm-1‬ﺑﻪ ﻧﺎم ﻗﻠّﻪي‬
‫‪G‬و دﯾﮕﺮي در ‪2700cm-1‬ﺑﻪ ﻧﺎم ‪2D‬ﻇﺎﻫﺮ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺑﯿﺸﺘﺮ ﻃﯿﻒﻫﺎي راﻣﺎن از‬
‫ﻓﯿﻠﻢﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﺮ روﯾﺰﯾﺮﻻﯾﻪ ﮐﻮارﺗﺰ ﺑﺎ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﻤﺘﺮ و ﺣﺠﯿﻢ ﯾﺎ ﭼﻨﺪﻻﯾﻪ‪ ،‬ﻣﯽﺗﻮان‬
‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﮑﻨﯿﮑﺎﺳﺘﻔﺎده از اﻣﻮاج ﻣﺎﻓﻮق ﺻﻮت‪ 20‬ﺑﺮاي ﺟﺪا ﮐﺮدن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮔﺮاﻓﯿﻦ از ﻫﻤﺮا‬
‫ﺑﺮرﺳﯽ ﮐﺮد‪ .‬ﮐﯿﻔﯿﺖ ﮔﺮاﻓﯿﻦ را ﻣﯽﺗﻮان ﺑﺎ ﺗﺤﻠﯿﻠﻨﺴﺒﺘﺸﺪت ﺑﺎﻧﺪ ‪D‬ﻧﺎﺷﯽ از اﺧﺘﻼل و ﺑﺎﻧﺪ‬
‫راﻣﺎن ﻣﺠﺎز ‪(ID / IG)،G‬اﻧﺪازهﮔﯿﺮي ﮐﺮد‪ .‬ﻣﻘﺪار ﺑﺎﻻﺗﺮ ‪ ID / IG‬ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪهي ﻧﻘﺎﯾﺺ‬
‫ﺑﯿﺸﺘﺮي در ﮔﺮاﻓﯿﻦ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻘﺪار ‪ ID / IG‬ﺑﺮاي ﮔﺮاﻓﯿﻦ روي ﮐﻮارﺗﺰ‪0.184،‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺷﺪه‬
‫اﺳﺖ‪ ،‬ﮐﻪ ﮐﻤﺘﺮ از ﻣﻘﺪار آن در ﺣﺎﻟﺖ ﻋﺪم اﺳﺘﻔﺎده از اﻣﻮاج ﻣﺎﻓﻮق ﺻﻮت )‪(0.265‬‬
‫اﺳﺖ‪.‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻨﻨﺘﺎﯾﺞ ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ ﮐﻪ ﮔﺮاﻓﯿﻦ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻣﻮاج ﻣﺎﻓﻮق ﺻﻮﺗﺒﺮ‬
‫روﯾﺰﯾﺮ ﻻﯾﻪي ﮐﻮارﺗﺰ داراي ﻧﻘﺺ ﮐﻤﺘﺮي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪي ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺪون اﻣﻮاج‬
‫ﻣﺎﻓﻮق ﺻﻮﺗﺎﺳﺖ)‪.(Zheng et al., 2013‬‬

‫‪20‬‬
‫‪Ultrasonic‬‬
 ‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-10‬ﻃﯿﻒﻫﺎي راﻣﺎن ﮔﺮاﻓﯿﻦ روي ﮐﻮارﺗﺰ‪)،‬اﻟﻒ( ﺑﺎ اﻣﻮاج ﻣﺎﻓﻮق ﺻﻮت و )ب(ﺑﺪون اﻣﻮاج ﻣﺎﻓﻮق‬
‫ﺻﻮت)‪(Zheng et al., 2013‬‬

‫ﻣﯿﮑﺮوﺳﮑﻮﭘﺎﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﺮوﺑﺸﯽ)‪(SEM‬‬
‫)رﯾﺨﺘﺴﻄﺢ‬ ‫ﻣﯿﮑﺮوﺳﮑﻮﭘﺎﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﺮوﺑﺸﯽ)‪(SEM‬اﻃﻼﻋﺎﺗﺪﻗﯿﻘﯿﺪرﻣﻮردﻣﻮرﻓﻮﻟﻮژﯾﺨﺎرﺟﯽ‬
‫ﻧﻤﻮﻧﻪ(‪،‬ﺗﺮﮐﯿﺒﺎﺗﺸﯿﻤﯿﺎﯾﯿﻮﺳﺎﺧﺘﺎرﺷﺒﮑﻪاﯾﻤﻮادرا ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﻣﺒﻨﺎﯾﻌﻤﻠﮑﺮد اﯾﻦ ﻣﯿﮑﺮوﺳﮑﻮپ‪،‬‬
‫ﺑﺮﻫﻢﮐﻨﺶ ﭘﺮﺗﻮي اﻟﮑﺘﺮوﻧﯽ ﺑﺎ ﻣﺎده اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺮﺗﻮﻫﺎﯾﺴﺎﻃﻌﺸﺪﻫﺎزاﯾﻨﺒﺮﻫﻢﮐﻨﺶ ﻣﯽﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺟﻬﺖ‬
‫ﺑﺮرﺳﯽﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎدﻫﻘﺮارﮔﯿﺮﻧﺪ‪ .‬ﺗﺼﺎوﯾﺮ‪SEM‬ﮔﺮاﻓﯿﻨﻤﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ‪-1‬‬
‫ﺳﺎﺧﺘﺎرورﻗﻪ‬ ‫ﮐﻬﺒﯿﺎﻧﮕﺮﺗﺸﮑﯿﻞ‬ ‫دادﻫﺸﺪﻫﺎﺳﺖ‬ ‫‪11‬درﺑﺰرﮔﻨﻤﺎﯾﯿﻤﺨﺘﻠﻔﻨﺸﺎن‬
‫اﯾﻨﺎﻧﻮﺻﻔﺤﺎﺗﮕﺮاﻓﯿﻨﻤﯽﺑﺎﺷﺪ)‪.(Sawangphruk et al., 2012‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ - 1-11‬ﺗﺼﺎوﯾﺮ ‪ SEM‬ﻧﺎﻧﻮذرات ﮔﺮاﻓﯿﻦ در ﺑﺰرﮔﻨﻤﺎﯾﯽﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ‪ .‬ﺧﻂ ﻣﻘﯿﺎس در ﺷﮑﻞ )اﻟﻒ( و )ب( ﺑﻪ‬
‫ﺗﺮﺗﯿﺐ ‪ 5‬ﻣﯿﮑﺮوﻣﺘﺮ و ‪ 100‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ اﺳﺖ)‪(Sawangphruk et al., 2012‬‬

‫ﻣﯿﮑﺮوﺳﮑﻮﭘﺎﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﻌﺒﻮري)‪(TEM‬‬

‫اﯾﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﻗﺎﺑﻠﯿﺘﺘﺼﻮﯾﺮ ﺑﺮدارﯾﺎزرﯾﺰﺳﺎﺧﺘﺎرﻣﻮادﺑﺎﺑﺰرﮔﻨﻤﺎﯾﯽ ‪ 103‬ﺗﺎ ‪ 106‬ﺑﺮاﺑﺮ‪ ،‬ﺑﺎ‬

‫ﻗﺪرﺗﺘﻔﮑﯿﮑﯿﺪرﺣﺪﮐﻮﭼﮑﺘﺮازﯾﮑﻨﺎﻧﻮﻣﺘﺮرادارد‪.‬‬
‫دراﯾﻨﻨﻮﻋﻤﯿﮑﺮوﺳﮑﻮپ‪،‬ﭘﺮﺗﻮاﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﺎزﻧﻤﻮﻧﻬﻌﺒﻮرﻣﯽﮐﻨﺪﺗﺎازﺳﺎﺧﺘﺎرداﺧﻠﻨﻤﻮﻧﻬﺘﺼﻮﯾﺮﺑﮕﯿﺮد‪ ،‬ﺑﻪ‬
‫اﯾﻦ ﺧﺎﻃﺮ اﻟﮑﺘﺮوﻧﺒﺎﯾﺪﺷﺘﺎﺑﻮاﻧﺮژﯾﺒﯿﺸﺘﺮﯾﺪاﺷﺘﻬﺒﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﻫﻤﺎﻧﮕﻮﻧﻬﮑﻬﺪر ﺷﮑﻞ ‪ 12-1‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪،‬ﺗﺠﺰﯾﻪ و ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻣﯿﮑﺮوﺳﮑﻮپ‬
‫اﻟﮑﺘﺮوﻧﯿﻌﺒﻮري )‪ (TEM‬ﺟﺪا ﺷﺪن ﻧﺎﻧﻮ ذرات ﮔﺮاﻓﯿﻦ از اﮐﺴﯿﺪ ﮔﺮاﻓﯿﺘﺮا ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ‪ ،‬ﮐﻪ‬
‫ﭘﺲ از ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻦ در ﺳﺎﻧﺘﺮﯾﻔﯿﻮژ )ﺑﻪ روش ﺣﻼﻟﯽ( ﻣﻘﺎدﯾﺮ زﯾﺎدي از ﮔﺮاﻓﯿﻦﻫﺎﯾﺘﮏ ﻻﯾﻪ و‬
‫ﭼﻨﺪﻻﯾﻬﺘﺸﮑﯿﻞ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﻣﯿﺰان ﺑﺎﻻﯾﮕﺮاﻓﯿﻦ ﺗﮏ ﻻﯾﻪي ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺷﺪه‪ ،‬ﺑﺎﻋﺚ ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ آﻧﻬﺎ‬
‫ﻣﻨﺎﺳﺐ‬ ‫ﻧﺎزك‬ ‫ﻓﯿﻠﻢﻫﺎي‬ ‫ﺗﻬﯿﻪ‬ ‫ﻣﺎﻧﻨﺪ‬ ‫ﮐﺎرﺑﺮدي‬ ‫ﺑﺮﻧﺎﻣﻪﻫﺎي‬ ‫ﺑﺮاي‬
‫ﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬اﯾﻨﻨﺎﻧﻮذراﺗﺪاراﯾﯿﮑﺴﺎﺧﺘﺎرورﻗﻪاﯾﺸﮑﻠﻨﯿﻤﻪﺷﻔﺎﻓﻬﺴﺘﻨﺪ‪،‬در ﺗﺼﺎوﯾﺮ ‪TEM‬در ﻗﺴﻤﺖ‬
‫ﺑﻮدﻫﻮدرﻗﺴﻤﺖﻫﺎﯾﺘﯿﺮه‬ ‫ﻫﺎﯾﯿﮑﻬﺎﯾﻨﻮرﻗﻪﻫﺎﺷﻔﺎفﺗﺮﻫﺴﺘﻨﺪﺗﻌﺪادﻻﯾﻪﻫﺎﯾﺼﻔﺤﺎﺗﮕﺮاﻓﯿﻨﯿﮑﻤﺘﺮ‬
‫ﺗﺮﺗﻌﺪادﻻﯾﻪﻫﺎﺑﯿﺶﺗﺮ اﺳﺖ)‪.(King et al., 2010‬‬
 Study of the nonlinear optical properties of two dimensional nano
Title and Author: structures by means of Z-Scan technique
/ Afshin Alipour
Dr. Farhad Sattari
Supervisor:
Dr. SoghraMirershadi
Dr. Seyedeh Zahra Mortazavi
Graduation date: 1397/08/09
Number of pages: 133
Abstract
Research Aim:Among the layered structures, MoS2and graphene have been
illustrated to be viable for many device applications such as ultrafast lasers,
photocatalysts and memristors. Also the optical properties of MoS2and
graphene show interesting layer affiliation that makes a potential for them
with various nonlinear optical responses like optical limiting, saturable
absorption, two-photon absorption, multi-photon absorption and second and
third harmonic generations. Indeed, these optical materials are used for
photonic devices such as optical limiters, mode-lockers, and Q-switchers.
Thus, the aim of our study is to investigate the nonlinear optical properties of
MoS2and graphene by the Z-scan technique.
Research method:The nonlinear optical response of graphene and MoS2 2D
structures is investigated using Z-scan technique, employing continuous wave
laser at 532 nm. The Z-scan technique is a sensitive and standard technique
that was employed for measuring the sign and magnitude of nonlinear
refractive index as well as nonlinear absorption coefficient that offers
simplicity as well as high sensitivity. The two measurable quantities are
nonlinear absorption (NLA) and nonlinear refraction (NLR). Nonlinear
absorption is determined by ‘open-aperture’ (OA) Z-scan. While nonlinear
refraction is determined by ‘closed-aperture’ (CA) Z-scan. Furthermore, the
technique give the real and imaginary parts of the third-order susceptibility,
χ(3), and provide important information about the nonlinear optical properties
of the materials.
Findings: Obtained nonlinear optical parameters with the result of Z-scan
measrements show that the nonlinear optical properties can be tuned by the
film thickness and incident laser power in two-dimensional MoS2 and
graphene structures.
Conclusion:The corresponding thirdorder susceptibilities is determined to be as
large as 10-7 (esu) under laser excitation. This large third-order optical
nonlinearity, makes these structures suitable for application of optoelectronic
devices and phototransistors.
Keywords:Nonlinear optical properties, nonlinear refractive index, nonlinear
susceptibility, nonlinear absorption,Two-dimensional MoS2 and graphene
structures, Z-Scan technique.
 University of Mohaghegh Ardabili
Faculty of Science
Department of Physics

Thesis submitted in partial fulfillment for the degree of

M.Sc. in the field of solid state physics

Study of the nonlinear optical properties of two

dimensional nano structures by means of Z-
Scan technique

By:
Afshin Alipour

Supervisor:
Dr. Farhad Sattari
Dr. SoghraMirershadi

Advisor:
Dr. Seyedeh Zahra Mortazavi
31 October 2018