Professional Documents
Culture Documents
EE3165-IC FAB-DesignS1-21-22-HW1
EE3165-IC FAB-DesignS1-21-22-HW1
EE3165-IC FAB-DesignS1-21-22-HW1
Thiết kế vi mạch
(tên hiện tại: Quy trình sản
Homework #1
xuất vi mạch)
EE3165 (mã mới) Lecturer: Hoang Trang hoangtrang@hcmut.edu.vn
Student name and ID Deadine: 23h59 phút, thứ 5,
02/09/2021
Note:
Viết bài giải trên giấy phù hợp để đọc được rõ.
Thể hiện cách làm, kết quả. Không chép bài làm của người khác.
Không nộp HW đúng hạn tối thiểu 3 lần: cấm thi cuối kỳ.
I. Xem chapter 1- sách về FAB (trên BK-elearning), và làm các bài tập sau: (tổng: 13 câu)
+ Từ 1.1 đến 1.8
+ Từ 1.10 đến 1.13
+ Bài 1.14, trong đó, vẽ thêm Mask Alignment trong mỗi mask và giải thích tác dụng của Mask
Alignment.
Hãy đưa 1 số ví dụ để làm rõ thêm tác dụng của Mask Alignment.
II. Xem chapter 2- sách về FAB (trên BK-elearning), và làm các bài tập sau (4 câu)
Sẽ thảo luận các bài tập vào 1 trong các buổi học kế tiếp