Professional Documents
Culture Documents
Ôn Tập Cskt Thông Tin Quang
Ôn Tập Cskt Thông Tin Quang
a/ Sợ i có mặ t cắ t chiết suấ t bậ c.
+ Bá n kính lõ i: a= 4,5 m
a) Tính thờ i gian trễ giữ a mode bậ c cao nhấ t và mode bậ c thấ p nhấ t tạ i đầ u ra củ a
sợ i b) Tính thờ i gian trễ giữ a mode bậ c cao nhấ t và mode bâ c thấ p nhấ t tạ i đầ u ra
củ a sợ i trong trườ ng hợ p sợ i chiết suấ t GI.
2.10 - Cho hệ thố ng thô ng tin quang tố c độ 10 Gbit/s hoạ t độ ng ở bướ c só ng 1,5
m sử dụ ng xung Gauss vớ i độ rộ ng xung FWHM tạ i đầ u và o sợ i là 120 ps và có hệ
số chirp C = -6. Giả thiết:
- Độ rộ ng phổ nguồ n phá t rấ t nhỏ và thể bỏ qua. Biết quan hệ giữ a độ rộ ng xung
rms đầ u và o và đầ u ra củ a xung Gauss khi truyền qua sợ i quang đơn mode chuẩ n
tuâ n theo phương trình dướ i đâ y:
2
σ2 C β2 L
2
=( 1+ 2
) +(1+V 2ω )¿
σ0 2 σ0
Xá c định:
a- Giớ i hạ n cự ly truyền dẫ n do tá n sắ c gâ y ra
2.11- Cho xung Gauss khô ng chirp có độ rộ ng xung FWHM là 120 ps đượ c đưa
và o sợ i quang đơn mode chuẩ n chiều dà i 50 km có tá n sắ c là 16 ps/(nm.km). Bỏ
qua ả nh hưở ng củ a tá n sắ c bậ c cao và độ rộ ng phổ củ a nguồ n phá t.
Xá c định:
3.1- Vậ t liệu InGaAsP sử dụ ng để chế tạ o nguồ n quang LED. Tìm thà nh phầ n vậ t
liệu nếu nguồ n phá t xạ ở củ a sổ bướ c só ng:
a) 1=1310 nm
b) 2=1550 nm.
3.2- Cho hai nguồ n quang LED Ga1−x Al x As , nguồ n thứ nhấ t có nă ng lượ ng vù ng
cấ m 𝐸g= 1,54 𝑒𝑉 và nguồ n thứ hai có x=0,015.
a) Tìm thà nh phầ n vậ t liệu và bướ c só ng phá t xạ cho nguồ n LED thứ nhấ t.
3.4- Xá c định độ rộ ng bă ng tầ n điều biến 3dB củ a LED khi biết thờ i gian số ng củ a
hạ t tả i là 3ns
4.3. Mộ t photodiode PIN, trung bình cứ 3 photon đến tạ i bướ c só ng 0,8 m thì tạ o
ra 1 cặ p điện tử -lỗ trố ng. Giả thiết rằ ng, tấ t cả cá c điện tử nà y đều đượ c đi ra đến
mạ ch ngoà i. Tính: a) Hiệu suấ t lượ ng tử củ a thiết bị
c) Giá trị dò ng photo trung bình tạ o ra khi cô ng suấ t quang thu đượ c là 10−7 W
a) Đá p ứ ng tạ i bướ c só ng 0,9 m
b) Cô ng suấ t quang thu đượ c nếu dò ng photo trung bình thu đượ c là 10−6 A
4.5. Mộ t photodiode APD, có hiệu suấ t lượ ng tử là 80% tạ i bướ c só ng 0,9 m. Khi
có AS đến có cô ng suấ t là 0,5 W, nó tạ o ra dò ng photon 11A (sau quá trình
nhâ n). Xá c định hệ số nhâ n củ a thiết bị.
4.6. Mộ t photodiode APD, có hiệu suấ t lượ ng tử là 45% tạ i bướ c só ng 0,85 m.
Khi có AS đến, nó tạ o ra dò ng photo 10A sau quá trình nhâ n vớ i hệ số nhâ n là
250 lầ n. Tính:
4.7- Bộ thu quang sử dụ ng photodiode p-i-n Si có hiệu suấ t lượ ng tử 65% khi hoạ t
độ ng tạ i bướ c só ng 0,85 m. Dò ng tố i củ a thiết bị tạ i điểm là m việc là 2 nA và điện
trở tả i là 4 k. Cô ng suấ t quang đến tạ i bướ c só ng nà y là 180nW và bă ng tầ n
nhiễu hiệu dụ ng củ a bộ thu là 5MHz.
4.9. Xét mộ t nguồ n thu 1,31µm PIN InGaAs có độ rộ ng bă ng tầ n 20MHz, hiệu suấ t
lượ ng tử 70%, dò ng tố i 4nA, điện trở tả i là 1kΩ. Cô ng suấ t quang chiếu và o là
300nW.
c. Cô ng suấ t tín hiệu điện, cô ng suấ t nhiễu nổ , cô ng suấ t nhiễu nhiệt là bao nhiêu
tạ i 200 C ?
a. Hệ số đá p ứ ng củ a APD
d. Cô ng suấ t thu nhỏ nhấ t mà bộ thu có thể đả m bả o BER = 10−12 . (giả thiết P0= 0
và I D đượ c chọ n tố i ưu)