NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

CÔNG THỨC QUANG

 CHƯƠNG 2

- Công suất ánh sáng truyền qua tấm bán dẫn có bề dày W như sau:

Ptr = 𝑃𝑖𝑛. 𝑒 (1−𝛼𝑊)

- Tỷ lệ tương đối công suất lõi
Pcore 𝑃𝑐𝑙𝑎𝑑
=1−
𝑃 𝑃
- Tỷ lệ công suất ánh sáng truyền trong vỏ

, N – số lượng mode truyền trong sợi

- Công suất vào bộ thu quang: Pthu = Pin 10−𝛼𝐿/10 (chú ý đơn vị dB/km)
- Mặt cắt chiết suất của sợi quang:

- Khẩu độ số (NA): NA = sin θmax (góc vào <θmax) = (n12-n22)1/2

 Sợi MM-SI:
𝒏𝟏 −𝒏𝟐
𝑁𝐴 = √𝑛12 − 𝑛22 = 𝑛1 √2∆; ∆=
𝒏𝟏
 Sợi MM-GI:

NA(r )  n 2 (r )  n22  NAmax 1  (r / a)

NA max  n1 2

1
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

- Tần số chuẩn hóa V

- Hằng số truyền lan chuẩn hóa: 0 < b < 1

•  - hằng số lan truyền của mode tương ứng, k = 2/

- Bước sóng cắt (b=0)
2𝜋
𝜆𝑐 = 𝑎𝑛1 √2∆
𝑉𝑐

- Số lượng mode truyền:

 MM-SI:

 MM-GI:

– Điều kiện đơn mode: V < 2,405 hoặc λ > λc

– Diện tích hiệu dụng:

- Hệ số giam hãm:

2
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

- Hệ số suy hao:

;
 Suy hao do tán xạ Rayleigh:

C ~ 0,7-0,9 (dB/km)-m  R = 0.12 - 0,16 dB/km tại 1,55 m

 Số lượng mode hiệu dụng:

 g  2  2a  3   
2/3

N eff  N  1     
 2 g   R  2n2 kR   
  
g
N  (n1ka ) 2 
g2
 Đa mode:

 Đơn mode:

- Độ lệch thời gian:

 MM-SI:

 MM-GI:

3
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

- Tán sắc mode:

đơn vị (ps/km)

- Độ dãn xung mode:

- Giới hạn tốc độ truyền dẫn tán sắc mode (khi không vượt quá 1 bit)
B.ΔT<1

- Tán sắc vận tốc nhóm GVD:

 Độ trễ:

 Hệ số tán sắc (ps/nm.km):

4
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

 Hệ số tán sắc vật liệu (ps/nm.km):

d 1  dn d 2n dn   d 2n
DM    2    
d c  d d d  c d2
 Hệ số tán sắc ống dẫn sóng:
d V d n1  d 2 ( Vb ) 
Dw    V 
d  dV c  dV 2 
 Tán sắc bậc cao:
 Độ dốc tán sắc:

 Giới hạn tốc độ truyền dẫn NRZ: B.ΔT < 1

 Giới hạn truyền dẫn do tán sắc mã RZ: 2.B.ΔT < 1
- Truyền xung Gauss có chirp:
 Xung ban đầu:

C – hệ số chirp, T0 – độ rộng xung

 Hệ số dãn xung:

 Độ rộng xung đc nén:

5
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

 Trường hợp nguồn quang có độ rộng phổ lớn: Vw≫1

 C=0, 3 =0, xét 2


𝑇𝐵
Yêu cầu: 𝜎 ≤ , TB=1/B  4 ≤ 1
4

 C=0, 2=0, xét 3

Ở giới hạn, D ≫ 0 thì:

6
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

 Trường hợp nguồn quang có độ rộng phổ nhỏ: Vw ≪ 1

 C=0, 3=0, xét 2

|𝛽2 |𝐿
min khi D = 0 = √ →𝜎 = √|𝛽2 |𝐿
2

1
→B≤
4√|𝛽2 |𝐿

 C=0, 2=0, xét 3

𝛽3 𝐿
min khi 0 = ( ) 1/3
4

→ Điều kiện giới hạn:

 C≠0 xét xét tương tự

 CHƯƠNG 4

 Bộ thu quang:
 Năng lượng photon: E = hf = hc/ λ
 Điều kiện năng lượng:
hc
h   Eg

 Dòng quang điện (photon):

R – độ đáp ứng (độ nhạy) của nguồn thu (đơn vị: A/W

7
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

 Hiệu suất lượng tử:

 Độ đáp ứng:

 Công suất truyền qua lớp bán dẫn:

 Công suất bị hấp thụ:

 Hiệu suất lượng tử

 Thời gian và độ rộng băng tần nguồn thu

 Diode thu quang PIN

- Phương sai Nhiễu dòng tối: σs2= 2qIdΔf
- Phương sai Nhiễu lượng tử: σT2= 2qIpΔf
- Mật độ phổ của nhiễu nổ:

- Phương sai nhiễu nổ:

- Phương sai nhiễu nổ tổng:

σs2= 2q(Ip+Id)Δf

8
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

- Phương sai nhiễu nhiệt:

- Khi thêm hệ số khuếch đại: σT2 = (4kBT / RL)FnΔf

- Phương sai nhiễu tổng:

- Công suất nhiễu nhiệt: Pσs = RL* σT2

- Công suất nhiễu nổ: PσT = RL* σs2
- Công suất tín hiệu điện: P = RL* Ip2
 SNR

- Giới hạn bởi nhiễu nhiệt (T2 >> s2 )

- Giới hạn bởi nhiễu nổ (T2 << s2 ): khi công suất quang thu lớn

 Diode thu quang APD

 Nhiễu nổ:

Trong đó FA - hệ số nhiễu trội, là hàm của M và phụ thuộc vào vật liệu, dạng
cường độ trường E và tốc độ ion hóa của các hạt tại.
- Hệ số nhiễu trội:

9
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

x
FA  M
Si: x ~ 0,3-0,5
Ge: x ~ 1
InGaAs: x ~ 0,5-0,7
 Nhiễu nhiệt k bị ảnh hưởng bởi quá trình nhân
 SNR


- Giới hạn bởi nhiễu nhiệt (T2 >> s2 ):

- Giới hạn bởi nhiễu nổ (T2 << s2 ): khi công suất quang thu lớn

- Hệ số khuếch đại tối ưu của APD: tại đó SNR đạt cực đại

Với Si APD, do kA<<1, nên Mopt có thể đạt được đến 100. Còn với InGaAs
APD, do kA~0,7 nên Mopt chỉ đạt được ~10.

10
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

 TỈ SỐ LỖI BIT (BER)

trong đó:
- Tối ưu ID để BER nhỏ nhất

- Trong giới hạn nhiễu nhiệt 1  0 (t >> s) :

- Tại ngưỡng tối ưu:

- Gần đúng (Q > 3):

 Để đơn giản, giả thiết rằng bit "0" không mang công suất quang, tức là P0 =
0, và vì vậy dòng trung bình ứng với bit “0” I0 = 0. Công suất quang của bit
“1” là P1, và dòng trung bình ứng với bit”1” là I1

Với là công suất trung bình thu được và được định nghĩa như sau:

11
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

12
NGUYỄN KHẮC ANH B18DCVT017

Với:

13