2 Transistores bipolares 2.1 Generalidades Los transistores bipolares son componentes semiconductores activos. Estos tienen dos junturas PN y por lo tanto tres capas consecutivas de materiales semiconductores dopados diferentemente. Segin su secuencia de capas, los transistores bipolares se dividen basicamente en transistores NPN y transistores PNP. La figura 2.1 muestra la secuencia de capas y los respectivos simbolos para estos dos tipos de transistores bipolares. Emisor =| Colector + | Colector Base Base = * Figura 2.1 Secuencia de capas y +1 Emisor - | eEmisor simbolos de transistores bipolares de tipo NPN y de tipo PNP Transistor PNP Transistor NPN En los transistores bipolares las tres capas y sus respectivos terminales se denominan emisor, base y colector. El emisor (emittere [lat] = producir) suministra los portadores de carga. El colector (collector (lat.] = colector) los recolecta nuevamente. La base (ba- sis [lat] = base) es el elemento de control y en anteriores procesos de produccién, también fue la zona base para las dos junturas PN. Para alcanzar un efecto amplificador la juntura emisor-base debe ser operada en direc- cién directa y la juntura base-colector en direccién inversa. Con una pequefia corriente de control fluyendo en la base, entonces se puede influenciar una corriente principal considerablemente mayor fluyendo en el colector. La relacién entre la variacién de la corriente de colector A/c y !a variacién de la corriente de base Als se denomina «ampli- ficacién de corriente» B. = Ab oo ie 1132 Transistores bipolares Una resistencia conectada en el terminal del colector no solamente fimita la corriente sino que también cambia la ampiificacién de corriente en una amplificacion de tension Au. Con esto es posible cambiar una pequeiia serial de tension AUen, en ta entrada del transistor en una sefial de tension considerablemente mayor AUsai en la salida. El término «transistor» es una palabra artificial derivada de las palabras inglesas trans- fer = transferir y resistor = resistencia. El término «bipolar» (bi = dos) indica que la corriente principal se determina por dos diferentes tipos de portadores de carga. En el lenguaje comun los transistores bipolares se denominan usualmente solo transistores. En contraste con los transistores bipolares, en un transistor unipolar (unum = uno) la cortiente principal fluye nicamente a través de una zona y, por lo tanto, esta determina- da solamente por un tipo de portadores de carga dei material semiconductor respecti- vamente dopado. Sin embargo, los transistores unipolares, denominados «transistores de efecto de campo», seran tratados luego en Seccion 3, EI conocimiento preciso de las propiedades y el comportamiento de los tipos individua- les de transistores también es de gran importancia para el usuario. Por esto los con- structores publican detalladamente los valores caracteristicos y curvas caracteristicas en forma de hojas de datos para cada tipo de transistor. Al igual que en los semiconduc- tores, estas contienen datos caracteristicos, datos limite y curvas caracteristicas, Puesto que un transistor es un cuadripolo con dos electrodos de entrada y dos electro- dos de salida, el nimero necesario de datos caracteristicos y curvas caracteristicas 6s considerablemente mayor que en el caso de los diodos semiconductores. Algunas curvas caracteristicas importantes serdn explicadas con mas detalle en las siguientes secciones. Los transistores bipolares se fabrican de germanio y de silicio como materiales iniciales. Debido @ sus propiedades superiores los transistores de Si tienen, hoy en dia, una importancia considerablemente mayor que los transistores de Ge. La clasificacién de los numerosos tipos de transistores puede realizarse de acuerdo a varios puntos de vista. Asi, con respecto a los tipos de construccién se realiza una Subdivision basicamente en transistores de pequefa sefial y transistores de potencia, Tal subdivision se muestra en la figura 2.2. Los transistores de pequefia sefial son utilizados mayormente para la amplificacion de Pequefias sefiales de corriente alterna. Por io tanto, estos se operan generalmente en un Punto de trabajo fijo y con poca fluctuacién alrededor de este punto. Los transistores de Pequefia sefial también pueden ser usados como interruptores electronicos, Esto impli- a un control sobre todo el rango de la curva caracteristica. Los transistores de potencia estén disefiados para mayores corrientes y también para mayores tensiones. Estos tienen una cépsula relativamente grande para disipar rapida- mente el calor que se forma en el cristal. A los transistores de potencia se los utiliza mayormente como amplificadores de gran sefial en etapas de potencia y en etapas de salida, 0 como interruptores electronicos. 11421 Generalidades Los fabricantes de transistors han introducido un sistema de designacién para mejorar la distincion entre los diferentes tipos de transistores. Los fabricantes europeos utilizan principalmente la codificacion «PRO ELECTRON», consistente en una combinacién de letras y numeros. Transistores bipolares Transistores de Germanio Transistores de Silicio f L [ols ién como | Transistores de Transistores de para el Sticio lpequetia serial de S Potencia de Si fae - | TransstoruF | | Transistorhe| | TRSS'O°% | | Transistor UF |_| Transistor HE Transistor de tipo PNP tipo PNP, ipo PNP tipo PNP tipo PNP onipo PNP n PI y NPN y NPN yNPN y NPN y NPN y NPN Figura 2.2 _Tipos de transistores Para que un transistor pueda trabajar apropiadamente, no debe tener conectada sola- mente una tension colector-emisor sino también una tension de base lo suficientemente alta. En este contexto, una estabilizacion térmica del punto de trabajo tiene una funcién particularmente importante. Esta es necesaria porque con el aumento de la temperatura ambiental ascienden también las corrientes del transistor. En consecuencia, el cristal continia calenténdose y su conductividad aumenta, lo cual cause corrientes mas fuer- tes. De esta forma, la potencia de pérdida crece continuamente y finalmente el transistor seria inservible debido a una autodestruccion térmica, Los transistores pueden ser operados en tres diferentes circuitos basicos. Estos son el Circuito de emisor comin, el circuito de base comin y el circuito de colector comin. A €stos se los determina seginn el electrode que acta como polo comin para la entrada y salida de la etapa amplificadora de una sefial de tensién alterna alimentada. Cada uno de estos circuitos basicos tiene sus ventajas y desventajas. El circuito de emisor comin @s utilizado con mayor frecuencia, E! circuito de colector comin puede ser utilizado para transformacién de impedancias, y el circuito de base comin tiene una particular impor- tancia en la técnica de alta frecuencia. En el uso practico, los transistores, ademas de uno de los tres circuitos basicos, nece- sitan otras conexiones. La naturaleza de las conexiones adicionales, con resistencias y condensadores, se guia basicamente por las tareas que el transistor debe cumplir en un circuito electrénico. Asi se hace una diferencia entre amplificadores de tension continua, amplificadores de tension alterna y amplificadores de conmutacion. 115,2 Transistores bipolares Los amplificadores de tensi6n continua se utilizan siempre que se deban amplificar tensiones continuas y hasta fluctuaciones de tensién de frecuencias muy altas. Un ejemplo tipico es el amplificador tipo Y de un osciloscopio. Para que el amplificador de tensién continua pueda cumplir con su tarea, elementos dependientes de la frecuencia como por ejemplo condensadores, no deben influenciar la amplificacién, Por otra parte, con un amplificador de tensiones alternas, dependiendo del tipo de transistor y del dimensionamiento del circuit, se pueden amplificar tensiones alternas con frecuencias desde algunos Hertz hasta algunos Gigahertz, pero ninguna tensidn continua. Los con- densadores son componentes importantes de estos amplificadores. Los amplificadores de potencia deben entregar una sefial de potencia lo mas grande posible a la carga. Por ejemplo, la carga podria ser un parlante, una antena de transmisién o un motor. A un amplificador de conmutacién se le exigen otros requerimientos distintos a aquellos de los amplificadores de tensiones continuas 0 alternas. Es decir, los amplificadores de conmutacién deben conmutar muy rapidamente de su estado (Las techas indican la cireceién del tujo de elecrones) e slectrones} Figura 2.4 Construccién de transistores NPN y PNP Por otra parte, la juntura PN superior opera en direccién inversa. Por esto, las fuentes de tensién estén conectadas de manera que, en un transistor NPN, el colector es positive en relacién al emisor, mientras que en el transistor PNP el colector es negativo con relacién al emisor. En consecuencia de las tensiones aplicadas, la juntura PN inferior opera en direccién directa y la juntura PN superior en direcci6n inversa. Por esto, en las capas intermedia y superior se forma una zona de bloqueo. Esta se extiende casi sobre el ancho total de la capa intermedia, ya que ésta es muy angosta y tiene solamente pocos portadores de carga. Puesto que la juntura inferior esté polarizada en direccién directa, los portadores de carga originados en la capa del emisor inundan la zona de bloqueo de la capa interme- dia. En consecuencia, esta zona de bloqueo se desintegra y su resistencia disminuye. Por consiguiente los portadores de carga originados en el emisor pueden atravesar la zona de bloqueo desintegrada entrando en ia capa del colector y pueden fluir hacia la bateria. Ya que los portadores de carga provienen de la capa inferior, ésta se determina como «emisor». La capa intermedia es el punto de inicio para las dos junturas PN y por esto se la denomina «base». La capa superior recolecta todos los portadores de carga que no han salido por la base, y tiene la denominacién «colector» 1172. Transistores bipolares La cortiente de base /e que fluye a través de la base es considerablemente mas peque- fia que la corriente de colector /c que fluye por la zona de bloqueo desintegrada, Por ejemplo, si con una tension de base Use ~ 0,7 V fluye una corriente de base /s = 1 mA, entonces se produce una corriente de colector /c = 100 mA. Si /s aumenta debido a un Pequefio incremento de Use a, por ejemplo, /s = 2 mA, entonces desde el emisor llegan més portadores de carga a la zona de bloqueo. Esta sigue desintegrandose y la corrien- te en el colector asciende hasta aproximadamente /c = 200 MA. Si Use se reduce, y por lo tanto también /e, la resistencia inversa aumenta y la corriente de colector /c disminuye, La corriente de base /s y la corriente de colector /c actiian proporcionalmente la una a la otra dentro de unos amplios limites. En un transistor con una pequefia corriente de base fe como corriente de entrada se puede controlar una corriente de colector fc mucho mayor como corriente de salida. A esta relacion se la denomina como amplifica- cién de corriente B del transistor. Cambio en la corriente de slide _ Alc Amplificacion d = Cambio ena corriente de salida_ piicacion de conrente B = cersbio en la comiente de entrada ~ Als Los transistores NPN y los transistores PNP se diferencian basicamente por la secuen- cia de sus capas. Estas determinen una polaridad diferente de las tensiones de base y de colector. En la figura 2.5 se indican nuevamente las relaciones, que fueron represen- tadas solamente en forma esquemiética en la figura 2.4, usando los respectivos simbolos de transistores. En la indicacion de las tensiones Use y Uce, la letra final expresa siempre el electrodo de referencia. El electrodo de referencia, en este caso, es el emisor E. La determinacién del sentido de la corriente esté basada siempre en el sentido convencional de la corriente. Todas las corrientes que entran al transistor son positivas, mientras que a todas las corrientes que salen se les da un signo negativo. Las flechas del emisor dibujadas en los simbolos de transistores determinan también la direccion convencional de la corriente. Para que un transistor trabaje, la seccién base-emisor debe ser operada en direccién directa, pero la seccién base-colector en direccién inver- sa. Transistor NPN Transistor PNP 07v > (Las tlochas indican ol sentido convencionat = (Flochas insican ot sentido convenciona! de fa contionte) 0 ia cortenie) Figura 2.5 Tensiones y corrientes de operacién para transistores NPN y PNP 11822 Principio bésico En la figura 2.6 se ha introducido una resistencia de colector Ric, como resistencia de trabajo, entre el terminal del colector y la bateria. Esta no solamente limita la corriente del colector, sino que también convierte la amplificacién de corriente producida en el tran- sistor en una amplificacién de tension. Asi, el transistor y la resistencia de colector forman un divisor de tensi6n para la tension de operacién Us = +10V.Con lo = 5mA y Ro = 1kQ, cae una tension de Unc = 5-107 A+1-10°O=5V en la resistencia de cdlector, Con esto, la tensién colector-emisor, como tension de salida, se vuelve Uce = Us — Unc = 10V — 5V =5V. Figura 2.6 Amplificacién de tensién con un transistor NPN 1192. Transistores bipolares Si la tensién base-emisor Use siempre necesaria es aumentada, por ejemplo, a Use = 0,71 V por medio de la tensién alterna suministrada por el generador mostrado, entonces la corriente de base asciende. Una mayor corriente de base causa una mayor Corriente de colector, la cual puede ascender, por ejemplo, desde /c = 5mA hasta Jc = 65 mA. Esta mayor corriente de colector produce una mayor caida de tension de Unc = 65 - 10% A-1-10°O = 65V en la resistencia de colector Rc. Por esto la tension colector-emisor del transistor debe caer obligatoriamente desde Uce = 5 V hasta Uce = 3,5 V. Durante el semiciclo negati- vo de la tensién del generador, /s disminuye, y por lo tanto también disminuye Jc. A consecuencia de esto, la tension colector-emisor Uce asciende. Las curvas de tension y de corriente, junto con su respectivo circuito de transistor, estan mostradas en la figura 26. El generador conectado a la base del transistor causa una variacién de la corriente de base de Ale = 20 pA. Esta variacién en la corriente de base produce una variacién en la corriente de colector de Alc = 3mA, causada por la amplificacién de corriente del transistor. Para el caso concemiente, esto produce una amplificacién de corriente del transistor de wa Ale _ 3-107 A Be ~ 307 10%A ~ 9. B La amplificacién de tensién A, de un circuito de transistor esta definida de una forma ‘similar a la amplificacién de corriente. Cambio en la tension de salida (AUsa)) icacio 16N Ay = el ‘Ampliicacion de tensio Cambio en Ia tension de entrada (AUen) = AUear _ AUce °° Ben BO ee La amplificacién de tension depende ademas tanto de la magnitud de la emplificacion de Corriente del transistor como de la magnitud de la resistencia del colector. En el ejemplo, una variacion en la tension alterna de entrada AUsz = 0,02 V produce una variacién en la tension alterna de salida de AUce = 3 V, Por esto, en este caso, la amplificacion de tension es 3Vv As = gay = 150. Asi, la amplificacién de corriente que aparece, como una propiedad del transistor, se transforma en una amplificacion de tensién, debido a la resistencia de colector Re. 12023° Curvas caracteristicas 2.2.2 Comparacién de tran: tores de Ge y de Si Exactamente de la misma forma como en los diodes semiconductores, para los transis- tores se puede utilizar germanio y silicio como material inicial, Los transistores de Ge y de Si se diferencian, entre otras cosas, en los siguientes puntos esenciales: Transistor de Ge Transistor de Tension base-emisor para Io < 20mA Use == O2V Use = O8V para fc > 20mA, Use == 08V Use = OTV maxima temperatura de junture By max = 90°C 85 max = 180°C maxima tension colector-emisor Uce max = 90V Uce max & 150V Debido a sus muchas propiedades superiores, en estos dias se producen y se utilizan preponderantemente transistores de Si. 2.3. Curvas caracteristicas Las propiedades especiales de un tipo de transistor pueden ser indicadas con precision solo por medio de las curvas caracteristicas. En el caso de un transistor — en contraste con un diodo ~ son necesarias varias curvas caracteristicas para determinar el compor- tamiento de sus diferentes valores de tension y corriente. Asi, para la descripcién inequi- voca del transistor, las dependencias mutuas de las siguientes cuatro magnitudes de- ben ser representadas en curvas caracteristicas: Tensién de base = Use Tensi6n de colector Use Corriente de base ie Corriente de colector Ie Las cuatro magnitudes mencionadas se pueden medir con el circuito seguin la figura 2.7, y de este modo se pueden obtener las diferentes curvas caracteristicas del transistor. u,=5V Up=8V Figura 2.7 Circuito para la obtencién de las curvas caracteristicas del transistor 1212 Transistores bipolares 2.3.1 Curva caracteristica de entrada La relacién fy = f (Use) con Uce = const. esta designada como la curva ceracteristica de entrada del transistor. Esta tiene el mismo recorrido como la curva caracteristica directa de un diodo de Si. La figura 2.8 muestra la curva caracteristica de entrada de un transis- tor de Si tanto en escala lineal doble asi como en escala lineal-logaritmica, En las hojas de datos de los fabricantes se encuentra por lo general solamente una representacion en escala lineal-logaritmica. El codo de la curva caracteristica mostrado en la represen- taci6n lineal doble ya no esta presente en la representacién lineal-logaritmica. Curva caracteristica de entrada Jp = t (Use) Jo Uce Uce = 5V (Emisor comin) va wt Be 297, BC 238, BC 239 1000 Nay a 5 800 4 600 I e 400 ‘ 200 w 0 Vee 0 02 04 06 08 10 v 5 a) yw Q 05 iv Figura 2.8 Curva caracteristica de entrada de un transistor de Si b) 8) en escala lineal doble 'b) en escala lineal-logaritmica De ta curva caracteristice de entrada se puede determinar la resistencia de entrada del transistor con: roe = AUPE con Use = const Ale En las hojas de datos generalmente se indica la resistencia de entrada en notacion cuadripolar, como un parametro h: Ave = fee (Se lee h-uno-uno) 12223 Curvas caracteristicas 2.3.2 Curva caracteristica de amplificacién de corriente La relacién fc = f (/e) con Uce = const. esté designada como la curva caracteristica de amplificacin de corriénte del transistor. La curva caracteristica de amplificacion de corriente, seginn la figura 2.9, muestra una relacién lineal entre /s @ Ic. Amplificacién de corriente 8 = { (ic) Uce Vi; Teme = parémetro (Circuito emisor comun) ° Be 297, BC 298, BC 239 woot ata —~)| Figura 2.9 Curva caracteristica de amplificacion Figura 2.10 Amplificacion de de corriente corriente continua; B = { (/c) con Uce = const. De la curva caracteristica de amplificacién de corriente se puede determinar la amplifica- cién de corriente del transistor. Sin embargo, se debe diferenciar entre Amplficacién de corriente continua 8 = 42 y a Ampliicacion de corrionte dinamica 6 = 22 con Use = const. . a 1232 Transistores bipoleres En las hojas de datos se indica ta amplificacién de corriente dinémica también como Fase. En la figura 29 se puede leer que para el transistor respectivo, en el punto de trabajo indicado pa 2821078 Ale _ 1+ 107A Ie 10+ 10°A Ble ~ 510A = 700 = 250 y B Como Ia informacion que expresa la curva caracteristica de amplificacion de corriente no es suficiente, los fabricantes dan generalmente la amplificacion de corriente continua B en funcidn de Ia corriente de colector y de la temperatura. Esta relacién se muestra en la figura 2.10. Como se ve en la curva caracteristica segun la figura 2.10, la amplificacin de corriente 8 depende de la corriente de colector. En base a las propiedades fisicas, la amplifica- cién de corriente disminuye con corrientes de colector altas. Adicionalmente, la depen- dencia de temperatura de la corriente de colector también es aparente. 2.3.3 Curva caracteristica de salida Para que una corriente de colector pueda fluir, debe estar presente primero una corriente de base. Por lo tanto, en e! diagrama segun la figura 2.11 se muestra que la corriente de colector no esta solo en funcién de ia tensién colector-emisor, sino también de la corriente de base. Estas curvas caracteristicas Jc = f (Uce) con /s = const. se las deno- mina como «curvas caracteristicas de salida». Puesto que una corriente de base puede fluir solamente cuando esta presente apropia- da tensi6n base-emisor, los fabricantes también dan selectivamente como parametro la curva caracteristica de salida con Use = const.. Estas curvas caracteristicas de salida Se representan en la figura 2.12. De las curvas caracteristicas de salida se puede deter- minar la resistencia de salida del transistor con: AUce Ale con /a = const. En las hojas de datos generalmente se indica la conductividad de salida en notacién cuadripolar como un parametro h: 1 _ Ak Nave = — = 8° Tee BU ce con /s = const. 12423° Curvas caracteristicas Curvas caracteristicas de salida Curvas caracteristicas de sallda Io = § (Uce) Io = (Uce) Ig = pardmetro (Circuito de emisor comin) Use = parametro (Circuito de emisor comin) my BC 237, BC 238, BC 239 HA BC 297, BC 238, BC 239 1000 40 ual & Seas 800) 3,0 UA 600] 25 ua] ap ‘a Sua OMA 200 ‘ 20,5 UA 4 Ue Figura 2.11. Cura caracteristica de salida Figura 2.12 Curva caracteristica de salida fc = { (Uce} con /a = const. Io = 1 (Uce) con Upe = const. 2.3.4 Curva caracteristica de control La curva caracteristica de control es una combinacién de la curva caracteristica de entrada y de la curva caracteristica de amplificacion de corriente de un transistor. Esta curva caracteristica de control /c = f (Use) con Uce = const. se muestra en la figura 2.13 en escala lineal y en la figura 2.14 en la escala lineal-logaritmica usual. La curva carac- teristica de control es de gran ventaja cuando se considera la accion de control y seleccin del punto de trabajo mas favorable. La pendiente de la curva caracteristica de control del transistor puede determinarse con: = Ale Ya = BOs con Uce = const. EI simbolo para la pendiente se deriva de la notacién cuadripolar del parametro llama- do y. 1252 Transistores bipolares de Corriente de colector io =f (Uae) mA Uce = §V (Emisor comin) v0 Uce = SV m Bc 297, BC 298, BC 239 ® 80 5 60 t 40 wv 5 20 0 Use 0 02 0% 06 o8 10 v w Figura 2.13 Curva caracteristica de control 5 Ic = 1 (Upe); Uce = const. en escala lineal wt 0 95 ay — be Figura 2.14 Curva caracteristica de contro! ic = f (Upe); Uce = const. en escaia lineal- logaritmica 2.4 Valores caracteristicos 2.4.1 Generalidades De las diferentes curvas caracteristicas del transistor se pueden determinar muchos datos importantes para el uso y el comportamiento de los tipos individuales del transis- tor. Las curvas caracteristicas son particularmente importantes cuando los transistores son utilizados como amplificadores de gran sefal, por ejemplo, en etapas de potencia y etapas de salida, porque entonces las curvas caracteristicas son utilizadas por comple- to. Sin embargo, cuando los transistores se utilizan como amplificadores de pequefia sefial, por ejemplo, en etapas de pre-amplificacién, entonces las amplitudes de tension y corriente de la sefial de entrada son pequefias en relacin a los valores de tension y de corriente del punto de trabajo. Debido a la pequefia oscilacion de la sefial, las diferentes curvas caracteristicas ya no tienen tanta importancia. Por esto, los fabricantes indican valores caracteristicos especificos para el uso de transistores como amplificado- res de pequefa sefial, los cuales proveen al usuario suficiente informacién acerca del comportamiento de los transistores. Exactamente como fue el caso para los diodos, Jos valores caracteristicos de transisto- Tes estan basicamente divididos en datos limite y datos caracteristicos. Los datos limite son valores que de ninguna manera deben ser sobrepasados; de otra forma el transistor seria destruido. Como datos caracteristicos se indican las propiedades del transistor, las cuales indican su comportamiento para puntos de trabajo especificos. 12624 Valores caracteristicos Estos datos caracteristicos se subdividen nuevamente en datos caracteristicos estaticos y dinamicos. Los datos caracteristicos estaticos describen el comportamiento en co- rriente continua, mientras que los datos caracteristicos dinamicos dan, informacion so- bre el comportamiento para corriente alterna y la operacién de impulso. 2.4.2 Datos limite Los transistores pueden’ estar sobrecargados eléctricamente de varias formas: 1. Por una excesivamente alta tension colector-emisor Uce > Ucemsx 2. Por una excesivamente alta corriente de colector /o > lemex 3. Por una excesivamente alta tension base-emisor Use > Usemsx 4. Por una excesivamente alta corriente de base /e > /emix 5. Por una excesivamente alta potencia de pérdida Pps > Pix 6. Por una excesivamente alta temperatura ambiental Sams > Sampmax 2.4.2.1 Valores limites'para tensiones y corrlentes Al sobrepasar una determinada tensién colector-emisor, la cual esta en funcién de la cortiente de base, la corriente de colector aumenta subita y muy fuertemente con Uce. Esta conducta se denomiina como «segunda ruptura». Normaimente, un transistor no debe ser operado en este rango de ruptura. Por esto, en las hojas de datos se indican las tensiones colector-emisor maximas permisibles en funcién de una resistencia entre base y emisor. Esta resistencia esta determinada en el circuito de medicion segun la figura 2.15, como Ree. Figura 2.15 Circuito basico para la determinacién de los valores limite de un transistor ‘Segun la conexion de la entrada del transistor, para diferentes valores de Rac se obtie- ‘nen las curvas caracteristicas mostradas en ja figura 2.16. Las tensiones de ruptura tienen particularmente los siguientes resultados: Uceo = valor cuando la base esté abierta. fg = 0 mA; Rez = 0 Ucea = valor cuando hay una resistencia entre base y emisor, 6 /s < 0mA 1272. Transistores bipolares Uces = valor cuando base y emisor estan cortocircuitados. Ape = 0 0; Is < OMA Ucey = valor cuando el diodo emisor esta bloqueado. fg < OMA Uceo = valor cuando el emisor esta abierto. /e = OMA Tgz0 Ig>0—=—|— Ig<0 igs i Z| Curva caracteristica normal g & g 5 a] apie § Region activa o de amplificacion Regién de rupture Regién de corte Yee Ucer Uces Uceo Ucev Figura 2.16 Familia de curvas caracteristicas de salida de un transistor con diferentes valores limite de la tensién colector emisor Para el transistor de potencia del tipo 2N3055, los fabricantes indican, por ejemplo, los siguientes valores limite: Uceo = 60 V; Ucea = 70 V con Raz = 1000; Uces = 80 V; Ucev = 90V; Ucao = 100 V. De estos datos, asi como de las curvas caracteristicas de la figura 2.16, se denota que la tension de ruptura maxima se obtiene con emisor abierto, y la tensién de ruptura mas baja con base abierta. Por lo tanto, para todos los transistores se aplica: Uceo < Ucer < Uces < Ucev < Ucro También para la juntura PN entre la base y el emisor, los fabricantes indican un valor limite de tension. Este se denomina como Ueso, € indica le maxima tension inversa permisible de este diodo emisor con colector abierto. Entre los valores limite para las corrientes de colector y de base generalmente se listan, con fe @ fs, la maxima corriente directa permisible y el valor medio de corriente para cambios periddicos, o también el maximo valor pico permisible como fow € Jaw. 12824 Valores caracteristicos 2.4.2.2 Valores limite para la potencia de pérdida Cuando el transistor esta en operaci6n, una tensién es aplicada al colector y a la base, y no fluye solamente una corriente de colector, sino también una corriente de base. El producto de las tensiones y corrientes asociadas produce una potencia eléctrica, la cual causa un calentamiento de todo el cristal semiconductor. La potencia de pérdida Poss, que aparece, no debe exceder la potencia de pérdida Po, indicada por el fabricante. Se aplica lo siguiente: Pose = Uce + Io + Use + la S Pio El producto de Use - /e, puede ser ignorado debido a su baja tension y pequefia corrien- te, en comparacién con el producto Uee - /c. Por esto, para la potencia de pérdida de un transistor bipolar se aplica Poor = Uce «le < Pros El transistor BC 237, mencionado anteriormente, tiene una potencia de pérdida Pi = 300 mW con una temperatura ambiental de Sens = 25 °C. Esto implica que, por ejemplo, con Uce = 5 V puede fluir una corriente de colector maxima de Pra — 300 mW Uce <5 < 8A mientras se pueda mantener Sem. = 25°C. 2.4.23 Valores limite para la temperatura de juntura 8, Basicamente, la potencia de pérdida durante operacién continua, produce calor en la capa barrera, por lo cual aumenta la temperatura de juntura. Esta temperatura de juntura 8, no debe exceder ciertos valores especificos porque el cristal cambia fuertemente sus caracteristicas semiconductoras y el transistor se destruye. La temperatura de juntura permisible depende del material semiconductor y es 91 = 90°C para transistores de Germanio; y, 9, = 150°C hasta 200 °C para transistores de Silicio. 2.4.24 Valores limite para la temperatura ambiental Sano Algunos de los fabricantes dan como valor limite en lugar de la maxima temperatura de juntura, la maxima temperatura ambiental Samp. Entonces, Samp @S Siempre menor que 8. En la mayoria de las hojas de datos se muestra también un diagrama segun la figura 2.17, en el cual se indica la dependencia de temperatura de la potencia de pérdida total permisible. De este modo, es posible determinar inmediatamente del diagrama en la figura 2.17 ‘cuan grande es la potencia de pérdida para una temperatura ambiental especifica. La 1292 Transistores bipolares resistencia térmica Rx, del transistor esta dada como pardmetro. Si el calor generado en el transistor es disipado por un disipador o montandolo sobre un armaz6n, entonces la potencia de pérdida total especificada es permisible ain para mayores temperaturas ambientales. Ya que los problemas de calentamiento del transistor son parecidos a los de los diodos, los métodos dados para estos pueden ser aplicados directamente a los transistores. Dependencia de temperatura de la pérdida de potencia total permisible Poo = £ (Tomb); Fin = parametro BC 237, BC 238, BC 239 w Of 03 02 On Figura 2.17 Dependencia de temperatura ag d@ la maxima potencia de pérdida total 200°C permisibie —— Tor Pot = £ (Tame) Con Fy = const 24.25 Rango de trabajo permisible Los datos limite listados restringen el rango de trabajo permisible de un transistor bipolar. En la familia de curvas caracteristicas de salida del transistor segun la figura 2.18 estén dibujados los datos limite /omix Uceo, ¥ Prot En la familia de curvas ceracteristicas de salida, cuando se dibuja la potencia de pérdida Paw sta produce una llamada shipérbola de potencia de pérdida». En la direccion de los valores mas altos el rango de trabajo se limita por Uceo, Pio: € /cmax. El punto de trabajo debe ser siempre elegido para que se encuentre dentro del rango de trabajo permitido. 13024 Valores caracteristicos Ig=const i Rango de trabajo de un transistor Uceo Uoe 2.4.3 Datos caracteristicos Los datos caracteristicos estaticos dan informacion sobre el comportamiento en corrien- te continua de un transistor. Inclusive sin componente alterna en la sefial de entrada, el transistor tiene ciertas propiedades, las cuales no pueden ser cubiertas por las curvas caracteristicas. Por esto, en las hojas de datos se indican siempre los siguientes datos caracteristicos estaticos: 1. Amplificacién de corriente continua 2. Tension de saturacion 3. Corrientes residuales Amplificacion de corriente continua La amplificacién de corriente continua B representa la relacién de la corriente continua de colector con la corriente continua de base. También se la denomina como «ampliifica- cién de corriente estatica» B. ate aan La amplificacion de corriente continua no solamente depende de la magnitud de la corriente continua de colector (figura 2.10), sino también de la temperatura ambiental. Los fabricantes agrupan algunos tipos de transistores segun su amplificacion de co- rriente continua y los designan entonces con las letras adicionales A, B o C, y a veces también con numeros romanos |, Ii, Ill o IV. En la tabla de la figura 2.19 esta indicada una de estas agrupaciones para los transistores BC 237, BC 238 y BC 239 para Uce = 5V. Y Damp = 25°C. 1312 Transistores bipolares Grupo 8 A B e Tipo BC 237 BC 237 - BC 238 Be 238 BC 238 - BC 239 BC 239 Ie 8 8 8 mA Iel lg Iol lp Il Ie 001 90 150 270 2 170 (120 hasta 220) 280 (180 hasta 460) 500 (380 hasta 800) 100" 120 200" 400" " Valores medidos no aplicables al BC 239 Figura 2.19 Agrupacién de los tipos de transistores segin su amplificacion de corriente Tensién de saturacion La tensién de saturacién Ucesa se denomina también «tensién de codo» o tensién residual Uce res. A ésta se la define como la tension colector-emisor en el limite de sobreexcitacién para una cierta corriente de colector /c. El limite de sobreexcitacin comienza en el punto sobre !a curva caracteristica en el cual la parte ascendente de la curva caracteristica de salida pasa a la parte horizontal. En la figura 2.20 se indica la tensién de saturacién Ucess: para una determinada corriente de colector. Ig= const Figura 2.20 Tensién de saturacion 13224 Valores caracteristicos Asi, la tension de saturacién es la minima tension colector-emisor de un transistor que debe estar presente para que la corriente de colector todavia pueda estar influenciada predominantemente por la corriente de base. Entonces ésta es también la tensién colec- tor-emisor que debe ser sobrepasada para que el transistor esté completamente encen- dido. Por esto, la tension de saturacion es de particular importancia cuando un transistor esta siendo utilizado en operacion de conmutacién. Debido a que el valor de tension Ucese,, en el cual la corriente de colector cambia al estado de saturacién, no puede ser leido claramente de las curvas caracteristicas de salida, los fabricantes indican ademas la curva caracteristica de la tensién de saturacion como esté reproducida en la figura 2.21. Le tension de saturacién aumenta con el ascenso de la temperatura, En la figura 2.20 se nota que la tensién de saturacién depende de la magnitud de la corriente de colector. Por esto, los fabricantes indican la tensién de saturacién para diferentes corrientes de colector. Tension de saturacién /o = { (Ucesai) B = 20; Tams = parametro (Circuito emisor comin) ma wo -$0°C, (a 5 ‘ 100° w 0 0 02 03 0% ©6005 BY —— lesa Figura 2.21 Curva caracteristica de la tensién de saturacion; fc = f (Ucesat); Tamy = const. para transistores tipo BC 237, BC 238, y BC 239 1332 Transistores bipolares En la tabla segin la figura 2.22, se indican como ejemplo los datos de los fabricantes para los tres tipos de transistores ya mencionados. Tension de saturacién de colector Io = 10 MA, fp = 0.5mA Uce sat 90 250 mv Jo = 100mA, ip = 5 mA Ucksat 200 mv Tension de saturacién de base to = 10MA, ip = 05mA Upecat 700 mv Io = 100 MA, Ig = 5 mA Upesar 900 mv Tensién de saturacion de base-emisor Uce = 5V, Io = 0,1mA Upe 550 mv Uce = 5V,io= 2 mA Uoe. 620 700 mv Use = 5V, lo = 10 mA Use 675 mv Figura 2.22 Tensiones de saturacion para los transistores tipo BC 237, BC 238 y BC 239 Corrientes residuales Si una juntura PN se opera en direccién inversa, entonces fluye una corriente residual. Diferentes corrientes residuales aparecen debido a que un transistor tiene dos junturas, PN. A estas se las denomina como /crr, ico. !oso. Icey, lepo @ feces. Sus cirouitos de medicién estan ilustrados en le figura 2.23. Por efecto de la dependencia de temperatura del material semiconductor, el valor de las corrientes residuales también depende de la temperatura ambiental. Ucer (cer) Uceo (ceo) Tensién inversa colector-emisor (corriente residual colecter-emisor) con una resistencia entre base y emisor. El valor maximo permisible de la resistencia Ape esta indicado en las hojas de datos. Pare mayores valores de Ape se aplica la tension inversa Ucco Tension inversa colector-emisor (corriente residual colector-emisor) con la base abierta; fe = 0. El estado fs = 0 puede entonces también aparecer brevemente, por ejemplo, en la operacion de conmutacion cuando una resistencia esta situada entre Ia base y el emisor Figura 2.23 (1) Circuitos de medicion para determinar las corrientes residuales 13425 Disefio de transistores Ucao (/cao) Ucev (/cev) Tension inversa colector-base (corriente ‘Tensi6n inversa colector-emisor (corriente residual colector-base) con emisor el residual colector-emisor) con el diodo abierto; fe = 0 ‘emisor bloqueado, es decir, con la tension de polarizacion en direccién inversa entre la base y el emisor T Qa) tem ¥ eso (eso) Uces (ices) Tension inversa emisor-base (corriente . Tension inversa colector-emisor (cortiente residual emisor-base) con el colector residual colector-emisor) con el diodo abierto; fc = 0 emisor cortocircuitado; Uae = 0 Figura 2.23 (2) Circuitos de medicién para determinar les corrientes residuales 2.5 Disefio de transistores 2.5.1 Tipos de transistores Para empezar, los transistores bipolares pueden ser divididos, segun su material inicial, en transistores de germanio y transistores de silicio. Otro criterio de diferenciacion es la potencia transtormada dentro del transistor. Esto resulta en una subdivision de transis- tores de peque/ia sefial y transistores de potencia. Esta clasiticacién de transistores ya ha sido presentada en la figura 2.2. Los transistores de potencia estan disefiados para corrientes mayores y usualmente para tensiones mas altas. Estos tienen una potencia de perdida muy alta, la cual puede ser incrementada considerablemente cuando el calor generado en la capa barrera 1352 Transistores bipolares puede ser disipado répidamente hacia el aire del ambiente por medio de superficies de enfriamiento adicionales. Con transistores de potencia se pueden producir sefiales de potencia desde unos pocos vatios hasta aproximadamente 100 vatios. Sin embargo, en 1 rango inferior, la limitacién relacionada con la potencia de los transistores de pequefia sefial es fluida. Los transistores de pequefia sefial tienen basicamente la tarea de amplificar pequefias y extremadamente pequefias sefiales de tensién alterna, Estos deben generer, por su propia cuenta, la menor cantidad posible de sefales de interferencia, como por ejempio el ruido. Para lograr una gran amplificacién, los transistores de pequefia sefial tienen ademas una gran amplificacién estatica de corriente B, la cual es por lo general consi- derablemente mayor que 100. Con los muy numerosos tipos de transistores de pequefia sefial se puede cumplir casi con todas las tareas de amplificacion. Una clasificacién adicional de transistores es posible de acuerdo a sus areas de uso. Asi, los transistores LF estén previstos solamente para el uso en el rango de baja frecuencia hasta alrededor de 50 kHz. La amplificacién de sefales de alta frecuencia exige transistores HF especiales. Sus capacitancias de juntura deben ser lo més peque- jjas posibles para que por ellas no se cortocircuiten las sefales de alta frecuencia. Los transistores de conmutacién deberian facilitar una conmutacién répida desde un estado de conduccién hacia un estado de no conduecién y viceverse. Por lo tanto, estos estén disefiados de forma que los tiempos de conmutacién fon ¥ for Sean tan pequefios como sea posible, Ademas, en el estado de conduccién, éstos tienen unas tensiones residuales 0 de saturacién muy bajas. Por otra parte, en el estado de conduccién se permite que fluyan solamente corrientes residuales muy pequefias de magnitudes en el orden de los nA. Todos los tipos de transistores listados son producidos tanto en versiones NPN como PNP. Dos tipos asociados de transistores NPN y PNP con datos técnicos ampliamente iguales se denominan como «transistores complementarios». Por ejemplo, se los en- cuentra conectados conjunta y apropiadamente en casi todas las etapas de potencia de baja frecuencia. 2.5.2 Sistemas de designacién para semiconductores Los fabricantes europeos usan el sistema de codificacion PRO ELECTRON para la identificacion de los diferentes componentes semiconductores. El sistema ya fue descr to anteriormente en la Seccién 1.3.42 para la codificacién de diodos, y aqui es extendido para cubrir transistores y ademas tiristores (tratados en el Capitulo 8), para dar una vision completa. De acuerdo ai sistema PRO ELECTRON, los elementos semiconductores se designen con tres letras y dos numeros. Como una derivacién de este sistema, los tipos que son usados en su mayoria en aparatos de radio, de television y grabadores de cintas se identifican con dos letras y tres nimeros. 13625 Disefio de transistores La primera letra informa sobre e! material inicial. Estas letras tienen los siguientes signi- ficados: ‘A = Material inicial germanio 8 = Materia! inicial silicio C = Material inicial arseniuro de galio, etc. R= Material inicial para fotosemiconductores y generadores Hall La segunda letra designa la funcién principal del componente. Las letras significan: Diodo rectificador de pequefias sefales; diodo de conmutacién Diodo de capacitancia variable (varicap) Transistor LF (baja frecuencia) Transistor LF de potencia = Diodo tunel Transistor HF (alta frecuencia) Diodos osciladores para aplicaciones HF = Sonda de campo Hall (Capitulo 5) = Transistor HF de potencia Opto transistor aistador (optoacoplador) (Capitulo 6) = Fotodiodo, celda fotovoltaica (Capitulo 5) Diodo emisor de luz (Capitulo 6) = Tiristor (Capitulo 8) Transistor de conmutacion = Tiristor (Capitulo 8) = Transistor de conmutacién de potencia = Diodo multiplicador = Diodo de potencia = Diodo Zener wa N Como tercera letra se utiliza solamente X, Y y Z. Estas letras indican solamente el uso comercial de estos tipos. Los siguientes dos o tres nimeros representan inicamente un numero de registro, y no tienen ningtin significado técnico particular. De acuerdo al sistema JEDEC, los diodos estan designados por una combinacidn «1N» y un niimero de cuatro cifras. «1N» indica que el componente referido tiene una juntura PN. Consecuentemente, la designacién de los transistores comienza con «2N» debido a sus dos junturas PN. El subsecuente numero de cuatro cifras indica simplemente el numero de registro. Aparte de los componentes semiconductores con estos dos cédigos de designacién, hay todavia numerosos tipos de transistores slo con designaciones especificas de sus fabricas. 1372. Transistores bipolares 2.6 Regulacién y estabilizacién del punto de trabajo 2.6.1 Determinacién de la resistencia de colector Rc El circuito de emisor comin es el circuito basico mayormente utilizado. En este circuito, el emisor es el electrode comin para la entrada y la salida del transistor. Para operar un transistor en forma de un circuito de emisor comin, aparte de la alimentacion de tension, también es necesaria una resistencia en el terminal del colector. La figura 2.24 muestra una etapa de amplificacion con circuito de emisor comin. La resistencia de colector Rc tiene que cumplir con dos tareas: 1. Limitar la corriente de colector /c, y, 2. Convertir la amplificacién de corriente B que ocurre en el transistor, en una amplifica- cin de tension Ay. +Up =| Figura 2.24 Etapa de amplificacion con circuito de emisor comin El transistor debe ser operado en un punto de trabajo especifico. Este punto de trabajo esta determinado por Uceia) @ /cia). Para una tension de operacién Us predeterminada, se obtiene una resistencia de colector Ae como sigue’ fe = Ua = Uoew Tew ‘Si se dibuja le curva caracteristica de la resistencia de colector en la familia de curvas caracteristicas de salida del transistor, entonces se obtiene una linea recta entre los puntos Use / = U2 Re En la figura 2.25 esta dibujada la recta de resistencia sobre la familia de curvas carac- teristicas de salida de un transistor. 13826 Regulacién y estabilizacién del punto de trabajo Ip=const punto de trabajo A Figura 2.25 Familia de curvas caracteristicas de Ls Uce salida con ta recta de Uce ‘ Ure resistencia Ucetay En la figura 2.25 estan dibujadas adicionaimente también las caidas de tensién en el transistor y en la resistencia de colector. En conjunto, éstas dan fa tensién de operacién Us. Up= Uce + Unc 7 Con la misma tensién de operacion y la misma tensién de colector, mientras mas alta es la resistencia de colector Ac escogida, mas baja es la posible corriente de colector. Esta relacién se puede ver en la figura 2.26. Igzconst 2 Figura 2.26 Familia de curvas caracteristicas de salida con diferentes ° valores de resistencia de Uce colector ce ac Us=10V V2 Transistores bipolares Para la recta de resistencia 1 seguin la figura 2.26, se obtiene una resistencia de colector Us _ 10V 5g Fes = 7. Bma y para la recta de resistencia 4 se obtiene Ue 10V Poa = To = aim = 125 KO El punto de trabajo de un transistor deberia estar ubicado lo mas cerca posible al centro de la recta de resistencia. Con esto se puede evitar que la sefial aplicada sea ampiifi- cada asimétricamente como consecuencia de las curvaturas de las curvas caracteristi- cas. Cuando el transistor se activa con una corriente de base alterna Als, la corriente de colector cambia en Alc, Estas relaciones estén reproducidas nuevaménte en la figura 2.27. Ip const 27p8 18yA yA Figura 2.27 Cambio en Uce causado por Rc El cambio de la corriente de colector es mayor que el cambio de la corriente de base debido al factor f. En la figura 2.27 se puede ver la amplificacion corriente del transistor usado. lc _ 4mA Bm BT Tea ~ 20 La corriente de colector, la cual cambia de acuerdo a la variacién de la sefial de entrada, produce un cambio de tensién colector-emisor. En este caso es AUce = 6 V. El cambio de la corriente de colector se convierte, por medio de Fic, en un cambio de la tensién colector-emisor. 14026 Regulacién y estabilizacién del punto de trabajo 2.6.2 Generacién de la tensién de polarizacién de base Para que un transistor sea capaz de amplificar, su juntura base-emisor debe ser operada en direccién directa. Esto se logra con una tensién de polarizacién de base Use. Esta debe tener como minimo el mismo valor que !a tensién umbral del diodo base-emisor; y por lo tanto, su magnitud depende del material inicial del transistor. La tension de polarizacién de base requerida es: Use = 0,2 V hasta 0,3 V para transistores de germanio y Use = 0,6 V hasta 0,7 V para transistores de silicio. La figura 2.28 muestra el circuito mas simple para la generacién de la tensién de pola- rizacion de base requerida, con ayuda de una resistencia de base en serie. La corriente de base fluye a través de la resistencia Ri y produce una caida de tensién en ella, Esta caida de tension debe ser lo suficientemente alta para que se produzca la tensi6n de polarizacion requerida entre base y emisor. La magnitud de la resistencia de base en serie se puede determinar con la ayuda de la ecuacién A, = Yo— Vee aa Figura 2.28 Circuito mas simple para la generacién de tension de polarizacién de base con una resistencia de base en serie Ejemplo Un transistor BC 237 tiene una amplificacion de corriente continua de 8 = 170. Debs ser operado con Us = 10 V. Para que fluya una corriente de colector de /c = 2 mA, la tension de polarizacion de base Use debe ser 0,62 V. Esta se debe generar por medio de una resistencia de base, como se muestra en la figura 2.26. Qué valor debe tener la resistencia de base AI? Ie _ 2m = EM 77 ya °° Bo 70 " Fy = Yaa Use _ IOV = 082V _ rep 940 Ie TTT WA Se elige el valor normalizado A; = 820 kA. 1412 Transistores bipolares La generacién de la tensién de polarizacion de base, con ayuda de una resistencia de base en serie, referente a la figura 2.28 tiene tanto ventajas como desventajas. Una ventaja es la resistencia en serie, la cual es siempre muy alta, de esta forma el generador de la tension de sefial no esta muy cargado. Ademas, la tensién de polarizacién de base permanece casi constante inclusive con las fluctuaciones de la tension de operacién 0 con los cambios de temperatura. Si, por ejemplo, la corriente de base asciende, enton- ces una mayor tension aparece en la resistencia R1, de forma que Use disminuye y con esto la corriente de base regrese aproximadamente a su valor original. Por otra parte, una desventaja es que después de cada una de la etapas de amplifica- cidn 0 cada vez que un transistor es reemplazado, |a corriente de base debe ser balan- ceada debido a las tolerancias de fabricacion. Por esto, solamente se puede utilizar un circuito como el que se muestra en la figura 2.29. Este incluye adicionalmente un poten- ciémetro de calibracién, con el cual es posible ajustar la tension de polarizacin del transistor concerniente. En los dos circuitos de las figuras 2.28 y 2.29, el condensador tiene Ia tarea de evitar que la tension de polarizacién de base se cortocircuite por la resistencia interna estatica del generador, la cual es usuaimente muy baja, o que el generador sea eventualmente destruido por la tensidn de polarizacién de base. Figura 2.29 Ajuste de Uge con un fotencid- “Figura 2.80 Generacién de (a tensién de metro de calibracién P1 Polarizacién de base con un divisor de tension La desventaja de la generacién de Ia tensién de polarizacién de base con la ayuda de una resistencia de base, como se muestra en la figura 2.29, puede ser evitada por medio del uso de un divisor de tensién de base. La figura 2.30 muestra la generacién de la tensién de polarizacion de base con la ayuda de un divisor de tensién. Para que el circuito de la figura 2.20 trabaje satisfactoriamente, ta corriente transversal fy, es decir, la corriente que fluye a través del divisor de tensién, se la elige mayor en comparacion con la corriente de base /e que fluye adicionalmente por Rt hy 2-ly hasta 10+ ie 14226 Regulacién y estabilizacién de! punto de trabajo Por lo tanto, la resistencia R2 tiene un valor considerablemente mas bajo que Ia resisten- cia estatica de! diodo base-emisor en conduccién, y la tension de polarizacién de base depende entonces esencialmente solo de las resistencias del divisor de tensién R1 y R2. Asi, para pequefios cambios de la tensién de operacién o cuando un transistor es reemplazado ya no es necesario un nuevo ajuste de Use. De todas formas la tensién de polarizacion de base fijada con un divisor de tensién tiene también una desventaja. Cuando a temperatura ambiental asciende, la corriente de colector también asciende, y también la corriente de base del transistor, por lo tanto el punto de trabajo se desplaza. Ya que de todos modos Use se mantiene constante, entonces no sucede una estabilizacién térmica del punto de trabajo, como se da con el Circuito de la figura 2.29. Los valores de las resistencias del divisor de tension se pueden determinar con las siguientes ecuaciones: Us — Use = BE ©0n ly # 2+ Ie + 10+ k f= Ts ° ° = Yee mea Ejemplo Para un circuito como el de la figura 2.30, con un transistor tipo BC 237 A, se dan los siguientes valores: Us = 10 V; hy = 5 + la; B = 170; Upe = 062 V; Io = 2 mA Qué valores deben tener las resistencias Ai y R2 del divisor de tension? te 2mA fo = B79 7 THA fy = 5+ lg = 5 + 11,77 pA = 5885 pA = Yee _ 082 Ae 58,85 pA Se elige el valor normalizado Az = 10kQ. Re = 1054 KO _ a= Use ___10V - 062 R, a vt i” 5BBSpA + 11,77 WA = 19262k0 Se olige el valor normalizado Ay = 120k. 2.6.3 Estabilizacién térmica del punto de trabajo 2.6.3.1 Estabilizacién por un termistor NTC La generacién de la tension de polarizacién de base con la ayuda de un divisor de tension de base, tiene la desventaja de que con las fiuctuaciones de temperatura, el punto de trabajo del transistor no se mantiene constante. Un método simple para la estabilizacion térmica del punto de trabajo se muestra en el circuito de la figura 2.31. 1432 Transistores bipolares En el circuit de la figura 2.31, un termistor NTC (NTC = Negative Temperature Coetfi- cient) esta conectado entre la base y el emisor, y por lo tanto en paralelo con la resistencia R2 det divisor de tensién. Los termistores NTC tienen la propiedad de que su valor de resistencia disminuye con el aumento de temperatura. Esto tipo de termistor sera tratado con mayor detalle en el Capitulo 5, El termistor NTC se monta directamente sobre la capsula del transistor 0 sobre su disipador, es decir, con un buen contacto térmico con el transistor. Su influencia sobre la tensién base Use se puede ver en la figura 2.32. En la figura 2.32 esta indicado el punto de trabajo del transistor con Samp = 25°C, con Use = 0,7 Vy con Ic = 2 mA. Sila temperatura ambiental ascendiera @ Sano = 50°C, el punto de trabajo para Use = 0,7 V se trasiadaria a/c = 4,8 mA. Puesto que para tempe- raturas mayores el valor de el termistor NTC disminuye, la relacién del divisor de tension de base también cambia, y Use disminuye. Ie mA 48 Samo = 25°C 40 ” To Jo=2,0 10 Figura 2.31 Estabilizacién térmica Figura 2.32 Modo de operacién de la estabiliza- del punto de trabajo con un termistor _cidn térmica del punto de trabajo con un termistor NTC NTC Con un correcto dimensionamiento, para Sam = 50°C, la tensién de base disminuye hasta Use = 0,6V, y asi flue nuevamente una corriente de colector de Jc = 2mA. De este modo, el punto de trabajo del transistor se mantiene estable, inclusive con fluctua- ciones de temperatura. Ya que los termistores NTC tienen cierta inercia, este tipo de estabilizacion térmica del punto de trabajo deberia utilizarse solamente con transistores de potencia. 14426 Regulacién y estabilizacién del punto de trabajo 2.6.3.2 Estabilizacion con resistencia de emisor Una estabilizacién térmica de! punto de trabajo mucho mas efectiva se logra por medio de la instalacién de una resistencia de emisor Re, como lo muestra la figura 2.33. Debido a la corriente de emisor /e, en la resistencia Re se produce una caida de tensién. El circuito esta usualmente dimensionado de forma que, dependiendo de la amplitud de la tension de operacién, esta caida de tensién se encuentra aproximadamente entre Use = 1V y Une = 3 V, Para que la tensién base-emisor Use ~ 0,7 V se mantenga, el divisor de tension de base debe ser dimensionado de forma que Une = Une + Use. Cuando hay un cambio de la temperatura ambiental, se da un proceso de regulacién, el cual se explica en la figura 2.34. Si el punto de trabajo del transistor quiere desplazarse debido @ un cambio en la temperatura ambiental, entonces la corriente de emisor cambia inmediatamente, y por lo tanto también la caida de tension en Re. Con el ascenso de temperatura, /e también sube. Esto hace que la caida de tension en Re también suba, por ejemplo, desde Une = 1V hasta Une = 1,1 V. o +Us Figura 2.33 Estabilizacién térmica de! punto de trabajo con resistencia de emisor o +Us Figura 2.34 Modo de operacién de la estabilizacion térmica del punto de trabajo con resistencia de emisor 1452 Transistores bipolares Debido a que la caida de tensién en R2 cuando Upe = 1,7 V es constante, la tension de polarizacion de base Uge debe ser reducida en 0,1 V. De acuerdo a la curva caracteris- tica de la figura 2.32, el punto de trabajo regresa nuevamente al valor original de corrien- te de colector. Puesto que la tension base-emisor Use cambia inmediatamente con cualquier pequefia variacion de la corriente de emisor, la estabilizaci6n térmica del punto de trabajo con una resistencia de emisor se usa en casi todos los circuitos de amplificacion debido a su gran eficiencia. Simulténeamente, este tipo de circuitos previene que las tolerancias de fabricacién de los transistores influyan en el punto de trabajo. Esto se denomina como Ac se obtiene la siguiente ecuacion de aproximacion: Aw Poke fee 15227 Circuitos basicos del transistor Amplificacion de corriente 4; Para la amplificacién de corriente se aplica basicamente lo siguiente: Corriente alterna de salida /su _ Alc Corriente alterna de enirada len Ale Toe Aj = p-—e 6 Tee + Re Al More = B ‘Amplificacion de potencia Ap La amplificacién de potencia A, es el producto de la amplificacién de tensién Ay por la amplificacién de corriente Ai, Ao = Au Ai Desfasamiento @ de la sefial Si el transistor es comandado por el semiciclo positivo, la tension de base aumenta, De este modo fluye una mayor corriente de colector, causando una mayor caida de tension en la resistencia de colector, y en consecuencia Uce disminuye. Con el semiciclo posi- tivo en la entrada, en la salida aparece entonces el semiciclo negativo. Para el circuito de ‘emisor comin el desfasamiento entre las tensiones de entrada y de salida es @ = 180° Propledades caracteristicas El circuito de emisor comin tiene una alta amplificacion de tensién y una alta amplifica- cién de corriente. En consecuencia, también se produce una alta amplificacion de poten- cia, Por estas razones, el circuito de emisor comin se utiliza como un circuito estandar para amplificadores LF y HF. Ejemplo Un transistor BC 237 A se opera en circuito de emisor comin, como se muestra en la figura 2.42, Para el punto de trabajo Uce = 5V; /c = 2mA; Use = 0,62, éste tiene los siguientes datos: Dine = 27 KO; Mave = 220; hero = 18S, B = 170. Adicionalmente se especitican los valores: Up = 10V; Ung = 1V 0 ly = 5 = Ia. 4Cuales son los valores de Ay, Ai, Ap, fon ¥ foal para este circuito de emisor comin a) cuando no hay resistencia de carga, y, b) cuando esta conectada una resistencia de carga AL = 1 kN? 1532 Transistores bipolares Ya = Uce — Une _ 10V~5V-1V Ie mA Fo = 2kO Escogido: el valor normalizado Fic = 2.2 kO © Up= +10V Io __2mA = 2A zz ya © = 8" G70 * Une + Use _ 1V + 062V = Une + Yee. WV + 062V _ 97, ® Te Stipa = 775K y,, Escogido: el valor normalizado Az = 27 kQ Figura 2.42 Elapa de amplificacién con cir cuito de emisor comin Escogido: el valor normalizado Ay = 120k. Amplificacién de tension Ay a) sin AL BAe _ 220V 22k Ay PAG, EON SEM = 1793 TE 27 KD b) con AL = 1kO Ag w Po. Be AL 220 2240 - 1k “ree Rot RL 27KQ 22k 4 1kO Le baja resistencia de carga A, = 1 KO disminuye la amplificacién de tensién a cerca de un tercio. Ampiiticacién de corriente Ai a) sin 220 =e _ int g T+ fo Ac 1+ 18nS -22k0 b) con A. = 1k = 2173 22k0 - 1kQ 22kKO4 1kO CNAs 4 ays - La influencia de la resistencia de carga Ri, sobre la amplificacién de corriente Ai es considerable ‘mente menor que su influencia sobre la amplificacién de tension Ay, 15427° Circuitos basicos del transistor Ampliticacién de potencia Ap a) sin Pu Ap= Au+ Ai = 1793 + 211.6 = 37940 b) con AL = 1 kO Ap = Ay: Ai = 56 - 2173 = 121688 Resistencia de entrada de corriente alterna ren foo = Fy II Ae I roe = 120Ka II 27k 112.7ka, fon = 24k Valor aproximado fen = rae = 2,7 KO Resistencia de salida de corriente alterna rsa\ rea = Re |! ros = 22k0 || sal lc |) foe 2 TenS Foot = 2,1 KO Valor aproximado fea = Ac = 22kQ 2.7.2 Circuito de colector comtn En un circuito de colector comin, el colector es el punto de referencia comin tanto para la sefial de entrada como para la de se/ial de salida. +Up Ure Usa Figura 2.43 Principio del circuito Figura 2.44 Etapa de amplificacién con ciroulto de co- de colector comin lector comin 1552 Transistores bipolares El principio basico de un circuito de colector comun esté representado en la figura 2.43. La figura 2.44 muestra un circuito completo de una etapa de amplificacion con un circui- to de colector comtn, con generador, con generacién de tension de polarizacién de base y con resistencia de carga. En el circuito de ia figura 2.44, la tensién de polarizacion de base es producida por medio de la resistencia F1, y el punto de trabajo estabilizado por medio de la resistencia de emisor Re. Pero, en el circuito de colector comtn, esta resistencia de emisor no debe ser puenteada por un condensador, ya que la sefial de salida se toma de Re. El conden- sador C1 tiene la tarea de eviter que la tensién de polarizacion de base pueda ser cortocircuitada @ causa del generador. En términos de corriente continua, el condensa- dor C2 separa la resistencia de carga de Ie tension de emisor. Ambos condensadores deben tener una capacitancia lo suficientemente alta como para que no se produzca una caida de tension apreciable en ellos. Los valores caracteristicos de un circuito de colector comin pueden ser derivados del diagrama del circuito equivalente de corriente alterna del cirouito de colector comin. Esto se muestra en la figura 2.45. (LGenerador_[ Circuito colector comin Carga Figura 2.45 Diagrama del circuito equivalente de corriente continua del circuito de colector comin Sin tomar en cuenta la resistencia de carga Ai, se aplica lo siguiente Resistencia de entrada de corriente alterna fea La resistencia de entrada de corriente alterna rar: de un circuito de colector comun esta compuesta de rac y de la amplficacion de corriente 6 multiplicada por la resistencia de emisor Fe, todo junto conectado en parelelo con la resistencia serie de base Rt Tom = (toe + B+ (Fe Il roel] 1! Ry 15627 Circuitos basicos del transistor Puesto que ‘ce > Re, se aplica lo siguiente: Tom © (tee + B« Ae) II Ay Resistencia de salida de corriente alterna rsa La resistencia de salida de corriente alterna fsa, de un circuito de colector comin esta compuesta del circuito en paralelo de Ia resistencia de emisor con fa conexién serie de ‘ee y la resistencia interna Rj del generador, disminuida por la ganancia de corriente B. | tee + A B eas = Fe | Amplificaci6n de tensién Ay . AUss Une 4°" BUsm ~ BUne + U6 <1 La tensién de salida de un circuito de colector comin, reducida por e! valor de la tension de base-emisor, es menor que Ia tension de entrada. Por esta razon, la amplificacion de tension de un circuito de colector comun debe ser siempre menor que 1. Con los valores del transistor y los valores del circuito, la ecuacion se lee: BR: Ay = Se Bo Re + Foe Ampliticacion de corriente A; Al, Ale _ Alc + Alp "Blox Ble ie aa Aix 6 Valor mas preciso: toe + (1 + B) A = Se Re + foe Amplificacién de potencia Ap La amplificacién de potencia se obtiene del producto de A, y Ai. Por esto se aplica lo siguiente: Ap = Au: Ai Ya que en el circuito de colector comin Ay = 1 y Ai = B, se aplica la aproximacion: Ap = Aix B 1572 Transistores bipolares Desfasamiento ¢ de la sefial Si la base del transistor de un circuito de colector comin se comanda con el semiciclo positive, no solamente se aumenta la tension de polarizacion de base, sino también la corriente de base, y por esto también la corriente de colector. Con una corriente de colector mayor, la corriente de emisor también asciende y produce una mayor caida de tensién en Rs. Por este motivo, en ta sefial de salida aparece también el semiciclo positivo. Consecuentemente, en un circuito de colector comun no aparece un destasa- miento entre la sefial de entrada y la sefial de salida. Por lo tanto lo siguiente es aplicable: e=0° Puesto que en un circuito de colector comun la sefial del emisor sigue a la sefial de entrada sin destasamiento, el circuito de colector comln es conocido generalmente como «seguidor de emisor». Propiedades caracteristicas El circuito de colector comin tiene una alta resistencia de entrada y una baja resistencia de salida. Por esto razén, es particularmente apropiado como un circuito de entrada para circuitos amplificadores de varias etapas, porque solo carga levemente al genera- dor de sefial. En consecuencia, el circuito de colector comun es usado frecuentemente en el rango LF para el acoplamiento de la entrada de un amplificador con la resistencia interna de una fuente de sefal, inclusive cuando su amplificacién de tensién es menor que 1. Por esta razon, a este circuito también se lo conoce como «convertider de impedancias». Ejemplo En la figura 2.46 se muestra al transistor BC 237 A operado en un circuito de colector comin. Este transistor tiene un punto de trabajo Uce = SV; Ic = 2MA; Une ~ 0,62V, y tiene los siguientes datos: rae = 2,7 KO; B = 220; rce = 85.6 kA; B = 170, {Cuales son los valores ren, fsa. Au. Ai ¥ Ap que tlene este circuito con y sin resistencia de carga Au = 1kQ? Up = Use _ Us — Uce _ 10V-5V Re © Te Te 2m = 25k0, Escogido: el valor normalizado Re = 2,7 kQ. Ig 2ma Ig = oe 2A 77 WA 8B 470 Us — Uae — Une _ 10V - O62V~5V aR, fe TT pA 372k Escogido: el valor normalizado A, = 390k. 15827° Circuitos bésicos del transistor Resistencia de entrada de corriente alterna rent ) sin resistencia de carga Font * (rae + B+ Fe) || Ay = Tent * 295 kA. (2.7 KO + 220 - 2.7kA) || 390k b) con resistencia de carga AL = 1 kQ Foon = (roe + 8 (Re I A) I Ay = (27k + 220 (2,7 kA I 1k) | 390 ka fort = 115 KO Resistencia de salida de corriente alterna rsa, or = FN TBEF A oa ge || 27KO + 1000 fan = Fe NI REE i 0 feat = 12,87 2 Ampiiicacién de tensién Ay a) sin resistencia de carga Ay = BRE 220 27k SB Re + ree 220-27KN + 27K Ay = 0.995 b) con resistencia de carga Ri = 1k B(RellAQ _220(2,7 ka It ka) B(Ae [TAU + rac 220(27kO |] 1 kO) + 2.7kO Au = 0983 Av= Amplificacién de corriente A\ Ai = B = 220 (Valor aproximado) Valor més preciso: _ foal! + B) _ 556k (1 + 220) A" Ree ree” 27 KO + 556K Aj = 2108 Amplificacién de potencia Ay Ri a) sin resistencia de carga Ap = Au Ai = 0995 + 2108 Ap = 209.7 b) con resistencia de carga AL = 1 kQ Ap = Au Ai = 0983-2108 Figura 2.46 Etape de amplificacién con circuito de Ap = 2072 colector comin 1592. Transistores bipolares 2.7.3 Suma y comparacién En la figura 2,47 estan listadas y comparadas las formulas de calcul y fos valores caracteristicos tipicos de los tres circuitos basicos del transistor. iret. de emisor Circt. de colector Circt. de base comun comin comun un +5 Circuito en $ on ajo! , Por Poth, “hop Resistencia Ecuacién ren = ree |) As || Ae Tom = (roe +B Fey Wy rane = BE WI ie de entrada Tem © (BE 6 de cortiente Valores 04k... 5 kA 200 KA... 600 kA 50 kM... 200 kA atema ——_tipicos Resistencia Ecvacién rsa = Ae Il roe oi EAH Re tag Re Ice de satida de Feat = 1S Teal © fC corriente- Valores 1 kQ... 100 kQ 100 kO ... 500 kQ 50 kO 200 Kk alterna ——_tipicos Amplificacion Eouacién Ay = © . foe Ay = BAe Ay = Beef de tension ree Toe + Ac B Re + ree Tee | Toe + Re Ay = bBo Aye Ay = Bi Fe fee (RE 100 1000 <1 100, 1000, Ampliicacion Ecuacién Ay = PB ~"E A= Et) Aa de corriente Ac + foe Re + foe 148 Ai= 6 Ai 2B Aad Valores 20... 500 20... 500 <1 tipicos Amplificacion Ecuacién Ap = Au: Ai Ap = Ay + Ai Ap = Au + Ai de potencia Ap = Bt & Ap = B Ap = Ay Valores 2000 . .. 50.000 20... 800 100 ... 1000 tipicos Desfasa- mento ((re- = 160° g=o° ‘cuencias bajas) Aplicacion Circuito esténdar para circuitos LF y HE Convertidor de impedan- cias de etapas de entrada uF ‘Amplificador HF apropiado para 1 > 100 MHz Figura 2.47 Sumario y comparacién de los valores caracteristicos més importantes de los tes circuits basicos del transistor 16028 Ejemplos de aplicacion 2.8 Ejemplos de aplicacién El uso de transistores bipolares contribuy6 determinantemente al avance de {a electré- nica. Adn cuando los circuitos integrados estan remplazando cada vez mas los circuitos y transistores discretos previos, sin embargo el transistor seguiré manteniendo en el futuro su importancia en muchos circuitos electrénicos. Se to aplica en particular para la solucién de problemas de acoplamiento en entradas y salidas de circuitos integrados, asi como en amplificadores de potencia. Cuando se usan transistores bipolares en circuitos amplificadores, es importante distin- guir basicamente entre amplificadores de corriente continua, amplificadores de corriente alterna, amplificadores de potencia y amplificadores en conmutacion. Los amplficadores de tensién continua se utilizan siempre que se deban amplificar tensiones continuas o fluctuaciones de tension de muy baja frecuencia. Con los amplificadores de tension alterna se pueden amplificar sefiales con frecuencias desde algunos Hertz hasta algu- nos Gigahentz. Las variaciones de tension continua no se transmiten. Los amplificadores. de potencia deberian entregar una sefial de potencia lo més grande posible a una carga. Para esto se utilizan mayormente transistores con altas corrientes de colector y alta potencia de pérdida. Los amplificadores en conmutacién tienen dos puntos de trabajo muy diferentes. Estos amplificadores en conmutacién son comandados con tensiones de sefial en forma de onda rectangular. En este caso, los transistores se escogen basicamente de acuerdo a la magnitud de las corrientes que son conmutadas y la velocidad de conmutacion. 2.8.1 Amplificador de tensién continua Para que puedan transmitirse también variaciones de tensién continua, los amplificado- res de tensién continua no deberian contener componentes que dependan de la fre- cuencia, como por ejemplo condensadores. La figura 2.48 muestra un circuito de un amplificador de tensién continua. Figura 2.48 Circuito de un amplifica- dor de tensién continua 1612 Transistores bipolares La tensién de polarizacién de base del amplificador de tensién continua de fa figura 2.48 se produce por medio del divisor de tension compuesto por Rit y R2. Para conseguir una estabilizacién térmica efectiva del punto de trabajo se utiliza una resistencia de emisor Re. Para que la amplficacién se mantenga independiente de la frecuencia, la resistencia de emisor no debe ser puenteada por un condensador de emisor. Sin este condensador de emisor aparece una realimentacién negativa, como ya se ha explicado en la seccién 2.6.3. Para un circuito de emisor comun con un condensador de emisor, sin resistencia de carga, y con roe > Ac de acuerdo a la seccién 2.7.1, se aplica lo siguiente: Ag wm BAe Bh Re Fae Fert Para la amplificacién de tensién en un circuito de emisor comin sin condensador de emisor y sin resistencia de carga, correspondiente a la figura 2.48, es valido lo siguiente: Ay bf , Fe OO Tee +B Re Re Ejemplo Para un punto de trabajo Uce = SV, Ic = 2mA y Une = 0,62V, el transistor BC 237 A tiene tos siguientes datos: fy. = 2.7 KO, hae = 220. Como resistencia de colector se eligié Fic = 22k y como resistencia de emisor se eligié Re = 470 0. zCual es el valor de la amplificacion de tensién cuando un amplificador construido segun la figura 2.48 a) Se opera como un amplificador de tensién alterna con un condensador de emisor y b) se opera como un amplificador de tensién continua sin un condensador de emisor? B Ro, 20-2240 a) As 179 fee 27kQ Aig _ 22kQ by) Aye So am EE as Re 4700 68 En este ejemplo se nota claramente que un amplificador de tension continua tiene una amplificacién de tension mucho mas pequefia que un amplificador de tensién alterna construido de la misma forma. Para conseguir una amplificacion de tensién lo suficien- temente alta con amplificadores de tensién continua, se necesitan generalmente varias etapas de amplificacion conectadas en serie. De todos modos, existen considerables dificultades técnicas en el circuito debido al acoplamiento de potencial de las sefiales de entrada y salida, y a los corrimientos térmicos de! punto de trabgio. Otra posibilidad de aumentar la amplificacion de un amplificador de tension continua es ofrecida por el transistor Darlington. Su principio basico y su simbolo estén mostrados en la figura 2.49, 16228. Ejempios de aplicacion E Simbolo no normelizado Figura 2.49 Principio basico y simbolo de un transistor Darlington En un transistor Darlington, dos o mas transistores de la misma secuencia de zones estan conectados conjuntamente, de forma que ios colectores de los transistores estan conectados unos con otros. Ademas, el emisor del transistor anterior esta conectado en cada caso con la base del que sigue. Asi, esta nueva unidad tiene también tres termina- les, las cuales también se las denomina como «emisor, «base» y «colector». Para una conexién tal de, por ejemplo, dos transistores, se obtienen los siguientes valores para el transistor Darlington: Use = User + Usee Bo = By: Be B= By - Be fee 2+ fees roe © 5 fore Una ventaja particular del transistor Darlington reside en su gran amplificacién de co- rriente, la cual se deriva del producto de las amplificaciones de corriente de cada uno de los transistores. Asi, con este tipo de transistor, la regla general de la amplificacion de cortiente es 8’ > 1000, Puesto que no hay componentes dependientes de la frecuencia que puedan ejercer una infiuencia sobre la amplificacién, los transistores Darlington se admiten como emplificadores de corriente alterna. Debido a su gran amplificacion de corriente, se los utiliza particularmente en amplificadores de potencia, pero menos fre- cuentemente en etapas de ampificacion de pequefa sefal. Si se conectan en conjunto un transistor NPN con un transistor PNP como se muestra en ja figura 2.50, se forma un «transistor Darlington complementario». 1632. Transistores bipolares I J Figura 2.50 Transistor Darlington complementario E El tipo de transistor que se forma por este tipo de conexién en conjunto es comandado por el transistor de entrada T1. Asi, el transistor Darlington complementario de la figu- ra 2.50 presenta el comportamiento de un transistor NPN, porque el transistor de entrada TI es en este caso un transistor NPN. Los transistores Darlington complementarios tienen como ventaja una tension umbral muy baja. Otros valores obtenidos son los siguientes B= B,+ Bo roe = Toe: foes Be Bo = Bi - Be ree = Ieee Con transistores Darlington complementarios se pueden construir, por ejemplo, segui- dores de emisor que tienen valores muy favorables para las resistencias de entrada y de salida. Un seguidor de emisor de este tipo se muestra en la figura 2.61 oUp= +6V [02 Figura 2.51 Seguidor de emi- sor con transistor Darlington complementario Los transistores Darlington y los transistores Darlington complementarios, que se mues- tran en la figuras 2.49 y 2.50, se pueden construir conectando conjuntamente transisto- res individuales. Los fabricantes ofrecen diferentes tipos, con dos 0 tres transistores en un solo encapsulamiento. Esta es Ia forma mas simple de circuito integrado. 16428 Ejemplos de aplicacion 282 Ampl sador de tensién alterna Entre los amplificadores de tensién alterna se diferencian basicamente los amplificado- res de banda ancha y los amplificadores selectivos. El termino ; capacitancias de transistor para los transistores 10 510 5 1lVv BC 237, BC 238 y BC 239 —~ Yeso : Yeso 167| | 2 Transistores bipolares Dependencia de frecuencia de la amplificacion de corrlente Puesto que cada transistor tiene una capacitancia colector-base Cop, ésta entra en asociacién con la resistencia de salida del transistor formando asi un filtro paso-bajo para la frecuencia de la sefial. Adicionalmente, sin embargo, con frecuencias mas altas, el tiempo de transito de los portadores de carga a través del transistor también es perceptible. Por estas razones, la amplificacion de corriente B = hae del transistor disminuye con el aumento de frecuencia. Esta relacién esta reproducida en la figura 2.57. 190: 70, 10) TkHz 10KHz = -100kHz—sIMHz = 10MHz = 100MHz es % Figura 2.57 Dependencia de frecuencia de la amplificacion de corriente de un transistor En la figura 2.57, la amplificacion de corriente dada para bajas frecuencias es 100%. Como frecuencia de corte f, del transistor se denomina a la frecuencia en la cual la amplificacion de corriente cae 2 1/2 = 70,7 % de la amplificacién de corriente para frecuencias bajas. Sin embargo, el efecto de amplificacién todavia esté presente sobre fes. Es recién a partir de 6 = 1 que no puede ocurrir amplificacién. La frecuencia en fa cual B = 1 se la denomina como frecuencia de transito fy esta indicada por los fabricantes en sus hojas de datos. Entre la frecuencia de transito, la frecuencia de corte y la amplificacion de corriente de un transistor se aplica la siguiente relacion: f= fen B (con B para f = 1 kHz) De esto resulta, para fr = const., que la frecuencia de corte de un transistor es mas baja cuanto més alta es la amplificacion de corriente B. Ejempio Para el transistor BC 237 se especifican fr = 250 MHz y B = 330 (para f = 1 kHz). En consecuencia, la frecuencia de corte de este tipo de transistor es: 16828 Ejempios de aplicacién La capacitancia de a juntura y la capacitancia de conmutacién forman en conjunto con la resistencia del colector un filtro paso-bajo, el cual determina fa frecuencia de corte superior del amplificador. El circuito equivalente de este filtro paso-bajo esta mostrado en la figura 2.58. Re||ree=Re = User Figura 2.58 Filtro paso-bajo de salida Para la frecuencia de corte superior de un filtro paso-bajo generalmente se aplica: 1 fe SE y consecuentemente para el filtro paso-bajo de salida de un amplificador LF: 1 fog PE ee 2m - Ro - (Coe + Coon) Ejemplo Qué valor tiene la frecuencia de corte superior de un amplificador de tensién alterna cuando Ro = 2.2 kQ; Cog = 3,5 PF y Coon = 100 pF? 1 1 . fe 1 Bn Re (Coe + Coon) 2m 22K25 pF + 100PF) fes = 700 KHz. En este c&lculo, la influencia de la dependencia de frecuencia de la amplificacién de corriente B del transistor no esta tomada en cuenta. EI célculo de las frecuencias de corte superior ¢ inferior de un amplificador de tensién alterna solo es posible como una aproximacién usando las ecuaciones dadas. Por esto, fay fes, @Si como el ancho de banda b de los amplificadores de tensién alterna solo pueden ser determinados con suficiente precisién a través de mediciones. 1692. Transistores bipolares Los amplificadores selectivos son utilizados particularmente para la amplificacion de sefiales HF, Estos estan dimensionados para ampliicar solamente sefiales con un ran- go de frecuencia angosto. Esto es posible cuando en lugar de una resistencia de colector se conecta un circuito oscilante en paralelo. Con la frecuencia de resonancia, este tiene su mayor valor de resistencia, y consecuentemente, la etapa también tiene su mayor amplificacién. La figura 2.59 muestra un amplificador de tensién alterna selectivo, 0+ Us — — | Usa i | Figura 2.89 Amplificador de tension alterna selectivo La frecuencia de resonancia de un amplificador selectivo como el de la figura 2.59 se puede calcular por medio de la Ecuacién de Oscilacion de Thomson. f 1 fo = anyl-c EI ancho de banda depende del factor de calidad del circuito de oscilacién. Para el factor de calidad Q de un circuito oscitante en paralelo, se aplica por lo general lo siguiente: R_R 2.4 con P = Zo = resistencia de resonancia XM En un amplificador selectivo, la resistencia de resonancia A esta ademas conectada en paralelo con la resistencia de salida rce. Consecuentemente: Alltce _ Allee Q Xe xX Asi, para el ancho de banda resulta: fo Xe x. ba Baty. He = fy. Q7 oR ihre °° Bice 17028 Ejempios de aplicacion La amplificaci6n de un amplificador selectivo con frecuencia de resonancia se puede calcular por medio de la ecuacién Ago Bll toe) Tee Puesto que en los transistores HF el valor yz; esta siempre indicado, entonces la ecua- cion se lee: Au = Yo. -(F II ree) (Amplificacién de tensién para frecuencia de resonancia fo) En la figura 2.60 se representa la amplificacién de tension A, en dependencia de la frecuencia en un amplificador selectivo. Figura 2.60 Amplificacién de tensién ‘en dependencia de Ia frecuencia Ib Ejemplo El transistor BF 255 para f = 450 kHz, tiene los datos yz) = 36mS @ Ya = 4 = 2748. Esta OE usado en un amplificador selective para fo = 450 kHz, como se muestra en la figura 2.59. EI Circuito oscilante paralelo tiene una bobine con L = 500 qH y una resistencia de resonancia A = 200 kA. ZQué valor tienen la capacitancia del circuito oscilante C, la ganancia Ay, y el ancho de banda b, cuando a) no hay una resistencia de carga Ai y b) hay une resistencia de carga AL= 10 kN? a) =o 1 fom —K 2nyi-C -— 1 = = 250 oF C= TB ~ Ta? BO HE? BO H ® Aue ya (FR llrce) con ree = + = 1 — = 370 ka yu” 2708 Ay= 36 mS + (200 kA 11370 kM) = 36 mS - 130 kA = 4680 pb a 2 fo M fo -2mfo-L _ (450 kHz)* - 27500 pH O° Alirce Ri lrce 130 kD bos SkHz 1712 Transistores bipolares b) AL = 10k Vom yer «(All rce!l A) = 36mS - (200 kA11370 kA |! 10 kA) = 36 mS - 93kO = 334 fo, A-2m-L | (450 kH2)* «2m 500 nH Q” Rilice || F 200 kQ |] 370 kA |] 10 ka b = 685 kHz b= En este ejemplo se ve claremente la gran influencia que la resistencia de carga R, tiene sobre la amplificacién y el ancho de banda de un amplificador selectivo. También es verdad para un amplificador selectivo que el calcul solo produce valores aproximados para Au y 6, valores precisos de! amplificador deben ser obtenidos por medio de mediciones. 2.8.3 Amplificadores de potencia Los amplificadores de potencia estan disefiados para entregar a la carga una potencia de le sefial lo mas grande posible. Este tipo de cargas pueden ser, por ejemplo, altopar- lantes, relés, valvulas magnéticas, antenas de transmisién, motores de paso y diodos transmisores infrarrojos. Por lo tanto, los emplificadores de potencia estan siempre en las etapas de salida de un amplficador completo. Puesto que las grandes potencias requieren siempre altas tensiones y corrientes, los transistores en los amplificadores de potencia deben estar en completa conduccién. Los amplificadores de potencia son por lo tanto siempre amplificadores de gran sefial. Una curva caracteristica no completa- mente lineal causa distorsiones. Por esto, aparte de la potencia de la sefial, también es de gran importancia la ausencia de distorsién. Lo siguiente se ha especificado como el rendimiento del amplificador de potencia: Poss Potencia entregada a la carga Pon — Potencia tomada de la fuente de corriente continua © . Los amplificadores de potencia alcanzan un rendimiento de n = 0,7, es decir, hasta un 70%. La potencia de pérdida se calcula como sigue: Por = Pom — Pea En el transistor, esta potencia de pérdida se transforma en calor, e! cual debe ser transterido al aire del ambiente. Debido a su potencia de pérdida relativamente alta, los transistores de potencia estan generalmente montados sobre disipadores 0 equipados con aletas de enfriamiento. Los amplificadores de potencia pueden ser operados en diferentes puntos de trabajo, Dependiendo de Ia posicién del punto de trabajo sobre las lineas de trabajo, se diferen- cia entre el modo de operacién A, el modo AB, el modo B y ei modo C. La posicién de! Punto de trabajo y su designacién correspondiente indica ademas el modo de opera- cién de un amplificador de potencia. Aqui se debe hacer una diferencia entre amplifica- dores en fase (single-ended) y amplificadores en contrafase (push-pull). 17228 Ejemplos de aplicacién En el modo de operacién A, un amplificador de potencia tiene su punto de trabajo en el centro de la parte recta de la curva caracteristica, EI transistor esté controlado por ambos semicicios de la sefial de control. Asi, este modo de operacién es denominado también como «amplificador en fase» (single-ended). La figura 2.61 muestra esta familia de curvas caracteristicas. Curva caracteristica de control [[ourva caracteristica de salida t t Figura 2.61 Familia de curvas caracteristicas para la operacién en modo A Debido a la alta corriente de reposo que fluye continuamente, en el modo de operacion A de un amplificador de potencia, la mayor potencia de pérdida Ppermax ocurre cuando No esta presente una corriente alterna de entrada. Aunque esta potencia de pérdida disminuye con la aplicacion de una sefial de entrada, el rendimiento n en el modo A tedricamente nunca puede ser mayor que 055. n S05 450% (Rendimiento en modo A) Debido a la curvatura de las curvas caracteristicas, una mayor fluctuaci6n de la sefal de entrada causa siempre distorsiones. El modo de operacién A de un amplificador de potencia tiene por lo tanto algunas desventajas apreciables. Estas son: pequefio rango de contro! lineal de la sefal, alta corriente de reposo, bajo rendimiento. Los amplificadores en fase pueden operarse tanto con un circuito de emisor comin como con un circuito de colector comin. Ambas posibilidades se muestran en la figura 2.62. 1732. Transistores bipolares EI circuito de colector comin tiene menor amplificacién de potencia en comparacion al circuito de emisor comin y un rendimiento maximo de tmx = 6,25 %, pero tiene la ventaja de que la resistencia de entrada ren @s alta. Por esto, en un circuito de colector ‘comin, la fuente de sefal solo esta cargada levemente. Ug= +12 Up= +10V Ven Circuito de cotector comin Circuito de emisor comin Figura 2.62 Amplificador clase A en fase (single-ended) Debido al acoplamiento de potencias (Ai = rsa), en el circuito de emisor comin de acuerdo a la figura 2.62, la baja resistencia de carga R, es aumentado al valor requerido de la carga por medio de un transiormador. De este modo se logra un mejor rendi- miento. Sin embargo, el uso de un transformador involucra no solamente una dependen- cia de frecuencia adicional de la etapa de amplificacién, sino también mayores costos. Por estas desventajas, la operacién en fase (single-ended) en modo A de un amplifica- dor de potencia ha perdido importancia. En el modo AB, modo B y modo C, el punto de trabajo se encuentra en la parte inferior del codo de la curva caracteristica. Los diferentes puntos de trabajo estan dibujados en el diagrama de la figura 2.63. En el modo B el punto de trabajo esta ubicado exactamente en el codo de la curva caracteristica, de forma que se presenta una corriente de reposo muy pequefia. No obstante, cuando esta siendo comandado, solo un semiciclo de la sefial de oscila- cién puede ser amplificado. En la salida, la amplitud de este semiciclo ampliticado puede alcanzar aproximadamente el valor de la tensién de operacién, de forma que AUcems = Us. Cuando se comanda con una sefial de pequefia amplitud, en el modo B se producen distorsiones debido a la curvature de la curva caracteristica. 17428 Ejemplos de aplicacién En el modo AB, el punto de trabajo esta levemente desplazado en la direccién del punto de trabajo A. También en el modo AB, se amplifica solo un semiciclo. Como en el modo B, ésta puede alcanzar una amplitud AUcemax * Us. La ventaja del modo AB reside en ta minima distorsion de la sefial de salida para pequefas fluctuaciones de sefial En el modo C, et punto de trabajo se encuentra en el rango inverso del transistor. Por esto, una corriente de colector puede fiuir solamente cuando la tensién alterna de entra- da excede el punto base de la curva caracteristica. El modo C es usado solamente en amplificadores especiales, por ejemplo, para ampliticadores de transmision. Curva caracteristica de control Curva caracteristica de salida qe Figura 2.63 Posicién del punto de trabajo para los modos AB, B y C Debido a las corrientes de reposo muy pequefias y a la muy baja potencia de pérdida, los amplificadores de potencia son operados mayormente en el modo B 0 AB. Sin embargo, como solo se puede amplificer un semiciclo a la vez mientras el otro esta blaqueado, es necesaria una concepcién especial del circuito. A este circuito se lo denomina como «amplificador en contrafase». Un amplificador con transistores comple- Mentarios en un circuito en contratase se muestra en la figura 2.64. Aqui, ambos transis- tores trabajan en un circuito de colector comin. 1751 i | i i i | | ' 2. Transistores bipolares Yent Figura 2.64 Circuito basico de un amplificador en contratase con transistores complementarios Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada, en el circuito en contrafase de la figura 2.64 solamente conduce el transistor NPN, Una corriente fluye a través de la resistencia de carga en la direccion indicada. Por otro lado, durante e| semiciclo negativo de la sefial de control, conduce el transistor PNP, y por la resistencia de carga Ri fluye una cortiente en direccién contraria, De este modo, los dos semiciclos amplificados individualmente se reunifican en la resistencia de carga para producir una sefial total. Con una variacion completa de la sefial, la amplitud de cada semiciclo alcanze una magnitud de: AU cEmax * Us La maxima potencia alterna de salida que puede ser producida con un amplificador en contrafase clase B (figura 2.65) es: Ys 2A Patméx = Para que pueda fluir una corriente de emisor en un circuito como el de a figura 2.64, la amplitud de la sefial de control debe ser mayor que el valor umbral del diodo base- emisor del transistor. Por lo tanto, en un amplificador en contrafase clase B, la sefial de salida esta inevitablemente distorsionada en la regién de cruce por cero. Para una mayor amplitud de la sefial de control, estas «distorsiones de transferencia» ya no tienen tanta importancia. Para evitar estas distorsiones de transferencia y para usar una sola tension de opera- cidn, se utiliza el circuito en contrafase de la figura 2.65. 17628 Ejemplos de aplicacién +Ug=12V ci 1N4108 100) + Len ‘ 1N4108 - ort at Figura 2.65 Amplificador en contrafase clase AB con transistores complementarios con una sola tensién de operacion En este circuito los transistores reciben una tensién de polarizacién de base por medio del divisor de tensién R1, R2 y los dos diodos. Puesto que el transistor NPN debe recibir una tension de polarizacion de base de Use = + 0,6 V, mientras que en el transistor PNP debe recibir una tension de polarizacion de base de Use = — 0,6V, existe enton- ces una diferencia de U = 1,2 V entre las dos tensiones de polarizaci6n. Esta tension es producida y también estabilizada debido a las tensiones umbral de los dos diodos operados en direcoién directa. La resistencia de ajuste (trimmer) Tr1 regula los puntos de trabajo de los dos transistores. Como consecuencia de las tensiones de polarizacion de base, ambos transistores trabajan en el modo AB. Cuando este amplificador en contrafase es comandado con el semiciclo positivo de la sefial de entrada, el transistor NPN conduce. La cortiente de emisor de este transistor carga el condensador C2 con la polaridad indicada y al mismo tiempo genera el semi- ciclo positive de la sefial de salida en la resistencia de carga. En este proceso, el condensador se carga hasta Uc = 0,5 - Us. Durante et semiciclo negativo de la sefial de entrada, el transistor NPN se bloquea, pero el transistor PNP conduce. Por Io tanto, el transistor PNP puede recibir su tensién de alimentacion solamente del condensador C2 ya cargado. Consecuentemente, éste descarga el condensador y una corriente fluye en direccién contraria a través de la resistencia de carga. De esta manera, en Ri se genera el semiciclo negativo de la sefial de salida. Asi, el condensador C2 se carga durante el semiciclo positivo (e! transistor NPN conduce) y durante el semiciclo negativo (el transis- tor PNP conduce) se descarga. Para evitar que este condensador afecte a la frecuencia, éste debe tener una capacitan- cia apropiada. El valor depende de la frecuencia de corte inferior y del valor de ta resistencia de carga. Por lo tanto, la capacitancia de este condensador se determina como sigue: 772 Transistores bipolares Las ventajas de los amplificadores de potencia en modo AB y B son: baja corriente de reposo y pequefia potencia de pérdida, alto rendimiento (n = 0.7), mayor rango de control, alta potencia alterna de salida. Las desventajas en comparacién con las del modo A son la necesidad de dos transis- tores y las mayores distorsiones para bajos valores de la sefial de entrada. Ejemplo Un amplificador en contratase como el de la figura 2.65 se opera con una tension Up = 24 V. a) .Cuai es el valor de la potencia de salida producida en la resistencia de carga AL = 10 97 'b) ZCual es el valor de la frecuencia de corte inferior cuando el condensador C2 tiene una capacitancia C, = 1000 pF? us 1 = b) fj =~) 9) Prem = BR, ) fi Oe (avy? 1 = fj = Pam = 0a 2m 100 - 1000nF Primax = 71:2 W fj = 18.9 Hz 2.8.4 Amplificadores en conmutacién En un amplificador en conmutaci6n, el transistor se encuentra ya sea en estado «con- ductive» o «bloqueado». Por lo tanto existen dos puntos de trabajo muy diferentes. La figura 2.66 muestra el diagrama del cirouito de un interruptor de transistor o amplificador en conmutacion. +Us RI RZ luca on Usa ort Figura 2.66 Ampiiicador en ‘conmutacion 17828 Ejemplos de aplicacion Un punto de trabajo fijo aparece si la corriente de entrada es /p = 0A. Entonces, el transistor se encuentra apagado, y no puede fluir corriente de colector. Por esta razon Use| = Up. La familia de curvas caracteristicas de un interruptor de transistor estan repre- sentadas en la figura 2.67, y el punto de trabajo esta sefialado con At. Ie Igzeonst, Ue Figure 2.67 Familia de curvas caracteristicas de un interruptor de transistor El segundo punto fijo de trabajo se encuentra en el rango de saturacién y de sobreexi- tacién. Como limite para este rango esté la curva trazada para Ucs = OV. La tension colector-base Ucs es exactamente 0 V, cuando la tension de saturacién del transistor tiene la misma magnitud que la tensién base-emisor. Este punto de trabajo esta sefia- lado con A2 en la figura 2.67 Sin embargo, una desventaja con este punto de trabajo A2 es la tension de saturacion relativamente alta Ucese: © 0,7 V. Como consecuencia se tiene una potencia de pérdida Pre, innecesariamente alta. De todas formas, la tension de saturacién puede ser redu- cida aun mas si el transistor est& sobreexitado. La sobreexitacion es un estado de operacién en el cual fluye una corriente de base que es mayor que la que seria necesa- ria para la obtencién de una corriente maxima de colector. Cuanto mayor es la sobreexitacion, el punto de trabajo se aleja mas de A2 en direccién a A3. Como consecuencia de esto, la tensién de saturacion disminuye y alcanza valores de Ucesat ¥ 0,1 V. De esta manera, la potencia de pérdida en un estado de conductivi- dad sera también menor. El grado de sobreexitacién esta indicado por el factor de sobreexitacion a. Esta es la relacién entre la corriente de base /s alimentada realmente y la corriente de base /5 que seria neceseria para llevar al transistor hasta el limite Uce = OV. auf la = corriente de base fluyendo realmente Ib 7 = cortiente de base requerida 1792 Transistores bipolares Los transistores en amplificadores de conmutacién estan generalmente sobreexitados. Cuanto mayor sea la sobreexitacién, menor sera el tiempo de encendido for requerido por el transistor para alcanzar un estado de conductividad, a partir de un estado de bloqueo. Una desventaja es que el tiempo de apagado for se incrementa simultanea- mente debido a que al apagarse nuevamente, después de una sobreexitacion, mas portadores de carga deben ser eliminados de la base. Por lo tanto, deberd hallarse un compromiso practico entre las ventajas y las desventajas de una sobreexitacion. Por este motivo, en la practica se trabaja con factores de sobreexitacion de @ = 2 hasta 10. Los interruptores también deben conmutar rpidamente. Por esta raz6n, el paso de un punto de trabajo a otro debe tomar el minimo tiempo posible. Esto se puede lograr con una sefial de control de forma rectangular en la entrada del interruptor de transistor. Asi, en la salida del amplificador en conmutacion también aparece una sefial de forma casi rectangular, Esta se encuentra destasada en @ = 180° comparada con la tensién de entrada. En la figura 2.68 estén reproducidas nuevamente las relaciones entre las ten- siones de entrada y de salida. Casi cualquier tipo de transistor puede ser utiizado como un interruptor de transistor. Sin embargo, si se deben procesar cambios particularmente rapidos en la sefial de entrada, es conveniente utilizar transistores de conmutacién especiales. Estos tienen tiempos de conmutacién muy cortos y siempre son transistores epitaxiales. Aparte de tener cortos tiempos de conmutacién también tienen resistencias de paso muy bajas, logrando asi tensiones de saturacién de colector particularmente pequefias. Es por esto que la potencia de pérdida en el estado de conductividad también es menor. Uso Uckeat Figura 2.68 Formas de onda de la sefal para un amplificador en conmutacién 18028 Ejemplos de aplicacién Ejemplo Se tiene que dimensionar el amplificador en conmutacién correspondiente a la figura 2.69 usando un transistor BC 237 A. Cuando /c = 10MA y 8 = 120. El comando debe realizarse con una sefial rectangular con amplitud de + 6V. Se debe adoptar un factor de sobreexitacién a de 4, Ug= +12V A, ww Bo YL oka ie 10mA Escogido: valor normalizado Ay = 1,2 KO Ic _ 10mA he tees A b= Boop 7 8H Ig = a+ ly = 4-83 WA = 332 pA R2 Yon ~ Use _ 6V —-O7V = Yoo = Vor _ SV =OTV _ 506 ka ‘Ie 332 pA 96 Vent Escogido: valor normalizado Az = 15 kQ RV BC 237 A a eat Figura 2.69 Ampiificador en conmutacion Los interruptores de transistor se han vuelto cada vez mas importantes, particularmente a través de la técnica digital. Inclusive ahora que la técnica digital usa casi exclusiva- mente circuitos integrados, todas las funciones de esta tecnica se originan en el princi- pio basico del interruptor de transistor. Valores caracteristicos importantes de un transistor en operacion de conmutacién son los tiempos de conmutacién. Estos indican la relacién de tiempo entre la corriente de entrada y la de salida. En la figura 2.70 se muestra tal relacion. Las designaciones y definiciones para los tiempos individuales estén normalizades. Tah Corriente de evacuacion 10% Figura 2.70 Tiempos de conmutacién de un transistor 1812 Transistores bipolares Tiempo de retardo ts Como tiempo de retardo t, (ingl.: delay time) se denomina al tiempo transcurrido desde el instante del encendido de la corriente de base /s hasta el ascenso de la corriente de colector al 10 % de su valor final. Este tiempo de retardo ocurre debido a que ia capaci- tancia de la juntura emisor-base Ces primero debe ser recargada, y el diodo del emisor debe ser polarizado en direccién directa. Mientras mayor sea la corriente de control /e para un tipo de transistor, menor sera el tiempo de retardo. Tiempo de subida t, El tiempo de subida f, (ingl.: rise time) indica cuanto tarda la corriente de colector para subir desde el 10% hasta 90 % de su vaior final. Este se da porque un determinado numero de portadores de carga deben penetrar en el area de la base a través de la corriente de control. Tiempo de encendido ton El tiempo de encendido ton resulta de la suma del tiempo de retardo y del tiempo de subida; fon disminuye con el aumento de la corriente de base. Tiempo de almacenamiento ts El tiempo de almacenamiento ¢, (ingl.: storage time) se determina por la capacitancia de juntura entre colector y base. Este indica en qué tiempo la corriente de colector cae a un 90 % de su valor final después de desconectar la corriente de base. Tiempo de caida El tiempo de caida 1; (ingl.: fall time) indica el tiempo que necesita la corriente colector para caer desde e! 90% al 10 % de su valor maximo. Tiempo de apagado tox El tiempo de almacenamiento y el tiempo de caida juntos dan el tiempo de apagado for. Este es més largo cuanto més grande haya sido la corriente de base /s antes det apagado. En el caso de interruptores de transistor répidos, el tiempo de apagado se acorta porque la cortiente de base no solo se apaga, sino que también cambia su polaridad. Entonces fluye una corriente de evacuacién —/e, la cual acorta el tiempo de apagado, Le duracién del periodo de la frecuencia mas alta con que se puede operar un transistor ‘en conmutacién se obtiene de la suma de los tiempos de encendido y apagado de un transistor. Por esto, para la frecuencia maxima se aplica: 18228 Ejemplos de aplicacion Ejemplo En la hoja de datos se indican los siguientes tiempos de conmutacién para el transistor de conmutacion BSS 81: f= 10ns; tf = 10ns; t= 225ns; th = 60s. {Qué valores tienen los tiempos de encendido y apagado, y qué valor tiene la frecuencia de conmutacién mas alta de este transistor? ton f4+t = 1008s + 10ns= 20ns fon = ts + th = 225ns + 60 ns = 285ns 1 1 frat = aneaz = 3.28 MHz fon + for BONS + B85NS ~ 305ns Los amplificadores en conmutacion con transistores se utilizan también ampliamente como interruptores de potencia, En este caso, la carga puede ser conmutada directa- mente sobre el terminal de colector. La figura 2.71 muestra el circuito basico de un interruptor de potencia con una resistencia de carga. En la figura 2.72 se indica la respectiva familia idealizada de curvas caracteristicas. Freaiga Rt T Yon Us Uce Figura 2.71 Interruptor de poten- Figura 2.72 Familia de curvas caracteristicas para cia con resistencia el interruptor de potencia de la figura 2.71 La pendiente de la linea de trabajo trazada en la figura 2.72 se determina por medio de la magnitud de la resistencia de carga. En el punto de trabajo At (/s = 0A), el transistor esté bloqueado, mientras que en el punto de trabajo A2 éste se encuentra en conduc- cin. Puesto que el transistor esta sobreexitado, la tensién de saturacion Ucres 8 iguaimente pequefia. Tanto en el encendido como en el bloqueo, el punto de trabajo de! interruptor de potencia se desplaza siempre entre los puntos de trabajo Al y A2, sobre la linea de trabajo determinada por la resistencia de carga, siempre entre los puntos de trabajo At y A2. 1832 Transistores bipolares En la préctica, como impedancias de carga, no solo aparecen resistencias, sino también en particular reactancias inductivas. Estas son, por ejemplo, bobinas de relés o bobinas de electroimanes. Su inductancia entonces obstaculiza una transicién directa y rapida desde un punto de trabajo hacia el otro. Cuando estas inductancias son desconectadas rapidamente, por medio del interruptor de transistor, inclusive se pueden formar picos de tensién que son mucho mas altos que la tensién de operacion del transistor. Estas sobretensiones pueden causar la destruccién de un transistor de conmutaci6n, por lo que son necesarias medidas de proteccion. Cuando se opera un amplificador en conmutacién de potencia opera con una impedan- cia capacitiva de carga, como se muestra en la figura 2.73, se obtiene la correspondien- te curva caracteristica. Rearge AL Ue Figura 2.73 Amplificador en conmutacién de potencia con impedancia capacitiva de carga y su correspondiente curva caracteristica La resistencia Rearge onectada en paralelo es necesaria, de otra manera, una operacion estatica en el punto de trabajo A2 no seria posible. En el punto de trabajo A2, el transistor esté en conduccién. El condensador Carga Std cargado casi hasta la tension de operacién. La corriente de colector fluye exclusivamen- te a través de la resistencia Reoge. Si ahora el transistor se bloquea, el condensador puede descargarse a través de Reaiga y también a través del transistor — cuando éste no esta completamente bloqueado —. Asi, la tensién sobre Rage desciende mas o menos ‘exponencialmente. En consecuencia, Uce ya no cambia en forma lineal, como en el caso de una impedancia de carga puramente resistiva. 1 punto de trabajo se despiaza mas bien sobre la curva caracteristica marcada con las flechas, desde A2 hacia Al, Cuanto mas pequefia es la relacion entre Ceage y Acaiga, la Curva caracteristica de la transicion se aproxima mas a la linea de trabajo, la cual se indica con linea entreconada. En el punto de trabajo At el transistor esta bloqueado. El condensador Ccarga esta descargado, y sobre éste se tiene una tensién Uc = 0 V. Si en el momento del encen- dido, la base est alimentada con la corriente requerida /s, entonces el condensador debe ser cargado por medio de la corriente de colector. No obstante, la tensién a través de Reema NO puede ascender linealmente con la corriente de colector, como en la figu- 18428 Ejemplos de apiicacién ra 2.72. En consecuencia, cuando se clerra el interruptor de potencia, el punto de trabajo se desplaza en la region de transicién, sobre la curva caracteristica marcada con flechas direccionales, hacia el punto de trabajo estatico A2. Mientras menor eS Ceaiga, '@ curva caracteristica de {a transicién se aproxima més a la linea de trabajo entrecortada. Hay que tomar en cuenta que durante la conmutacién el punto de trabajo pasa muy rapidamente a través de las dos curvas caracteristicas de transicion. Ademas, la veloci- dad de desplazamiento del punto de trabajo sobre esta curva caracteristica no es con- stante. Inicialmente, ésta es muy alta, pero al acercarse al otro punto de trabajo se vuelve cada vez mas lenta, De Ia familia de curvas caracteristicas segun la figura 2.73 también se observa que cuando se enciende de una impedancia capacitiva de carga puede ocurrir una corriente excesiva. Esta depende basicamente del factor de sobreexitacién del interruptor de transistor, de la velocidad de subida de la sefial de contro! y de la capacitancia del condensador. Este exceso de corriente debe tomarse en cuenta seleccionando un tran- sistor con una /omx 10 suficientemente alta Si un amplificador en conmutacién de potencia se opera con una impedancia inductiva de carga, entonces como resultado se tienen el circuito y la curva caracteristica que se muestran en la figura 2.74. sin diodo de libre cir- At culacion Uo Figura 2.74 Amplificador en conmutacién de potencia con carga inductiva y su respectiva curva caracteristica En el punto de trabajo At el transistor esta bloqueado. A través de Raga Y Lesigs No fluye corriente, ni tampoco esté almacenada energia en la bobina. Si en el momento del encendido se alimenta la corriente de base requerida, en la bobina se produce una tensién autoinducida la cual, en un comienzo, es algo més pequefia que la tension de ‘operacién Us y luego disminuye. Esta opera en contra de la corriente y hace que, en un principio, la corriente de colector solamente pueda ascender levemente. Por este motivo, el punto de trabajo se desplaza en la region de transicién sobre la curva caracteristica inferior, en direccién a las flechas, hacia el punto de trabajo A2. 1852. Transistores bipolares En el punto de trabajo A2, el trensistor esta conduciendo. La corriente de colector determinada por Rea fluye a través de Reage ¥ Lear. En el campo magnético de fa bobina esta almacenada energia. Si en el momento de desconexién el transistor esta bloqueado, entonces hay un rapido colepsamiento del campo magnético y la energia almacenada se libera, Esto produce una alta tension autoinducide U., cuya polaridad aparece como tensién positiva de colector. La magnitud de esta tension autoinducida depende de la energia almacenada y de la velocidad del proceso de desconexién. Por lo tanto, eb punto de trabajo se desplaza en la region de transicion sobre la curva caracteristica, en direccién de las tlechas, hacia el punto de trabajo At. Debido a la autoinduccion, en una operacién de apagado puede aparecer, como tension de colector efectiva, una sobretension mayor a la tension de operacién. Esta puede alcanzar valores que destruyen el transistor. Por estas razones, durante la operacién con resistencia inductiva de carga hay que proteger al interruptor de transistor de posibles sobretensiones que ocurran durante el proceso de desconexién. En la figura 2.75 se muestra un interruptor de transistor con una impedancia inductiva de carga y un circuito de proteccién con un diodo de libre circulacién Dic con una resistencia en serie Ree. +Us Figura 2.75 Amplificador en conmutacién de potencia y diodo de libre circulacion En el punto de trabajo At el diodo esta bloqueado, por esto, e! circuito de proteccién no tiene influencia. Lo mismo se aplica también durante un proceso de encendido sobre toda la region de transicién y en el punto de trabajo A2, Durante un proceso de desco- nexién, tan pronto como la tensién de autoinduccién, y consecuentemente la tension de colector, se vuelve mayor que la tension de operacion Us, el diodo de libre circulacin es operado en direccién directa. Entonces, una corriente /r fluye sobre la conexién serie Die y Fiser haciendo que la energia del campo magnético se rompa tan rapidamente que ya no aparece una nueva sobretensién. La curva caracteristica de la operacion con diodo de libre circulacién esté representada con linea punteada en fa figura 2.74. La efectividad del diodo de libre circulacion puede ser facitmente comprobada si se usa un diodo emisor de luz en lugar de un diodo rectificador. Si Res esta apropiadamente dimensionada, este se ilumina brevemente durante el apagado. El recorrido de la curva caracteristica de transicion depende basicamente de la relacién entre Reuse ¥ Loage- 18628 Ejemplos de aplicacién Mientras menor es la relacién entre Reaiga ¥ Leargs, Mayor es la aproximacién de las lineas de transicién a la linea de trabajo entrecortada entre A1 y A2, y la sobretension dismi- nuye alin més. La resistencia de proteccion Rie; tiene la tarea de transformar con la mayor rapidez posible la energia magnética en energia térmica. Ase: debe ser siempre seleccionada mas pequefia que Uce//c. Ree puede omitirse para la mayoria de casos. La potencia de pérdida total Pps, de un transistor de conmutacién de potencia se obtiene de la suma de la potencia de pérdida en estado de bloqueo Pa, la potencia de pérdida en el rango directa Pr, y la potencia de pérdida durante el proceso de conmutacion Peon. En general se aplica lo siguiente: Poe = Pe + Pat Poon La potencia de pérdida inversa con Pa = Uce « /ceo es muy pequefia en comparacion con tas pérdidas directas, y por esto puede ser ignorada. Las pérdidas directas pueden determinarse facilmente por medicién y por célculo: Pr = Uctresis + fo Por otra parte, una determinacién precisa de la potencia de pérdida por conmutacién Peon @8 muy dificultosa, debido @ que los valores para la corriente de colector y para la tensidn sobre el transistor varian continuamente durante el muy corto tiempo de conmu- tacion. En la figure 2.76 se han representado de manera simplificada la corriente de colector y las pérdidas por conmutacién ocasionadas por los diferentes tipos de carga. T Peon Peon Carga capacitiva Carga inductiva 7 Figura 2.76 Pérdidas por conmutacién para los diferentes tipos de carga 1872 Transistores bipolares La determinacién de las pérdidas por conmutacién que oourren en un caso real es muy dificultosa. Sin embargo, en forma simplificada puede usarse lo siguiente como un calculo aproximado para todos tos tres tipos de carga: ton + tot Peon= Uce + Ie - T con Uce = Us Io = Iemax T = duracién del ciclo de conmutacion Si T > ton + tot, la potencia de conmutacién que aparece es muy pequefia y asi, la potencia de pérdida total es: Poor Pe = Ucesat * lomix Ejemplo En un amplificador en conmutacién de potencia, la carga se conecta y se desconecta en un ciclo de conmutacién de T = 10 ms. La tension de operacin es Ug = 12V, y la resistencia de carga tiene un valor A, = 12 ©. Para el transistor de conmutacion se indican: fon = 1 us, fon = 3 ps. Su tension de saturacién es Ucesat = 0.1 V. 2Qué valor tiene la potencia de pérdida total? Fomor ~ 22 a 12 ome “A i2a Temix = 1A Poss = Pe + Peon = Ucesa« Iomex + Us « Iomae «20+ fot Pow = O1V-1A 4 12V-1A-1PS+ SHS os Ww 4 48 mw 10ms Posr = 104,8 mW. 188