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Bonnie Baker Microchip Technology Inc
Bonnie Baker Microchip Technology Inc
嵌入式系统中使用单电源运算放大器
* VOUT
MCP601
R4
VBIAS V OUT = V S --------------------
R 3 + R 4
* 1µF 的旁路电容
R2 R 图 5: 通过一个运放来构成电源分路器。 在单电源电路
VOUT = – ------- VIN + 1 + ------2- V BIAS 中这种功能特别有用。
R1 R1
*1µF 的旁路电容 采用电阻分压器 (R3 和 R4)或经过运放缓冲的参考电
压源可以很容易地提供电平位移电压。此电路的传递函
图 4: 配置成反相放大电路的运算放大器。在单电源环 数为:
境下,需要 VBIAS 来保证输出处于地电位之上。 R4
V OUT = V DD -----------------
-
在单电源应用中,这个电路很容易被误用。例如,假设 R3 + R4
R2 等于 10kΩ,R1 等于 1kΩ,VBIAS 等于 0V,输入电阻
图 5 的电路具有精心设计的补偿机制从而允许驱动大的
R1 端的电压等于 100mV。在这种配置下, 输出电压等
容性负载 C1。这个大电容的好处是它对 A/D 转换器的参
于 −1V。这将超出运放的输出摆幅范围。在实际情况
考电压输入引脚具有很低的交流阻抗。在交流域中,这个
下,运放的输出会尽可能地接近地电位。
电容作为一个电荷库,从而吸收那些会影响 A/D 转换器
电路中 VBIAS 端施加的直流电压可以解决这个问题。在 参考电压引脚特性的电流浪涌。
前面的例子中,施加到 VBIAS 的 225mV 电压可以将输出
差分放大器
摆幅位移到 2.475V。 这将使放大器的输出信号等于
(2.475V − 1V)或 1.475V 。典型情况下,输出平均电 差分放大器结合了图 3 和 图 4 分别给出的同相放大器和
压应设计成等于 VDD/2。 反相放大器构成了一个信号减法电路。 实现的电路如
图 6 所示。
单电源电路和电源分路器
如反相增益电路 (图 4)所示,单电源电路通常需要采 R1 R2
用电平位移电路来保持输出信号处于负电源 (通常为 V2
地)和正电源之间。这种电平位移电路可采用一个放大
VDD
器以及电阻和电容组合电路来进行设计,如图 5 所示。
很多时候,没有补偿电容的简单缓冲放大器就可以完成
这项任务。在其他情况下,电平位移电路将导致动态或 *
瞬态负载变化,比如当其用作模数(Analog-to-Digital, R1 MCP601 VOUT
V1
A/D)转换器的参考电压源时。在这些应用中,电平位
移电路的位移量必须保持恒定。如存在变化,则会观察
到转换误差。 R2
VREF
R R
VOUT = (V 1 –V 2 ) --------2 + V REF --------2
R1 R1
*1µF 的旁路电容
图 6:配置成差分放大器电路的运算放大器
仪表放大器广泛使用在从医疗仪器到过程控制的许多不 RG
同种类的应用中。仪表放大器与差分放大器类似,也是
R1 R2
将两个模拟信号相减,其区别主要是输入级的性能不
同。经典的三运放仪表放大器如图 9 所示。
VREF VDD
VDD
1 * R1
/2
V2 MCP602
1 * R3 R4 R2
/2
MCP602 V2
VDD
1
/2
R2 V1 MCP602
1 * VOUT
/2
RG R2 R3 MCP602 VOUT
R 2R
VOUT = ( V 1 – V 2 ) 1 + ----1- + --------1 + V REF
R4 R2 RG
1
/2 * 0.1µF 的旁路电容
V1 MCP602
VREF
图 10:使用两个运放设计的仪表放大器。这种配置最适
合于高增益应用 (增益 > 3 V/V)。
2R R R
VOUT = (V 1 –V 2 ) 1 + --------2 ----4- + V REF ----4- 电路的参考电压施加到信号链中第一个运放。通常在单
RG R3 R3 电源环境下,该电压等于电源电压的一半。
*1µF 的旁路电容
该电路的传递函数为:
图 9: 使用三个运放设计的仪表放大器。输入级运放提 R 2R
V OUT = (V1 –V 2 ) 1 + ----1- + --------1 + V REF
供信号增益。输出级运放采用差分放大器将两个输入信 R2 RG
号转换成单端输出。
浮空电流源
在这个电路中,两个输入信号出现在放大器的高阻抗同
相输入端。当源阻抗很高或不匹配时,这种配置比差分 当驱动阻抗可变器件,例如电阻温度检测器( Resistive
放大器配置具有显著的优点。第一级也对两个输入信号 Temperature Device, RTD)时就需要采用浮空电流
进行放大。其增益通过一个电阻 RG 来简单调节。 源。 这种特殊的电路配置为 RTD 类型的传感器提供约
1mA 的电流。当然,这个电路也可调整为其他电流值。
紧跟这个电路输入级的是一个差分放大器。这部分电路
的功能是抑制两个输入信号的共模电压,同时求这两个 R1 R1
信号的差。连接到差分放大器两输入端的信号源的阻抗
低,两者相等且可控性好。 VDD
此仪表放大器差分输出级的参考电压用来提供宽的电压
1 * 2 (VREF - 2VR1)
范围。在绝大多数的单电源应用中,此节点的典型电压 /2
MCP602
为电源电压的一半。图 5 电路中的电源电压分路器可用
于这个目的。此电路的传递函数为:
2R R R
VOUT = (V1 –V 2 ) 1 + --------2 ----4- + V REF ----4- Rl=2.5kΩ
RG R3 R3
VREF=2.5 V +VR1 1
/2
MCP602 VREF - 2VR1
R1 R1
RTD
IOUT
V REF
I OUT = ----------
RL
*1µF 的旁路电容 R1=25kΩ
图 11: 使用两个运放和一个精密参考电压源构成的浮
空电流源。
V OUT R4
---------- = 1 + -----
V IN R3
两阶 10kHz,低通 Sallen Key 滤波器
*1µF 的旁路电容
图 12:很容易地利用一个运放来设计 2 极点有源低通滤
波器。通过调整电阻和电容值可实现其他滤波器类型,
例如 Bessel 和 Chebyshev。
VDD
R3
VDD
C3
R4 R5 REF
1 *
R1 /2
C1 MCP602 1
/2 IN+
VIN C4 MCP602
ADC PIC12C509
R2 IN–
R R2
V OUT = V IN ----3- -----------------
-
R4 R1 + R2
*1µF 的旁路电容
图 13:将第一个运放设计成高通滤波器,第二运放设计成低通滤波器,从而实现带通滤波器。
24.9kΩ
24.9kΩ
1
/4
MCP604
1mA
2.49kΩ
引线补偿 增益 = 6V/V
图 14:单电源温度测量的完整电路
综合应用 此运放的输出然后输入到配置为两个极点、增益为 +6V/V
的低通滤波器运放电路。选择增益为 +6V/V 是为了满足
图 14 所示的电路采用了四个运算放大器和一个 12 位
A/D 转换器的输入范围。假设 A/D 转换器的采样频率为
A/D 转换器来构成一个完整的单电源温度测量电路。温
75kHz,这 也 被 称 为 奈 奎 斯 特 频 率。抗 混 叠 滤 波 器
度传感器为 RTD,因此需要电流激励。 图 11 所示的电
(U4)的截止频率设置为 10kHz。这允许滤波器具有足
路用来提供电流激励。 增益和抗混叠滤波由图 13 所示
够的带宽来衰减低于 1/2 奈奎斯特频率的信号。 A/D 转
的电路来实现。
换器为 12 位逐次逼近寄存器型 (Successive Approxi-
RTD 产生的电压信号由组合同相配置和反相配置的运 mation Register ,SAR)转换器并与 PIC12C509 单片
放来检测。 机接口。
• Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作。
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