5.

kolokvij iz elektronike
Pitanja
1. Opisati toplinski bijeg u bipolarnom tranzistoru.
2. Na nekoj ne linearnoj I-U karakteristici definirati veliki i mali signal.
3. Što je linearni režim rada?
4. Opisati sve trenutne totalne vrijednosti struja i napona tranzistora u spoju zajedničkog
emitera.
5. Pokazati linearnu vezu između izmjeničnih promjena koncentracija naboja i
izmjeničnog napona koji ju je izazvao. Režim malog signala!
6. Prema definiciji struja i napona četveropola izraziti ovisnost ulaznog napona i izlazne
struje, o ulaznoj struji i izlaznom naponu.
7. Iz totalnog diferencijala gornjih izraza odrediti h-parametre. Nacrtati nadomjesni
sklop bipolarnog tranzistora s h-parametrima.
8. Kakva je veza h-parametara i tehnoloških parametara tranzistora?
9. Nacrtati Earlyjev nadomjesni sklop. Koje fizikalno značenje imaju elementi tog
sklopa?
10. Kako glase h-parametri takvog sklopa?
11. Pomoću nadomjesnog sklopa za spoj zajedničkog emitera i h-parametara za spoj
zajedničke baze, naći h-parametre za spoj zajedničkog emitera.
12. Grafički odrediti h-parametre iz I-U karakteristika za spoj zajedničkog emitera.
13. Objasniti načelo mjerenja h-parametara.
14. Što je hibridni π-nadomjesni sklop i gdje se upotrebljava?
15. Pokazati vezu između otpornih elemenata π-nadomjesnog sklopa i h-parametara.
16. Kako je definirana i o čemu ovisi granična frekvencija spoja zajedničke baze?
17. Kako je definirana granična frekvencija spoja zajedničkog emitera?
18. Što je frekvencija fT?
19. Poredati po veličini frekvencije fhfb, fT i fhfe.
20. Što je radna točka i radni pravac? Za spoj zajedničkog emitera pokazati ulazak
tranzistora u zasićenje i zapiranje.
21. Što je duboko zasićenje?
22. Koja je svrha spajanja Schottkyjeve diode paralelno spoju baza-kolektor tranzistora?
23. koje su bitne karakteristike tranzistora kao sklopke?

1. Zašto se tranzistori s efektom polja nazivaju i unipolarnim tranzistorima?

2. Koje su dvije osnovne vrste FET-ova? Po čemu se oni bitno razlikuju?
3. Skicirati presjek spojnog FET-a. Označiti područje uvoda S, odvoda D i upravljačke
elektrode G i kanala.
4. Objasniti načelo rada FET-a.
5. Na kojem je naponu UGS najširi kanal N-kanalnog spojnog FET-a?
6. Na kojem se naponu UGS prekida kanal N-kanalnog spojnog FET-a?
7. Što je napon dodira? Zbog kojih još razloga dolazi do prekida kanala?
8. Izvesti izraz za struju spojnog FET-a. Nacrtati I-U karakteristiku.
9. Na I-U karakteristikama označiti: triodno područje, područje zasićenja i područje
linearnog naponski promjenjivog otpora.
10. Nacrtati prijenosnu karakteristiku N-kanalnog i P-kanalnog spojnog FET-a.
11. Što je modulacija duljine kanala i gdje se na I-U karakteristikama vidi njezin utjecaj?
12. Definirati dinamičke parametre i nacrtati nadomjesni spoj FET-a.
13. Kako je definirana izlazna dinamička vodljivost?
14. Kako je definirana strmina FET-a?
15. Objasniti princip rada MESFET-a.
 Odgovori

1. Toplinski bijeg zbog pregrijavanja bipolarnog tranzistora dovodi do njegovog

uništenja. Velika snaga disipirana na tranzistoru poveća njegovu temperaturu T, ona
poveća efekt porasta  zbog čega se kod dane struje baze poveća struja kolektora. Veća
struja IC izaziva daljnje povećanje disipacije na kolektoru i ciklus se ponavlja sve do
samouništenja. Toplinski bijeg uzrokuje trajno uništenje tranzistora ako nisu uvedena
sklopovska ograničenja.
2. Veliki signal-simetrična promjena jedne veličine (struje) oko radne točke izazivaju
nesimetričnu promjenu druge veličine (napon)-nelinearna ovisnost veličina. Mali signal-
simetrične promjene jedne veličine (struje) oko radne točke izazivaju simetrične promjene
druge veličine (napon)-linearna ovisnost veličina. I u režimu malog i u režimu velikog
signala parametri tranzistora ovise i o frekvenciji.
3. Linearni režim nastaje kod malog signala kod kojeg simetrična promjena jedne
veličine oko radne točke izaziva simetrične promjene druge veličine. Kod takvih se uvjeta
(promjena) nelinearna karakteristika u okolici radne točke Q može linearizirati pa je
tranzistor u linearnom režimu rada.
4. iB(t)= IB + ib(t)
uBE(t)= UBE + ube(t)
iC(t)= IC + ic(t)
uCE(t)= UCE + uce(t)
Veličine na lijevoj strani označavaju trenutačne ukupne vrijednosti, koje se mogu prikazati
zbrojem istosmjernih i izmjeničnih vrijednosti s desne strane. Malo slovo označava
trenutačnu, a veliko istosmjernu vrijednost. U indeksu malo slovo označava izmjeničnu, a
veliko istosmjernu veličinu. Istosmjerne komponente određuju radnu točku tranzistora o
kojoj ovisi da li tranzistor radi u NAP-u, području ZAS, području ZAP. Da bi radio kao
pojačalo tranzistor treba postaviti u NAP, a za rad u režimu sklopke u ZAS i ZAP.
5. Linearna veza između izmjeničnih promjena koncentracija naboja i izmjeničnog napona
koji ju je izazvao je:
u
n p (0) b  n p 0 (0) B  be .
UT
Izmjenična struja emitera ie linearno je ovisna o promjeni napona ube.
6. iUL iIZL
uUL= f (iUL, uIZL) uUL [h] uIZL
iIZL= f (iUL,uILZ)

7.
 uUL 
 U IZL  konst, , u izl  0 => hi -ulazni dinamički otpor uz konstantan istosmjerni
 iUL 
napon na izlazu ili KS izlaz za izmjenični signal
 uUL 
  I UL  konst , , iul  0 => hr- faktor povratnog djelovanja uz konstantnu istosmjernu
 i IZL 
struju na ulazu ili odspojen ulaz za izmjenični signal
 i IZL 
 U IZL  konst , , u izl  0 => hf- faktor strujnog pojačanja uz konstantan istosmjerni
 iUL 
napon na izlazu ili KS izlaz za izmjenični signal
  i IZL 
  I UL  konst , , I ul  0 => h0- izlazna dinamička provodnost uz konstantnu
 u IZL 
istosmjernu ulaznu struju ili odspojen ulaz za izmjenični signal
hi
iul iizl

+ ho
uul hr uizl ~ hf iul  uizl

8. Pomoću gore definiranih h-parametara male izmjenične struje i naponi tranzistora

linearno su povezani, pa vrijedi:
uul=hiiul+hruizl
iizl=hfiul+h0uizl

9. Ako se hibridnom nadomjesnom sklopu idealnog tranzistora doda omski otpor baze rbb'
(ima ulogu u režimu malog signala), tada se dobiva hibridni niskofrekvencijski nadomjesni
sklop realnog tranzistora tzv. Earlyjev nadomjesni sklop:
h'ib=r'e
E iul=-ie ic=iizl C

+ h'ob=g'c
u'eb h'rb ucb ~ h'fb ie 
u'cb

ueb B' ucb

rbb'=RBB'

ib

10. Kod svih ' parametara označava se da se radi o idealnom tranzistoru. Kod ovih h
parametara drugo slovo u indeksu označava da se radio o spoju sa zajedničkom bazom.
hib-ulazni dinamički otpor uz konstantan istosmjerni napon na izlazu~r'e+rbb'(1+h'fb)
hrb-faktor povratnog djelovanja uz konstantnu istosmjernu struju na ulazu~h'rb+rbb'g'c
hfb- faktor strujnog pojačanja uz konstantan istosmjerni napon na izlazu~h'fb
h0b- izlazna dinamička provodnost uz konstantnu istosmjernu ulaznu struju~g'c
11. pomoću h parametara zajedničke baze
hie= (ube/ib)uce=0 hib/(1+hfb)
hre= (ube/uce)ib=0 [h0bhib/(1+hfb)]-hrb~ -hrb
hfe= (ic/ib)uce=0 -hfb/(1+hfb)
h0e= (ic/uce)ib=0 h0b/(1+hfb)
 -hfb ie

E iul=ib ic=iizl C

Spoj ZE s h parametrima ZB.

h0b
ube hib uce

-ie

B
12. Grafičko određivanje h parametara iz I-U karakteristika tranzistora za spoj ZE
 U BE 
hie=  U CE  konst. određuje se iz ulaznih karakteristika
 I B 
 U BE 
hre=   I B  konst. određuje se iz ulaznih karakteristika za dva napona UCE2 i UCE1
 U CE 
 I C 
hfe=  U CE  konst. određuje se iz izlaznih karakteristika za dvije struje IB2 i IB1
 I B 
 I C 
h0e=   I B  konst. određuje se iz izlaznih karakteristika
 U CE 
13. Određivanje h parametara mjerenjem. Prema uvjetima iz 7. zadatka. za izmjenične
signale, h parametri se mjere uz kratko spojeni izlaz ili uz otvoren ulaz.
14. Hibridni π-nadomjesni se dobiva π-nadomjesnog sklopa dodavanjem otpora rbb'. Svi
elementi tog nadomjesnog sklopa mogu se izračunati iz h-parametara i imaju izravnu vezu s
fizikalnim pojavama u tranzistoru. Upotrebljava se pri visokim frekvencijama.
15.
h-parametri izraženi preko elemenata hibridnog π-sklopa
hie= rbb' + rb'e
hre~ rb'e/rb'c
hfe= gm rb'e
h0e= (hfe+1)/rb'c+1/rce
Elementi hibridnog π-sklopa izraženi preko h-parametara
rbb'=hie-rb'e lateralni (bočni)otpor baze
rb'e=hfe/gm otpor aktivnog dijela baze
gm=hfe/rb'e strmina tranzistora
rb'c=rb'e/hr otpor nepropusno polariziranog kolektorskog spoja
rce=1/[h0b-(hfe+1)/rb'c] izlazni dinamički otpor kolektora
16. Porastom radne frekvencije povećavaju se i reaktivni učinci zbog kojih pojačanja
struje, napona i snage postaju frekvencijski ovisne veličine i smanjuju se porastom
frekvencije. Reaktivni učinci locirani su u bazi zbog akumulacije naboja u njoj, te
kapacitivnosti emiterskog i kolektorskog PN-spoja.
Granična frekvencija spoja ZB ovisi o:
-emiterskoj difuzijskoj kapacitivnosti Cde-najviše utječe na frekvencijsku ovisnost pojačanja
tranzistora…faktor strujnog pojačanja se smanjuje s porastom frekvencije
-emiterskoj barijernoj kapacitivnosti Cbe
-kolektorskoj difuzijskoj kapacitivnosti Cdc-utjecaj na graničnu frekvenciju vrlo mali
-kolektorskoj barijernoj kapacitivnosti Cbc-
-kolektorskoj struji Ic
-naponu UCB
17.

18. Frekvencija fT se naziva frekvencijom širine pojasa strujnog pojačanja i kod nje vrijedi
fa je |fhfe|=1
19. Frekvencije poredane po veličini fhfe<fT<fhfb.
20. Statički radni pravac predstavlja dopuštene statičke radne točke u zadanom sklopu, a
njegov nagib prema apscisi jednak je -1/RC. Statička radna točka je određena naponima
napajanja i strujama tranzistora. Kad tranzistor radi kao sklopka onda je polariziran tako
da radi ili u zasićenju ili u zapiranju. Zasićenje odgovara zatvorenoj sklopci (''ON'' stanje), a
zapiranje odgovara otvorenoj sklopci (''OFF'' stanje).
Tranzistor ulazi u zasićenje ako je struja baze dovoljno velika, tada se radna točka seli
u krajnji gornji položaj u kojem će kroz tranzistor teći velika kolektorska struja
IC~UCC/RC, a pad napona na kolektoru je vrlo mali UCEzas
Tranzistor se nalazi u zapiranju ako je struja baze nula ili negativna, tada je statička
radna točka u krajnjem desnom položaju radnog pravca. Struja kolektora je zanemariva ,
pad napona je gotovo jednak naponu kolektorske baterije UCC.
21. Duboko zasićenje je zasićenje kod kojeg se kolektorska struja gotovo ne mijenja,
iako je struja baze povećana, a napon UCE se i dalje smanjuje sve do UCEzas. Duboki ulazak u
zasićenje važan je jer on utječe na vrijeme koje je potrebno da tranzistor izađe iz stanja
zasićenja. Što je tranzistor manje u zasićenju to je i njegovo vrijeme isključivanja
(prelazak iz zasićenja u zapiranje) kraće.
22. Schottkyjevu diodu spajamo paralelno spoju baza-kolektor zbog ubrzanja rada
prekidačkih tranzistora, preklapaju i do 10 puta brže od običnog tranzistora.
23. Bitne karakteristike tranzistora kao sklopke su vremena uključivanja i isključivanja.
Vrijeme uključivanja tuklj.= td + tr, gdje je td vrijeme kašnjenja definirano kao vrijeme
potrebno da pri baznoj struji, struja kolektora dosegne 10% njene konačne vrijednosti, a tr
vrijeme porasta definirano kao vrijeme u kojem struja kolektora poraste sa 10% na 90%
vrijednosti.
Vrijeme isključivanja tisklj.= tst + tf, gdje je tst vrijeme zadržavanja obično definirano kao
vrijeme potrebno da struja IC padne na 90% pune vrijednosti, a tf vrijeme pada definirano kao
vrijem u kojem struja kolektora padne s 90% na 10% vrijednosti.

1. Tranzistori s efektom polja se nazivaju i unipolarnim tranzistorima zato što struju čine
samo većinski nosioci naboja.
2. Dvije osnovne vrste FET-a su N-kanalni FET i P-kanalni FET. Najčešće se koriste N-
kanalni FET-ovi jer je veća pokretljivost elektrona nego šupljina.
4. Spojni FET radi tako što upravljački napon UGS stvara el. polje koje će ovisno o
svojoj jakosti i smjeru inducirati tj. povećati ili smanjiti količinu naboja u poluvodiču.
Na taj način se povećava ili smanjuje vodljivost poluvodiča. Upravljački napon UGS
osigurava nepropusnu polarizaciju između p+ i N područja. Širina PN barijere je veće s
povećanjem napona UGS. Kroz preostali el. neutralni dio poluvodiča N-tipa zvanog kanal
teći će struja koja će ovisiti kako o naponu U DS tako i o naponu U GS. Ta struja se zove
struja odvoda ID.
5. Kanal N-kanalnog FET-a je najširi kada je napon UGS=0.
6. Kanal N-kanalnog FET-a se prekida kada je napon UGS= -Up.
7. Napon dodira Up je napon pri kojem se prekida kanal-zasićenje.
 1
   U GS  2
8. Izraz za struju spojnog FET-a: ID  G0 1     U DS , gdje je G0 vodljivost
  U p 

potpuno otvorenog kanala (dobivenu uz UGS=0), tj. vodljivost od zanemarive debljine
osiromašenog sloja (xn<<D). Za zadanu vrijednost reverznog napona UGS taj izraz pokazuje
linearnu ovisnost struje odvoda ID o naponu UDS.
11. U realnim tranzistorima efektivna duljina kanala se skraćuje čime se smanjuje i njegov
otpor, pa se povećanjem napona UDS struja odvoda ipak malo poveća (predstavlja onu
iscrtkanu liniju na izlaznoj karakteristici). Taj efekt se naziva modulacijom duljine kanala.
U biti to je povećanje struje odvoda u zasićenju (odstupanje od idealne karakteristike).
12. Dinamički parametri:
 i D 
gm=  U GS  konst.  strmina (prijenosna vodljivost)
 u GS 
1  i 
 g d   D U GS  konst.  izlazna dinamička provodnost
rd  u DS 

μ=gm∙rd  faktor naponskog pojačanja

14. Strmina je predstavljena nagibom prijenosnih karakteristika. Strmina je maksimalna za

UGS=0, osim toga strmina se može povećavati povećavanjem omjera W/L (širim, a kraćim
kanalom).