Trường Đại học Kinh tế - Kỹ thuật Công nghiệp BÀI TẬP LỚN CUỐI KỲ

Lớp DHDT14A1CL
Họ và Tên: Bùi Anh Dũng Môn: Kỹ thuật mạch điện tử
MSV: 20104400129 Giảng viên: Phạm Văn Nam

Câu hỏi lý thuyết

Bài tập 1:Câu 4: Trình bày về mạch khuếch đại công suất chế độ B và AB?
Các mạch ứng dụng (mạch đẩy kéo ghép biến áp, mạch bù đối xứng)
Lời giải
1, Chế độ khuếch đại công suất chế độ B và AB:
a, Ở chế độ B, transistor sẽ điều khiển dòng điện ở mỗi nửa chu kỳ của tín
hiệu. Do đó để có thể thu được toàn chu kỳ đầu ra ta cần dùng 2 transistor,
mỗi transistor được sử dụng ở mỗi nửa chu kỳ khác nhau của tín hiệu, và sự
vận hành kết hợp này sẽ cho ra chu kỳ đầy đủ của tín hiệu. Đặc điểm cần lưu
ý nhất của chế độ B là có hiệu suất lớn (η = 78%), tuy méo xuyên tâm lớn
nhưng có thể khắc phục bằng cách kết hợp với các chế độ AB và dùng hồi
tiếp âm.
b, Ở chế độ AB, transistor có điểm làm việc tĩnh Q nằm trong vùng
khuếch đại gần vùng tắt, do đó transistor điều khiển dòng điện nhiều hơn
T
một nửa chu kỳ tín hiệu, và ít hơn một vòng chu kỳ hoàn chỉnh:  t  T với
2
t là thời gian dẫn tín hiệu trong một chu kỳ T. Đặc điểm chế độ này có tính
chuyển tiếp giữa chế độ A và chế độ B, có dòng tĩnh nhỏ để tham gia vào
việc giảm méo lúc tín hiệu vào có biên độ nhỏ.

Dưới đây là đồ thị dạng sóng biểu thị dòng iC của hai chế độ trên

2, Các mạch ứng dụng:

a, Mạch đẩy kéo ghép biến áp

Sơ đồ cấu tạo của mạch đẩy kéo ghép biến áp:

 Phân tích: Ở nửa chu kỳ dương của đầu vào, T1 phân cực thuận nên không
dẫn, T2 phân cực thuận nên dẫn và xảy ra điều ngược lại với chu kỳ âm. Lúc
chưa có tín hiệu thì T1 và T2 đều tắt, không có dòng nguồn UCC chạy qua biến
áp mà chỉ có dòng ngược ICE rất nhỏ chảy qua. Và tại thời điểm chuyển tiếp
giữa quá trình dẫn, ngắt của T1 và T2 sẽ gây nên hiện tượng méo dạng sóng, gọi
là méo dạng xuyên tâm.

Ưu điểm của mạch này là ở chế độ tĩnh sẽ không tiêu thụ dòng do nguồn
cung cấp, nếu không có tổn hao trên transistor; hiệu suất của mạch lớn (thuộc
loại khuếch đại công suất chế độ B); không có dòng một chiều chạy qua biến áp
nên không gây méo do bão hòa từ.

Nhược điểm là méo xuyên tâm lớn khi tín hiệu vào nhỏ, khi cả 2 vế khuếch
đại không được cân bằng.

b, Mạch bù đối xứng

Sơ đồ cấu tạo của mạch bù đối xứng cơ bản

 Phân tích: nguyên lý làm việc của mạch này là sử dụng hai transistor khác
cực tính (transistor PNP với NPN) để hai transistor này sẽ thay phiên nhau làm
việc trong hai nửa chu kỳ. Và hai nửa tín hiệu này sẽ tổng hợp lại thành tín hiệu
hoàn chỉnh.

Tuy nhiên nhược điểm lớn của mạch này là cần hai nguồn cung cấp riêng
biệt cho hai nửa. Và còn méo xuyên tâm lớn, do sự gãy khúc của tín hiệu trên
tải tại thời điểm chuyển tiếp từ nửa chu kỳ dương sang nửa chu kỳ âm.

Bài tập 2: Câu 15: Thiết lập công thức tính Ur của bộ vi phân?

Lời giải
Bộ vi phân mạch có sơ đồ như sau:

Trước tiên thì mạch có chứa phần tử tụ điện C, nghĩa là dòng điện biến thiên
không cùng pha với điện áp. Coi OA là lý tưởng, ta có UN = UP = 0
UV − U N UV
Tại nút N, ta có: I R = IC = = với XC là dung kháng của tụ C
XC XC

dUV
Suy ra U r = U R = R.I N = − R.C (Công thức dạng vi phân)
dt

Với UV = Umax.sinꞷt thì Ur = -R.Cꞷ.Umax.cosꞷt (Công thức dạng lượng giác)

 Câu hỏi bài tập

Lời giải
- Xét tầng OA thứ nhất thuộc loại mạch cộng không đảo
R3 R + R4
Tại nút 𝑁1 , theo công thức phân áp, ta có U N 1 = .U r1  U r1 = U N 1. 3
R3 + R4 R3

Giả thiết OA lý tưởng, ta có U P1 = U N 1 và tại nút P1 ta có:

U1 − U P1 U 2 − U P1 1 1 U U U U RR
I R1 + I R 2 = 0  + = 0  U P1 ( + ) = 1 + 2  U P1 = ( 1 + 2 ). 1 2
R1 R2 R1 R2 R1 R2 R1 R2 R1 + R2
U U RR R +R
Suy ra: U r1 = ( 1 + 2 ). 1 2 . 3 4
R1 R2 R1 + R2 R3

Thay các giá trị 𝑅1 = 1,5kΩ, 𝑅2 = 1,5kΩ, 𝑅3 = 4kΩ và 𝑅4 = 2kΩ vào công thức trên, ta có:
U U 1500.1500 4000 + 2000 3
U r1 = ( 1 + 2 ). . = (U1 + U 2 )
1500 1500 1500 + 1500 4000 4

- Xét tầng OA thứ hai thuộc loại mạch cộng đảo, giả thiết OA lý tưởng.
Do nút P2 có P nối đất nên U P 2 = U N 2 = 0
Tại nút N 2 , ta có phương trình dòng điện: I R 5 + I R 6 = I R 7
U r1 − U N 2 U 3 − U N 2 U N 2 − U R −U R U r1 U 3 U U
 + =  = +  U R = − R7 .( r1 + 3 )
R5 R6 R7 R7 R5 R6 R5 R6

3
Thay các giá trị 𝑅5 = 10kΩ, 𝑅6 = 3kΩ, 𝑅7 = 2,7kΩ và U r1 = .(U1 + U 2 ) ta được:
4

3
.(U1 + U 2 )
4 U 81 81 9
U R = −2700.[ + 3 ]= − ( U1 + U2 + U3 )
10000 3000 400 400 10

81 81 9
Vậy U R = −( U1 + U 2 + U3 )
400 400 10
 Lời giải
a, Viết biểu thức tính hệ số khuếch đại Ku
Gọi K1 và K 2 lần lượt là hệ số khuếch đại điện áp của hai tầng IC1 và IC2 .
U ra U x U ra
Hai tầng IC này mắc nối tiếp nhau nên ta có Ku = = . = K1.K 2
Uv Uv U x
Ux U U U Uv U R + R3
Xét tầng IC1 ta có = D = N 1 = P1   K1 = x = 2
R2 + R3 R3 R3 R3 R3 Uv R3
U x − U N 2 U N 2 − U ra U R
Xét tầng IC2 ta có U N 2 = U P 2 = 0 và =  K 2 = ra = − 5
R4 R5 Ux R4
− R5 .( R2 + R3 )
Suy ra biểu thức: Ku = K1.K 2 =
R4 .R3
b, Thay các trị số đã cho vào biểu thức vừa thiếp lập, ta có:
−150000.(200000 + 20000)
U ra = Ku .U v = .0,15 = −16,5 (V)
15000.20000
Nhận xét: Vì điện áp nguồn có E=  15 V trong khi điện áp ra Ura = -16,5V vượt
quá giới hạn, nên xuất hiện hiện tượng méo phi tuyến tính. Do đó để điện áp ra
tuyến tính thì ta phải giảm điện áp đầu vào Uv hoặc giảm độ lớn hệ số khuếch
đại để đảm bảo điện áp đầu ra nằm trong giới hạn điện áp nguồn E.