Professional Documents
Culture Documents
Elektronika 1 Za Usmeni Ispit, Sasvim Dovoljno
Elektronika 1 Za Usmeni Ispit, Sasvim Dovoljno
Elektronika 1 Za Usmeni Ispit, Sasvim Dovoljno
Einsteinova relacija:
Dn
kT Dp kT
; = UT - naponski ekvivalent
n q p q
struje
Pokretljivost - složena funkcija: temperature, koncentracije primjesa i jakosti električnog polja [ =
(T, N, F)], a dodatno ovisi i o mehanizmu raspršenja elektrona (šupljina).
umnožak ukupnog broja elektrona koji sudjeluju u difuziji (nDIF) i jediničnog naboja (–q).
PN dioda
PIN diode (mali otpor propusne polarizacije, mali barijerni kapacitet neovisan o naponu)
Tunelske - Esaki diode (brzi rad u sklopnom režimu, negativan otpor u propusnom dijelu
karakteristike)
Mehanizmi proboja:
Lavinska multiplikacija – induciraju se nosioci naboja zbog sudaranja s kristalnom rešetkom pri
visokom naponu proboja
Tunelski efekt – dolazi do prijelaza nosioca naboja kroz osiromašeno područje zbog niskog naboja
BJT – u radu sudjeluju oba nosioca naboja, sastoji se od 2 PN spoja, upravljan je strujom baze, ima
3 elektrode: emiter, baza, kolektor
Simboli:
Više se koristi NPN tranzistor jer su elektroni pokretljiviji od šupljina 2-3 puta
I C I CB0
Uvijek <1! Znači SZB nema strujnog pojačanja!
IE
I C I E I CE 0 I E (1 ) I CB0
I C I CB0
I B I CB0
h-parametri su koeficijenti proporcionalnosti između diferencijala struja i napona
i
Faktor strujnog pojačanja: h f IZL
iUL U IZL konst./ uIZL 0
i
Izlazna dinamičke vodljivost ( Izlazna karakteristika ): g d D
u DS U GS konst
i
Faktor strmine ( Prijenosna karakteristika ) : g m D
u GS U DS konst
MOSFET – tranzistori s efektom polja s izoliranom upravljačkom elektrodom. Može biti obogaćeni (
ne vodi pri Ugs =0V ) i osiromašeni ( vodi pri Ugs = 0V ), upravljan je naponom i ima 4 elektrode:
upravljačku (G), odvod (D), dovod (S) i podloga (B). Načelo rada: Na lagano dopiranoj podlozi B od
materijala P tipa postupkom difuzije stvoreni su N+ slojevi uvoda S i odvoda D. Između njih se na
površini stvara N kanal. Taj se kanal inducira djelovanjem napona na upravljačkoj elektrodi G.
Tehnološki presjek MOSFET-a:
Nadomjesni spoj na visokim frekvencijama
Dinamički parametri: