NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

LÝ THUYẾT CSTT QUANG

 SỢI QUANG
1. Cấu tạo và phân loại sợi quang
- Cấu tạo: hình trụ gồm lõi và vỏ, được chế tạo từ vật liệu trong suốt
- Nguyên lý truyền tín hiệu quang: phản xạ nội toàn phần -> n1 > n2
- Phân loại sợi quang
+ Phân bố mặt cắt: chiết suất bậc (SI), chiết suất biến đổi (GI)
+ Số lượng mode truyền: sợi đa mode (MM), sợi đơn mode (SM)
+ Vật liệu chế tạo: Sợi thủy tinh, sợi nhựa
+ Theo đặc tính: Sợi dịch tán sắc (DSF), sợi bù tán sắc (DCF)

2. Lan truyền ánh sáng trong các loại sợi quang: Quỹ đạo các tia (xét theo
phương pháp quang hình), Khẩu độ số (khái niệm, ý nghĩa, công thức tính),
mode truyền, tần số chuẩn hóa (ý nghĩa, công thức tính), bước sóng cắt và
vùng hoạt động đơn mode của sợi quang
- Quỹ đạo các tia (xét theo phương pháp quang hình): MMSI, MMGI
+ Sợi MM-SI: Quỹ đạo các tia sáng hình zigzac, gồm 2 loại tia: tia kinh tuyến và tia
nghiêng hoặc tia xoắn
Do chiết suất môi trường ngoài thường nhỏ hơn chiết suất lõi sợi nên tia sáng bị khúc
xạ về phía trục sợi với góc khúc xạ r được xác định qua định luật Snell:
n0 sin i  n1 sin r

Tia sáng sau đó tới bề mặt tiếp giáp giữa lõi và vỏ với một góc tới . Nếu góc tới
nhỏ hơn một góc tới hạn c thì tia sáng sẽ bị khúc xạ ra ngoài vỏ, còn nếu lớn hơn
góc tới hạn thì tia sáng sẽ phản xạ toàn phần trong lõi sợi và lan truyền trong sợi
n2
sin c 
quang. Góc tới hạn cũng được xác định qua định luật Snell: n1

Những tia sáng đi vào sợi có góc >c mới bị giam hãm trong sợi thông qua phản
n0 sin i  n1 cos c  n12  n2 2
xạ toàn phần. nên góc lớn nhất sẽ là:

1
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

+ Sợi MM-GI
Các tia lan truyền theo dạng đường cong hình sin do bị đổi hướng liên tục khi lan
truyền trong sợi
Gồm 2 loại tia: tia trục và tia xiên

2
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

- Khẩu độ số NA:
+ Khái niệm: Xác định góc tiếp nhận ánh sáng cực đại của sợi quang
+ Ý nghĩa: ảnh hưởng đến hiệu suất ghép cặp công suất quang của sợi
+ CT tính:
 Sợi MM-SI:

𝑵𝑨 = √𝒏𝟐𝟏 − 𝒏𝟐𝟐 = 𝒏𝟏 √𝟐∆

3
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

Với: n1: chiết suất lõi, n2: chiết suất vỏ

𝒏𝟏 −𝒏𝟐
∆= : độ lệch chiết suất
𝒏𝟏

 Sợi MM-GI:

  r
g
 NA  0  1    r  a
NA  n12  r   n2 2  a

0 r  a
voi NA  0   n1 2
g-hệ số mặt cắt chiết suất
- Mode truyền:
+ Mỗi mode là một họ tia sáng ứng với một góc lan truyền cho phép xác định (Theo
lý thuyết tia)
+ Mỗi mode là một nghiệm của phương trình sóng (xác định từ phương trình
Maxwell) xác định kiểu phân bố trường điện từ lan truyền trong sợi quang (Theo lý
thuyết truyền sóng)
+ CT số lượng mode truyền
 Sợi MM-SI

Với: a-bán kính sợi

 Sợi MM-GI:

4
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

- Tần số chuẩn hóa

+ Ý nghĩa: Xác định số lượng mode và đặc tính truyền dẫn của sợi quang.
+ CT tính:

- Bước sóng cắt:

- Điều kiện đơn mode: V<2,405

3. Suy hao trong sợi quang

- Khái niệm: Sự suy giảm công suất quang trung bình trong sợi khi lan truyền
- Hệ số suy hao:

- Các nguyên nhân gây suy hao:

+ Suy hao do hấp thụ: hấp thụ ngoài và hấp thụ thuần
+ Suy hao do tán xạ:
• Sự thay đổi vi mô về mật độ trong vật liệu tạo sợi
• Sự thăng giáng thành phần
• Các khuyết tật hoặc cấu trúc không đồng nhất

5
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

• Quan trọng: sự thăng giáng mật độ  các thăng giáng ngẫu nhiên
của chiết suất cỡ <   Tán xạ Rayleigh
• Suy hao do tán xạ Rayleigh
+ Suy hao do uốn cong:
• Do uốn cong vĩ mô: bán kính uốn cong lớn so với đường kính sợi
• Do vi uốn cong: bán kính uốn cong nhỏ so với đường kính sợi
• Để giảm suy hao do vi uốn cong: bọc đệm sợi quang và chọn
tham số V phù hợp (2 – 2.4)
+ Các suy hao khác:
• Suy hao do sự không hoàn hảo cấu trúc sợi quang
• Suy hao do hàn nối
• Suy hao trong môi trường chiếu xạ

4. Tán sắc trong sợi quang: khái niệm, các loại tán sắc và ảnh hưởng, đặc
tính tán sắc của sợi đơn mode tiêu chuẩn (G.652), G.653 (sợi tán sắc dịch
chuyển), G.655 (sợi tán sắc dịch chuyển khác không)
- Khái niệm: hiện tượng các thành phần tín hiệu quang (mode, bước sóng, trạng
thái phân cực) có vận tốc lan truyền khác nhau  Xung quang bị dãn rộng về
thời gian khi lan truyền  ISI
- Các loại tán sắc:
 Tán sắc mode: Do sợi truyền nhiều mode; mỗi mode có tốc độ lan truyền khác
nhau (có hằng số lan truyền khác nhau) => lệch thời gian truyền giữa các mode
 Tán sắc vận tốc nhóm (Tán sắc sắc thể): do sự phụ thuộc của vận tốc nhóm
vào tần số gây mở rộng xung, có tán sắc vật liệu và tán sắc ống dẫn sóng
 Tán sắc vật liệu: Do sự phụ thuộc của chiết suất vật liệu vào tần
số (bước sóng)

 Tán sắc ống dẫn sóng: Do sự phụ thuộc của hằng số lan truyền
vào cấu trúc sợi quang (tham số V); Do phần công suất tại mỗi

6
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

thành phần phổ thẩm thấu ra ngoài vỏ có chiết suất nhỏ hơn khác
nhau  tốc độ nhóm khác nhau.
 Tán sắc mode phân cực: sợi SM có 2 mode phân cực trực giao; sợi thực tế
không hoàn hảo => mỗi mode có chiết suất mode khác nhau
 Tán sắc bậc cao: do D cũng là một hàm của bước sóng  các thành phần phổ
có D khác nhau
- Ảnh hưởng của tán sắc:
+ Gây ra nhiễu ISI
+ Giới hạn tốc độ bit truyền trên sợi
- Đặc tính tán sắc:
+ Sợi đơn mode tiêu chuẩn G.652: hệ số tán sắc tổng bằng không ở gần 1,31µm, còn
lại vùng 1,55µm nơi có suy hao thấp nhất thì D=15->18 (ps/nm.km)
+ Sợi tán sắc dịch G.653: có tán sắc nhỏ nhất tại cửa số bước sóng 1550nm
+ Sợi tán sắc dịch chuyển khác không G.655: Giá trị D thường nhỏ trong dải bước
sóng từ 1,3 – 1,6µm -> Giảm ảnh hưởng của các hiệu ứng phi tuyến trong khi vẫn
giữ nguyên các ưu điểm của sợi DSF
5. Hiệu ứng phi tuyến SBS và ảnh hưởng của SBS đến tín hiệu khi lan truyền
trong sợi quang
- Tán xạ xảy ra do tương tác của photon tới với một sóng âm
- Sóng âm sinh ra do sự thăng giáng chiết suất gây ra bởi các dao động trong
vật liệu
- Quá trình tán xạ bảo toàn cả năng lượng và xung lượng
- Ảnh hưởng: cả 2 gây ra tổn hao công suất tại tần số tới

 NGUỒN QUANG BÁN DẪN

6.Tiếp giáp p-n
- Hình thành từ hai loại bán dẫn loại n và bán dẫn loại p
- Khi chưa đặt điện áp phân cực  Các hạt tải đa số khuyếch tán qua lớp tiếp
giáp  Hình thành hàng rào thế
- Trạng thái cân bằng thiết lập  Vùng nghèo (không có hạt tải linh động)
- Khi phân cực ngược: Vùng nghèo được mở rộng, các điện tử và lỗ trống khó
gặp nhau để tái hợp phát ra ánh sáng  Sử dụng cho chế tạo photodiode

7
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

− Khi phân cực thuận: Vùng nghèo hẹp lại, hay hàng rào thế hạ thấp
xuống  Các điện tử và các lỗ trống được bơm vào vùng nghèo dễ
dàng tái hợp để phát ra ánh sáng

− Cấu trúc đồng thể: các hạt tải không bị giam hãm  hiệu suất phát xạ
kém
− Cấu trúc dị thể kép: gồm 3 lớp cơ bản
• Lớp bán dẫn mỏng ở giữa có Eg nhỏ (lớp tích cực)
• Hai lớp bán dẫn p và n ở hai bên có Eg lớp hơn (các lớp hạn
chế)
• Ưu điểm:
 Giam hãm hạt tải
 Giam hãm photon
 Quá trình tái hợp:
o Bên cạnh tái hợp bức xạ còn có tái hợp không bức xạ
o Hiệu suất lượng tử nội:

8
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

Hoặc: , trong đó:

− Tốc độ tái hợp bức xạ:

− Thời gian sống của hạt tải:

7. LED: Cấu tạo, nguyên lý hoạt động, đặc tính

 Cấu tạo:

- Cấu trúc dị thể kép

- Dựa trên cơ chế phát xạ tự phát
- Ánh sáng phát ra là ánh sáng không kết hợp, có độ rộng phổ lớn
- Độ rộng chùm sáng phát xạ lớn  Hiệu suất ghép nối với sợi quang
nhỏ
 Nguyên lý hoạt động:
- Dựa trên cơ chế phát xạ tự phát
- Khi phân cực thuận cho LED sẽ có dòng bơm qua LED làm cho các
điện tử đang tập trung ở vùng hóa trị nhảy lên vùng dẫn
- Dưới tác dụng của điện trường phân cực thuận, các cặp điện tử và lỗ
trống tái hợp với nhau và phát xạ ánh sáng.
 Đặc tính:
- Đặc tính P-I của LED:
• Tốc độ tái hợp bức xạ và không bức xạ bằng với tốc độ bơm hạt tải
• Công suất quang:
• Công suất phát xạ:
• Hiệu suất lượng tử ngoài:

9
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

• Hiệu suất lượng tử tổng cộng: tỉ lệ công suất phát xạ với công suất
điện đặt vào (hiệu suất chuyển đổi công suất)

• Độ đáp ứng của LED:

• Đường đặc tính P-I: tỉ lệ tuyến tính theo I, bão hòa ở dòng bơm cao
• Nhiệt độ tăng  độ đáp ứng giảm
- Đặc tính phổ của LED:
• Phổ của LED liên quan đến phổ phát xạ tự phát

• Độ rộng phổ:

- Đặc tính điều chế của LED:
8. LD: Cấu tạo, nguyên lý hoạt động, đặc tính của Laser Diode F-P Fabry-
Perrot và LD DFB (Distributed Feed Back)
• Cấu tạo cơ bản LD
- Laser: bộ cộng hưởng trong một môi trường tích cực (khuyếch đại)
- Laser bán dẫn (LD): cũng sử dụng cấu trúc dị thể kép
 Nguyên lý hoạt động
- Dựa trên cơ chế phát xạ kích thích
- Phát xạ kích thích chiếm ưu thế khi thỏa mãn điều kiện đảo lộn mật độ
- Khi mật độ hạt tải trong lớp tích cực > một giá trị xác định  xảy ra
đảo lộn mật độ, vùng tích cực  môi trường khuyếch đại quang
- Quá trình hồi tiếp quang thực hiện trong một hộp cộng hưởng hình
thành bởi 2 gương phản xạ
- Tín hiệu truyền trong môi trường ~ exp(gz)
 Đặc tính
- Đặc tính P-I:
 Đặc tuyến có dạng đường gấp khúc
 Đoạn đầu (dòng kích thích < ngưỡng) có độ dốc không lớn, dạng
tuyến tính
 Khi dòng > ngưỡng thì độ dốc đường đặc tuyến tăng nhanh
 Dòng tăng, công suất phát tăng

10
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

 Nhiệt độ tăng, công suất phát giảm, dòng ngưỡng tăn
– Đặc tính phổ: Phổ vạch; Hẹp
 Laser DFB
- Cấu trúc:

Quá trình cộng hưởng và chọn lọc tần số xảy ra trong laser DFB được thực hiện nhờ
cấu trúc cách tử Bragg đặt ở bên cạnh, dọc theo vùng tích cực của laser. Sóng ánh
sánh phát xạ trong laser lan truyền dọc theo vùng tích cực và phản xạ tại mỗi đoạn
dốc của cách tử. Điều kiện để sự phản xạ và cộng hưởng có thể xảy ra là bước sóng
ánh sáng phải thỏa điều kiện Bragg:
Trong đó,  là chu kỳ của cách tử Bragg, neff = n.sin với n là chiết suất của cách
tử,  là góc phản xạ của ánh sáng
Các photon ánh sáng do hiện tượng phát xạ kích thích tạo ra trong vùng tích cực
phản xạ nhiều lần tại cách tử (khác với laser Fabry – Perot chỉ phản xạ tại hai mặt
phản xạ của hốc cộng hưởng). Tại mỗi đoạn dốc của cách tử, một phần năng lượng
ánh sáng bị phản xạ. Tổng hợp năng lượng ánh sáng phản xạ tại mỗi đoạn cách tử
này trong laser làm cho phần lớn ánh sáng trong laser được phản xạ có bước sóng
thỏa điều kiện Bragg. Kết quả là, laser DFB chỉ phát xạ ra ánh sáng có bước sóng
B thỏa điều kiện Bragg trong khi laser Fabry – Perot có nhiều bước sóng ánh sáng
thỏa điều kiện phản xạ trong khoang cộng hưởng. Vì vậy, DFB laser chỉ phát ra một
mode sóng có độ rộng phổ rất hẹp so với laser Fabry – Perot. Với đặc điểm như vậy,
laser DFB đã và đang được sử dụng trong các hệ thống thông tin quang có cự ly
truyền dẫn dài và tốc độ bit truyền cao.
9. Bộ điều chế điện quang Mach-Zehnder: cấu tạo, nguyên lý hoạt động, giải
thích điểm hoạt động trên đường đặc tính khi điều chế cho tín hiệu tương
tự, số.
- Chế tạo bằng vật liệu LiNbO3
11
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

- Đặc tính của LiNbO3: phụ thuộc điện áp phân cực

- Tín hiệu điện vào thay đổi → chiết suất thay đổi → pha của tín hiệu di
chuyển treen2 nhánh khác nhau → giao thoa (cộng hưởng or tiệt triêu)
- Hạn chế của M2M:
+ Suy hao xen lớn (5dB)
+ Yêu cầu điện cáp điều chế cao (10V)
+ Không thể tích hợp với Laser trong cùng 1 chip

 DIODE THU QUANG:

 Đáp ứng nguồn thu
– Quá trình thu tín hiệu quang: hấp thụ năng lượng photon
– Đối với vật liệu bán dẫn: năng lượng photon đủ lớn h  Eg  photon
bị hấp thụ  sinh ra cặp e - h tự do.
– Dưới tác động của điện trường đặt vào  các điện tử và lỗ trống bị quét
ra mạch ngoài sinh ra dòng điện
− Dòng quang điện tỉ lệ trực tiếp với công suất quang vào:

Trong đó: R – độ đáp ứng (độ nhạy) của nguồn thu (đơn vị: A/W)
− Hiệu suất lượng tử:

− Độ đáp ứng:

 Hiệu suất chuyển đổi O/E

R tăng theo bước sóng
 Độ rộng băng tần nguồn thu
o Độ rộng băng tần của photodiode: Tốc độ tại đó nó đáp ứng với sự thay
đổi công suất quang vào

12
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

o Thời gian lên: thời gian tại đó dòng tăng từ 10 đến 90 % giá trị đỉnh khi
công suất quang vào dạng bậc
Tr phụ thuộc vào:
• Thời gian mà các điện tử và lỗ trống dịch chuyển tới các điện cực ngoài.
• Thời gian đáp ứng của mạch điện
 Diode thu quang p-n
− Cấu trúc: tiếp giáp p-n phân cực ngược  vùng nghèo
Độ rộng vùng nghèo phụ thuộc vào nồng độ pha tạp.
− Nguyên lý:
+ Khi photon đi qua thì sinh ra cặp e – p
+ Dưới điện trường đặt vào, p đi từ bán dẫn n lên bán dẫn p và e di chuyển
ngược lại
10. Photodiode PIN: cấu tạo và nguyên lý tách sóng
 Cấu tạo: gồm 3 lớp, lớp i được xen giữa lớp p và n
– Lớp i có điện trở cao  hầu hết điện áp rơi trên vùng này  thành phần
trôi >> thành phần khuyếch tán
– Độ rộng W được quyết định bởi độ dày lớp i

 Nguyên lí:
– Khi một photon có E ≥ Eg đi tới, photon này bị hấp thụ và kích thích 1
điện tử nhảy lên từ vùng hóa trị lên vùng dẫn, quá trình này tạo các cặp e -
p

13
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

– Dưới tác động của điện trường đặt vào lớp I, các e – p này trôi ra lớp ngoài
tạo dòng tách quang (do lớp I có trở kháng cao)

– Các hạt tải sinh ra trong vùng nghèo (vùng tập trung điện trường lớn) trôi
nhanh chóng về phía n hoặc p
– Các hạt tải sinh ra ngoài vùng nghèo:
o Các điện tử sinh ra trong vùng p phải khuyếch tán tới biên vùng nghèo
trước khi trôi về phía n
o Các lỗ trống sinh ra trong vùng n phải khuyếch tán tới biên vùng
nghèo trước khi trôi về phía p
– Giảm quá trình khuyếch tán:
+ Giảm độ rộng vùng n và p
+ Tăng độ rộng vùng nghèo
− Nâng cao tính năng của PIN:
• Cấu trúc dị thể kép  loại bỏ dòng khuyếch tán
• Hộp cộng hưởng F-P  tăng hiệu suất lượng tử
• Sử dụng ống dẫn sóng quang  tăng hiệu suất lượng tử, giảm điện dung
ký sinh và điện trở nội nối tiếp

14
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

11. Photodiode APD: cấu tạo và nguyên lý tách sóng, tối ưu hệ số ở

Photodiode APD
• Cấu tạo: gồm 4 lớp, bổ sung thêm 1 lớp giữa lớp i và n+
– Điện trường cao ở vùng tiếp giáp p-n+  Vùng nhân

• Hoạt động:
– Hấp thụ chủ yếu tại vùng i
– Các e trôi qua i tới vùng p-n+  Xảy ra quá trình nhân hạt tải (quá
trình ion hóa do va chạm)
– Quá trình ion hóa do va chạm:
+ Vùng nhân tồn tại điện trường đủ lớn (cường độ trường > 3x105
V/cm)  gia tốc cho hạt tải có được năng lượng đủ lớn  sinh ra e-h
mới do va chạm.
– Tốc độ sinh hạt tải mới được đặc trưng bởi các hệ số ion hóa do va
chạm e, h
– Hệ số khuyếch đại dòng:

,
Nâng cao tính năng của APD:
• Cấu trúc vùng nhân và hấp thụ tách rời (SAM)
• Cấu trúc vùng nhân giảm dần và hấp thụ tách rời (SAGM)
• Cấu trúc siêu mạng

15
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

16