‫‪193‬‬ ‫سال اول شماره ‪ 3‬پاییز ‪1393‬‬

‫بابک عفافی‪ ،1‬محمدامین آبرومند‪،1‬‬

‫‪*،2‬‬
‫مرتضی ساسانی قمصری‬
‫بررسی اثر غلظت ناخالصی آلومینیوم بر‬
‫‪ .1‬آزمایشگاه نانوفوتونیک‪ ،‬دانشکده فیزیک‪ ،‬دانشگاه خوارزمی‪ ،‬تهران‬
‫‪ .2‬مرکز تحقیقات اپتیک و لیزر‪،‬تهران‬
‫خواص اپتیکی نانو کریستال‌های اکسیدروی‬

‫چکیده‬
‫در این پژوهش‪ ،‬روش تهیه سل غلیظ و پایدار اکسیدروی با غلظت ‪ 2‬موالر مورد بررسی قرار گرفته است‪ .‬این غلظت نقش بسیار‬
‫اساسی در تهیه الیه‌های نازک یکنواخت ایفا می‌کند‪ .‬به منظور بهبود خواص اپتیکی‪ ،‬اتم‌های ناخالصی آلومینیوم با درصدهای وزنی‬
‫مختلف به سل پایدار افزوده می‌شود که برای دستیابی به این مهم از پیش‌ماده‌ی استات روی دوآبه ‪ ،‬استات آلومینیوم بدون آب و تری‬
‫اتانول آمین (‪ )TEA‬به عنوان تنها پایدار کننده استفاده گردیده است‪ .‬میزان ناخالصی آلومینیوم در محلول با ‪ 4‬غلظت متفاوت از ‪%0/5‬‬
‫تا ‪ %2‬وزن اتمی مورد استفاده قرار گرفته است‪ .‬خواص اپتیکی نانو ذرات اکسیدروی در حضور ناخالصی آلومینیوم در این محلول با‬
‫محاسبه گاف انرژی و سایز ذرات از روی طیف جذبی و بررسی نشر نور با استفاده از طیف لومینسانس مورد تجزیه و تحلیل قرار می‌گیرد‪.‬‬

‫کلمات کلیدی‪ :‬سل غلیظ‪ ،‬اکسیدروی‪ ،‬ناخالصی آلومینیوم‪ ،‬سل‪-‬ژل‪.‬‬

‫‪ -1‬مقدمه‬
‫افزودن ناخالصی به نانوساختارهای نیم‌رسانا در سال‌های اخیر مسیری پویا جهت تحقیق و بررسی اثر اصالح‌کننده ناخالصی‌ها‬
‫بر خواص اپتیکی‪ ،‬الکتریکی و مغناطیسی نیم‌رساناها گشوده است [‪ .]1‬امروزه چنین سیستم‌هایی پایه‌ی اصلی بسیاری از ابزارآالت‬
‫اپتوالکترونیکی را تشکیل داده‌اند‪ .‬نیم‌رساناهای نانو ساختار با گاف انرژی پهن به دلیل خواص اپتیکی و الکتریکی نوین سهم چشم‌گیری‬
‫در تحقیقات دهه‌های اخیر ایفا کرده‌اند‪ .‬از این بین نیم‌رسانای نانو ساختار اکسیدروی (‪ )ZnO‬به دلیل جنبه‌های وسیع کاربرد صنعتی‪،‬‬
‫بیش‌ترین سهم را در این تحقیقات داشته است‪ .‬آالیش با اتم‌های چند ظرفیتی به جهت افزایش چگالی حامل‌های بار (الکترون‌ها با‬
‫بار منفی و حفره‌ها با بار مثبت) نقش بسیار مهمی در این حوزه ایفا می‌کند [‪ .]2‬از بین نیم‌رساناهای مختلف جهت آالیش با اتم‌های‬
‫ناخالصی‪ ،‬اکسیدروی به جهت غیرسمی بودن‪ ،‬ماده‌ای بسیار عالی برای این مهم است‪ .‬نانو ساختارهای اکسیدروی با شبکه شش‌گوش‬
‫ورتزیت و گاف انرژی پهن و مستقیم ‪ 3/3 eV‬در حالت ذاتی دارای خاصیت نیم‌رسانایی نوع منفی (‪ )n-type‬می‌باشند که در اثر‬
‫نقص‌های ذاتی این ماده از قبیل تهی‌جایی اکسیژن‪ )Vo( 1‬و عدم قرارگیری فلز روی در شبکه‪ )Zni( 2‬حاصل می‌شود [‪ .]3‬افزودن مقدار‬
‫کمی از اتم‌های ناخالصی به ماده‪ ،‬باعث ایجاد تغییرات گسترده‌ای در خواص الکتریکی و اپتیکی آن می‌شود‪ .‬در سالهای اخیر از بین‬
‫ناخالصی‌های موجود برای اصالح خواص الکترواپتیکی اکسیدروی عناصری از قبیل آلومینیوم‪ ،‬گالیم‪ ،‬لیتیم‪ ،‬سدیم و منگنز بیش‌تر مورد‬
‫توجه قرار گرفته‌اند [‪ .]4,5‬اکسیدروی آالییده به علت کاربردهای فراوان در فناوری‌های مختلف از قبیل ابزارآالت اپتوالکترونیکی‪،‬‬
‫‪1. Oxygen vacancy‬‬
‫‪2. Zinc interstitials‬‬

‫‪*Correspondent Author Email: msasani@aeoi.org.ir‬‬ ‫تاریخ پذیرش‪93/7/16 :‬‬ ‫تاریخ دریافت‪93/5/25 :‬‬
 ‫سال اول شماره ‪ 3‬پاییز ‪1393‬‬
‫‪194‬‬

‫پیوندگاه‌های یک‌سوساز‪ ،‬سلول‌های خورشیدی فوتوولتائیک‪ ،‬یابنده‌های نوری ماوراءبنفش و بسیاری کاربردهای دیگر بسیار مورد توجه‬
‫قرار گرفته است [‪ .]6,7‬از این بین آلومینیوم به دلیل فراوانی منابع آن‪ ،‬ارزانی و ساختار شبکه ویژه به عنوان ناخالصی بخشنده الکترون‬
‫برای ایجاد نیم‌رسانای نوع منفی بیش‌تر مورد توجه قرار گرفته است‪ .‬آلومینیوم فلزی است که در الیه‌ی ظرفیت خود تنها ‪ 3‬الکترون‬
‫اضافه نسبت به آرایش پایدار گازهای نجیب را دارا می‌باشد‪ ،‬پس با قرارگیری در شبکه بلوری اکسیدروی به جای یون ‪ Zn2+‬جای می‌گیرد‬
‫و با افزایش چگالی حامل‌های بار از ‪ 2‬مسیر به اصالح خواص الکترواپتیکی این ماده کمک می‌کند‪ ،‬مسیر اول جابه‌جایی تراز انرژی فرمی‬
‫بر اثر افزایش چگالی حامل‌های بار است و مسیر دوم در اثر جابه‌جایی ترازهای گسسته انرژی در نوارهای ظرفیت و رسانش می‌باشد‬
‫که منجر به تغییر و جابه‌جایی گاف انرژی ماده می‌شود [‪.]8‬‬

‫برای تهیه نانو ساختارهای اکسیدروی روش‌های فیزیکی و شیمیایی بسیاری مورد استفاده قرار می‌گیرد که از این بین روش شیمیایی‬
‫سل‪-‬ژل به دلیل امکان کنترل خواص ماده و هزینه کم جهت کاربردهای صنعتی بزرگ مقیاس بیش‌تر مورد توجه قرار گرفته است[‪.]9‬‬
‫حال آنکه تهیه سل غلیظ به جهت پایداری کوتاه مدت مشکل اساسی محققان در تهیه محلولی همگن و با کیفیت جهت کاربردهای‬
‫الیه‌نشانی می‌باشد که به سادگی امکان پذیر نیست و نیازمند دقت باال در انتخاب و ترکیب پیش واکنش‌گرها و کنترل عوامل موثر بر‬
‫واکنش خواهد بود[‪ .]10‬در این تحقیق روش تهیه سل غلیظ اکسیدروی با پایداری طوالنی مدت و تاثیر غلظت‌های مختلف ناخالصی‬
‫آلومینیوم بر روی خواص اپتیکی این ماده از طریق بررسی طیف‌های جذبی‪ ،‬عبوری و لومینسانس از دیدگاه نظری و تجربی مورد تجزیه‬
‫و تحلیل قرار خواهد گرفت‪.‬‬

‫‪ -2‬روش تجربی‬

‫پیش‌ماده‌های مورد استفاده در این آزمایش با درجه خلوص باال می‌باشند که شامل ‪ )1 :‬استات روی دو آبه مرک آلمان با درجه‬
‫خلوص ‪ ، %99/5‬استات آلومینیوم سیگما آلدریچ آمریکا با درجه خلوص ‪ ، %99/9‬اتانول مطلق با درجه خلوص ‪ %99/7‬و تری اتانول‬
‫آمین (‪ )TEA‬مرک آلمان با درجه خلوص ‪ %99/5‬می باشد‪.‬‬

‫‪ 1-2‬تهیه سل پایدار اکسیدروی‬

‫به منظور تهیه سل غلیظ و پایدار اکسیدروی از روشی مشابه روش ارائه شده در مرجع [‪ ]11‬استفاده شده که در آن ابتدا ‪20 mL‬‬
‫اتانول مطلق را در دمای ‪ 60 oC‬گرم کرده و مقدار مناسب استات روی را جهت تهیه‌ی سلی با غلظت ‪ 2‬موالر به آن افزوده و در همین‬
‫دما روی همزن مغناطیسی قرار می‌دهیم ‪ .‬از آن‌جایی که انحالل استات‌روی در اتانول مطلق بسیار ناچیز است به میزان خیلی دقیق‪،‬‬
‫تری اتانول آمین به محلول افزودیم که با گذشت ‪ 30‬دقیقه انحالل کامل و سل شفاف پایدار حاصل شد‪ .‬به دلیل غلظت بسیار زیاد‬
‫محلول تنظیم مقدار پایدارکننده و شیوه‌ی افزودن آن به محلول کار دشواری است که نیازمند دقت بسیار باال به هنگام افزودن ‪ TEA‬به‬
‫محلول می‌باشد تا مانع از به هم چسبیدن ذرات و تشکیل ژل شود‪ .‬سل تهیه شده به این روش دارای پایداری طوالنی مدت می‌باشد‪.‬‬

‫‪ 2-2‬افزودن ناخالصی آلومینیوم‬

‫جهت افزودن ناخالصی آلومینیوم به سل اکسیدروی از پیش‌ماده‌ی استات آلومینیوم استفاده می‌شود‪ .‬مزیت استفاده از این نوع‬
‫نمک آلومینیوم در مقایسه با نمکهای دیگر این ماده از قبیل آلومینیوم کلرید و آلومینیوم نیتریت‪ ،‬انحالل بیش‌تر و بهتر استات است که‬
‫در محیط استاتی کمپلکس‌های کم‌تری تولید کرده و به افزایش مدت زمان پایداری سل کمک می‌کند [‪ .]12,13‬برای این منظور به‬
‫‪195‬‬ ‫سال اول شماره ‪ 3‬پاییز ‪1393‬‬

‫جای افزودن مستقیم استات آلومینیوم به سل اکسیدروی به جهت جلوگیری از تشکیل خوشه و کاهش پایداری‪ ،‬بهتر است ابتدا استات‬
‫آلومینیوم را به شکل محلول درآورده و سپس به سل اکسیدروی بی‌افزائیم که این مهم پس از تهیه تعداد زیادی سل در حضور ناخالصی‬
‫آلومینیوم استنباط شده است‪ .‬به همین جهت مقدار مورد نیاز از استات آلومینیوم را در ‪ 1 mL‬اتانول غیرمطلق ( به دلیل انحالل بهتر‬
‫استات در این حالل ) در دمای‪ 80 oC‬روی همزن مغناطیسی قرار داده تا انحالل کامل شود‪ ،‬سپس سل حاوی اکسیدروی را به این محلول‬
‫افزوده و به مدت ‪ 30‬دقیقه روی همزن مغناطیسی قرار می‌دهیم‪.‬‬

‫در این پروژه ‪ 4‬سل با غلظت‌های مختلف آلومینیوم در سل ‪ 2‬موالر اکسیدروی تهیه شده است که درصدهای وزنی اتم‌های‬
‫آلومینیوم موجود در این ‪ 4‬نمونه به ترتیب برابر ‪ %2 ، %1/5 ، %1 ، %0/5‬وزن اتمی (‪ )%at‬انتخاب شده‌اند‪ .‬مطالعه طیف جذبی و‬
‫لومینسانس سل‌های حاصل جهت تجزیه و تحلیل خواص اپتیکی مورد بحث قرار گرفته است‪ .‬با محاسبه گاف انرژی با بررسی میزان‬
‫عبوردهی نور و بررسی نظری اندازه ذرات از طریق مدل جرم موثر و رابطه‌ی براس (‪ )Bruse‬نسبت به تطبیق نتایج عملی و نظری اقدام‬
‫شده است‪.‬‬

‫‪ .3‬نتایج و بحث‬
‫‪ 1-3‬دیدگاه نظری‬

‫همان‌طور که در بخش قبل اشاره شد‪ ،‬اکسیدروی در حالت ذاتی یک نیم‌رسانای نوع منفی است‪ ،‬به عبارتی دیگر در این ماده چگالی‬
‫حامل‌های اکثریت‪ ،‬الکترون‌ها با بار منفی بوده و تراز فرضی انرژی فرمی (‪ )Ef‬به سمت نوار رسانش جابه‌جا می‌شود که در طرح‌واره‌ی‬
‫شکل ‪ 1‬نمایش داده شده است‪.‬‬

‫شکل ‪ :1‬نمودار تراز انرژی نیم‌رسانا نوع منفی‬

‫با افزودن ناخالصی آلومینیوم اتم‌های ‪ Al‬که در الیه ظرفیت خود ‪ 3‬الکترون دارند به ‪ 2‬روش وارد شبکه بلوری اکسیدروی می‌شوند‪،‬‬
‫ممکن است این اتم‌ها جایگزین اتم ‪ Zn‬که در الیه ظرفیت خود ‪ 2‬الکترون دارند شده و اتم آلومینیوم به یون ‪ Al 2+‬تبدیل شود و یک‬
‫بار الکتریکی منفی در شبکه بلوری آزاد شده و از این طریق چگالی حامل‌های بار افزایش یابد (شکل ‪-2‬الف) و از مسیری دیگر ممکن‬
‫است اتم‌های آلومینیوم به علت الکترونگاتیوی کم‌تر و شعاع کوچکتر نسبت به فلز روی‪ ،‬به درون شبکه نفوذ کرده و هیچ بار اضافی‬
‫تولید نشود و با هم‌پوشانی توابع موج الکترونی منجر به جابه‌جایی ترازها در نوارهای رسانش و ظرفیت شده و گاف انرژی ماده را‬
 ‫سال اول شماره ‪ 3‬پاییز ‪1393‬‬
‫‪196‬‬

‫شکل ‪ 2‬ب‬ ‫شکل ‪ 2‬الف‬

‫عامل موثر بر خواص اپتیکی و الکتریکی‪ ،‬تغییر و جابه‌جایی ساختار نواری ماده است که منجر به تغییر طیف‌های جذبی و نشری‬
‫نیم‌رسانا می‌شود‪ .‬بررسی ترازهای انرژی و توانایی جذب و گذار بین این ترازها از طریق نمودارهای انرژی جابلونسکی‪( 1‬شکل ‪-3‬الف)‬
‫و بررسی شکل‌گیری ترازها در نوارهای رسانش و ظرفیت از طریق نمودار انرژی فرانک‪-‬کاندون‪( 2‬شکل ‪-3‬ب) صورت می‌گیرد‪.‬‬

‫شکل ‪ :3‬ب‪ -‬نمودار ترازهای فرانک‪-‬کاندون‬ ‫شکل ‪ :3‬الف‪ -‬نمودار ترازهای انرژی جابلونسکی‬

‫‪ 2-3‬طیف عبوری‬
‫طیــف عبــوری سـل‌های تهیــه شــده در شــکل (‪ )4‬نشــان داده شــده اســت‪ .‬از ایــن شــکل می‌تــوان فهمیــد کــه قلــه جــذب نمون ‌ههــا در‬
‫محــدوده ‪ 270‬تــا ‪ 280‬نانومتــر قــرار دارنــد کــه بــا افزایــش غلظــت‪ ،‬میــزان عبوردهــی کاهــش یافتــه اســت‪ .‬مطابــق ایــن نمــودار ســل تهیــه‬
‫شــده بــا میــزان ناخالصــی ‪ %2‬وزن اتمــی آلومینیــوم‪ ،‬در حوالــی طــول مــوج پــر انــرژی ‪ 280‬نانومتــر در ناحیــه ماوراءبنفــش بیــش از ‪%60‬‬
‫مانــع عبــور ایــن طــول مــوج می‌شــود کــه نشــان از تــوان بــاالی اکســیدروی بــه عنــوان محافظــی در برابــر پرتوهــای پرانــرژی و خطرنــاک‬
‫ماوراءبنفــش اســت ‪.‬‬

‫‪1- Jablonski‬‬
‫‪2- Franck-condon‬‬
‫‪197‬‬ ‫سال اول شماره ‪ 3‬پاییز ‪1393‬‬

‫شکل ‪ :4‬طیف عبوری سل اکسیدروی در حضور ناخالصی آلومینیوم‬

‫‪ 3-3‬گاف انرژی و اندازه ذرات‬

‫برای تعیین گاف انرژی از طریق نمودار جذب‪ ،‬الزم است این نمودار را برحسب الکترون‪ -‬ولت رسم کرده‪ ،‬خط مماس بر منحی که‬
‫محور انرژی را قطع می‌کند حداقل انرژی ناحیه‌ی ممنوع یا گاف انرژی را که معادل اختالف بین باالترین تراز نوار ظرفیت و پایین‌ترین تراز‬
‫نوار رسانش است مشخص خواهد کرد‪ .‬طرح‌واره‌ی این ناحیه در شکل ‪ 5‬نشان داده شده است‪ .‬ناحیه ممنوع در حالت حجیم (‪)bulk‬‬
‫که حامل‌های بار در نواری پیوسته قرار دارند پهنای کم‌تری نسبت به نانوذرات دارد که حامل‌های بار در ترازهای گسسته قرار می‌گیرند‪.‬‬

‫شکل ‪ :5‬نمودار ناحیه‌ ممنوع ( گاف انرژی )‬

‫با رسم نمودار جذب بر حسب انرژی (الکترون ‪ -‬ولت ) می‌توان مطابق شکل (‪ )6‬گاف انرژی نانو ذرات اکسیدروی در حضور‬
‫ناخالصی آلومینیوم را تخمین زد که از رابطه‌ی ‪ αhν = Ed(hν-Eg)1/2‬قابل محاسبه است‪ .‬در این رابطه ‪ α‬ضریب جذب‪ hν ،‬انرژی‬
‫فوتون‪ Ed ،‬ثابت عددی و ‪ Eg‬گاف انرژی است‪ .‬از روی شکل واضح است که گاف انرژی نانو ذرات در محدوده‌ی ‪ 3/7‬تا ‪3/85‬‬
‫الکترون‪-‬ولت قرار دارد که با افزایش غلظت ناخالصی به سمت انرژیهای کم‌تر پیش می‌رود‪.‬‬
 ‫سال اول شماره ‪ 3‬پاییز ‪1393‬‬
‫‪198‬‬

‫شکل ‪ :4‬نمودار گاف انرژی سل اکسیدروی با ناخالصی آلومینیوم‬

‫با استفاده از این طیف و از طریق رابطه‌ی براس[‪ ]18‬می توان اندازه نانو ذرات را تخمین زد که در محدوده‌ی ‪ 3‬تا ‪ 4‬نانومتر قرار‬
‫دارند‪ .‬مشاهده می‌شود با افزایش غلظت و کاهش گاف انرژی‪ ،‬اندازه ذرات نیز افزایش می‌یابد‪.‬‬

‫‪h2  1‬‬ ‫‪1 ‬‬ ‫‪1.8 e 2‬‬

‫‪Egnano ≈ Egbulk +‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪−‬‬
‫‪8 R 2  M e M h  4πε 0ε r R‬‬

‫در رابطه‌ی اخیر که معروف به رابطه براس است ‪ E gnano‬گاف انرژی محاسبه شده از طریق نمودار جذب است که توضیح داده‬
‫‪bulk‬‬
‫شد‪ E g ،‬گاف انرژی مربوط به نیم‌رسانای اکسیدی معادل ‪ M e ،3/37 ev‬جرم موثر الکترون‪ M ،‬جرم موثر حفره‪ R ،‬شعاع نانو‬
‫‪h‬‬

‫گذردهی نسبی است که برای اکسیدروی برابر ‪ 8/5‬می‌باشد‪ ،‬نهایتا با تعیین‬ ‫ذره‪ e ،‬بار الکترون‪ ،‬ثابت گذردهی خالء و‬
‫‪ E gnano‬از روی نمودار جذب می توان شعاع نانو ذرات را تعیین کرد‪.‬‬

‫‪ 4-3‬تصویر میکروسکوپ الکترونی‬

‫همان‌طــور کــه در شــکل ‪ 7‬نشــان داده شــده اســت‪ ،‬عکــس حاصــل از پــودر مــاده ســنتز شــده اکســید روی بــا ناخالصــی آلومینیــوم حــاوی‬
‫ذرات کــروی می‌باشــد کــه در اثــر افــزودن پایدارکننــده تــری اتانــول آمیــن بــه محلــول شــکل می‌گیرنــد‪.‬‬
‫‪199‬‬ ‫سال اول شماره ‪ 3‬پاییز ‪1393‬‬

‫شکل ‪ :7‬تصویر میکروسکوپ الکترونی نانو پودر اکسیدروی با ناخالصی آلومینیوم‬

‫‪ 4-3‬طیف لومینسانس‬
‫اکسیدروی دارای سه طیف نشری در نواحی آبی‪ ،‬سبز و قرمز است [‪ .]19‬انتشار نور در ناحیه اول مربوط به گاف انرژی اکسیدروی‬
‫بوده که با انرژی بین ‪ 3‬تا ‪ 3/5‬الکترون ‪ -‬ولت در ناحیه ماوراءبنفش تا آبی گسترده شده است‪ ،‬به همین علت از سایر طیف‌ها قوی‌تر‬
‫است‪ .‬اما نواحی سبز و قرمز که در موارد خاص قابل مشاهده هستند در اثر وجود نقص‌های سطحی و اتمی از جمله تهی‌جایی‌های‬
‫اکسیژن و روی انتشار می‌یابند و معموال شدت بسیار کمی دارند‪ .‬وجود این طول موج‌های انتشار بر اساس نحوه‌ی تهیه نمونه و کنترل‬
‫عوامل موثر‪ ،‬در مواردی بسیار محدود قابل رویت می‌باشند[‪ .]19,20‬در طرح‌واره‌ی شکل ‪-8‬الف مکانیزم کلی طیف نشری لومینسانس‬
‫و در طرح‌واره‌ی شکل ‪-8‬ب نواحی مربوط به گذارهای مرئی اکسیدروی نمایش داده شده است‪ .‬در این شکل عوامل موثر بر شکل‌گیری‬
‫سطوح انرژی مربوط به گذارهای رنگی با رنگ مربوط به هر گذار مشخص شده است که در نتیجه‌ی تهی‌جایی‌های اکسیژن (‪ )Vo‬و روی‬
‫(‪ )VZn‬و عنصر روی درون شبکه‌ای (‪ )Zni‬می‌باشد [‪.]21‬‬

‫شکل‪( -8‬ب)‬ ‫شکل‪( -8‬الف)‬

 ‫سال اول شماره ‪ 3‬پاییز ‪1393‬‬
‫‪200‬‬

‫شکل ‪-9‬الف طیف لومینسانس نمونه‌های تهیه شده اکسیدروی در حضور درصدهای مختلف ناخالصی آلومینیوم را نشان می‌دهد‪ .‬بر‬
‫اساس طیف جذبی ارائه شده در بخش قبل و محاسبه گاف انرژی نمونه‌های سنتز شده‪ ،‬طول موج تحریک لومینسانس در محدوده‌ی‬
‫حداقل گاف انرژی یعنی ‪ 325‬نانومتر قرار داده شده است‪ .‬در شکل ‪-9‬ب نحوه‌ی قرار گیری ترازهای انرژی و عوامل موثر بر آن نشان‬
‫داده شده است [‪.]22‬‬

‫شکل‪( -9‬ب)‬ ‫شکل‪( -9‬الف)‬

‫مطابق شکل ‪-9‬الف مشاهده می‌شود که کلیه نمونه‌های تهیه شده در حوالی ‪ 400‬نانومتر دارای نشری آبی هستند که نشان‌دهنده‬
‫انرژی معادل ‪ 3/1‬الکترون ‪ -‬ولت است‪ .‬از طرفی مشاهده می‌شود که با افزایش غلظت‪ ،‬شدت نشر افزایش یافته و پهنای طیف کوچک‬
‫می‌شود که نشان از نازک تر شدن تراز انرژی در نوار ظرفیت و رسانش دارد [‪ ،]23‬این مورد در اثر افزایش تعداد حامل‌های بار اتفاق‬
‫می‌افتد‪ .‬با بزرگ‌نمایی تصویر در ناحیه مذکور مشخص می‌شود که همه‌ی نمونه‌ها در این ناحیه دارای دو قله هستند که با افزایش‬
‫میزان ناخالصی و افزایش شدت قابل تفکیک می‌شوند‪ .‬نکته‌ی مهم دیگر انتقال به سوی سرخ (‪ )redshift‬شدت نمونه‌ها با افزایش‬
‫غلظت است که برای نمونه حاوی ‪ %0/5‬وزن اتمی ناخالصی آلومینیوم‪ ،‬قله اول در طول موج ‪ 386‬نانومتر قرار دارد و با افزایش غلظت‬
‫تا ‪ %2‬وزن اتمی این قله به نزدیکی ‪ 400‬نانومتر جابه‌جا می‌شود که این جابه‌جایی نشان‌دهنده کاهش گاف انرژی معادل این طول‬
‫موج‌ها از ‪ 3/22‬الکترون ‪ -‬ولت تا ‪ 3/1‬الکترون ‪ -‬ولت می‌باشد‪ .‬اما در همه‌ی نمونه‌ها قله‌ی دیگری در حوالی ‪ 450‬تا ‪ 460‬نانومتر‬
‫معادل با انرژی ‪ 2/7‬الکترون ‪ -‬ولت قرار دارد که مطابق شکل ‪-9‬ب مربوط به تهی‌جایی اکسیژن (‪ )Vo‬می‌باشد که به علت تعداد‬
‫کم این تهی‌جایی‌ها شدت این طیف کوچک شده است [‪ .]24‬ناحیه‌ی دیگر اما مربوط به گذارهای قرمز است که در نتیجه‌ی اتم روی‬
‫درون شبکهای (‪ )Zni‬با انرژی معادل ‪ 1/6‬تا ‪ 1/7‬الکترون ‪ -‬ولت در طول موج ‪ 750‬تا ‪ 760‬نانومتر اتفاق می‌افتد [‪ ]20-24‬که در شکل‬
‫‪ – 8‬الف و ب نمایش داده شده است‪.‬‬

‫‪ -4‬نتیجه‌گیری‬
‫ •با توجه به بررسی طیف جذبی اندازه نانوذرات اکسیدروی موجود در محلول بین ‪ 3‬تا ‪ 4‬نانومتر اندازه گیری شد که طبق رابطه براس‬
‫با افزایش گاف انرژی سایز ذرات کاهش می‌یابد و سل پایدار با غلظت بیش‌تر ناخالصی آلومینیوم دارای گاف انرژی کوچکتر و ذرات‬
201 1393 ‫ پاییز‬3 ‫سال اول شماره‬
‫) نقش اساسی در پایداری طوالنی مدت سل اکسیدروی و همگنی محلول ایفا می‌کند که با توجه به درصد‬TEA( ‫ •تری اتانول آمین‬
.‫باالی عبور دهی نور در مقایسه با پایدار کننده ها دیگر رنگ محلول را کامال شفاف حفظ می‌کند‬
‫ به گونه‌ای که با افزایش غلظت ناخالصی‬،‫ •غلظت ناخالصی آلومینیوم در محلول اکسیدروی نقشی اساسی در تغییر خواص اپتیکی دارد‬
.‫آلومینیوم ضمن دست یابی به محلولی همگن با ذرات کوچک می توان شدت طیف های جذبی و گسیلی را به میزان زیادی ارتقا داد‬
1. D. J. Norris, A. L. Efros, and S. C. Erwin, Doped nanocrystals,
Science, 319(2008), 1776.
2. D. Mocatta, G. Cohen, J. Schattner, O. Millo, E. Rabani, and
U. Banin, Heavily doped semiconductor nanocrystal quantum
dots, Science, 332(2011), 77.
3. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Residual Native
Shallow Donor in ZnO, Phys. Rev. Lett.,82(1999), 2552.
4. E. M. Likovich, R. Jaramillo, K. J. Russell, S. Ramanathan, and
V. Narayanamurti, Scanning tunneling microscope investigation
of local density of states in Al-doped ZnO thin films, Phys. Rev.
B, 83(2011), 075430.
5. E. Badaeva, Y. Feng, D. R. Gamelin, and X. S. Li, Investigation
of pure and Co2+-doped ZnO quantum dot electronic struc-
tures using the density functional theory: choosing the right
functiona New J. Phys., 10(2008), 055013.
6. Y. Z. Jin, J. P. Wang, B. Q. Sun, J. C. Blakesley, and N. C.
Greenham, Solution-Processed Ultraviolet Photodetectors
Based on Colloidal ZnO Nanoparticles, Nano Lett., 8(2008),
1649.
7. B. N. Pawar, G. Cai, D. Ham, R. S. Mane, T. Ganesh, A.
Ghule, R.Sharma, K. D. Jadhava, and S. H. Han, Preparation of
transparent and conducting boron-doped ZnO electrode for its
application in dye-sensitized solar cells Sol. Energy Mater. Sol.
Cells, 93(2009) , 524.
8. M. Gab´as , P. Torelli , N. T. Barrett , M. Sacchi , F. Bruneval
and Y. Cui, Direct observation of Al-doping-induced electronic
states in the valence band and band gap of ZnO films, Phys. Rev.
B, 84(2011), 153303.
9. M.M. Ba-Abbad ,A.H. Kadhum, A. Mohamad, M.S.Takriff,
K.Sopian, The effect of process parameters on the size of ZnO
nanoparticles synthesized via the sol–gel technique, Journal of
Alloys and Compounds, 550(2013), 63.
10. Dutta, S. Mridha, D. Basak, Effect of sol concentration on
the properties of ZnO thin films prepared by sol–gel technique,
Appl.Surf.Sci., 254(2008), 2743.
11. B. Efafi, M.SasaniGhamsari, M.A.Aberoumand,
M.H.MajlesAra, H.Hojati, Highly concentrated ZnO sol with
ultra-strong green emission, Mater.Lett., 111(2013), 78.
12. H. H. Willard , J. A. Dean, Polarographic Determination of
Aluminum, Anal. Chem., 22(1950), 1264.
.‫بزرگتر است‬
‫مراجع‬
13. J.D. Kubicki, G.A. Blake, S.E. Apitz, Molecular orbital
models of aqueous aluminum-acetate complexes, Geochimica
et Cosmochimica Acta, 24(1996), 4897.
14. Xu H. Chin W.S.-Yong Z. Wee-A.T.S. Liu, T. Local, Local
Structural Evolution of Co-Doped ZnO Nanoparticles
15. upon Calcination Studied by in Situ Quick-Scan XAFS,
J.Physical Chemistry C, 112(2008), 3489.
16. A. E. Jimenez-Gonzalez, Jose A. Soto Urueta, and R. Suarez-
Parra., Floating zone growth and high-temperature hardness of
NbB2 and TaB2 single crystals, J.Crystal Growth, 192(1998),
430.
17. Hlne Serier, Manuel Gaudon, and Michel Mntrier., Al-doped
ZnO powdered materials: Al solubility limit and IR absorption
properties, Solid State Sciences, 11(2009), 1192.
18. T.Kemmitt, B.Ingham, and R.Linklater, Optimization of
Sol–Gel-Formed ZnO:Al Processing Parameters by Observa-
tion of Dopant Ion Location Using Solid-State 27Al NMR Spec-
trometry, J. Phys. Chem. C, 115(2011), 15031.
19. T. J. Jacobsson and T. Edvinsson, Absorption and Fluores-
cence Spectroscopy of Growing ZnO Quantum Dots: Size and
Band Gap Correlation and Evidence of Mobile Trap States, In-
org. Chem., 50(2011), 9578.
20. Efafi, M.SasaniGhamsari, M.H.MajlesAra, Sol–gel derived
AZO thin film with unusual narrow dual emission, J. Lumines-
cence, 154(2014), 32.
21. S .T. Teklemichael and M. D. McCluskey, Acceptor and
surface states of ZnO nanocrystals, Nanotechnology, 22(2011),
475703.
22. M. Wang, Y. Zhou, Y. Zhang, E. J. Kim, S. H. Hahn, Near-
Infrared Photoluminescence From ZnO, Appl. Phys. Lett.,
100(2012), 101906.
23. A.G. Joshi, S. Sahai, N. Gandhi, Y.G. Radha Krishna and D.
Haranath, Valence band and core-level analysis of highly lumi-
nescent ZnO nanocrystals, Appl. Phys. Lett., 96(2010), 123102.
24. A. Alkauskas and A. Pasquarello, Band-edge problem in the
theoretical determination of defect energy levels: The O vacan-
cy in ZnO as a benchmark case, Phys. Rev. B, 84(2011), 125206.