1. Diodos semiconductores 11 Los diodos son componentes electronicos por los cuales fluye le corriente eléctrica en un solo sentido. Por esta razén se los utiliza mayormente como rectilicadores, interrup- tores electronicos, conformadores de impulsos y también como dispositivos de seguri- dad. La denominacién «diodo» esté compuesta de la sitaba Griega «di» (= dos) y del final de 1a palabra «electrodo». Esta palabra compuesta indica que el diodo tiene dos electrodos; como tal posee dos terminales eléctricos. Los diodos utilizados hoy en dia en circuitos electronicos, estan fabricados con materia- les semiconductores. Estos son materiales cuya resistencia especifica esta en el rango entre ia resistencia especifica de los ‘conductores metélicos y de los aisladores. La figura 1.1 muestra une clasificacin de materiales en conductores, semiconductores y aisladores en base a la resistencia especttica, es decir, al valor de conductancia espe- cifica, Se indican algunos materiales que se utilizan frecuentemente para areas especi- ficas en electrotecnia y electronica. Rosistvidad Conductividad : Clasiticacion 1 Material/Sustancia 9 (Qn) « (asa) i \Qem ‘ Aisiadores 10% 107" ‘Ambar i 10" 10" Parafina : 10" 10" Poliestireno ; Carbono 0" 10" ica i 107 108 Porcelana dura 10% 10-8 Pvc ; 10° 10 Marmot i Vidrio : ‘Semiconductores 10° 10 Selenio : 108 to" Silicio puro } fF 108 107 : : 10° 10" Germario puro: 107 10? ‘Arseniuro de Indio Arseniuro de Galio ( Conductores 10 10° Cobre ‘ to Plata : 10” Superconductor Figura 1.1 Clasiticacién. de materiales en conductores, semiconductores y aisiadores 71 Diodos semiconductores En la actualidad, los materiales semiconductores més importantes son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Bajo condiciones normales, ol silicio puro y et germanio puro tienen solamente unos pocos electrones libres en movimiento. Por esto se los describe como malos conductores eléctricos. Sin embargo, debido @ una introduccién controlade de impurezas a! material inicial puro, se pueden formar semiconductores con exceso de portadores de cargas negativas (electrones) 0 con exceso de portadores de cargas positivas (huecos). Por medio de la introduccién de estas impurezas durante el proceso de fabricacién, es posible variar el tipo, la cantidad y la movilidad de los portadores de carga, para que con esto se puedan variar ampliamente los limites de la resistencia especitica del material. Dependiendo del mecanismo de conduccién, estos materiales semiconductores se de- nominan como semiconductores tipo N (portadores de cargas Negativas) 0 semicon- ductores tipo P (portadores de cargas Positivas). Sin embargo, tal como en un conduc- tor metalico, el sentido de la corriente en un semiconductor tipo P asi como en un conductor tipo N depende solamente de la polaridad de la tensién de operacién. Pero, si Se produce una unién sin marca entre un semiconductor tipo N con otro tipo P, entonces se producira un componente electrénico que permitira un flujo de corriente en una sola direccién, es decir, un diodo semiconductor. El terminal del material P se llama anodo y el terminal de! material N se llama catodo, Los fabricantes de diodos semiconductores entregan una hoja de datos pare cada tipo de diode, la cual incluye los valores caracteristicos y los valores limite mas importantes, junto con varias curvas caracteristicas. Los valores limites no deben sobrepasarse por ningun motivo, ya que el diodo se destruiria perdiendo asi su utilidad. Los valores caracteristicos son datos con los cuales el diodo debe operar en servicio normal. Estos valores se conocen como datos tipicos 0 nominales, Los valores limite y caracteristicos no son suficientes para describir el comportamiento y propiedades del diodo durante sus diferentes condiciones de operacién, Por esta razén, en cada hoja de datos se incluyen varias curvas caracteristicas que muestran la interdependencia entre dos o tres variables. La cantidad de tipos de diodos semiconduciores es exiremadamente grande. Asi pues, existen diodos semiconductores para corrientes de pocos miliamperios que funciona- rian muy bien con frecuencias muy altas. Por otro lado, también se fabrican diodos de potencia para corrientes de varios miles de amperios. Consecuentemente, no se puede evitar la variedad de formas de construccién de diodos. Por lo tanto, la tecnologia y los procesos de construccién de diodos también varian considerablemente, Por ejemplo, se fabrican diodos de punto de contacto para su utilizacién en circuitos de, altas frecuen- cias. Por otra parte, los diodos de juntura, debido a su elevade capacitancia interna, son utilizados especificamente para circuitos rectificadores de baja frecuencia. La mayoria de los diodos utllizados en la actualidad son producidos por medio de la técnica planar y pueden ser utilizados tanto en circuitos rectificadores como en circuitos de impulsos. Para la fabricacién de grandes diodos de potencia utilizados, en rectificadores de poten- cia, son necesarios otros tipos de procesos de produccién. Aparte de los diodos semiconductores para rectificacién y para operacion en conmuta- cién también se desarrollé una serie de diodos semiconductores con caracteristicas especiales, como por ejemplo, diodos Zener, diodos de capacitancia variable, diodos Schottky, diodos tunel, diodos PIN, fotodiodos y diodos emisores de luz, 1812 Fisica del semiconductor ¥, ¥, 2 & &, 8) Diodo rectiticador b) Dicdo Zener ¢) Diodo de capacitancia variable (diode varicap) @) Diodo Schottky (no normalizado) —_@),Diodo tunel Figura 1.2 Simbolos de los diodos semiconductores La figura 1.2 muestra los simbolos normalizados de los diodos semiconductores. Los fotodiodos y los diodos emisores de luz seran tratados con mas detalle en los capitulos 5y6. Los diodos Zener son utilizados para santener constantes 0 estabilizer las tensiones continuas. El principal campo de aplicacién de los diodes de capacitancia variable es ta sintonizaci6n o re-sintonizacion de circuitos osciladores, Estos se encuentran hoy en dia en casi todos los equipos de la electronica de consumo. En base a sus propiedades: especiales, os diodos Schottky se utilizan como interruptores de alta velocidad. La curva caracteristica de los diodos tunel difiere mucho de las curvas caracteristicas de todos los demas diodos semiconductores. Estos sirven para la generacién de oscilacio- nes en el rango de las microondas (> 1 GHz). En el rango desde 10 MHz hasta 1 GHz, los diodos PIN tienen una resistencia chmica casi ideal. Debido a esta cualidad se los utiliza en la regulacién de atenuadores de alta frecuencia en los selectores de canales de television. Ye que los diodos tinel y PIN son diodos especiales, los cuales se utilizan solamente en la técnica de alta y ultra-alte-frecuencia; éstos no se tratarén con mayor detalle por ahora, ' La designacién de tipos de los diodos semiconductores se basa ya sea en el sistema «JEDEG» 0 en el sistema «PRO ELECTRON». En ambos casos se utilizan tanto letras, como numeros para la identificacion del tipo. En el caso de pequefias envolturas de diodos et tipo se indica usualmente mediante un cédigo de anillos de colores, 1.2 Fisica del semiconductor 1.2.1 Materiales semiconductores En la electrotécnia la conductividad eléctrica se adopta usualmente como un criterio para la clasificacién de sustancias sélidas. Desde un principio los materiales se clasifi- caron, en base a su conductividad especifica, en conductores y aisladores eléctricos. Hoy en dia se denominan como «semiconductores» a los materiales o sustancias cuya conductividad especifica se encuentra entre la de los conductores metélicos y la de los aistantes puros. En la figura 1.1 ya'se dié una visién global de las interrelaciones entre los rangos y las resistencias especificas. En consecuencia se da le siguiente clasifica- cién global I Conductores: 1,5 - 10°° Qom' (plata) hasta cerca de § - 10°° Qem (acero) Semiconductores: 10°? . .. 1,0 Qem (Si dopado) hasta 2 - 10* Qem (Si puro) Aisladores: 108 Qcm (madera) hasta 10% Qom (amber) 191 Diodos semiconductores ter grupo | 2do grupo | er grupo | 4to grupo | Sto grupo | 6to grupo |7mo grupo | Gases nobles) 1 2 3 4 3 2 1 ° Perigo ipaet 1H le He 7 IHidrogeno Helio “_|_k [1)1.00707| 2 |4.0026 3ui see = [s8 lec 7N 80 se l10 Ne 2 Litio lBertio [Boro | Carbono Nitrégeno |oxigeno |Fidor [Neon K [2]¢,939 |2]9,0122 [2] 10,811 [2] 12,011 [2]14,007 [2] 15,999 [2] 18,998 [2 |20,183 Lh 2 3 4 5 6 7 8 ina ftamg fas asi fas. tes s7c1 hear 3. Sodio —_|Magnesio [Aluminio Féstoro azure |Cloro. argon K |2]22,990 |2|24,812 |2]26,982 |2 128,086 |2]90,974 [2] 32,064 (215,453 [2 |39,048 ils 8 8 {8 [8 8 8 8 M4 2 3 4 5 7 8 rok feoca arse fzeti_—siasv ~—s fazer ~—fas min 4 Potasio |Calcio —|Escandio [Titanio |vanadio_|Cromo —_|Manganes K_|2]99,102 [2] 40,08 |2)44,956 |2]47,90 |2]50,942 [2]51,996 [2 |54,998 its 8 8 8 8 8 8 M [8 [s| 9 10) 14 13 13) nit 2 2 2 2 1 2 leacu [a0zn~—s|aiGa_—s eae «ass fade = (a5 Br 36 Kr Icobre [Zinc Galio” [Germano |arsénico |Solenio |Bromo —_|Kripton K [2]6354 [2|¢5,97 [2|09,72 |2|72,59 |2|74,922 [2]78,96 |2]79,909 [2 ]e3,80 L 8 8 8 8 8 8 8 M [19] 18] 8] 18 8] 16] 18 18 Nid 2 3 4 5 6 7 8 s7Ab— [a8Sr faa laozr —|41Nb[42Mo [a3 To 5. Rubidio |Estroncio_|itrio Icirconio |Niobio | Molibdeno |Tecnecio K [2]85.47 [2]e7,62 [2]e8,905 |2]91,22 [2]92,906 [2] 95,04 [2 L_|s 8 8 8 8 8 M [19] 1a] 8] 19] 18 18] 18! ne 2 19] 12] 13] 14) ots 2 2 2 1 1 1 lazag |ascad = fagin. ~—[s0Sn_—|s1sm sate fag 54 Xe Plata [Cadmio indio —fEstario.—|Antimonio |Telurio iodo Xenén K_[2] 107,87 [2] 112,40 [2] 114,82 [2]118.69 [2] 121,75 [2] 127.60 [2] 126,90 [2]131.90 L|8 8 a 8 é 8 é mM [18 i) 18 18) | 19] 18 8) N19 18) 18 8] a! 18| 18] 18) __fott 2|__|s 4 5 el? a] Fig. 1.3 Extracto de la Tabla Periédica de Elementos 201.2 Fisica del semiconductor De acuerdo a esta clasificacion, los semiconductores son elementos 0 componentes que bajo condiciones normales tienen solamente pocos electrones libres. Los materia- les semiconductores més importantes en la actualidad son el silicio (Si) y el germanio. (Ge). EI selenio (Se), por el contrario, se utiliza solamente para la fabricacién de réctifica- dores de baja potencia. A estos se suman también los llamados «compuestos interme- talicos» arseniuro de galio (GaAs), fosturo de galio (GaP) y arseniuro de indio (InAs). Las mezclas cristalinas GaAs y GaP se utilizan principalmente para la produccién de foto- semiconductores y la InAs en la produccién de generadores Hall (ver Capitulo 5). La figura 1.3 muestra un extracto de la Tabla Periédica de Elementos. Los dos elemen- tos semiconductores mas importantes, silicio y germanio, se encuentran en el cuarto grupo y segin ésto tienen cuatro electrones en su capa més externa, Debido a estos cuatro electrones de valencia, al Si y al Ge se los denomina como «tetravalentes». En la figura 1.4 se explican con mayor detalle las cantidades que aparecen en la Tabla Periédica de Elementos para el atomo de silicio. Numero atémico Simbolo quimico abeev. si Stlicio 2 8) 28,086 a 7 tomico Figura 1.4 Extracto de la Tabla Periddica : para 61 atomo de sllicio. Namero ‘de electrones en las capas La fabricacién de componentes semiconductores es costosa y complicada, Para comen- zar, el material inicial debe tener un muy alto grado de pureza. Asi, el silicio en bruto obtenido de arena de cuarzo y carbond en un horno de arco tiene solamente un grado de pureza de aproximadamente 98 %. De este silicio en bruto se gana entonces, a través. de varios procesos de purificacién, barras de silicio policristalino con un grado de Pureza de 99,9999 % 2 10°. Con otros procesos, lamados «refinado de zona», se forma silicio monocristalino extremadamente puro también en forma de barras. Este silicio puro debe tener un grado de pureza de 10"°, es decir que, por cada 10"? atomos de silicio debe ingresar un atomo extrafio. Esta relacion corresponde mas o menos a la contaminacién de una piscina de 20m - 10 m - 2m llena con agua pura a la cual se le agrega una gota de pintura con un didmetro de 4,25 mm. : Las barras de silicio extremadamente puro se cortan en discos muy delgados (water), de los cuales finalmente, y luego de varios procesos, se producirén los mas variados elementos semiconductores y circuitos integrados. Los procesos de produccién de ios componentes de silicio y de germanio son muy simitares. : ‘Ademés de los gases nobles, todos los elementos tienen la tendencia de cambiar el numero de electrones de su ultima capa a través de combinaciones con otros elemen- tos, de forma que su diltima capa estara siempre completamente ocupada. Para conse- Quir este estado, los dtomos tetravalentes de Si o de Ge pueden, ya sea entregar o recibir electrones de los étomos vecinos. ati 1 Diodos semiconductores Debido al alto grado de pureza del silicio y del germanio extremadamente puros, los &tomos no tienen ninguna posibilidad de acceder a combinaciones con atomos vecinos extrafios para lograr que su Ultima capa esté completamente lena. Por este motivo, estos alomos acceden a combinaciones entre si, las cuales se denominan también como «uniones covalentes». Este tipo de unién entre dos atomos se muestra en la figura 1.5. Nacleo: 14 protones Nicleo: 14 protones capa K capa L capa M Figura 1.5. Unién covalente entre dos atomos de Si En la representacién del principio de acuerdo a la figura 1.5 se puede reconocer que ambos niicleos atémicas estén orbitados por un electron de valencia del &tomo vecino. Por esta raz6n, en ambos atomos se encuentra, por un tiempo corto, un electron de valencia demas. Para que las cuatro vacancias de electrones en la caps externa puedan ser ocupadas, los atomos tetravalentes de Si o de Ge entran en una unién covalente con ‘otros cuatro étomos del mismo elemento. Consecuentemente, cinco atomos del mismo tipo se unen formando un erreglo regular, como se muestra en la figura 1.6. Las esferas simbolizan los étomos, y las barras las uniones entre los electrones de valencia. Puesto que cada atomo se localiza en el centro de! cubo, a este arregio se lo denomina «mala cristalina centrada en un cuerpo cilbico». Cada atomo en fa esquina del cubo es, a su vez, el punto central de otro cubo. Asi se forma una estructura completamente regular de la malla cristalina, tal como se muestra en /a figura 1.7. Figura 1.6 Arreglo cilbico de los tomos de silicio Figura 1.7 Malla cristalina de Si formando una maila cristalina 2212° Fisica del semiconductor La representacién cibica de una malla cristalina es dificil de dibujar y no ayuda a ilustrar futuras deliberaciones. Por esta razon se representa generalmente en dos dimensiones como en {a figura 1.8. Los electrones de las capas interiores totalmente ocupadas tam- bién son omitidos ya que éstos no tienen ningun tipo de influencia en la unién. Figura 1.8 Repre- sentacion en dos dimensiones de un Nicleos atémicos de Uniones covalentes —_Electrones de cristal semiconductor _—‘Si con las’capas Ky entre atomos de Si valencia de atomos de Si L totalmente ocupadas 1.2.2. Conductividad intrinseca Con un grado de pureza de 10"°, los &tomos de germanio 0 de silicio forman una malla cristalina en donde todos los electrones de valencia de los atomos semiconductores son neceserios para la formacién de esta estructura. Si la estructura de la malla crista- lina sin fallas se encuentra en el punto cero absoluto 0 K (Kelvin) = —273 °C, entonces todos los atomos estéri en reposo y los electrones de valencia participantes en la unién cristalina estén fuertemente enlazados con los étomos vecinos. Por esta razén no exis: ten portadores de carga libres. Bajo las condiciones mencionadas, la conductividad de los materiales semiconductores es cero y el material se transforma entonces en un aislante perfecto. sa Si a estos cristales semiconductores se les suministra energia en forma de calor o de luz, entonces los 4tomos empiezan a vibrar. Estas vibraciones se denominan como «movilidad intrinseca térmica» de los étomos. Debido a las vibraciones, la distancia entre el nucleo del atomo y los electrones de valencia aumenta. La fuerza de union entre el nucleo y los electrones disminuye, Por esta razon algunos de los electrones de valencia pueden saiter de la unién cristalina transformandose en elactrones libres. Si ahora se aplica una tensién al cristal, entonces es posible un flujo de corriente dentro del cristal, @ causa del: campo eléctrico. 231 Diodos semiconductores Sin embargo, en el lugar donde un electrén de valencia ha saltado de su unién original faltaré una carga negativa. Por lo tanto el atomo concemiente queda con una carga positiva, la cual se denomina como «electron de defecto» o simplemente se la denomina como . Esto determina la conductividad de todos los materiales semiconductores dopados. Sin embargo, el dopaje de un cristel semiconductor puro no debe ser excesivo ni deficiente, De otra forma podrie ocurrir que la estructura cristalina se adapte a los &tomos extrafios, con cinco 0 tres electrones de valencia. En consecuencia la densidad de imperteccin debe ser del orden de 1 : 10°, es decir, se permite maximo un étomo de impureza en 10° atomos de Si o Ge. 1 2 Semiconductor tipo N Cuando el material semiconductor puro es dopado con un material pentavalente como el {6sforo, arsénico 0 antimonio, cuatro de los cinco electrones de valencia pueden entrar en mutua unin con los atomos yecinos de Si o Ge. El quinto electron de valencia del atomo extrafio no encuentra una pareja y sale con relativa facilidad de la union con su propio tomo. A temperatura ambiental, por cada atomo extrafio se dispone de un electron libre para el transporte de carga. Estas relaciones se indican en la figura 1.14. Si se ha separado un electrén del tomo donante, queda una carga positiva en su nucleo, éste trata nuevamente de capturar un electrén libre para que el 4tomo obtenga el mismo numero de electrones y protones. Bajo la influencia de un campo eléctrico, los electrones libres viejan saltando de hueco en hueco en direccién del polo positivo de la fuente de tensidn. 271 Diodos semiconductores Como el transporte de carga dentro de un semiconductor dopado con donadores se realiza por medio de electrones libres a este semiconductor se lo denomina «material conductor tipo N» (= conduccién negativa). La conductividad de un semiconductor tipo N se denomina también «conductividad de electrones». Flujo de etectrones Figura 1.14 Estructura cristalina y mecanismo de conduccién de un semiconductor tipo N 1.23.3 Semiconductor tipo P Similarmente, al dopar un material ‘semiconductor puro con una sustancia trivalente como boro, aluminio, galio 0 indio, un étomo semiconductor en la estructura cristalina es reemplazado por un étomo de impureza. Como este étomo de impureza tiene solo tres electrones de valencia, entonces ahora falta un electron en la union cristalina. A causa del dopaje se ha formado un hueco 0 ién negativo. Sin embargo, este hueco primario se lena nuevamente con un electron que se libera de un étomo vecino durante la formacion térmica de un par. Por lo tanto, un nuevo hueco llamado hueco secundario se forma en el atomo vecino, el cual es nuevamente ocupado con un electron del atomo vecino. De esta manera, y bajo la influencia de un campo eléctrico exterior, los huecos viajan hacia @1 polo negativo de Ie fuente de tension como cargas elementales. En la figura 1.15 se muestra este proceso. En un semiconductor tipo P, las cargas elementales positivas se encargan del transporte de carga, Por esto, a este material semiconductor se lo denomina como «conductor tipo Ps» y su conductividad como «conductividad de huecos». 2812 Fisica del semiconductor Figura 1.15 Estruc- tura del cristal y meca- nismo de conduccién de un semiconductor Flujo de huecos tipo P 7 1.2.4 Juntura PN 1.2.4.1. Produccién de una juntura PN La mayoria de los elementos semiconductores tienen una zona de material puro tipo P asi como de material puro tipo N. Inevitablemente se forma una zona de transicion entre elas. Esta juntura PN tiene un especial significado para el funcionamiento de ios compo- nentes. Para lograr un modo de trabajo satistactorio de la juntura PN, la transicién del material tipo P al material tipo N debe ser union sin marca, es decir, sin discontinuida- des. En la tecnica de produccién, esta unién libre de marca se consigue mediante procesos de difusion. Por ejemplo, se pone una pequefia pildora de indio sobre una pieza de silicio tipo N, y el disco asi preparado se calienta en un horno aproximadamente 2 600°C. Con esta temperatura los atomos de indio penetran en el silicio tipo N y lo inundan con dtomos de imputeza trivalentes. Este proceso se denomina como «difu- sion», En la figura 1.16 se muestra este principio de fabricacién para una juntura PN. Anodo Indio puro Figura 1.16 Principio de fabricacion pare Juntura PN una juntura PN libre de discontinuidades Catodo,1 Diodos semiconductores Con la difusin de los atomos de impureza trivalentes dentro del silicio tipo N se forma una zona alrededor de la pildora de indio en la cual existen mas huecos que electrones libres. En consecuencia, el silicio tipo N originalmente presente en esta zona es re- dopado como silicio tipo P. Con el método de este proceso, se consigue que la union entre el material tipo P y tipo N este libre de discontinuidades. 4.2.4.2 Juntura PN sin tension aplicada Como consecuencia del movimiento térmico intrinseco de los atomos, los portadores de carga libre también viajan cruzando el interfase de una juntura PN. De este modo, los electrones del material dopado N alcanzan el rea tipo P, y los huecos del material dopado P alcanzan el area tipo N. A este proceso se lo denomina como «difusion». Se encuentra representado en la figura 1.17. Semiconductor Semiconductor tipo P tipo N Huecos movién- _-Superficie_Electrones movién- Figura 1.17 Difusién en una dose libremente —_—frontera_—_dose libremente juntura PN Debido a que los electrones que vienen de la zona N encuentran suficientes huecos libre en la zona P, y los huecos que vienen de la zona P encuentran suficientes electro- nes libres, ocurren recombinaciones cerca del interfase en ambas secciones del cristal. Los electrones que vienen del cristal tipo N se unen con los huecos existentes en el cristal tipo P, y ios huecos que vienen del cristal tipo P se combinan con los electrones existentes en el cristal tipo N. Como consecuencia de esta difusién, en ambos lados del interfase se forma una zona practicamente libre de portadores de carga méviles. Esta, por falta de portadores de carga méviles, tiene una conductividad considerablemente inferior a la de los materiales tipo P y tipo N adjuntos, y por esto se la denomina «capa barrera». Esta capa barrera tiene un espesor aproximado entre 1 y 5 ym. Todos los procesos de difusién, recombi- nacién y formacién de la capa barrera que han sido descritos, tienen lugar durante el proceso fabricacién de la juntura PN. Los materiales semiconductores puros tanto tipo N como tipo P son eléciricamente neu- tros, porque, aun después de a introduccién de étomos de impureza dentro de! material semiconductor puro, todavia existe el mismo nimero de protones y electrones en la malia cristalina. Pero durante el proceso de difusién, los portadores de carga negativa viajan desde el cristal eléctricamente neutro tipo N hacia el cristal tipo P que previa- mente también era eléctricamente neutro. En consecuencia alrededor de la capa 3012 Fisica del semiconductor barrera en el material tipo N, faltan los electrones que provienen de los 4tomos de impureza introduicidos. En esta zona se produce por esto una carga positiva. Por otro lado, los electrones que se han introducido en la parte dopada P de la capa barrera tlenan los huecos existentes que provienen de los étomos de impureza. Por lo tanto esta zona recibe una carga negativa. Como consecuencia de este proceso, en ambos lados del interfase se produce una carga espacial, la cual es positiva en la parte tipo N y negativa en la parte tipo P. En‘la figura 1.18 se muestran estas relaciones. Sin embargo, la carga espacial producida por los procesos de difusién, no puede crecer sin limite. Cuanto mas electrones de la capa N viajan hacia la capa P, mas crece la carga espacial negativa dentro de ta capa P. Esta se opone a la penetracién de mas electro- nes. Un proceso similar ocurre también para los huecos que vienen del cristal tipo P como consecuencia del incremento continuo de la carga espacial positiva en el oristal tipo N. Tan pronto como lilegan las cargas espaciales @ un cierto valor, una mayor difusion ya no es posible y ocurre un estado de equilibrio. El valor de tension en el cual cesa la difusién se denomina como «tension de difusién Up». Esta tension en realidad deberia Ilamarse «tension de anti-difusion~, porque evita una mayor difusi6n. Semiconductor ,_ Capa _, Semiconductor tipoP |“barrera”| tipo N Electrones moviéndose libremente Huecos moviéndose libremente frontera Figura 1.18 Capa barrefa y carga ty, lo ‘espacial en una juntura PN Ya que la tensién de difusién solo aparece muy cerca de la capa de berrera, ésta no puede ser medide directamente desde afuera. Sin embargo se la puede determinar por medio de una medicién indirecta, compensandola con una tensién externa de igual mTiagnitud pero de polaridad contraria. Esta tensién de compensacién es llamada en esta instancia «tension umbral». El valor de la tensiOn de difusion producida depende esencialmente del material semi- conductor usado. Para el germanio: Us +02a04V y para el silicio: Up = 0,5 a 08 V. Los valores intermedios precisos de la tensién de difusién dentro de estos dos rangos se determinan por medio de! grado de dopaje asi como de la temperatura de la capa barrera. . . 311 Diodos semiconductores 1.243 Juntura PN en direccién directa En la figura 1.19 se ha conectado una fuente de tensi6n a un cristal semiconductor con una juntura PN de modo que él polo negativo es conectado con el material tipo N y el polo positivo con el material tipo P. Bajo la influencia del campo eléctrico producido en el cristal semiconductor, tanto los electrones libres presentes en el semiconductor tipo N como los huecos libres presentes en el semiconductor tipo P viajan en la direc- cién de la capa barrera. Estos penetran en la zona libre de portadores de carga produ- cidos por la difusién antes de la aplicacién de una tension externa. Por lo tanto la zona originalmente ancha disminuye. Si la tension exterior es Io suficientemente grande, la capa barrera se desintegra casi completamente. De este modo, Ia resistencia de la zona también es pequefia, y la Corriente puede fluir e través del cristal semiconductor desde la fuente de tension. Asi, la juntura PN funciona en direccion directa, cuando el polo negativo de la fuente de tension externa se conecta con el material tipo N. . Semiconductor | Capa ; Semiconductor tipoP | parrera | tipoN Flujo de electrones. Figure 1.19 Juntura PN U>Up en direccién directa En la figura 1.19 también se observa que, en operaci6n directa, la tension aplicada es de Polaridad opuesta a la tensién de difusidn interna. Por lo tanto, una corriente puede fluir a través de Ia juntura PN recién cuando la tensién de difusién ha sido compensada por la tension externa de polaridad opuesta. El valor de tensién necesario de la fuente de tensién para este propésito es la tension umbral Uy. Esta tiene exactamente la misma Magnitud que la tension de difusién, pero de polaridad opuesta. Asi como en la tensién de difusién, la magnitud de la tension umbral depende exactamente, del material semi- conductor y de la temperatura de la capa de barrera. La tension umbral es: para el germanio: U, =0.2a04V y para el silicio’ U, = 05 a OBV.12. Fisica del semiconductor 1.24.4 Juntura PN en direccién inversa En la figura 1.20 el polo positivo de una fuente de tensién esta conectado con el material tipo N y el polo negativo con el material tipo P de un cristal semiconductor con una juntura PN. Como resultado del campo eléctrico formado en el cristal, los electrones libres en el semiconductor tipo N viajan ahora hacia el polo positivo, y los huecos en el semiconductor tipo P hacia el polo negativo de la fuente de tensidn. Por lo tanto, los portadores Ge carga libres existentes en el limite de la juntura PN viajan alejandose del Interfase. De este modo, el ancho de la zona libre de portadores de carga aumenta. El flujo de corriente a través del cristal no es posible porque la capa barrera, afectada por una gran resistencia todavia aumenta su ancho debido a la falta de portadores de carga Asi, una juntura PN funciona en direccion inversa, cuando et polo positivo de la fuente de tensién se conecta con el semiconductor tipo N. En este caso la tension de difusion y la tensién externa tienen la misma polaridad. Como resultado de las oscilaciones intrinsecas de origen térmico, en todo el cristal se producen permanentemente pares de huecos-electrones, por Io tanto también huecos méviles en la capa N asi como electrones en la capa P. Estos portadores de carga mévilos se denominan portadores minoritarios. Como resultado de la tensién aplicada, los electrones de la capa P y los huecos de la capa N viajan como cargas minoritarias a tavés del interflase PN en direccion inversa y producen una pequefia corriente deno- minada como «corriente inversa fy». Esta depende fuertemente de la temperatura, y a temperatura ambiente tiene valores de: Jy » 10.2 S00 WA para el germanio. y Iq = 5.2 500 nA para el silicio. Semiconductor Capa Semiconductor Figura 1.20. Junture PN en direccion inversa La tension en una juntura PN operada en direccidn inversa no debe ser una magnitud arbitraria. Si se excede un cierto valor, el efecto de la fuerza del campo eléctrico supera la fuerza de unién de los electrones de valencia. Entonces fluye sUbitamente una gran cottiente, la cual, si no tiene limite, causa la destruccién de la juntura PN.1 Diodes semiconductores Un juntura PN en direccion inversa tiene otras propiedades que se utilizan técnicamente. Por la falta de portadores de carga, la capa barrera acttia como un dieléctrico unido por ambos lados a un material de buena conductividad, Una juntura PN operada en direc- cién inversa actua por esto como un condensador. Naturalmente éste tiene una capaci- tancia relativamente pequefia denominada como «capacitancia de juntura». Su valor depende de la magnitud de la tensién inversa aplicada, Cuando mas aumenta la tension inversa, mas se ensancha la capa barrera. Esto equivale al aumento de la separacion de las placas de un condensador. Entonces la capacitancia de la juntura disminuye con el aumento de la tensién inversa, Esta propiedad especial de la juntura PN se utiliza de forma practica en un diodo de capacitancia variable, el cual sera tratado con detalle en la secci6n 1.6. 1.3. Diodos rectificadores y de conmutacion 1.3.1. Curvas caracteristicas Los diodes rectificadores y diodos de conmutacién representan una simple aplicacion do Ia fisica de los semiconductores. Los diodos consisten de un cristal semiconductor con una parte dopada tipo N y otra dopada tipo P, entre las que se localiza la juntura PN Como en la juntura PN la corriente puede fluir en una sola direccién, los diodos rectifi- cadores y diodos de conmutacién pertenecen a los componentes dependientes de la direccién de corriente. Los diodes son operados en direccién directa cuando el polo positive de la fuente de tension se aplica a la parte tipo P, y el polo negativo de la fuente de tension a la parte tipo N del cristal semiconductor. Al contrario, la operacién en direccién inversa, tiene lugar cuando el polo negativo se aplica a la zona tipo P y el polo positivo a la zona tipo N del diodo. Las designaciones de los terminales del diodo son derivadas de la direccién de paso. Asi se determina al electrode conectado at cristal tipo P como anodo [(Griego) = Entrada; camino hacia arriba] y al electrodo conectado al cristal tipo N como cétodo [(Griego) = Camino hacia abajo]. + - Semiconductor tipo P Anodo ‘Semiconductor Catodo tipo N 7 Direccién Direccién - directa inversa a) b) °) Figura 1.21 Representacién esquemitica y simbolos para diodos rectificadores 341.3, Diodos rectificadores y de conmutacién La figura 1.21 muestra el diagrama de construccién y los simbolos de circuitos norma- lizados para diodos rectificadores. En el simbolo, la punta del triangulo indica la direc- cién directa de la corriente (direccién convencional de la corriente). El comportamiento de los diodos con diferentes valores de tensiones de operacién se muestra en forma de cutvas caracteristicas. Estas curvas caracteristicas son muy diferentes en los rangos de direccién directa y direccion inverse, La figtira 1.22 muestra las caracteristicas directas y las caracteristicas inversas para diodos rectificadores de Si y Ge. En el rango directo los ejes X e Y tienen las denominaciones Us e Jf. El subindice «F» se deriva del inglés «Forward direc- tion = direccién directa». Al contrario, en el rango inverso se usa el subindice «R» que se deriva del inglés «Reverse direction = direccién inversa». le t Rango directo Us Ye vi v : Figura 1.22 Curvas caracteristi- da 28 para diodos reciificadores Rango inverso | ° vA. de Ge y Si De las curvas caracteristicas en la figura 1.22 se puede ver que, en el rango directo la corriente empieza a fluir recién cuando la tensién directa Ur sobrepasa la tension de difusion Up. Este valor minimo de la tensién directa Ur se denomina como «tensién umbral» U,. La transicién de un pequefio a un gran flujo de corriente es diferente entre diodos de Ge y Si. Asi la tensién umbral en diodos de germanio es U, = 03V y la transicion de un pequefio a un gran flujo de corriente tiene lugar gradualmente. Por el contrario, con diodos de silicio, después de que la tensién umbral U, ~ 0,7 V es exce- dida ocurre bruscamente un gran flujo de corriente. Por lo tanto la curva caracieristica directa de un diodo de Si tiene un «codo» pronunciado. También en el rango inverso, les curvas caracteristicas de los diodos de Si y Ge difieren. ‘Cuando en el diodo de Si se sobrepase fa maxima tensién inversa permisible Unmix, la corriente inversa /n = /resia crece subitamente y se produce un «codo» muy pronunciado en la curva caracteristica. Los diodos de Ge no tienen un codo tan pronunciado en su curva caracteristica durante la transicién hacia el rango de ruptura. La tension inversa 351 Diodos semiconductores Unix NO se debe sobrepasar en los dos diodos, porque de otra forma se destruye la juntura PN y con esto el diodo. La maxima tensién inversa permisible Unmx depende del material semiconductor y es: Unmex * 80 hasta aprox. 1500 V para diodos de Si y Unmix * 40 hasta aprox. 100 V para diodos de Ge. Entonces, la maxima tension inversa permisible en los diodos de Si es considerable- mente mayor que en diodos de Ge. Esta variacion es atribuible a la estructura atémica diferente del germanio y del silicio. También en el caso de las pequefas corrientes residuales, es decir, las corrientes que fluyen durante la operacién en direccién inversa y cuya conductividad intrinseca es atribuible al cristal semiconductor, son considerablemente diferentes entre los diodos de Ge y Si. Asi las corrientes residuales estan en los rangos: Jresig ** 5 2 500 NA para diodos de Si y Ieesig © 10 @ 500 HA para diodos de Ge. Por esto en el diagrama de la figura 1.22 se encuentra indicada la corriente directa /r en amperios, y la corriente inversa /a en micro amperios. Las curvas caracteristicas directa e inversa de los diodos rectificadores pueden ser determinadas estética o dinémicamente. La figura 1.23 muestra los circuitos de medi- cién para determinar punto por punto las curvas caracteristices directa e inversa. Los dos circuitos difieren solamente por la diferente disposicion de los voltimetros y ampe- rimetros. Por esto, los errores de medicién originados por la resistencia interna de los instrumentos de medicién son minimizados para las curvas caracteristicas directa e inversa 5 tov ak ¥ Dt a) Obtencion de la curva caracteristica directa) Obtencion de la curva caracteristica inversa Figura 1.23 Circuitos para la obtencién estatica de las curvas caracteristicas de diodos Con la ayuda del circuito de la figura 1.24 se puede reproducir {as curvas caracteristicas directa e inversa de los diodos, sobre la pantalla de un osciloscopio de una manera simple. Como consecuencia de aplicar una tensién alterna como tension de operacion, las dos partes de las curvas caracteristicas del diodo son barridas continuamente, de forma que aparece una imagen estable. Esta medicién dindmica es adecuada pera ta determinacién visual y comparacién de las curvas caracteristicas, pero es menos apro- piada para una precisa determinacién de los valores medidos individualmente. 361.3 Diodos rectificadores y de conmutacién 2 hasta 20 V 50 Hz Figure 1.24 Circuito para la representacién do las curvas caracteristicas de diodes con un ‘osciloscopio Las curvas caracteristicas de un diodo rectificador indicadas en la figura 1.22 de ninguna manera proporcionan suficiente informacion para el usuario. Por esto los fabricantes entregan, para cada tipo de diodo, hojas de datos, las cuales contienen un mayor numero de curvas caracteristicas especiales. Estas son usualmente extractos 0 seccio- nes de las mas importantes regiones de las curvas caracteristicas. Para una mejor representaci6n, frecuentemente se escogen la escala lineal-logaritmica o también la escala logaritmica doble; en lugar de la éscala lineal doble. Por esto las curvas caracte- risticas tienen usualmente una apariencia que difiere considerablemente de las curvas caracteristicas de la figura 1.22. Algunas curvas caracteristicas originales de diodos rectificadores seran tratadas con detalle en la siguiente seccién. 1.3.2 Valores caracteristicos De las curvas caracteristicas de los diodos se determinan muchos datos importantes para el uso y comportamiento de cada tipo individual de diodos en circuitos electroni- cos. Esto ocupa frecuentemente mucho tiempo. Sin embargo, los fabricantes entregan en las hojas de datos algunos:valores caracteristicos para ta répida informacion sobre determinadas propiedades. Estos valores caracteristicos de diodos se dividen usual- mente en datos limite y datos caracteristicos. Los datos limite son valores que de ninguna manera deben ser sobrepasados, porque de otra forma el componente se destruye. Por eso las fluctuaciones de {a tension de operacién y las tolerancias de otros componentes tienen que tomarse en cuenta. Un valor limite individual no debe sobrepasarse, alin cuando otros valores limite no estan utilizados plenamente. Como datos caracteristicos se indican las propiedades del componente semiconductor que determinan la caracteristica de comportamiento en ciertos puntos de trabajo. Los datos caractoristicos se subdividen en estaticos y dindmicos. Los datos caracteristicos estéticos describen el comportamiento en corriente continua, mientras que los datos caracteristicos dinamicos proveen informacién sobre el comportamiento en corriente alterna y la operacién de impulso. 371 Diodos semiconductores 1.3.2.1 Datos limite Un diodo puede ser eléctricamente sobrecargado de diferentes maneras: 1. Por una excesiva corriente directa Ir. 2. Por una excesiva corriente inversa Un, 3. Por una excesiva potencia de pérdida Pps. 4, Por una excesiva temperatura ambiental San. (Frecuentemente, en las hojas de datos se usa también Tams) Consecuentemente, los fabricantes entregan, para cada tipo de carga, valores limite cuyo simbolo usualmente se indica con el subindice max = maximo. Al sobrepasar estos datos limite de forma apreciable, usualmente se produce como consecuencia la destruccién inmediata 0 prematura dei componente. Ya que los diodos son muy utiliza- dos en complejos circuitos y equipos electrénicos, los resultados de una sobrecarga y su consecuente inservibilidad, pueden causar serios dafos. Valores limite para Us © i: Las hojas de datos generalmente contienen valores de corriente y tension con los siguientes significados: Up_= méxima tensién continua en direcci6n inversa. Uru = maxima tensién pico inversa permisible. Este es el valor pico de una ten- sién alterna en direccién inversa para una frecuencia de operacion mayor a 20 Hz, Je = maxima cortiente en direccién directa como un valor continuo 0 eficaz, lg = corriente promedio como un valor medio aritmético de la corriente del diodo. ‘ey = maxima corriente directa de pico periddica permisible. Este es et valor pico de una corriente altema en direccién directa para una frecuencia de operacién mayor a 20 Hz. ‘rs = maximo valor de corriente que puede fluir durante maximo 1 segundo. Con repeticiones periddicas, ocurren dafos, Para una mejor ilustracién, los valores limite de corriente listados se representan grafica- mente en Ia figura 1.25. i Valor pico de impulso Irs Valor pico peridcico Jem j Figure 1.25 Valores limite de corriente para diodes semiconductores 381.3 Diodos rectiicadores y de conmutacién Valores limite para carga pulsante Cuando un diodo no opera con una tensién de operacién de forma sinusoidal, sino con una de forma rectangular, se debe tomar en cuenta la carga pulsante permisible que se indica en la figura 1.26. El diagrama de la figura 1.26 indica la dependencia de la corriente directa Ir permisible sobre la duracién del pulso f, para los diodos tipo BAY 44, BAY 45 y BAY 46 seleccio- nados aqui como ejemplos. La relacién g = 2 se da como parametro. Cuanto més grande es el valor de g mas pequefia es la maxima corriente permisible en direccién directa. Valores limite para la potencia de pérdida Pio: Cuando un diodo opera en direccién directa, a los terminales se aplica la tensi6n directa Us, y fluye una cierta corriente directa Jr. El producto de corriente y tension da la Potencia de pérdida Poe. Poor = Us + te Carga pulsante pormisible Ie = ftp): 9 = parameto; Tamp = 25 °C A BAY 44, BAY 45, BAY 46 0 4 | 2 0 0? w 5 + cy 4 4 7 wo? ot 0% 9? ot oo ws Figura 1.26 Carga pulsante permisiblo 7 : de diodos Esta potencia de pérdida Ppa, produce un calentamiento del cristal semiconductor. La.maxima potencia de pérdide permisible esta indicada por el fabricante pera ciertas condiciones de temperatura como la potencia de pérdida total Pio. Basicamente es valido: Pow S Prot 391 Diodos semiconductores El diodo BAY 45 ya mencionado tiene una potencia de pérdida total Pi. = 250 mW con una temperatura ambiental San» = 25 °C. Esto indica que, por ejemplo, con una tension directa Ur = 1V, una corriente de P 250 mW Ue TV puede fluir mientras se mantengan las condiciones de temperatura. También en la operacién de un diodo en direccién inversa ocurre una potencia de pérdida, como resultado de la tensién inversa Un aplicada y del flujo de corriente resi- dual /rosia. Puesto que la Corriente inversa es muy pequefa, Ia disipacion de potencia es despreciable cuando opera en direccién inversa. Asi, para un diodo BAY 45 en opera- ci6n inversa, s6lo aparece una disipacion de potencia de Poss = Un + In = 150 V + 0,02 pA = 3 pW. = 250 mA ks Valores limite para la temperatura de 1a juntura 8 jms Esencialmente por la potencia de pérdida en operacién directa, se produce calor en la capa barrera el cual aumenta la temperatura de la juntura. Esta temperatura de la juntura 81 no debe exceder ciertos valores, porque entonces el cristal cambiaria fuertemente sus propiedades semiconductoras y el diodo se destruiria. Le temperatura permisible de {a juntura depende del material semiconductor y es imix © 70°C hasta 90°C con diodos de germanio y Bumix © 150°C hasta 200 °C con diodos de silicio. Valores limite de la temperatura ambiental 9smbmax Algunos fabricantes indican en lugar de la maxima temperatura de fa juntura, ta maxima temperatura ambiental Bamomax COMO valor limite. ambmex Siempre ES Menor que max. Existe el peligro de que la maxima temperatura permisible de la junture se sobrepase ‘como consecuencia de la disipaci6n de potencia y de la temperatura ambiental, enton- 2s el diodo debe ser enfriado. El asunto del entriamiento de diodos se trata con mas detalle en la seccion 13.23. 1.3.2.2 Datos caracteristicos La figura 1.27 muestra las curvas caracteristicas directas de los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46 ya mencionados, tal como se indican en las referentes hojas de datos. La tension directa Ur esta indicada en esta representacion en escala lineal, mientras que la corriente directa /- se indica en escala logaritmica. Por esto cerca del rango de repre- sentacién de la tension umbral, se da una apariencia completamente diferente que la que se tiene en una representacién lineal correspondiente, como en ta figura 1.22 ‘Ademas de la curva caracteristica para la temperatura ambiental Sem = 25°C, ta figu- ra 1.27 contiene también fa curva caracteristica correspondiente para San = 100°C. 401.3. Diodos rectificadores y de conmutacién La curva caracteristica entrecortada indica ta dispersion para Sem = 25 °C. Las curvas caracteristicas reales de los diodos suministrados de un tipo particular podrian encon- trarse entre les dos curvas para Bam = 25 °C. Resistencia estatica directa A: En el diagrama de la figura 1.27 se ha marcado dos puntos de trabajo. Para /r = 100 mA, Por ejemplo, resulta una tensién directa Ur = 0,97 V. La resistencia estatica directa Ar puede ser determinada con estos dos valores. Few Ue O8TY 70 ; le TA Para el segundo punto de trabajo seleccionado /r = 03 mA con Ur = 0,6 V resulta: Figura 1.27 Curvas ceracteristicas directas para Curves caracterfeticas directas los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46 para el de = 1 (Ue); Tam = 25°C; Tam = 100°C rango de la tonsién umbral, con dos puntos dea, BAY 94, BAY 45, BAY 48 trabajo dibujados adicionalmente oe Was mass oor de ders w --' 02 ev OF 08 08 10 097 ty Figura 1.28 Resistencia esté- tica directa para los diodos Ur BAY 44, BAY 45 y BAY 46 en » 097 Vet rango de la tensién umbral 411 Diodos semiconductores La resistencia estatica directa es la impedancia de corriente continua de un diodo. Esta no es Constante, sino depende del punto de trabajo seleccionado. Por encima de la tensién umbral, la resistencia directa Ar es muy baja, mientras que por debgjo ésta es relativamente alta. En la figura 1.28 Ia resistencia estatica directa deter- minada de la figura 1.27 se muestra nuevamente en la relacion Ar = £(Us). Resistencia dinamica directa Para la resistencia dinamica directa se utiliza el simbolo rr. Esta se puede determinar de la variacion de la corriente A/r resultante de una variacién de la tension AUr para un cierto punto de trabajo. En la figura 1.29 se ha trazado el desplazamiento del punto de trabajo sobre la misma familia de curvas caracteristicas de la figura 1.27. De la figura 1.29 se puede determinar la resistencia directa dinamica 0 diferencial r para los puntos de trabajo seleccionados, por medio de la formacién de la relacién entre la variacién de tensién AUr y la variacién de corriente Alr. _AUr_ _08V-07 _ 018V dk 10MA—25mA 7,5mA te 133.0 Curvas caracteristicas directas /r = /(Ur) Resistencia dinamica directa re = (Is); Tam = 25°C; Tamb = 100°C; Frecuencia de medicién f = 1 MHz mA BAY 44, BAY 45, BAY46 BAY 44, BAY 45, BAY 4 w — of = y —— Valores medio 5 t ot co per © " 1 WL Ta ions = 2500 | L 7 w 5 ale 0? 0 5 wv o ww? 5 oe o ou OF OEY Os Io fav ® oe ow ogi ? Ur wv 0 1 f De mA F Figura 1.29 Curvas caractoristicas directas Figura 1.30 Resistencia dinémica directa para los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46 con para los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46 dos puntos de trabajo trazados adicionalmente 4213 Diodos rectificadores y de conmutacién También la resistencia dinamica directa re depende grandemente det punto de trabajo en el cual opera el diodo. Esta disminuye con el aumento de Ia corriente directa. En la figura 1.30 se ha dibujado como una curva caracteristica en escala doble logaritmica la resistencia dinamica directa para los diodos ya mencionados. Resistencia estatica Inversa Aa En las hojas de datos también se indican las curvas caracteristicas para la operacion inversa de los diodos. En la figura 1.31 se muestra la curva caracteristica inversa para el diodo BAY 45 para Sem = 25°C y Sam = 100°C. Los valores de dispersién estan dibujados nuevamente con linea entrecortada, De la curva caracteristica inversa segiin la figura 1.31 se puede obtener la resistencia estatica inversa, Curvas corecteristicas Inversas /n = f (Un) Temp = 25°C; Tame }00 °C Capacitancia del dlodo como une fun- clén de Ia tension inversa C = f (Un) mA BAY 45, oF BAY 44, BAY 45, BAY 46 ro 0 5 c k te 5 1 5 BAY 44: BAY 45, 5 BAY 46. w 5 100) 0 30 100 OV sw 5 8 oY OV > yy —~u% Figura 1.31 Curva caractaristica inversa dei Figura 1.32 Capacitancia de! diodo diodo BAY 45 como una funcién de la tension inversa para los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46 431 Diodos semiconductores La resistencia inversa An es muy grande en todo el rango inverso permitido, Esta varia telativamente poco dependiendo de la tensién inversa. Sin embargo, si se sobrepasa ia maxima tension inversa pico permisible Un ocurre una ruptura, y la resistencia inversa se hace subitamente muy pequefia. Con esto el diodo queda inservible. Muy raras veces se indica la resistencia dinamica inversa ra porque para la operacién practica de diodos ésta es bastante irrelevante. Capacitancia del diodo Co La capa barrera formada entre el material tipo P y el tipo N actua como un dieléctrico al cual se le conecta a cada lado un material de buena conductividad. Por esto, aun sin tensién aplicada, cada diodo tiene una capacitancia de juntura. Esta disminuye con el aumento de la tension inverse por que crece el ancho de la capa barrera Le capacitancia del diodo Cp se obtiene de la capacitancia de la juntura y de la capaci- tancia que ocurre entre los terminales de! diodo y su envoltura. La figura 1.32 muestra la capacitancia dei diodo en funcién de fa tension inversa para los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46, Aunque esta capacitancia del diodo Cp tiene un valor relativamente pequefio, ésta puede tener un efecto de mucho disturbio en la utilizacion practica de los diodos. De esta manera, la figura 1.33 muestra un circuito RC con una cierta constante de tiempo, la cual se puede formar de la capacitancia del diodo junto con la resistencia en serie de la fuente de tensién externa. R Figura 1.33 Circuito RC consisiente de la ca- rT 4 pacitancia del diodo y de una resistencia serie Durante la operacién con una tensién alterna de muy alta frecuencia, la parte RC actla como un filtro paso-bajo, y en la operacién de impulso éste actua como un circuito integrador causando una deformacién del impulso. A muy altas frecuencias 0 en la ‘operacién de impulso, asi como en la técnica digital por ejemplo, se deben seleccionar diodos con una capacitancia de diodo lo mas baja posible. Tiempo de recuperacién inverso t, Si un diodo opera en direccién directa, la capa barrera se desintagra, y numerosos portadores de carga se localizan en la regién de la capa limite entre el material tipo P y €t tipo N. En el momento de un cambio subito de la polaridad de Ia tensién externa (transicién de operacién directa a inversa), una accién de bloqueo de la junture PN Puede ocurrir solamente cuando todos fos portadores de carga han salido de la capa de barrera. 441.3 Diodos rectifcadores y de conmutacién En la figura 1.34 se muestra en forma esquematica la fase de transicién de la operacion directa a inversa. Se puede reconocer que durante un cierto tiempo después del cambio" de polaridad todavia fluye una fuerte corriente en direccién inversa. El tiempo que demo- ra la evacuacién de los portadores de carga de la capa de barrera se denomina tiempo de recuperacién inverso tr, E} subindice «rr» esta tomado del idioma inglés y se deriva de «reverse recovery time». Figura 134 Tiempo de recuperacion inverso En las hojas de datos siempre se indica el tiempo de recuperacién inverso para condi- ciones especificas, Asi, en la mayoria de los casos se indica la corriente directa /r antes, de la conmutacién, y la tensién inversa aplicada Up para el instante después de la conmutacién. Por ejemplo, si previamente fluyé una corriente directa Ir = 5mA en el diodo BAY 45 la corriente inversa que fluye con Un = 10V ha regresado @ In = 2mA después de ty = 4,5 us. La corriente inversa que se establece finalmente es menor a 20nA. Por varias razones, el tiempo de recuperacion inverso debe ser lo mas pequefio posible. Asi, inmediatamente después de la conmutacion desde la operacion directa hacia ta inversa, se puede aplicar una tensién inversa alta Ua mientras un alto pico de corriente inversa /ny fluye todavia durante un cierto tiempo. Por esto, durante un corto tiempo se produce una alta potencia de pérdida Pps, la cual puede destruir el diodo. Ademas, el tiempo de recuperacién limita también la maxima frecuencia que se puede rectificar con el referente diodo. La rectificacién es posible inicamente cuando la duracién de la media onda a bloquearse es mayor que el tiempo de recuperacion inverso. Los diodos con un tiempo de recuperacién inverso particularmente corto se denominan como «diodos de répida conmutacién» y se producen con métodos especiales. En estos diodes el tiempo de recuperacién inverso es mucho menor a 1 nanosegundo. Por el contrario, en diodos rectificadores grandes el valor de %, puede ser de algunos microsegundos. ; 451 Diodos semiconductores 1.3.2.3 Dependencia de temperatura Si a un diode semiconductor se le suministra energia en forma de calor desde el exterior, varias uniones de los cristales se rompen y la conductividad intrinseca ‘aumenta, En consecuencia, con los mismos valores de tensién fluyen mayores corrien- tes tanto en direccién directa como en direccién inversa. En la figura 1.35 se puede reconocer la dependencia de temperature de la corriente directa. Por ejemplo, si en los diodos mencionados anteriormente, con una tension Ur = 0,8 V la temperatura ambien- tal umenta de Sen = 25°C a Samp = 100°C, la corriente directa asciende desde fe = 10 MA hasta fe = 35mA. La figura 1.36 muestra la dependencia de temperatura de la corriente inversa /n para los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46. Aqui esta trazada la corriente inversa como una funcién de la temperatura para la maxima tension inversa permisible, Para ambos puntos de trabajo dibujados, se puede ver que ta corriente inversa sube de /; = 20nA con Sant = 30°C 8 In = 430 NA CON Ban = 100°C. Por la dependencia de temperatura de Jr @ fa los fabricantes de diodos entregan siempre en las hojas de datos los valores caracteristicos y limite para ciertas temperaturas ambientales. Curvas caracteristicas directas /r = f (UF) Corriente inversa Ip = f (Tomb) Tamb = 25°C; Tam = 100°C @ max. tensién inverse permisible mA BAY 44, BAY 45, BAY 46 aA BAY 44, BAY 45, BAY 46 v 02 ke Valores madios 5 Ye-tan, wel —— Yee" oe pean» f ky ts -y 100 0° 01 4 v 5 2 0? 5 —— Voor medio 3 = Uses seers 0 io 2 08 08 a8 10 tev 7 0 te 0: —% —-h Figura 1.35 Curvas caracteristicas directas para Figura 1.36 Dependoncia de temperatura los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46 de la corriente inversa para los diodos BAY 44, BAY 45 y BAY 46 461.3. Diodos rectiicadores y de conmutacién Resistencia térmica En la operacién de un diodo, la potencia de pérdida Ppa que aparece dentro de la capa de barrera se transforma en calor. Este calor debe ser disipado hacia el aire del ambiente por medio de la cépsula de.metal, plastico o vidrio que envuelve al cristal. Basandose en las leyes térmicas, la disipacién de calor resulta mejor cuanto mas grande es la diferencia de temperatura entre la capa barrera y el aire del ambiente, y si la evacuacién del calor generado tiene lugar con un minimo de obstaculos. La efectivi- dad de la disipacién de calor de la capa barrera a través de! material hacia el aire se indica por la resistencia térmica Ainsa (ingl. th = thermal = térmica; J = junction = jun- tura (capa barrera); A = ambient = ambiente). En la figura 1.37 se representa esta rela- cién en un esquema del circuito equivalente. (Capa barrera ‘Ambiente | : Resistencia Fuente de calor térmica ——— Oo} === Aire del ambiente Pose Pinan —= 8 Bano Figura 1.37 Esquema del circuito equi velente para la resistencia térmica Aina La resistencia térmica Rina se define como 9 - 9 Roun = en * {Kelvin por vatio) con 8j = Temperatura de juntura Sere = Temperatura ambiental Pos: = Potencia eléctrica convertida en calor en la capa barrera. De la ecuacién resulta que, cuando la cantidad de calor disipado por la capa barrera es mayor, la resistencia térmica es menor. Por ejemplo, si la diferencia de temperatura es 50 K y la resistencia térmica tiene un valor Anua = 50 K/W, asi una potencia Per = 1W es disipada sin que la temperatura del semiconductor aumente mas. Con AT = 50K y Risa = 10 K/W se puede disipar una potencia Pre, = 5 W. Por esto, la disipaci6n total de potencia Pi: para un diodo no sélo depende de la temperatura maxima de la juntura, sino también de la resistencia térmica Rina. En diodos con una potencia de pérdida Pps, < 1 W, una disipacion de calor a través de le superficie de la envoltura es, por regla general, suficiente. Como se indica en la figura 1.37, la resistencia térmica Ana esta asociada con el camino desde la capa barrera, a través de la envoltura, hacia el aire del ambiente. Enfriamiento En caso de potencias de pérdida Pra > 1W, la disipacién de calor por medio de la énvoltura ya no es suficiente, porque la superficie de la envoltura es demasiadamente pequefia. La superficie de radiacién puede incrementarse considerablemente cuando et 7 471 Diodos semiconductores diodo tiene un disipador. Laminas y placas o perliles de aletas especiales de cobre, aluminio o acero son apropiados para esto debido a su buena conductividad de calor. Si los diodos estén operados con un disipador adicional, entonces Ia resistencia térmica Fina est compuesta de un circuito en serie de tres resistencias parciales, fa aplicacion es la siguiente: Poa = Rive + Rinco + Aino Rose = Resistencia térmica entre la juntura y la capsula Ruco = Resistencia térmica entre la capsula y el disipador Ro = Resistencia térmica del disipador En el tipo de montaje mostrado en la figura 1.38, hay que tomar en cuenta que, a pesar del circuito en serie de las resistencias térmicas parciales, la resistencia térmica total Roa entre la juntura y el aire del ambiente es, debido a'la mayor superficie, menor que la resistencia térmica Rina valida para un componente semiconductor sin disipador. Capa barrera (juntura) Figura 1.38 Esquema del circuito \| \\ | 6 Bano equivalente de la resistencia térmica Aire del ambiente Para semiconductores con disipadores mA La potencia de pérdida Pye, de un diodo con disipador se calcula con la ayuda dé la ecuacion Be 84 — an er Fine + Finco + Fino” Ejemplo 1 Un diodo de Si tiene una temperatura de juntura 9) = 160°C y una resistencia térmica entre juntura y aire del ambiente Rina = 60 K/W. Qué corriente /r puede fiuir por el diodo cuando ta temperatura ambiental Samo = 40°C y la tension directa Ue = 0.8V? 84 — Samo _ 150°C - 40°C __110K Finan 0 K/W eK Poor 183 W fe1.3 Diodos rectiticadores y de conmutacién Ejemplo 2 EI diodo mencionado en el ejemplo 1 se dota de un disipador, de manera que las siguientes resistencias son obtenidas: Ric = 10K/W; Anco = 2K/W; Fino = 20K/W. zQué corriente puede ahora tluir por el diodo? Bomb 190°C - 40°C 10K tnco + Aino = 10K/W + 2K/W+ 20K/W 32 K/W 3.46 W 100 70 50 40 30 20 10 Rip en K/W Figura 1.39 Resistencia térmica de 100-200-300 400 diferentes laminas de enfriamiento Aencm? = La resistencia térmica Ano de un disipador, no solamente depende del tamajio de la superficie, sino también del material. Esta dependencia del material esta usualmente indicada en un diagrama. La figura 1.39 muestra este tipo de diagrama. Las curvas caracteristicas dadas en la figura 1.39 valen para placas de enfriamiento independientes de diferentes materiales, de forma cuadrangular, y colocadas vertical- mente. La ‘transferencia de calor puede ser mejorada con el ennegrecimiento de las placas. Entonces los valores que se teen en la figura 1.39 de la resistencia térmica o de la superficie de la placa de enfriamiento deberian ser multiplicados por un factor de 0,7. Por el contrario, con les placas de enfriamiento colocadas horizontalmente se debe multiplicar uno de los dos valores por un factor de 1,7 porque la disipacién de calor ya no es tan favorable. 491 Diodos semiconductores Ejemplo El diodo de Si BY 195, segin la hoja de datos, tiene los valores: Samp = 150°C; Finuc = 5 K/W: Fiyeo = 1.5 K/W. Con una temperatura ambiental Bam) = 50°C y una tension directa Ur = 1V, debe fluir una corriente directa /e = 10 A. 4Cusl debe ser el area de la placa de entiamiento cuando se usa una lamina de aluminio ennegrecida de 2mm de espesor? 8y- 9, ino = Bey” Rinse + Rinco) 15°C ~ 50°C SS - KW + 15 K/W) = 35 KW voioa 7 + 15 K/W) = 3; Del diagrama de la figura 1.39 se puede obtener ol area para una lémina de aluminio de 2mm de espesor A 200 em? Debido a que la placa de enfriamiento debe ser ennegrecida, el area se reduce por un factor de 07. Consecuentemente, el érea de enfriamiento requerida se obtiene por: A = 200 om? - 0,7 = 140 cm? Hoy en dia el volumen de uso de disipadores con aletas de enfriamiento aumenta. Generalmente son fabricados de aleaciones de aluminio. Se encuentran disponibles por piezas individuales 0 por metros. La superficie es cauterizada mate o anodizada mate. Para diodos de potencia y tiristores, hay también bloques de enfriamiento pre-fabrica- dos segun las normas DIN. En la figura 1.40 estan ilustrados algunos disipadores, Disipador vendido por metros. Disipador de Resistencia térmica en secciones de 50 mm fundicién continua y conveccién libre segin norma DIN 41 882 Poo = 47 KW Pino = 1.1 KW Figura 1.40 Disipador de aletas13 Diodos rectificadores y de conmutacién Entre la capsula de un componente y el disipador deberia existir un contacto muy estrecho, para mantener {a resistencia térmica Anco lo mAs pequefia posible. Esto se logra con una pasta conductora de calor hecha de grasa de silicio, En ciertos casos no debe existir contacto eléctrico entre la cdpsula metalica del compo- nente y é! disipador. Se utilizan entonces discos plasticos o de mica como material aislante interpuesto. Héy que tomar en cuenta que por esto la resistencia térmica Anco sufre un aumento de 0,25 K/W a 1,5 K/W. Esta resistencia térmica mayor no se puede feducir nuevamente ni con el uso de la pasta conductora. Sj los diodos se encuentran operando bajo un régimen de impulsos, la potencia de Pérdida durante e! impulso puede ser mayor que en una operacién continua, porque durante la pausa del impulso ocurre un nuevo enfriamiento. Para simplificar el calculo, en las hojas de datos se reemplaza muchas veces le resistencia térmica Ric por una resistencia térmica @ impulsos rnyc en forma de curva caracteristica. x W wt Resistencia térmica » impulsos finyc = f(t) (Razén de medicién v = Parémetro) ty te ES 0,2) o 0° 5 02 Or: 5 Fate ot 97, 07 ws 10° 0 w? wt ‘0° ws Figura 1.41 Resistencia térmica @ impulsos ruc Como parémeiro se use la relacion g = 2 como en ia figura 1.26. La figura 1.41 muestra el diagrama para la resistencia térmica a impuisos fino. 511 Diodos semiconductores 1.3.3. Propiedades caracteristicas de diodos de Si, Ge y Se En la tabla segun la figura 1.42 se han juntado y comparado los datos de las propieda- des caracteristicas de los diodos de silicio, germanio y selenio. Los diodos de selenio fueron muy difundidos anteriormente, pero en estos dias son utilizados solo como rec- tificadores en cargadores. Propiedad Diodo de Silicio Diodo de Germanio Diodo de Selenio Caracteristica Tension de 05 V -08V o2Vv-04V os Vv Umbral Us Maxima tension 80 V — 1500 V 40.V — 100 20 V — 30 V por placa inversa Unmax Maxima densidad 100 A/cm? 50 Asem? 0.1 A/cm? de corriente per- misible en fa capa semiconductora Corriente inversa Jn Maxima temperatura de la juntura umbx Dependencia de temperatura de la corriente inversa Potencia de pérdida permisible Potemax Forma de la curva caracteristica Aplicaciones 5 nA — 500 nA 160°C ~ 200°C Se duplica con un aumento de 8 K de temperatura Atta (debido a la més alta temperatura de juntura) te 400v Ma Rectificacion de todo tipo en operacién de conmutacion 10 WA — 500 HA 70°C — 90°C Se duplica con un aumento de 10 K de temperatura Promedio Te e0v a oav OF a Rectificacién en HE 100 WA — 500 HA 0° — 80°C Se duplica con un aumento de 5 K de temperatura Promedio rr 26v rs cosy OF Ha Reetificacién de sistemas de potencia Figura 1.42 Propiedades caracteristicas de diodos de Si, Ge y Se13. Diodos rectiticadores y de conmutacion 1.3.4 Designaclén de diodos. Para la designacién de tipos de semiconductores, los febricantes europeos utilizan mayormente la codificacion «PRO ELECTRON», mientras que los fabricantes americanos y japoneses usan mayormente la codificacién «JEDEC». En ambos casos se utilizan letras y numeros. Sin embargo, como muchos tipos de diodos tienen dimensiones muy pequefas, la impresiOn de las letras y nmeros sobre la capsula es inevitablemente muy pequefia y por consiguiente de dificil lectura. Ademas el peligro de borrado y de confu- sion es muy grande. Por estas razones, hoy en dia, los diodes pequefios de cualquier tipo se los identifica muchas veces no con letras y numeros sino con anillos de colores, de la misma forma que las resistencias. 13.41 De jignacién seguin JEDEC | La codificacion JEDEC para diodos consiste de una combinacién de «1 N» y una cifra de cuatro digitos. La indicacién basica «1 Ne indica la presencia de una union «PN». Luego sigue una cifra de cuatro digitos la cual est impresa sobre la cépsula 0 indicada por medio de anillos de colores. El primer anillo de color siempre tiene el doble de ancho que las tres siguientes. Este indica al mismo tiempo el terminal de catodo del diodo. Existe la misma correlacion entre los colores y los diez digitos como en el cédigo de colores para resistencias’ Negro 20 Verde a5 Calé a Aul a6 Rojo a2 Violeta 2 7 Narenja 23 Gris 8 Amarillo 2 4 Blanco 4 9 La designacién del diodo de Si del tipo 1N4148, cuyos datos caracteristicos ya estan indicados en ta figura 1.42, se muestra en la figura 1.43. Figura 1.43 Designacién por amarilo café emarilo gris colores del diodo de Si 1N4148 : segin JEDEC 1N 4 1 4 8 1.3.4.2 Designacién segan PRO ELECTRON La codificacin «JEDEC> tiene un gran inconveniente, que la designacién del diodo no da ninguna indicacién sobre el tipo y posibilidades de utilizacién del respectivo diodo. Por el contrario, con la codificacién «PRO ELECTRON» los tipos de diodos se diferen- cian mas. La primera letra indica el material semiconductor. La segunda letra indica ia funci6n principal y eventualmente se encuentra una tercera letra, la cual indica un uso comercial. Luego siguen todavia dos 0 tres numeros. 531 Diodos semiconductores En la designacion de diodos segiin «PRO ELECTRON», la ra. letra da informacion sobre el material semiconductor: A 8 germanio silicio La 2a2, letra describe detelladamente la funcién principal: = generalmente para la rectificacién de pequefia sefial; diodo de conmutacion diodo de capacitancia variable (varicap) diodo tunel diodo de oscilacién para la utilizacion en HF (alta frecuencia) diodo que responde a un campo megnético diode multiplicador diodo de potencia para rectificadores de sistemas de potencia diodo Zener; diodo de referencia f N La 3ra, letra se utiliza para la indicacién de tipos comerciales. Aqui se utilizan principal mente las fetras X e Y, asi como también Z. Los tipos esténdar de diodos tienen una designacién que consiste de dos letras y tres cifras, mientras que los tipos de diodos de uso comercial tienen tres letras y dos cifras. Las letras y numeros se imprimen sobre la cdpsula o estan indicadas por un cédigo de anillos de colores segin la tabla de la figura 1.44. El primero y el segundo anillo de color son de doble ancho y ademas indican el terminal del catodo. Bandas de color anchas Bandas de color delgadas Ara. y 2da. letras Sra, tetra Numeros Café = AA Blanco = Z Negro = 0 Rojo = BA Gis = Café = 1 Negro = xX Rojo =2 Azul w Naranja Verde =V Amarillo Amarillo = T Verde Naranja = Azul Violeta = Gris Blanco = Figura 1.44 Cédigo de colores para la designacién de diodos segén «PRO ELECTRON> 5413 Diodos rectificadores y de conmutacién La figura 1.45 muestra como ejemplo la designacién por colores del diodo BAY 93. Se trata de un diodo de Si (tra. letra 8) para rectificacién de pequefas sefales o pare trabajos de conmutacién (2da. Letra A), como tipo comercial (Sra. Letra Y), con numero de serie 93. ——c—— PAN rojo gris blanco naranja foot td BAY 9 3° ° Figura 1.45 Designacidn por colores del diodo BAY 93 segin la codificacién «PRO ELECTRON» Para diodos comerciales de Si, hay todavia la posibilidad de que la combinacién de las letras se indican por el color de la envoltura. Entonces es valido: verde claro = BAV azul claro. = BAW negro = = BAX El siguiente numero de serié se indica normalmente por anillas de colores. El primer anillo ancho se encuentra en el lado del cdtodo del diodo. La figura 1.46 indica un ejemplo de este tipo de codificacién para un diodo BAW 62. ZX | ' azul claro azul rojo tot | BAW 6 2 Figura 1.46 Designacién por colores para el diodo BAW 62 ‘También se encontraran diodos con una designacién que varia de los dos sistemas de codificacién mencionados. Asi, los anillos de colores pueden tener todos el mismo ancho, pero estan claramente situados a un extremo del diodo. Entonces este extremo es el lado del cétodo. Muchas veces este lado esté marcado también por un punto de color 0 con la impresién de un simbolo de diodo.1 Diodos semiconductores 1.4 Ejemplos de aplicacién de diodos rectificadores y de diodos de conmutaci6n Los diodos rectiticadores pueden ser subdivididos en diodos rectificadores pequefios y diodos rectificadores de potencia. El termino «diodo rectificador pequefio» se utiliza generalmente para diodos con una corriente directa maxima permisible de pocos mA hasta aproximadamente § A. El rango de los diodos rectificadores de potencia se extiende desde cerca a 5 A hasta 2000 A. El uso principal de los diodos rectificadores pequefios y de potencia es la rectificacion de tensién alterna de baja frecuencia, especialmente de tensiones de red. Pars la rectifica- cién de tensiones alternas de alta frecuencia se utilizan predominantemente diodos de germanio de punto de contacto debido @ su muy baja cepacitancia de juntura, Por esto se los denomina como diodos de alta frecuencia. Los diodos de conmutacién tienen tiempos de recuperacién en sentido inverso particularmente pequefios, Estos posibilitan una rapida conmutacion en ta operacién de impulsos y por esto se los utiliza en mayor volumen en la tecnologia digital. Los diodos universales se empiean como diodos rec- tificadores pequerios asi como diodos de HF hasta frecuencias de unos pocos MHz. Estos también pueden ser usados como diodos de conmutacién en tanto no existan exigencias particulares sobre tiempos de conmutacién excesivamente cortos, 1.4.1 Circuitos rectificadores Los circuitos electronics requieren generalmente una o varias fuentes de tension con- tinua como suministro de corriente. Cuando el requerimiento de energia es alto, la utilizacion de baterias no es econdmico, y la alimentacién se toma de la red de tension alterna, Por lo tanto es necesario ademas de una reduccién por transformador, una rectificacién de la tensién alterna. Para esto son muy apropiados los diodes semicon- ductores debido @ su pequeria tensién directa, su alta capacitancie de carga y su alta relacién entre la resistencia inversa y la resistencia directa. Para valores intermedios de tension y de carga se utilizan también rectificadores de selenio junto a los diodos de silicio, mientras que, para mayores valores de tension y de carga, se utllizan mayormen- te diodos reciificadores de silicio. Para el dimensionamiento de circuitos rectificadores es absolutamente necesario cono- cer la corriente directa media, la corriente pico y la ‘maxima tension inversa. Estos valores dependen, entre otras cosas, de si la rectificacién tiene la ayuda de un circuito rectificador de media onda o de un circuito rectificador de onda completa. 1.4.1.1 Circuito rectificador de media onda (M1U) En el circuito indicado en la figura 1.47, el diodo solamente estara conduciendo durante las medias ondas positivas de la tensi6n alterna suministrada par el transformador. Por lo tanto, una corriente fluird por la resistencia de carga solamente durante las medias. ‘ondas positivas. No obstante, en la resistencia de carga se presenta solamente una tensi6n cuando el valor pico de la tensién alterna es mayor que la tensién umbral del diodo, La curva de tensién en la resistencia de carga Fi, corresponde a la media onda de 561.4 Ejemplos de aplicacién de diodos rectificadores y de diodos de conmutacién ut Figura 1.47 Esquema y formas de onda de tensién de un circuito rectificador de media onda (MAU) con carga resistiva la tension del transformador, pero restada la tension directa del diodo. Ya que el diodo No conduce durante la media onda negativa de la tensién alterna, toda la tension del transtormador u, esta presente sobre el diodo durante esta media onda. Si se cambia le polaridad del diodo segun el circuito de la figura 1.47, éste no conduciré durante la media onda positiva pero conduciré durante la media onda negativa. La tension presente en la resistencia de carga es entonces negativa en relacién a la masa, esto se debe a que la corriente fluye a través de Ren Ia otra direccién. La figura 1.47 indica las formas de onda de Ia tensién del transformador u,, de la tensién en la resistencia de carga U2 y de.la tensién en el diodo up, dibujadas con la correcta relacién de fases entre ellas, Ademés la forma de onda de la corriente /, también esta dibujada. La tensién presente en la resistencia de carga uz 8s una tensién pulsante 871 Diodos semiconductores 4 Ao ag u Pt on tease Vf foosanos yf Figura 1.48 Circuito rectificador de media onda con condensador de carga y resistencia de carga continua. La tensién de salida uz de un circuito rectificador de media onda como el de la figura 1.47 pulsa tan fuertemente que por lo generai no se usa para la elimentacién de tensién de equipos electrénicos. Por esto se debe garantizar que por a resistencia de carga también fiuya una corriente durante el periodo inverso del diodo. Esto es posible cuando en paralelo a la resistencia de carga se pone un condensador Cy de alta capacitancia. La figura 1.48 muestra un circuito de este tipo, En el circuito de la figura 1.48, el condensador C; actiia como un almacén. Este se carga cuando el diodo conduce durante la media onda positiva. Asi fluyen dos corrientes al mismo tiempo, une corriente de carge de! condensador y una corriente de carga por la resistencia, Durante la semionda negativa, en la cual el diodo no conduce, el condensa- dor de carga entrega la corriente y la tension a la resistencia de carga al descargarse sobre Ri. El mejor alisamiento de Ia fuerte tensién continua pulsante debido al conden- sador Ci depende de dos condiciones: 1. De la capacitancia del condensador de carga C1. Cuando su capacitancia es menor, mayor sera su descarga durante la media onda negativa. Consecuentemente el factor de rizo aumenta y el valor aritmético medio de la tensién de salida disminuye. 2. Del valor de la resistencia de carga Ri. Sila resistencia de carga es mayor, menor es la corriente que fluye a través de ella y menor es la descarga del condensa- dor mientras el diodo no conduce. Si falta la resistencia de carga, 0 sea con A = ©, el condensador esté cargado casi hasta el valor pico de la tension de salida del transformador porque ya no hay mas descarga durante los periodos de no-conduccién. La magnitud de fa-tensién de salide continua U;_ es altamente dependiente de la capacitancia del condensador de carga Ci y de la corriente de carga i. Hasta ol momento, para fuentes de alimentacién se ha adoptado como valor medio para la magnitud del condensador de carga una capacitancia de 1 uF por 1 mA de corriente de carga. Hoy en dia para fuentes de alimentacién de baja tensién se utiliza un condensa- dor de 10 uF por 1 mA de corriente de carga. Bajo esta suposicién se da, para propés! tos de cdlculo eproximado, una relacién fija entre la tension continua de salida Uz ~ y el valor eficaz U, de la tension alterna a la salida del transformador. Se aplica entonces lo siguiente: Uz 12+ Uy1.4 Ejemplos de eplicacién de diodos rectificadores y de diodos de conmutacién Para la tension de salida del circuito sin carga, o sea R, = 0: ase = V2 «Us En la figura 1.49, se indican las formas de onda de un circuito M1U para tres casos. En un circuito rectificador de media onda con condensador de carga, el diode ya no conduce durante la media onda completa, sino solamente durante un periodo corto de tiempo. Este periodo de tiempo depende de los valores instanténeos de la diferencia de tensién entre cétodo y nodo. El recargamiento del condensador de carga comienze durante la media onda positiva de tensién de salida del transformador en el instante en el cual la tension del anodo sea 0,6 V mayor que la tension del cdtodo. La recarga se termina tan pronto como la tensién del 4nodo es menor que la tension del cétodo, es decir, mas baja que la tensién del condensador. —— con A poro sin C. mone GC. alto 0 A. alte © A pequefia Ci. pequefio o A bajo 0 falta GnyZ- uy Fase de Fase de conduccién bloqueo Figura 1.49 Formas de onda de tensién para un circuito rectificador de media onda (MU1) con condensador de carga Para que la tension de salida se mantenga constante lo mas posible, se debe suminis- trar al condensador de carga Ci, durante el corto tiempo de carga, la misma cantidad de energia que es entregada por la resistencia de carga durante el tiempo considerable- mente mas largo de descarga. Por esta razén la corriente de recarga que fluye por él diodo es aumentada por un factor de 5 a 12 veces la corriente continua oxtraida, depon- diendo de la fuente de tensién de red y de la composicién de ta carga. En la figura 1.50 se muestran estas relaciones, Cuanto mayor sea el condensador de carga, mayores son también las corrientes direc- tas, porque debido a la baja descarga solamente se disponen de tiempos siempre mas cortos para la recarga. Por esto los fabricantes de diodos rectificadores muchas veces indican en las hojas de datos el valor maximo para el condensador de carga.1 Diodos semiconductores Sin embargo, cuando una fuente de tension de red es encendida por primera vez, el diodo esta en riesgo porque el condensador todavia completamente descargado pre- senta practicamente un cortocircuito. Por esto hay que limitar la corriente de encendido. En circuitos rectificadores operados a través de un transformador, la resistencia del alambre del bobinado de! transformador usualmente es suficiente como resistencia limitadora, Por el contratio, en circuitos rectificadores de red, sin transformador, se debe conectar una resistencia limitadora o una de proteccién en serie con el diodo. Una resistencia de este tipo puede tener un valor maximo de aproximadamente 5 Q. La corriente continua de salida de un circuito M1U con condensador de carga se obtiene de: h- 205+ h uy Gon Fi, pero sin Cy —— con Ry con Oy += sin A pero con Cy 2yz-u4- Figura 1.50 Formas de onda de tension y corriente para un circuito rectificador de media onda con condensador de carga 601.4 Ejemplos de aplicacién de diodes rectificadores y de diodos de conmutacién Como el diodo en un circuito rectificador con un condensador de carga conduce sola- mente por un corto periodo de tiempo, asciende también su tensién inverse. El valor méximo de tensién inversa aparece en un circuito sin carga y segun la figura 1.50 es Una = 2+ V2 - Us. En la practica, todavia se usa un factor de seguridad de aproximadamente 1,5, asi, la seleccion de un diodo de una tensién inversa maxima exigida debe basarse en Un = 3-2. Us. Por la continua carga y descarga del condensador de carga, la tension continua media de salida U2 ~ tiene ademas siempre sobrepuesta una tensién alterna, Cuando un circui- to rectificador M1U es operado con Ia frecuencia de la red, este rizo residual también tiene la frecuencia de la red. Por ejemplo, en un parlante esta frecuencia sobrepuesta puede ser bien oida como un bajo zumbido, por esto, a esta tensidn alterna sobrepuesta se la denomina también como tensién de rizo o de zumbido, La tensién de rizo de la figura 1.51 no tiene una forma sinusoidal. 4, U2. Uceop Figura 1.51 Tensién de rizo para un circuito M1U con condensador de carga La magnitud de la tension de riz0 Useg depende esencialmente de — la capacitancia del condensador de carga C1, — la magnitud de la corriente de carga |. -, asi como — una constante especifica del circuito K. En el circuito rectificador de media onda (M1U), esta constante tiene un valor de: K= 48-10 s (aplicable solamente si U2— > Ure) Para el valor eficaz de la tensién de rizo se aplica: vag he Une #1 4B 10 8 «= y para el valor pico-pico de fa tensién de rizo: whe nape 14°10 8 « 611 Diodos semiconductores Ejemplo Un circuito rectiicador de media onda con condensador de carga debe suministiar una tension continua de salida Uz— = 24V y una corriente continua de salida 4. = 250mA. {Qué datos tecnicos deben tener el diodo y el transtormador para operar con la tension de la red, y cual es el valor de Ia tension de rizo Un: que se produce? Condensador de carga C= 2500 uF (por experiencia: 10 uF por mA) Diodo lem = 5 hasta 12 - f— (factor elegido en este caso 8,5) Inq = 85 - 250 mA = 2.1 A Us. _ 24 pw Be Noy 7 12° 12 Unu = 3+ V2-U,=3- 2 -20V -849V Tensién de rizo Ure wk-haag 10% s- 250 107 A a 2500 10As7v = OY 1.4.1.2 Circuitos rectificadores de onda completa Debido al alto rizo de la tensién continua de salida, los circuitos rectificadores de media onda, a pesar del condensador de carga, son solamente aceptables en casos de cor- rientes de carga de hasta aproximadamente 50 mA y donde no existen exigencias espe- ciales pare tensiones de rizo minimas. Por esto se usan mayormente los circuitos de rectificacién de onda completa para la alimentacion de circuitos electrénicos. En estos circuitos se aprovechan ambos semiciclos de la tensién alterna de entrada. Entre los circuitos rectificadores de onda completa se diferencian el circuito de onda completa con toma central (M2U) y el circuito de onda completa en puente (B2U). Un circuito de onda completa con toma central se forma cuando dos circuitos de media onda estan conectados conjuntemente segin la figura 1.52. 621.4. Ejemplos de aplicacién de diodos rectificadores y de diodes de conmutacién a Figura 1.52 Circuito de onda completa con toma central (M2U) En un circuito de onde completa con toma central como el de la figura 1.52, el transfor- medor debe tener una toma central. Este punto central de! bobinado secundario esta conectado a masa y sirve como punto de referencia. Junto con el diodo D1, el bobinado ‘superior del transformador forma un circuito de media onda para fa tensién positiva de salide; el bobinado inferior del transformador, junto con el diode D2, forma un segundo circuito de media onda para la tensién positiva de salida. Si durante una media onda el punto a es positive en relacién al punto b, una corriente i, fluye a través de la resisten- cia de carga Ri en la direccién que indica la figura 1.2. El diodo D2 no conduce durante este periodo. En el siguiente medio ciclo, el punto b es positive en relacién al punto a, y Por la resistencia de carga fluye una corriente ji2 (linea entrecortada) en la misma direcci6n de i. En a figura 1.53 se muestra la forma de onda de la tension de salida uz. En Ri aparecen solamente semiciclos positivos con una frecuencia f igual al doble de la frecuencia de la red. 4 Figura 1.53 Forma de onda de tensién para un circuito M2U sin:condensador de carga Exactamente igual como en un circuito rectificador, de media onda, también en el circuito de toma central se puede conectar un condensador de carga en paralelo a Fi, y con esto se puede alisar la tensién pulsante de la salida. Hoy en dia el circuito de toma central se emplea relativamente poco porque el transformador necesario debe tener en su bobinado secundario una toma central, y por esta razon es innecesariamente muy caro. Mas frecuentemente se utiliza el circuito.de onda completa de puente (B2U). Este opera con el bobinado de un transformador sin toma central en el secundario necesitan cuatro diodos. En la figura 1.54 esta mostrado el circuito en puente en dos diferentes represen- taciones. . 631 Diodos semiconductores u i Figura 1.54 Circuito de onda ‘completa de puente (B2U) Figura 1.55 Circuito de puente con con- densador de carga, con la correspondiente forma de onda de la tensién de salida us1.4, Ejemplos de apicacion de diodos rectiicadores y de diodos de conmutacién Segin la figura 1.54, cuando en el circuito en puente el punto a es positive en relacion al punto b fluye una corriente a través de los diodos D1 y D4 y de la resistencia de carga Ax, en a direccién indicada (lineas continuas). Los diodes D2 y D3 no conducen durante este semiciclo. En el siguiente semiciclo el punto b es positivo en relacién al punto a. Entonces los diodos D1 y D4 no conducen y los diodos D2 y D3 conducen. Por esto fluye una corriente a través de la resistencia de carga en la misma direccion como lo hizo durente el primer semiciclo y Ia tensién de salida ue tiene la misma forma de onda como en el circuito de toma central segun figura 1.53. La tensién continua puisante que aparece en la resistencia de carga de un circuito de ‘onda completa con toma central se alisa conectando en paralelo un condensador de carga Cx, En la figura 1.55 esta indicado un circuito en puente con condensador de carga con la correspondiente forma de onda de la tension de salida. También en un circuito en puente el condensador de carga funciona como almacenador de energia, et cual se carga aproximadamente hasta el valor pico de la tensidn de salida del.transformador cuando A. = 20. Con respecto a los procesos de carga y de des- carga se obtienen condiciones similares a tas del circuito rectificador de media onda, pero en el circuito en puente la carga y descarga del condensador se realiza en cada semiciclo. En él circuito en puente también se puede trabajar por experiencia para la capacitancia del condensador de carga, con la formula 10 uF por 1 mA de corriente de carga. Tomando en cuenta la resistencia interna del transtormador y las resistencias de los diodos en polarizacién directa como un factor de aumento, se obtienen los siguientes valores para el circuito de onda completa M2U y B2U con condensador de carga: Tensién continua de salida Us-se Uase = V2+U, — 14V (Circuito de onda completa de puente) y2-U,~O07V (Circuito de onda completa con toma central) Si las tensiones de los diodos son despreciadas, se aplica lo siguiente: - Up &18+U; (M2U y B2U) Corriente continua de salida he = 09-4; (M2uU) h- = 06-1, (82u) Tensi6n pico inversa repetitiva de un diodo Una = 2-02 Uy * (mau) Um = v2-Us (B2U) En la practica se trabaja con un factor de seguridad de aproximadamente 1,5.1 Diodos semiconductores En un circuito de onda completa con condensador de carga, la tension de salida tiene todavia un factor de rizo residual. Este se forma por la permanente carga y descarga del condensador de carga, y tiene una frecuencia igual al doble de la frecuencia de red. Igual como en un circuito de media onda, la magnitud de la tensidn de rizo depende ‘esencialmente de la capacitancia del condensador de carga, de la magnitud de la corriente de carga, y de la constante K especifica del circuito. Para los circuitos de onda completa se aplican los siguientes valores: Constante especitica del circuito kK=18-10%s (solo aplicable si Ue— > Usz). Tensi6n de rizo Use = 18-10% 5. be n Ung = 7-107 8 = Elemplo 1 Un circuito rectiicador en puente con condensador de carga debe suministrar una tension conti- nua de salida U,. = 24V y una corriente continua de salida /,- = 250 mA. {QUE datos técnicos deben tener los diodos y el transformador para operar con tension de red y ‘qué magnitud tiene fa tension de riz0 Use? Condensador de carga CL = 2500 pF (Por experiencia: 10 uF por mA) Diodos Transtormador fem = Shasta 12 - /.— (factor escogide para este caso 85), —«_ 220V _ 14 1B5V0 Tem = 85-250 mMA=2,1A oe So = 042 A PAV 06 Uo wpa T = 18 13 18 JB -U, =15 - V2 -185V = 92V am a Tensién de rizo he 250 - 107A, Use © K-52 = 48-10% 5 - " a 2500 - 10° As/V Use ~ O18 V En comparacién con el ejemplo para un circuito de media onda de la Secci6n 1.4.1.1, se nota que, con los mismos datos iniciales y el mismo condensador de carga C, = 2500 uF, la tensién de rizo del circuito en puente es solamente un tercio del tamafio que la del circuito de media onda 661.4 Ejemplos de aplicacion de diodos rectificadores y de diodos de conmutacién Ejemplo 2 En el circuito en puente correspondiente al ejemplo 1, la tension de rizo no debe sobrepasar Ure = 50 mV en un consumidor a maxima carga. {Cual debe ser el valor del condensador de carga seleccionado para este caso? 150 = 10° A CL=18- 107s = 50 mV (Cy = 9000 pF Se deberia emplear un condensador C, = 10 000 uF Para facilitar la construccién de circuitos rectificadores, los fabricantes ofrecen unidades de rectificacion completas en una cépsula de plastico o metal. En la figura 1.56 se muestran dos disefios de construccién S| Figura 1.56 _Disefios de contruccion yo was de unidades de rectiicacién oe he +()X 49 ——— Se encuentran disponibles una variedad de modelos con una designacién de tipos segun la tabla en fa figura 1.57 tra. letra tra. namero da. letra 2da. numero E (= circuito de media onda) Valor electivo C Corriente continua M (= circuito de toma central) de tension Codigo para nominal de B (= circuito en puente) nominal carga capacitiva salida en mA Figura 1.57 Sistema de codificacién para unidades de rectificacion Por ejemplo, la designacién de tipo B40C 1000 indica que se trata de un rectificador en puente con una tension alterna de entrada de 40 V para operacién con condensador de carga y con una corriente continua de salida de 1000 mA. En la figura 1.58 como ejem- plo de una serie se han juntado los datos més importantes de la serie B4OCxxxx. Si se dan dos valores para (.-, significa que el valor menor sirve para la operacion sin disipador. or1 Diodos semiconductores Tipo Us A Resistencia limitadora Cums de corriente (A) B 40 C 800 40V OBA 10 2500 pF B 40 C 1000 40V 1,0A 19 2500 pF B40 1500/1000 40V 1S A/1A 19 2500 pF B40. 3200/2200 40V 0 32 A/2,2A 062 5000 pF B40.C 5000/3300 40V. SO A/3,3A 05.9 10000 pF Figura 1.68 Datos técnicos de la serie BC40Cxxx En la designacién de tipos no esta el valor maximo permitido que podria tener el condensador de carga. Sin embargo, esto esta indicado por los fabricantes en las respectivas hojas de datos. Respetando estos valores se asegura que a corriente pico directa repetitiva /ry, de cada uno de los diodos, no es excedida. Miu B20 Tension a vacio Va. Uy v2. Uy Ure =o Tension de salida Us- 12 Uy 13-U, 13+ con carga Corriente continuade OS 09+ h, 06. hs salida Tension inversa maxima 2 - 2. Uy 2-yB- Uy V2 + Us Ura Tensién de tizo Use 4a-10%s-4 ig-103s-4 4a-10%5- 4 iL a a Frecuencia de Us 50 Hz 100 Hz 100 Hz Figura 1.59 Valores caracteristicos de circuitos rectificadores En las hojas de datos muchas veces se indica todavia el valor de una resistencia limitadora de corriente. Respetando estos valores se asegura, entre otras cosas, que la muy alta cortiente de encendido durante la primera carga del condensador se manten- drd entre los limites permitidos para la unidad de rectificaci6n. Por lo general no se requiere una resistencia limitadora de corriente 0 de proteccion, ya que un transforma- dor seleccionado correctamente tendré una resistencia interna del bobinado secundario lo suficientemente alta. En la figura 1.59 se han juntado en una tabla los valores caracteristicos mas importantes de circuitos rectificadores. 681.4 Ejemplos de aplicacién de diodos rectificadores y de diodos de conmutacién 1.4.1.3 Filtracién de la tensién de salida Cuando un circuito rectificador esta cargado, en el condensador de carga aparece una tensién de rizo. Su valor depende esencialmente del valor de la corriente de carga, del valor de la capacitancia del condensador de carga, y de la constante K del circuito. Para una determinada corriente de carga, la tension de rizo no puede disminuirse arbitraria- mente, porque debido @ requerimientos técnicos de los circuitos no se pueden usar arbitreriamente condensadores de carga de tamafios muy grandes. Una tensi6n de rizo demasiadamente alta puede, en ciertos casos, perturbar considera: blemente el trabajo de los circuitos electronics conectados al circulto rectificador. Por esto es necesario, en la mayoria de los casos, conectar otro circuito en serie al circuito rectiticador para la reduccién de la tension de rizo. Pera esta labor se pueden utilizar filtros. Su funcién es reducir lo més posible la componente de tensién de rizo, pero reducir lo menos posible la componente de tensién continua de la tension mixta del condensador de carga. Por esta razén, los filtros deben tener las propiedades de un filtro paso-bajo. : ' La accion de un filtro esté cuantiticade por el factor de alisamiento G, el cual muchas veces se lo conoce como factor de filtro: Este indica la relaci6n entre la tension de rizo a la entrada del filtro Us; con la tensiOn, de rizo a la selida del filtro Use. La tension de rizo a la salida del filtro muchas veces también se la denomina como «rizo residual»: Gm Yat at Es importante que tanto para Uses COMO para Usze Se USEN Conjuntamente valores pico, valofes pico — pico o valores medios. Si 86 conectan varios filtos en serie, el factor de alisamiento total seria el producto de cada uno de los factores individuales de alisamiento, ast: Gor = Gi + G+ Ge Para filtrar la tension de galida de los circuitos rectificadores se utilizan filtros RCo filtros Le. La figura 1.60 muestra un filtro RC. En la entrada esta aplicada la tension de salida del féctificador, fa cual es igual a la tension del condensador de carga. Esta es una tension mixta, con una componente de tensién continua Us- y una componente de tensién alterna Ure. La frecuencia de la tensién de rizo depende del circuito rectificador al que esta conectado en serie. Para un circuito rectificador de media onda, ésta es f = 50 Hz, y para circuitos rectificadores de onda completa M2U y B2U ésta es f = 100 Hz, cuando la frecuencia de la red es de 50 Hz. Up. L Uy. Usa + Uae Figura 1.60 Filtro RC = i 1 21 Diodos semiconductores La tension de entrada del filtro esta aplicada a un circuito serie compuesto de Ri y de la reactancia capacitiva Xc del condensador de filtro. La tension de salida, por otro lado, esta presente solamente en Xc. Debido a que la relacién entre las tensiones de rizo Uses y Ujaz €8 igual a la relacion entre la impedancia total y la reactancia capacitiva, se puede escribir lo siguiente para el factor de alisamiento Ures VR + XB Coa Xe Bajo la suposicion de que, en un filtro, fi es grande en relacién a Xo, se puede simplificar la ecuacion a: G Fu oe Xe 1 Con Xe ona , para el factor de alisamiento se obtiene lo siguiente: G = Ore + Ru - Cu Con filtros RC se pueden lograr factores de alisamiento de aproximadamente 10 hasta 20, es decir, ta tension de rizo Usiez S® disminuye a: Ujze © 0,05 + Urey... 01 + Urier De la ecuacion G = wr - Ry - Cy Se percibe que el factor de alisamiento G es directa- mente proporcional a la frecuencia de Ia tensidn de rizo, al valor de la resistencia del filtro y a la capacitancia de! condensador del filtro. La frecuencia esta determinada por la forma del circuito rectificador. Cuando Ai y Cu son mayores, el factor de alisamiento G también es mayor. Para dimensionar un filtro, se debe siempre tomar un compromiso referente al valor de la resistencia de filtro Aji. Para alcanzar un alto factor de alisamiento G, Ai deberia ser tan grande como sea posible. Por otro lado, Ai deberia ser tan pequefia como sea posible, para que la caida de tensién continua en Ai; sea reducida a lo minimo posible, asi se aplica Us~ = U2- — Ri he Existe un compromiso practico cuando se selecciona Aji de tal forma que se tenga una caida de tension en Fy aproximadamente igual a 1/10 de la tension de salida Us—, es decir Ung, * 0.1 + Us Entonces, el valor de la resistencia Au no puede ser seleccionado libremente. Por estas razones, un filtro RC puede ser utilizado solamente para corrientes de carga relativamente pequefias. Si se requiere mantener pequefias tensiones de rizo, es mas favorable dejar de user un filtro RC y conectar un regulador de tensién integrado a la salida del circuito rectificador. Las desventejas del filtro RC se pueden evitar reemplazando la resistencia del filtro Ri Por una inductancia de filtro Ly). Su resistencia A, es pequefa, asi la caida de tensién 7014 Ejemplos de aplicacién de diodos rectiicadores y de diodos de conmutacion continua en la inductancia del filtro es también pequefia y puede ser usualmente despre- ciada. La figura 1.61 muestra un filtro LC. Li fe *U ras Cu *Unae Figura 1.61. Filtro LC Si A. es despreciada, se aplica lo siguiente para el filtro LC: ga View X= Xe 7 Xx Dae Xe Xe Como en un filtro X,/Xc es mucho mas grande que 1, la ecuaci6n puede ser simplifica- da ai Con X, = wie - Lu y Xe = 1/ Wiz - Cii'se obtiene: G wh, bus Cu Por la pequefia resistencia ignorable de la inductancia de filtro, con el mismo factor de rizo, la corriente de-carga /— puede ser considerablemente mas alta para un filtro LC que para un filtro RC. Por otto lado, 108 filtros LC tienen la desventaja que un inductor con {a apropiada inductancia tiene un mayor peso y volumen y es mucho mas costosa ‘que una resistencia de filtro. Ademés las inductancias con los datos técnicos deseados generalmente no son producidas en masa. Por estas razones, el uso de reguladores integrados de tensién en vez del uso de filtros LC es mucho mas satisfactorio. Ejempio : Mientras Uz = 24V en @i condensador de carga, en Ia salida de un circuito rectificador en puente eparece una tensién do rizo Us = 0,5 V/100 Hz cuando el circuito esté cargado con una coftiente de carga /. = 250 mA. Por medio do un filtro RC se dobe reducir la tensién tizo a Ljie ='01V. Qué valor debe tener ol factor de alisamiento G y que valor debe tener la resistencia de filtro Fa cuando un condensador de filtro Ciy = 1000 pF es usado? Factor de alisamiento | Resistencia de tiiro Urns _ OSV G . 5 L Gat 5 =G@-Xo=—F8_ e ——_2 ___ +80 Une O.1V fun oxo =o, Tensién de salida continua =| . Uy— = Ur — Fi: =24V—80-025A=22V n1 Diodos semiconductores 1.4.1.4 Circuitos dobladores de tension y multiplicadores de tension Para la operacion de tubos de osciloscopio, tubos de imagen, 0 tubos contadores Geiger-Miller se necesitan tensiones continuas considerablemente mayores que la ten- sidn de la red, las cuales se encuentran realmente en el rango de las altas tensiones. Como estas fuentes de tension suministran solamente bajas corrientes de carga, gene- ralmente es mas favorable no utilizer transformadores especiales de alta tension, sino generar las altas tensiones continuas por medio de circuitos dobladores de tension o muttiplicadores de tension. Se trata de circuitos rectiticadores en los cuales los diodos y los condensadores de carga trabajan conjuntamente de un modo distinto como lo hacen en los circuitos rectificadores considerados anteriormente. Como circuitos dobla- dores de tensién se utilizan los circuitos dobladores de media onda (D1) y los circuitos dobladores de onda completa (02). El circuito doblador de media onda puede ser extendido pera formar un circuito multiplicador. Este se lo denomina también como «cascada de alta tension». Circuito doblador de onda completa (circuito Delon) El circuito doblador de onde completa consiste de dos circuitos de media onda de toma central conectados en conjunto como lo muestra la figura 1.62, 2 i v it: 8 b Figura 1.62 Circuito doblador de ‘onda completa (circuito Delon D2) Si en el circuito segun Ia figura 1.62, el punto a es positivo en relacién al punto b, el condensador C1 se carga a través el diodo D1 hasta el valor pico de la tension alterna U;, cuando no est conectada una resistencia de carga. En el siguiente medio ciclo el Punto b es positivo en relacién al punto a. El diodo D2 entonces se opera en direccién directa y el condensador C2 se carga con la polaridad indicada. Las tensiones de carga de los dos condensadores estan en serie, asi que se suman para producir una tension total Us. Entonces, para un circuito sin carga se aplica: Up = Uci + Uce = 2 -¥2 + Us, De este modo, el circuito Delon es un circuito doblador de tension. 721.4 Ejemplos de aplicacién de diodos rectiticadores y de diodos de conmutacién ‘Cuando el circuito es cargado con una corriente de carga, la tensién de salida cae. El Circuito se dimensiona usualmente de forma que, con una corriente de carga promedio, la tension de salida es aproximadamente: Uz 25 > Us. Mientras mayor sea la corriente de carga, mayor debe ser la capacitancia elegida del condensador de carga para cumplir con esta condicién, Hay que tomar en cuente que los condensadores de carga deben ser dimensionados para una alta tension de opera- cién. i Con una frecuencia de red de f = 50 Hz, la frecuencia de rizo es f = 100 Hz. Los diodos deben ser dimensionados para una tensidn inversa Up = 2 - V2 - Us. La corriente directa media para los diodos es Ir = h. Pero, por razones de seguridad, se utilizan mayormente diodos que estén dimensionados para ir = 1,5 - /. Circuito doblador de media onda (circuito Villard) Otro circuito doblador de tensién es el circuito doblador de tensin de media onda. Este también se basa en el principio del circuito de media onda de toma central. La figura 1.63 muestra un circuito. doblador de media onda. ayer + The t 1 wk Figura 1.63 Circuito doblador de media onda (circuito Villard D1) i En el circuito Villard segun la figura 1.63, cuando el punto a es negativo en relacion al punto b, el condensador C1 se carga a través de D1 hasta //2 - Uj, con la polaridad indicada. Cuando en la siguiente media onda el punto a es positive en relacién al punto b, ef diodo D1 opera en direcci6n inversa. La tension inversa en el diodo D1 es entonces Ura = V2 - Uy + Ucr. Esta tension es ahora la tension de alimentacién para el circuito rectificador conectado a continuacidn. El condensador C2 se carga entonces a través de D2 hasta una tensién 2 /2 - Us. Aqui nuevemente, los diodos deben tener una tension inversa maxima de por lo menos Um = 2 ¥2- Us, mientras la corriente Ir = h. La tension de rizo tiene una frecuencia de f-= 50 Hz para una frecuencia de red f = 50 Hz, y esto por lo tanto corresponde a un circuito de media onda. Para los dos condensado- res se seleccionan siempre los mismos valores de capacitancia. Ena practica, la carga del circuito del Villard se realize solamente de tal forma que la tensién de salida caiga maximo hasta Uz = 25 + Uy. Del circuito doblador de media onda’se pueden obtener solamente corrientes de carga pequefas. 731 Diodos semiconductores Circuito multiplicador de media onda (Circuito cascada) Si se conectan en serie dos o mas circuitos multiplicadores de media onda, se forma un «circuito cascada». También se lo denomina como «circuito multiplicador de tension Vi». La figura 1.64 muestra un circuito cascada para una tensién de salida Up = 6-72: Uy Figura 1.64 Circuito multiplicador de media onda (circulto cascada) para U, = 6 - 2» U; Para la tensién de salida de un circuito cascada sin carga se aplica Uz =n -¥2 + Us. Aqui 1 significa la cantidad de circuitos Villard conectados en serie. Se pueden conectar a voluntad casi cualquier cantidad de circuitos Villard en serie, por esto se usa este circuito cascada en general solamente para generar altas tensiones. Pero, igual que en los circuitos dobladores de tension, se puede solamente cargarlo con corrientes de carga muy pequefas. Las cascadas de alta tension se representan mayormente no como en la figura 1.64, sino como en la figura 1.65. cn ca cs. Figura 1.65 Circuito multiplicador de media onda (circuito cascada) para Uz = 6 - V2 - Us. Los circuitos cascada con muchas etapas muesiran cleramente un aumento de la ten- sién de salida porque los condensadores individuales se cargan uno después de otro y las cargas pasan de un condensador al siguiente. Todos los condensadores deben 741.4 Ejemplos de aplicacién de diodos rectiicadores y de diodos de conmutacic tener una tensién de distupcion de minimo 2 - /2\- U,. Este valor también se aplica para la tension inversa de cada diodo. . La resistencia interna de ‘a cascada asciende con el numero de etapas, es decir, cuando mas etapas hay, la tensién de salida tiene una mayor dependencia de la carga. Las cascadas de alta tension se construyen hoy en dia solamente para casos excepcio- nales con diodos y condensadores individuales. Se |os suministra en disefios encapsu- lados en varios tipos de series para diferentes tensiones de salida. 1.4.2 Interruptores de diodos 1.42.1 Principio basico En la electrotecnia y la electronica, los interruptores tienen la tarea de cerrar o interrum- pir circuitos de corriente. Por esto, el interruptor debe tener en su posicién «cerrado», una resistencia lo mas pequefia posible, y en su posicién «abierto», una resistencia lo mas grande posible. Con interruptores mecanicos, los valores ideales A = 02 y F = ©, pueden lograrse ampliamente, pero con interruptores electrénicos sélo apro- ximadamente. El interruptor electrénico mas simple es el diodo, cuando se aprovecha su pequefia resistencia directa Rr y su amplia resistencia inversa As para funciones de interrupcion. El estado de interrupcién del diodo, y en consecuencia también del interruptor de diodo, depende de la polaridad de Ia tension de operacion aplicada. La figura 1.66 muestra el principio basico de un interruptor de diodo. En un interruptor de diodo, el diodo:D y la resistencia de carga Ri estén conectados en serle, Por ambos componentes fluye por.esto la misma corriente y se aplica la ecuacién Up = Up + Un Diodo conduciendo Diodo no conduciendo (interruptor cerrado), (interruptor abierto) Figura 1.66 Interruptor de diodo Si, en un interruptor de diodo segun la figura 1.66, la tension de operacién aplicada es Positiva en relacion a la masa, el diodo D conduce. Su resistencia directa Ar es baja, en consecuencia del flujo de corriente directa /r la caida de fa tensién en R, es alta. Con 751 Diodos semiconductors una tensién de operacién negativa el diodo no conduce, por esto, fluye solamente una corriente inversa /a muy pequefiz. La caida de tension en A, es por esto muy pequefia y casi toda la tension de operacién esté aplicada al diodo, La figura 1.67 muestra las situaciones de tensién para un interruptor de diodo segun la figura 1.66. Para un interruptor de diodo se aplican las siguientes ecuaciones: Us=ie- AL + Ur (interruptor cerrado) Us = in R+ Un —_(interruptor abierto) 1do | Diodo: conduciendo| no conduciendo Interruptor | interruptor Figura 1.67 _Situaciones de tensién para cerrado | abierto el interruptor de diodo segiin la figura 1.66 Para interruptores de diodo se utilizan diodos universales 0 diodos de conmutacién especiales. Si la relativamente alta tensién umbral causa dificultades en los diodos de Si, se pueden utilizar también diodos de punto de contacto de Ge si es que las peque- fias corrientes directas son suficiente. Ademés, en la seleccién de diodos para opera- cién en conmutacion, hay que tener cuidado que los siguientes valores limite no sean excedidos: Maxima tension inversa Usne Maxima corriente directa Tne Maxima temperatura de juntura Bumix Maxima potencia de disipacién Prox Minimo tiempo de recuperacion inverso —tumin La potencia de pérdida que aparece en un diodo operando en modo de conmutacién depende de la forma de onda de la tension aplicada. Como generalmente se trata de tensiones de onda cuadrada, la relacién g = fp/T es de importancia, Se aplica lo si- guiente: by (Potencia de pérdida en modo de Pt ‘conmutacién) fy = duracion de! encendido T = duracion del periodo 761.4 Ejemplos de aplicacién de diodos rectificadores y de diodos de conmutacién La potencia de conmutacién Peon es ta potencia de la resistencia de carga Fi, la cual puede ser conmutada con un diodo. Esta es considerablemente mayor que la potencia de pérdida permisible de! diodo. Esta potencia de conmutacién depende practicamente. solo de la tensién de operacion. Su valor maximo Pronméx est determinado por los valores limite del diodo y es: Pronnix = Urn «I = (Us ~ Us) - Bet Pecnmbe = (# -1 ) Po ; (Potencia de conmutacién) fe De esto resulta una minima resistencia de carga Aimin UR _ (Up — Us) (Resistencia minima de carga) Peon max Peonmex Risin = Ejemplo Un'diodo con Fiat = 0,5 W tiene una curva caracteristica correspondiente a la figura 1.68. Este se ‘opera por medio de una resistencia de carga Ai, = 1 KM con una tensién de operacion Us = 10 V. eCual es ta capacidad de conmutacion Peonmsx? Figure 1.68 Curva caracteristica de! diodo del ejemplo . De Ia figura 1.68 se obtiene Io siguiente: Ips 92mA; Up 08; Une 92V Potensia de conmutacién . 71 Diodos semiconductores 1.4.2.2 Operaciones logicas Una importante aplicacién de los interruptores de diode son los circuitos légicos. La figura 1.69 muestra la conexién en conjunto de tres interruptores de diodo para former un circuito !ogico. 0 +Up=5V Figura 1.69 Circuito AND de tres interruptores Figura 1.70 Tabla de verdad pare el de diodo ircuito segin la figura 1.69 El cétode de cada diodo individual puede ser conectado a U, = +5 V0 U; = 0 V (masa) por medio del deviador. Si un diodo es conectado a U; = 0 V, entonces el diodo con- duce, y la tensién de la salida Q tiene entonces un valor de tension umbral Ug = Ur ~ 0,7 V, independientemente de la tension Ui de los demas diodos. Solamen- te cuando todos los tres diodos estén con sus catodos conectados a la tension de operacién, éstos no conducen y fa tensién de salida Uc tiene entonces el valor de la tensién de operaci6n. En una tabla de verdad 0 funciones (figura 1.70), se indica claramente qué tension de salida se obtendré para una combinacién particular de entrada. En la tabla de verdad se puede ver que solamente para la combinaci6n de entrada Ui y Ua y Uis = SV la sefal de salida es Uo = 5 V. Por esta raz6n, a este circuito se 10 denomina como circuito AND. Cuando el circuito de diodo esté conectado a otra tensién de operacién distinta a Us = 5V, la tabla de verdad da el mismo resultado, pero con diferentes valores de tension. Entonces, con un diodo en conduccién la tension de salida tiene también el valor Up = Ur = 0,7 V. Para que la declaracién acerca de la funcién de este circuito sea independiente de la tensién de operacién, se define lo siguiente: U=5V & alta tension @ High (H) 2 1 U = 0V hasta 0,7 V baja tensién LOW (L) 2 0 Estos estados definidos independientes de la tension «O» y «1» se denominan estados Jégicos y forman la base para las descripciones funcionales de los componentes digita- les. Con estas definiciones, la tabla de verdad o funciones, segun le figura 1.71, también se vuelve independiente de la tension. 781.4 Ejemplos de aplicacién de diodos rectilicadores y de diodos de conmutacién Figura 1.71. Tabla de verdad independiente de la tensién pare el circuito segin la figura 1.69 Si los tres interruptores de diodo segun la figura 1.69 no estan conectados a través del selector @ la tension de entrada, sino que estan conectados a generadores de impulsos rectangulares, los correspondientes diagramas impulso/tiempo o sefial/tiempo se pue- den obtener con un osciloscopio en la salida Q. : La figura 1.72 muestra estas relaciones. fp—2Us=5V Uy Figura 1.72 Circuito AND con operacién de impuiso Cuando tres interruptores de diode se conectan en conjunto, segin fa figura 1.73, se obtiene un comportamiento diferente. Como se puede ver en la tabla de verdad segén la figura 1.74, en la salida se forma un 1 légico cuando la entrada |, 0 la entrada |; 0 la entrada Is tienen un 1 légico. Un circuité con este comportamiento se denomina como circuito OR. Esta relacién también esté' mostrada por ol diagrama de impulsos de la" figura 1.75. 791 Diodos semiconduciores Figura 1.73 Circuito OR da tres Interruptores de diodo Us | Uz | Uw | Uo I | kk | b [| @ ho fk |b |e OV} ov}|ov} ov L L L L oO oO oO 0 OV|Oov| SV] 43Vv L L H H oO 0 1 1 OV) 5V]OV] 43v L H L H 0 1 oO 1 OV} 5V]5V] 43Vv L H H H oO 1 1 1 SV] OV] OV] 43V H L L H 1 0 oO 1 5V]OV]5V) 43V H L H H 1 ° 1 1 5V/5V]o0V] 43Vv H H L H 1 1 oO 1 svisvisvl 4av Hlatada rials da Figura 1.74 Tablas de verdad para el circuito OR Figura 1.75 Circuito OR en operacién de impulso Uy1.4 Ejemplos de aplicacién de diodos rectificadores y de diodos de conmutacién 1.4.2.3 Circuitos limitadores Una imponante érea de aplicacién de los interruptores de diodo son los circuitos limita- dores. Estos tienen la tarea de suprimir o dejar pasar amplitudes de tension superiores © inferiores a un cierto nivel. * Le figura 1.76 muestra él principio de estos circuitos limitadores para la supresién de los picos de la tensién de interferencia. + Uno) + Us Upot Figura 1.76 Circuito limitador para picos de tensién de interferencia Cuando en el circuito segin Ia figura 1.76 la sefial de entrada es mayor que la sume de Ja tension de polarizacion Ups y de la tensién umbral del diodo, entonces el diodo conduce. En la salida del circuito entonces aparece solamente una tensién ‘con una amplitud de Ups, + Us. Por Io tanto, los impulsos de entrada estan limitados a este valor. Con la seleccién de una apropiada tension de polarizacién se fija el nivel de limitacion requerido. En lugar de una bateria separada, generalmente se conectan varios diodos en serie. La limitacién entonces és fijada en la suma de las tensiones umbral. El-circuito indicado en la figura 1.77 se trata también de un circuito limitador. En este caso, la limitacion es para niveles de tensién mas bajos. Este tipo de circuito muchas veces se lo denomina también como «circuito recortador». D1 2 Use Usa Figure 1.77 Circuito reconador1 Diodos semiconductores La sefial aplicada en la entrada del circuito segin la figura 1.77, tiene sobrepuesto un tuido. En la técnica de radio y television se conoce como «ruido» a las tensiones de interferencia que pueden estar sobrepuestas a una sefial itil La interferencia se hace particularmente notable con bajas amplitudes de fa sefial util, y puede ser suprimida con el circuito recortador ya mencionado. Los dos diodos conec- tados en serie permiten que aparezca una sefial sobre la resistencia R. solamente cuando la tensién de entrada sea mayor que la sume de las tensiones umbral de los dos diodes. Por esto, particularmente, la interferencia en los intervalos entre los impulsos no puede llegar a la salida Los interruptores de diodo se pueden utilizar también para la formacién de impulsos. La figura 1.78 muestra un circuito de este tipo con sus respsctivos diagramas de impulsos. Uent c 4 Usa sin iodo ert Usal Usa) con iodo Figura 1.78 Circuito formador de impulsos Us EI condensador y la resistencia del circuito segin Ia figura 1.78 forman un elemento diferenciador. Este debe ser disefiado de forma que, con una frecuencia determinada de la tension de entrada, en la salida aparezcan impulsos de aguja angostos tanto positives come negatives, mientras el diodo no esté conectado. Si se conecta el diodo con la polaridad indicada, éste conduce a causa de los impulsos de aguja negativos y los limita @ la tension umbral. Cambiando la polaridad del diodo, los impulsos de aguja Positivos también pueden ser limitados del mismo modo. Con un circuito segin la figura 1.78, es posible, por esto, partiendo de una tension rectangular, producir impulsos de aguja solamente positivos 0 solamente negativos dependiendo de la polaridad del diodo. Este tipo de circuitos formadores de impulsos son utilizados muy frecuentemente en circuitos contadores electrénicos. 821.5 Diodos Zener 1.5 Diodos Zener 1.5.1 Principio bésico y modo de‘operacién Sien un diodo de silicio la tension inversa sobrepasa el valor permisible Upmsx, un fuerte ascenso de corriente se iniciara subitamente después de que un valor de tensin en particular — tensién de ruptura — sea sobrepasado. En los diodos rettificadores y de conmutacién, esta tensién de ruptura se encuentra, dependiendo del tipo, aproximada- mente sobre 80 V hasta 1500 V. Durante la fabricacién de los diodos de Si, debido a una particular dopacién mas alta, se puede hacer que la juntura entre el cristal tipo N y el cristal tipo P, sea tan angosta que la ruptura aparece con tensiones inversas considerablemente mas pequefas de aproxi- madamente 1V hesta 60 V. Estos diodos especiales se los denomina como diodos Zener. Su nombre se dériva del cientifico C. Zener, quien descubrié el efecto caracteris- tico de los diodos Zener. Los diodos Zener se operan siempre en direccién inversa. Como su’ punto de trabajo esta en la region de Ia tension de ruptura, es absolutamente necesaria una resistencia ‘en serie para la limitacion de corriente. En base a la curva caracteristica en la region de la tension ruptura, ia cual se denomina aqui como «tensién Zener», se pueden emplear diodos Zener para la estabilizacién o limitacion de pequefias tensiones continuas. La figura 1.79 muestra la version més simple de un circuito estabilizador de tension usando un diodo Zener. —— lz 2 V_10 8 6 4 2 ° mA 10 Figura 1.79 Circuito estabilizador de’ Figura 1.80 Caracteristicas de ruptura de diferentes tensién con un diodo Zener diodos Zener En los diodos Zener, dos efectos fisicos diferentes se sobreponen en la regién de las tensiones de ruptura. Asi, en diodos Zener con una tensién Zener de aproximadamente Uz < SV aparece una emisién dé campo interna, la cual se denomina como «efecto. Zener», Al contrario, con diodos Zener con aproximadamente Uz > 6V aparece la ruptura en base del «efecto avalancha». Segin la figura 1.80, esto produce un doblez 831 Diodos semiconductores muy agudo de las curvas caracteristicas 3, 4 y 5, mientras que las curvas caracteristicas 1 y 2 para las tensiones Zener < 5 V tienen una transicion més suave. El efecto Zener y el efecto avalancha se basan en dos diferentes mecanismos fisicos de ruptura. Una ruptura basada en el efecto Zener se de cuando la fuerza de campo de aproximadamente 200 a 500 kV/cm es sobrepasada, en el caso del silicio, los electro- nes son desprendidos de la union de malla, Estos electrones libres, junto con los huecos que también se han producido, aumentan el numero de portadores de carga que se mueven libremente y con esto la conductividad. En consecuencia, la corriente inversa, la cual se denomina aqui como corriente Zener /z, asciende fuertemente. El efecto avalancha es producido en diodos Zener con Uz > 6 V. En este caso, debido a la alta fuerza del campo, la velocidad de los portadores de carga en movimiento presentes es tan grande que durante el choque con los atomos de las mallas cristalinas, nuevos portadores de carga (electrones y huecos) se desprenden. Estos nuevos porta- dores de carga son igualmente acelerados por el campo eléctrico aplicado y ahora nuevamente desprenden otros portadores de carga de la unién de atomos. Porque la corriente-consecuentemente crece muy répidamente, @ este proceso se lo denomina «efecto avalancha» o «ruptura de avalancha» (en inglés: avalanche breakdown). Debido al fuerte ascenso de la corriente se forma un codo de la curva caracteristica mas pronun- ciado durante Ia transicién desde la corriente inversa normal hacia !a corriente Zener que en el caso del efecto Zener. Entre aproximadamente 5V < Uz < 6V se encuentra la regi6n en la cual el efecto Zener y el efecto avalancha se sobreponen. Ya que en los diodos con Uz > 6V, el efecto avalancha predomina, todos los diodos con Uz > 6 V deberian denominarse diodos avalancha. independientemente de la ten- sién de ruptura y de su mecanismo fisico de ruptura, a los diodos de este tipo todavia se los denomina unanimemente como diodos Zener. Mientras los valores limite de los diodos Zener, especialmente la temperatura maxima de la juntura, no son sobrepasados, el efecto Zener y el efecto avalancha son reversi- bles, es decir son fenémenos repetitivos. De esta manera, el punto de trabajo se des- plaza sobre la misma curva caracteristica incrementando y disminuyendo la tension inversa, 1.5.2. Valores caracteristicos 1.5.2.1 Curvas caracteristicas La figura 1.81 muestra la curva caracteristica corriente/tensién para un diodo Zener con Uz = BV. En el rango directo, no existe ninguna diferencia en comparacién con un diodo normal de Si. Hasta una tensién directa de Ur ~ 0.6 V la corriente directa /r es muy pequefia y casi constante. Con Us > 066 V, la corriente directa asciende fuertemen- te, Si se opera un diodo Zener en el rango directo, en cada caso se debe limitar la cortiente directa por medio de una resistencia en serie. La corriente directa permisible @s, de todos modos, mucho mayor que la cortiente Zener inversa permisible. En el rango inverso, la curva caracteristica tiene una muy fuerte pendiente en la region de tensién Zener. La cortiente méxima permisible que puede fluir en direccién inversa se a denomina como /zmax. En este punto, le curva de potencia de pérdida Pe: intersecta la curva caracteristica inversa del diodo Zener. 841.5 Diodos Zener Catodo, Rango directo ‘Anodo Simbolos TRO2 04 06 08 10 Ty Ur Rango de trabajo Figura 1.81 Simbolo y curva caracteristica corriente/ tensién de un diodo Zener Rango inverso_ Los diodos Zener se operan en un rango de trabajo entre el valor de corriente /zmix y UN valor /2. Pera la corriente /z se elige un valor inmediatamente detras de la regién fuerte- mente inclinada de ta curva caracteristica. En la figura 1.81 se reconoce claramente que, or el fuerte pronunciamiento de la curva caracteristica de la tension Zener Uz, hay poca variacion en este rango de trabajo. Ya que todos los diodos Zener, sin importar sus diferentes tensiones Zener, muestran el mismo comportamiento en direccién directa, los fabricantes indican generalmente una Curva caracteristica directa /r = f (Ur) t Je 10} mal 04 2.01 Figure 1.82 Curva caracteristica en direcci6n 2.001] directa de diodos Zener Up1 Diodos semiconductores sola curva caracteristica directa para una serie de diodos Zener. La figura 1.82 muestra una curva caracteristica en direccién directa en la escala lineal-logaritmica usual. En el caso ideal, en el rango inverso no deberia fluir corriente hasta llegar a la tension de ruptura. De todas formas, por causa de impurezas en el material semiconductor, siempre esta presente una pequefia corriente residual (de fuga) o inversa /n, En las hojas de datos, jos fabricantes indican el valor de la corriente residual /n para 0.8 hasta 0.9 Uz. La figura 1.83 muestra los recorridos de las curvas caracteristicas en direcci6n inversa para una serie de diodos Zener. En el diagrama izquierdo se muestra el rango para pequefias tensiones Zener y en e! diagrama derecho el rango para tensiones Zener mas altas. Ademés hay que prestar atencién que los diagramas también representan el rango inverso, aunque las representaciones usuales presentan el rango inverso en el tercer cuadrante. as 20} +f ° 2 eV of 76-20-28 2Bv a uo Figura 1.83 Curvas caracteristicas en direccién inversa para una serie, de diodos Zener 1.5.2.2 Rangos de tension La tensi6n Zener indicada para un diodo Zener usualmente se aplica para una corriente z= 5mA. Hoy en dia se suministran diodos Zener con tensiones Zener entre Uz = 2,4V y Uz = 47 V. De todas formas, también se producen diodos Zener de poten- cia para tensiones Zener de hasta Uz ~ 200 V. Los valores de las diferentes tensiones Zener de los diodos de una serie corresponden frecuentemente a la serie E24, as decir existen solamente diodos Zener con tensiones Zener de 2,4 V; 2,7 V; 3,0V; 33V, 3.6V etc. La tension Zener indicada no obstante tiene todavia una cierta tolerancia, la cual depende del grado de calidad del iodo Zener, y puede estar entre 1% y 10%. 861.5 Diodos Zener ' Para poder distinguir los diferentes grupos de tensiones con las tolerancias asociadas de diodos Zener de un tipo basico, se afiaden letras adicionales a las designaciones de tipo del tipo basico (e). BZX 83). De acuerdo al sistema «PRO ELECTRON». las diferentes letras tienen el siguiente significado: Agti% Ba+2% Ca +5% Da +10% A esta indicacion de tolerancia se le afiade una indicacién del valor medio de la tension Zener en voltios. Si se tratan de velores.entre dos numeros enteros, ¢j. 6,8 V, se inserta en lugar de la coma una «V», es decir 6V8. Si por ejemplo, un diodo Zener tiene un designacién de tipo BZX 83 C 6V8, de esto se. obtiene la siguiente informacién: B2x 83 c eve ! i I Tipo basico Tolerancia Tension Zener B Silicio Ca +5% 68 V valor nominal Z @ Diodo Zener X 4 Tipo industrial 83 & Numero de ragistro En base a este sistema de designacién, es muy facil reconocer las propiedades mas importantes de un diodo Zener en particular. El extremo del cétodo siempre esta marca- do por un anillo de color. 1.5.23 Dependencia de temperatura En un diodo Zener con una tensién de ruptura Uz < 6 V, la rupture ocurre en base al efecto Zener. En este caso, un ascenso de Ia temperatura causa un aumento de la emision de campo. De esta forma, con una temperatura mayor, una determinada corrien- te de ruptura puede ser alcanzada con una menor tensién aplicada. La tensi6n en la cual ocurre la ruptura consecuentemente disminuye con el aumento de temperatura. Diodos Zener con una tensién de ruptura Uz < 5 V tiene por esto un coeficiente de temperatura negativo para la tensién'de ruptura. En la figura 1.84, el transcurso de la curva caracte- fistica para erp = 50°C esta dibujada con linea punteada, Para diodos Zener con una tensién de ruptura Uz > 6 V ocurre fa ruptura en, base al efecto avalancha. Con el aumento de la temperatura se disminuye el camino libre para los portadores de carga. Para lograr la misma corriente de ruptura con aitas temperatu- ras, son necesarias mayores tensiones inversas. Por esto, los diodos Zener con Uz > 6 V tienen un coeficiente de temperatura positivo para la tension Zener. En la figura 1.84, se ilustran bien las influencias de los diferentes coeficientes de temperatura. En el rango de tension entre Uz = 5V y Uz = 6V' ccurre una transicién entre et coeficiente de temperatura negativo y el coeficiente de temperatura positivo. Esta transicién,es fluc- tuante, de forma que no se puede indicar un valor exacto en el cual el cosficiente de temperature TC es exectamente cero, 6s decir, la tensién Zener ya no tiene ‘ninguna clase de dependencia de le temperatura. 871 Diodos semiconductores ° 20 40 60 80 Figura 1.84 Depen- 12 82 100 dencia de temperatura Q de la curve caracte- bimniniithd Jz. tistica de ruptura de sree Bomb = 60°C ™A los diodos Zener En la figura 1.85 esté dibujado el coeficiente de temperatura T¢ en funcidn de la tension Zener Uz. Como este coeficiente de temperatura también es dependiente del valor de la corriente de ruptura, en la figura 1.85 se indica el valor /z = 5 mA como parametro. Para determinar la tension Zener de un diodo Zener con un aumento de temperatura se puede usar la siguiente ecuacién: Uzeaien= Uz+ Ur+TCuz- AT con —Uzeaten= Tensién Zener con tempe- = Uz(1 + TCuz- AT) ratura mayor a +25 °C Uz = Tensién nominal del diodo Zener Coeficiente de temperatura TC = /(Uz) — TCuz_= Coeficiente de temperatura 4 del diodo Zener 1 AT = Variacién de temperatura TCuz 5 10-7 10 5- oO. 1 200 30 40 Figura 1.85 Coeficiente de temperatura de Y¥z—~ —diodos Zener en funcién de la tensi6n Zener1.5 Diodos Zener Ejemplo EI diodo Zener del tipo BZX 55 C 9V1 tiene un cosficiente de temperatura TC uz = 9 - 10 + Qué valor tiene la tensién Zener cuando la temperatura ambiental es 80°C? K AT — = 80°C ~ 25°C = 55°C a SSK Uneaton = Uz(t + Tow -an=arv(i + 9-10") - 85K) Uzeaien = 9.55 V Para requerimientos pariicularments severos de dependencia de temperatura de la ten- sién Zener se han desarrollado diodos de referencia de temperatura compensada. En forma corta, se los denomina también ‘como diodos Z-TC. Los diodos de referencia consisten de dos o mas junturas PN conectadas en serie. La polaridad esta predispues- ta de forma que una de las junturas trabaja en direccién inversa, es decir, como un diodo Zener, mientras las otras junturas operan en direccién directa. Los coeficientes de todos l08 diodos tienen el mismo valor, pero con diferente signo, dependiendo si la operacion @s inversa o directa. En total esto produce un diodo Zener cuya tension Zener es ca independiente de la variacién de temperatura. De todos modos, es importante que los Coeficientes de temperatura positive y negativo tengan una caracteristica similar, de forma que, pare un rango mas amplio de temperatura, logren un acoplamiento uniforme. En la figura 1.86 se indican tres diferentes combinaciones de diodos Zener y diodos de compensacién para diferentes tensiones de referencia. Cuando la tension de referencia es: mayor, son necesarios mas diodos de compensa- cién adicionales, porque; con una mayor Uz, se aumenta también el TC uz positive de un diodo Zener. Mientras la tensin Zener de un diodo Zener podria variar, por ejemplo unos 4mV/K, las variaciones de temperatura pueden ser disminuidas @ valores de solamente 0,18 mV/K por medio de diodes de referencia con la misma tensién Zener. Muchas veces, combinaciones de un diodo Zener y diodos de compensacién acomoda- dos en una sola capsula se los denomina como un elemento de referencia, en lugar de diodos de referencia, y se los usa como una tensién estandar o de referencia. ® ® ® 9.6V B rev 58V o7v WV oz o7Vv o7v WV oz ° © Figura 1.88 Sistema de construc- Uz = 62 Ur=90V ion para diodos de referencia serie 1N 821 serie 1N 935. serie 1N 9411 Diodos semiconductores 1.5.2.4 Resistencia diferencial rz La figura 1.87 muestra nuevamente la curva caracteristica de un diodo Zener. Esta tiene, en el rango de trabajo, una fuerte pendiente casi constante. Cuanto mas inclinada es, menor seré la variacion de tensién AUz para una determinada variacion de corriente Alz. Cuando se forma la relacién AUz a Alz, se obtiene la siguiente resistencia AUz 2 A Esta resistencia se denomina como «resistencia diferencial», o también como «resisten- cia dinamica de ruptura» del diodo Zener. Lamia Region de trabajo Famax Figura 1.87 Determinacién de rz para el punto de trabajo P de un diodo Zener Mientras mas bajo es el valor rz menos varia la tension Zener con una variacién de la cortiente Zener. Asi, Ia resistencia diferencial rz da informacin acerca del grado de estabilidad de un diodo Zener. Pero, rz no es completamente constante, sino que, debido @ la pequefia curvatura de la curva caracteristica, depende de la corriente Zener. Ya que, con pequefias corrientes Zener, él punto de trabajo se encuentra justo bajo el codo de ruptura, la inclinacién de la curva caracteristica es menor en esta rea de transicion, rz es por esto mayor que en el punto de trabajo indicado en fa figura 1.87. 901.5 Diodos Zener Aparte de la dependencia de la resistencia diferencial rz de la corriente /2, existe todavia una dependencia de la tensién Uz. Esta dependencia se puede observar en el diagrama segin la figura 1.88. Los valores mas pequefios para rz Se encuentran en concordancia con tensiones Zener de aproximadamente Uz ~ 7 V. Resistencia diterenc! z= (Uz) Figura 1.88 Resistencia diferencial rz en funcién de Uz 1 o 5 © & wv Uy Ejomplo Un diodo Zener tiene una tensién Uz = 82V con /z = 10 mA. Si la corriente se reduce a Iz = 5 mA, entonces Uz =|8.19V 4Cuél es el valor de {a resistencia diferencial rz en el rango de trabajo indicado? meen 1.5.25 Datos caracteristicos y datos limite Los fabricantes indican los mismos datos limite para diodos Zener, diodos rectificadores’ y diodos de conmutaci6n: Maxima temperatura de juntura Suma Maxima disipacion'de potencia - Pa Maxima corriente directa Teenie Resistencia térmica 5 Risdon Temperatura de almacenamiento 8s a11 Diodos semiconductores Por el contrario, los datos caracteristicos de los diodos Zener, correspondientes al rango de trabajo, se refieren esencialmente a la operacién inversa. Asi, los siguientes datos caracteristicos estan generalmente listados en las hojas de datos: Tensién nominal Uz con Iz = SMA Resistencia diferencial rz con p= SmAy 1mA Corriente inversa Ja con O8 hasta 09 Uz Tensién directa Ur para una /: especifica La maxima potencia de pérdida resulta de: Poor = Uz > lemix S Par Same Sem Rivamb Poor Ejemplo EI diodo Zener BZX 83 C 9V1 tiene, segin Ia hoje de datos, una maxima temperatura de juntura Bumax = 175°C y una resistencia térmica RinJemb = 250 K/W. zQué corriente puede fluir a través de este diodo con Bam = 60°C? = Sumix ~ Some _ 175°C = 60°C Pots Fainsacnts 250K/W hoadul ABW 505 mA atv 1.5.3 Ejemplos de hojas de datos originales, Se escogié la serie BZX 83 C . . . como un ejemplo de hojas de datos para diodos Zener. En la tabla segin ia figura 1.89 estan jistados los datos técnicos mas importantes. En la columna «tensién nominal» se observa la graduacion de la serie E24. El diodo con Uz = 0,78 V, listado en la primera linea, en realidad no es un diodo Zener, sino un diodo rectificador normal, que es operado algo encima de fa tensidn umbral en direccion directa. Por esto la corriente inversa no est& dada en esa linea. La resistencia dinamica mas pequefia rz se encuentra en tensiones Zener de 7,5 V y 82V. Con fz = 5mA, el valor mas pequeiio es /zmn = 7Q, y Con lz = 1MA eS femin = 500. Cuando Uz > 5.1 V, la corriente inversa es siempre menor que 1 HA. Como Fra: s¢ aplica para todos los tipos de series, la maxima corriente Zener permisible tema @S Siempre mas pequeiia en los tipos con mayor tension Zener. En la columna TC se observa que la transicién del coeficiente negativo al coeficiente positivo aparece entre Uz = 43V y Uz = 47 V y esté por lo tanto un poco mas abajo que en las otras series de diodos Zener. 9215. Diodos Zener BZX 83C... Datos caracteristicos para Tam = 25°C Tipo Ten- Rango de —=Resistencia Coriente Maxima TG. de Uz —_Tensién sin tensién de dinémica inversa tension a fz directa nomi- ruptura f= 1000 Hz Zener ake ' nel z= mA Ie=5 MA ip=t mA 2 permisible 50 mA Uz(V) U2) 12(Q) 20) In (WA) Un (V) Femnx (mA) ecg» 10°4/K Us (VY BZX83 COVE 078 0,73 hasta 083 <10 - - - - - - 82x83 C2V4 24 © 228 hasta 256 <90 <600<120 1 < 155 ~8 <1 | B2x83C2V7 27 27 hasta29 <90 = <600<100 1 <135 -7 <1 B2x83 C3V0 30 — 2Bhasta32 <9 —<600 <60 120 <125 -7 <1 82X63 C3V3 33 © Gt hastla3S <90 <600 <90 «10 <5 ~6 <1! 2X83 C3VE 36 4 hasilas3B <9 = <600 <20 «10 < 105 -6 <1 82x83 C3V9 39 © 37 hasta41 <90 . <600 <10 1 BZxX83 C4V3_ 43° 40hastlaa46 <85 | <600 <5 1 BZxX83 CAV 47 = 44 hastla0 <80 = <600 <2 BZxe3 CSVI 51 4B haslaS4 <60 <550 <1 1 BZX83 CBV6 56 SZ haslaGO0 <40 <450 <1 BZX83 C6V2 62 SBhasta6s <10 <200 <1 BZX63 COVE 68 = =©— GA hasia72 <8 <180 <1 BZX83 C7VE 75 = 7,0 hasta79 <7 <500 <1 BZx83 CBV2 82 = 77 hastaB7? <7 <50 <1 BZX83 CVI 9,1 BS hasta96 <10 fz, Se puede escribir lo siguiente sobre el factor de alisamiento: (factor relativo de estabilizacion) Per AU O50 1 Te En consecuencia, para el factor de estabilizacion S se obtiene lo siguiente: AU cai! Uent Yow 8 BUC Fo Para el dimensionamiento de un circuito estabilizador deben tomarse en cuenta elgunos otros pre-requisitos importantes. Asi, la estabilizacién con un diodo Zener predetermi- nado es mejor cuanto mas alta sea la tensién de entrada User, elegida. El hecho de que el incremento de la potencia de pérdida en Ase es mas rapido que el factor relativo de estabilizacion S tiene un efecto desventajoso. Por esto, en la practica se debe buscar siempre un compromiso entre un valor para § lo més alto posible y una potencia de pérdida Prse no demasiadamente alta. Un compromiso apropiado se presenta cuando se elige Usy 2 hasta 4+ Us y Vermin 12 hasta 2 - Usa (factor de alisamiento) a 99