제8장 전계 효과 트랜지스터(FETs)

* 차례
8-1 JFET (접합 전계효과 트랜지스터)
8-2 JFET 특성과 파라미터
8-3 JFET 바이어스
8-4 저항영역
8-5 MOSFET(금속-산화물-반도체 FET)
8-6 MOSFET 특성과 파라미터
8-7 MOSFET 바이어스
8-8 IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
8-9 고장진단, 응용연습

․ BJT : 전자전류와 정공전류 둘 다 이용 ; 전류제어 소자.

․ FET : 하나의 전하 캐리어만 이용 ; 전압제어 소자.
장점 : 입력저항이 매우 크다.
- 저전압 스위칭에 주로 사용.
․ IGBT : 전압제어 소자.
- MOSFET와 BJT의 특성을 함께 가지고 있어서
고압, 대전류 스위칭 응용에 사용.

8-1 JFET (접합 전계효과 트랜지스터)

․ Gate-Source pn 접합을 역방향 바이어스시켜 채널전류 제어.
․ 종류 : n-채널 FET와 p-채널 FET.
[1] 기본구조
․ 그림 8-1 JFET의 두가지 유형의 기본구조.

- 1 -
[2] 기본 동작
․ 그림 8-2 바이어스된 n채널 JFET

․ D-S 사이에 VDD 인가 → D에서 S로 전류 흐름.

․ G-S 사이에 역방향 전압 VGG 인가.
→ G-S 접합에 역방향 바이어스
→ ∴ 공핍층 증가
→ 채널 단면적(폭) 감소
→ 저항 증가.
․ 즉, 게이트 전압 변화에 의해 채널폭이 변하고, 그에 따라 저항이
변하여 드레인 전류 ID가 제어.

․ 그림 8-3 VGG에 의한 채널폭, 저항 및 드레인 전류의 변화 (VGG=VGS)

- 2 -
[3] JFET의 기호
․ 그림 8-4 JFET의 기호

8-2 JFET 특성과 파라미터

[1] 드레인 특성곡선
․ 그림 8-5 VGS=0V에서 핀치-오프 특성을 갖는 드레인 특성 곡선.

VGS=0V 일 때;
i) if VDD=0 → ID=0 ; 점 A.
ii) VDD가 증가하면 → ID도 비례적으로 증가.
; 이 영역에서는 공핍영역효과가 그리 크지 않으므로
채널저항은 거의 일정 : 저항영역(Ohmic Region).
iii) 점 B : Pinch-off ; 양쪽 공핍층이 서로 맞닿아 채널이 없어짐.
→ ID는 일정 : 활성영역(일정전류영역: Constant Current Region).
iv) VDS가 더욱 증가하면 → 양쪽 공핍층이 Overlap → pinch-off 점이 이동
→ ID는 거의 일정.
v) VDS가 계속 증가 → Breakdown (항복) (점 C) → 전류가 급격히 증가
→ JFET 손상.

- 3 -
그림 8-6 VGS=0V 일 때 JFET의 동작 특성.

[2] 핀치-오프 전압
․ 핀치-오프 전압 VP :
VGS=0V 일 때 ID를 일정하게 하는 곡선의 점(그림 8-5 (b)의 점 B)에서의
VDS값(고정값).
․ IDSS : 핀치-오프 전압값 VP에서의 드레인 전류값.
(게이트 단락(short)시 D-S 전류)
- 외부 회로에 관계없이 일정.
- VGS=0V에서 JFET의 최대 드레인 전류.

- 4 -
[3] 항복 현상
․ 그림 8-5 (b)의 점 C에서 VDS가 증가함에 따라 ID가 급격히 증가
: 항복(Breakdown) → JFET 손상.
→ ∴ JFET는 항상 항복현상이 발생하는 점 C 이하의 일정 전류영역
(그래프의 점 B와 점 C 사이)에서 동작되어야 한다.
[4] VGS에 의한 ID 제어
․ 그림 8-7 VGS가 (-)값으로 증가하면, 더 낮은 VDS값에서 핀치-오프 발생.

․ VGG를 인가하여 VGS가 부(-)의 값으로 증가하면,

→ 공핍영역 증가 → 채널폭 감소 → ID 감소.
․ VGS가 (-) 값으로 증가하면, VP 보다 작은 VDS값에서 핀치-오프에 도달.

․ 그림 8-8 VGS에 의한 ID 제어.

- 5 -
[5] 차단 전압
․ 차단전압(Cutoff Voltage) VGS(off) ; ID값이 거의 0이 될 때의 VGS 값.
․ JFET는 VGS(off) ≦ VGS ≦ 0V 에서 동작.
→ 0 ≲ ID ≦ IDSS 사이에서 변화.
․ VGS가 (-)로 충분히 크면, → 공핍영역이 증가
→ 양쪽 공핍영역이 서로 맞닿아 채널이 없어짐
→ ID는 거의 0. ; 차단 (그림 8-9)

․ 그림 8-9 차단 상태 JFET

․ p채널 JFET ; VDD가 (-), VGS가 (+)로 n채널과 반대.(그림 8-10)

․ 그림 8-10 p채널 JFET의 바이어스

[6] 핀치-오프 전압과 차단 전압의 비교

․ VP : VGS=0V 일 때의 VDS값 (일정)
․ VGS(off) : VGS≠0V인 경우, VP 보다 낮은 VDS값에서 핀치-오프 발생.
→ ∴ ID가 일정해지는 VDS의 최소값은 VGS에 따라 다름.
․ VGS(off) 와 VP 는 크기는 항상 같지만, 부호는 반대.
ex) VGS(off) = -5V 이면, VP = +5V.

- 6 -
[예제 8-1] 그림 8-11. VGS(off) = -4V, IDSS = 12㎃. VGS=0V 인 일정 전류
영역에서 소자가 동작하기 위한 VDD의 최소값을 구하라.

[풀이] ․ VGS(off) = -4V 이므로, VP = +4V.

→ ∴ 일정전류이기 위한 VDS의 최소값은 VDS = VP = +4V.
․ VGS=0V 인 일정전류 영역에서 ID = IDSS = 12㎃.
∴          
․ by KVL,              
[예제 8-2] p채널 JFET의 VGS(off) = +4V이다.
VGS=+6V일 경우 ID는 얼마인가?
[풀이] ․ VGS가 (+)로 점점 증가할수록 ID는 감소.
․ VGS = VGS(off) = +4V일 때, ID = 0.
⇒ ∴ VGS 가 (+)로 더욱 증가해도 ID = 0.

[7] JFET의 전달 특성
․ 그림 8-12 JFET 전달 특성 곡선 (n 채널) ; ID-VGS 특성 곡선.

․ 특성곡선의 하단 끝은 VGS 축 상에 있고, 그 값은 VGS(off) ; where ID = 0.

상단 끝은 ID 축 상에 있고, 그 값은 IDSS ; where VGS = 0.
∴ VGS = VGS(off) 일 때,    .


VGS = 0.5VGS(off) 일 때,    .



VGS = 0.3VGS(off) 일 때,    .

VGS = 0V 일 때,      .

- 7 -
․ 드레인 특성곡선으로부터 전달 특성곡선을 구하는 방법 ; 그림 8-13.

- 전달 특성곡선 위의 각 점은 드레인 특성곡선의 특정 (VGS,ID) 값과 일치.

ex) VGS=-2V 일 때, ID = 4.32㎃
또, VGS(off) = -5V (for ID = 0),
IDSS = 12㎃ (for VGS = 0).

․ 전달 특성곡선에 대한 근사식 (포물선 형태)




 ≅    
   ; Square-law 법칙 (8-1)

- 이 식에서 VGS(off) 와 IDSS를 알면 (from JFET 규격표),

특정 VGS에 대한 ID를 구할 수 있다.

- 8 -
․ 그림 8-14 JFET 규격표. (책의 규격표와 조금 다름)

- 9 -
[예제 8-3] 그림 8-14의 2N5459 JFET 규격표에서, IDSS=9㎃, VGS(off)=-8V
(최대)이다. VGS = 0, -1V, -4V에 대한 ID를 구하라.
[풀이] i) for VGS = 0, ID = IDSS = 9㎃.
ii) for VGS = -1V, by 식(8-1),



 ≅    
   = (9㎃) 
  
 
= (9㎃)(1-0.125)2 = (9㎃)(0.766) = 6.89㎃.
iii) for VGS = -4V,

  (9㎃)     = (9㎃)(1-0.5)2 = (9㎃)(0.25) = 2.25㎃.

 

[8] JFET의 순방향 전달 컨덕턴스

․ 순방향 전달 컨덕턴스 (Transconductance) gm ;
VDS가 일정할 때, △VGS에 대한 △ID의 비. 단위 : [S, Simens, 지멘스].
∆
즉,     : FET의 전압이득을 결정하는 중요인자 (제9장 참조).
∆ 

․ JFET의 전달 특성곡선이 비선형이므로,

gm은 VGS의 위치에 따라 다름 (그림 8-15).

․ 그림 8-15 바이어스점(VGS)에 의한 gm의 변화.

․ 곡선 윗부분(VGS=0 부근)에서의 gm 값
> 곡선 아랫부분(VGS(off) 부근)에서의 gm 값.
․ 규격표에서는 보통 VGS=0V에서의 gm 값 (gmo)을 사용.
ex) 2N5457인 경우, VDS=15V에서 최소 gmo(gfs)= 1,000μS.

- 10 -
․ 임의 점에서의 근사적인 gm 값.


     
   (8-2)

․ gmo 값을 이용할 수 없는 경우,


   (8-3)
  

[예제 8-4] 그림 8-14의 2N5457 JFET 규격표에서 IDSS=3.0㎃,

VGS(off)=-6V, gmo=gfs=yfs(max)=5,000μS이다. VGS=-4V에서의 gm과
이 점에서의 ID를 구하라.
[풀이] ․ gmo=yfs(max)=5,000μS이므로, by 식(8-2),


     
   = (5,000μS) 
   = 1,667μS.
 
․ by 식(8-1),



 ≅    
   = (3.0㎃) 
   = 333㎂.
 

[9] 입력저항과 커패시턴스

․ JFET의 G-S는 역방향 바이어스로 동작
→ ∴ 게이트에서의 입력저항은 매우 큼.
⇒ ∴ 고입력저항 : BJT에 비해 장점.
참고) BJT는 B-E 접합이 순방향 바이어스로 동작.

․ 입력저항 : ∈  
    


where    : 임의의 VGS에서의 게이트 역방향 전류.

- 예를 들어, 그림 8-14의 2N5457 규격표에서,
o
     @ 25 C 일 때, 최대      이다.
온도↑ →    ↑ → ∈ ↓.
․ 입력 커패시턴스 :   : 역방향 바이어스된 pn 접합의 커패시턴스.
- 역방향 전압의 크기에 비례.
- 예를 들어, 그림 8-14의 2N5457 규격표에서,
     일 때, 최대     .
[예제 8-5] 어떤 JFET가 VGS=-20V에서 IGSS=-2㎁이다. 입력저항을 구하라.

  
   
[풀이] ∈          .
    

- 11 -
[10] 교류 드레인-소스 저항
․ 드레인 특성곡선에서 핀치-오프 위의 영역(포화영역)에서, ID는 거의 일정.
→ ∴ VDS가 크게 변해도 ID의 변화는 작다 (저항이 크다).
∆  
․ 교류 D-S 저항 ; ′  
∆


․ 다른 이름 : 출력 컨덕턴스 gos(= ), or 출력 어드미턴스 yos.

8-3 JFET 바이어스
․ 바이어스의 목적 : DC VGS를 선택하여 원하는 ID값과 적정 Q점 결정.
․ 종류: 자기 바이어스, 전압분배 바이어스, 전류원 바이어스.

[1] 자기 바이어스 (Self-Bias) : 가장 일반적 유형.

․ JFET는 G-S 접합이 역방향 바이어스되어 있어야 동작.
VGS : (-) for n채널 JFET
(+) for p채널 JFET
․ 그림 8-16 자기 바이어스된 JFET (IS=ID)

․    이므로,      에 의해        .
1) for 그림 8-16 (a) n채널 JFET
   이므로           .
∴                   : (-)
한편,          .
∴                             .
2) for 그림 8-16 (b) P채널 JFET
           .
∴                  : (+)

- 12 -
[예제 8-6] 그림 8-17에서 ID=5㎃ 일 때, VDS와 VGS를 구하라.

[풀이] VS = RSID = (220Ω)(5㎃) = 1.1V

VD = VDD-RDID = 15V - (1㏀)(5㎃) = 15V - 5V = 10V
∴ VDS = VD-VS = 10V - 1.1V = 8.9V
VGS = VG-VS = 0V - 1.1V = -1.1V

[2] 자기 바이어스된 JFET의 Q점 결정

․ JFET 의 바이어스 점은
i) 특정 VGS 값에 대한 ID의 값
or, ii) 특정 ID 값에 대한 VGS의 값
으로 결정.

․ RS 값의 결정 :   

  


․ VGS 값에 대한 ID의 결정 방법
1) 특정 JFET 의 전달 특성곡선으로부터 결정 (예제 8-7).
or,
2) JFET 규격표에서 IDSS와 VGS(off)를 구하여 식(8-1)로 결정 (예제 8-8).

[예제 8-7] 그림 8-18의 n채널 JFET의 전달 특성곡선으로부터, VGS = -5V

에서 자기 바이어스될 수 있는 RS 값을 구하라.

- 13 -
[풀이] from 그래프, VGS = -5V 일 때, ID = 6.25㎃.

  
∴     

 
 
  .


[예제 8-8] IDSS=25㎃, VGS(off)=15V인 p채널 JFET가 자기 바이어스되는 데
필요한 RS 값을 구하라. VGS = 5V 이다.

[풀이] by 식 (8-1),

      = (25㎃)   
   
= (25㎃)(1-0.333)2 = 11.1㎃

  
∴     




  
[3] 중간점 바이어스 (Midpoint Bias)

․ JFET의 바이어스는    가 되는 전달 특성곡선의 중간점에서

바이어스시키는 것이 좋음.
∵ I D 의 스윙을 I DSS 와 0 사이에서 최대로 할 수 있다.
․ from 식 (8-1),
 
  
 ≅   
   
    
  
   이므로,

   
  일 때,    (즉, 중간점 바이어스)가 됨.
 

- 14 -
 
․ 한편 중간점 드레인 전압 (   )을 위해서는

원하는 전압강하가 되도록 RD값 결정.

․ 종속 증폭기(cascade amplifier) 연결 시,
구동단이 부하로 작용하는 것을 방지하기 위해 RG는 큰 값을 사용.

[예제 8-9] 그림 8-14의 규격표를 참고하여, 그림 8-19가 근사적으로 중간

점 바이어스를 갖도록 RD, RS값을 결정하라.
단, JFET는 2N5457이고, VD는 6V (VDD의 반)가 되어야 한다.

[풀이] From 규격표,    ,    

for 중간점 바이어스,
 
 ≅     
 
    
 ≅ =
 
= -147㎷


  

 
∴       
  
또, VD = VDD-RDID
     
∴ RD = = = 12㏀.
 

- 15 -
[4] 자기 바이어스된 JFET의 그래프 해석
․ 전달 특성곡선과 파라미터들을 사용하여
자기 바이어스된 회로의 Q점(      )을 결정.
․ 그림 8-20 자기 바이어스된 JFET와 전달 특성곡선

1) DC 부하선 결정
i) ID = 0에서, VGS = VG-VS = 0 - RSID = -(470Ω)(0) = 0V
⇒ 그래프의 원점 (VGS=0, ID=0).
ii) from 규격표, IDSS를 찾아 ID=IDSS에서의 VGS 계산.
from특성 곡선, IDSS = 10㎃.
∴ VGS = -RSID = -(470Ω)(10㎃) = -4.7V
⇒ 그래프의 두 번째 점 (VGS=-4.7V, ID=10㎃).
2) 전달 특성곡선의 그래프에 두 점을 잇는 부하선을 그린다.
3) 전달 특성곡선과 부하선의 교차점이 회로의 Q점 (그림 8-21).
-그림 8-21 자기 바이어스 직류 부하선과 전달 특성곡선의 교차점 (Q점).

- 16 -
[예제 8-10] 그림 8-22 (a)에서 JFET에 대한 Q점을 구하라.
전달 특성곡선은 그림 8-22 (b)이다.

[풀이] ․ ID = 0에서, VGS = -RSID = -(680Ω)(0) = 0V

∴ 원점 (VGS=0, ID=0).
․ from 그림 8-22 (b),
IDSS = 4㎃ ⇒ ∴ ID = IDSS = 4㎃에서
VGS = -RSID = -(680Ω)(4㎃) = -2.72V
∴ 두 번째 점 (VGS=-2.72V, ID=4㎃).
․ 두 점을 잇는 부하선을 긋고, 교차점에서 VGS와 ID를 구한다.
∴ Q점 (VGS=-1.5V, ID=2.25㎃).

[5] 전압 분배 바이어스
․ 그림 8-23 전압 분배 바이어스된 n채널 JFET (IS=ID)

․ G-S 접합을 역방향 바이어스시키기 위해서는 VG<VS 이어야 한다.

즉, VGS = VG-VS < 0 이기 위해서는 VG<VS 이어야 함.

- 17 -
 
․ VS = RSID ⇒ ID =

․ by 전압 분배 법칙,

   
   
․ VGS = VG-VS ⇒ VS = VG-VGS
  
∴  

  
․ 또는 VD = VDD-RDID ⇒ ∴  

[예제 8-11] 그림 8-24 전압 분배 바이어스된 JFET 회로에서
VD=7V가 되도록 ID와 VGS를 구하라.

      = 
[풀이] ․   = = 1.52㎃.
  
․ VS = RSID = (2.2㏀)(1.52㎃) = 3.34V.
 
․     =   (12V) = 1.54V.
     
․ VGS = VG-VS = 1.54V - 3.34V = -1.8V.

[6] 전압분배 바이어스된 JFET의 그래프 해석

⋅전달 특성곡선으로 부터 회로의 Q점(      ) 결정.

⋅전압분배 바이어스의 경우, 전압분배에 의해      ≠ 0.
   

- 18 -
⋅전압분배 DC 부하선의 결정.
ⅰ) ID=0에서, VS = RSID = RS(0) = 0V
VGS = VG - VS = VG - 0V = VG
⇒ ∴ 한 점 (VGS=VG, ID=0).
ⅱ) VGS=0에서, VGS = VG - VS = VG - RSID
   
∴   =
 

⇒ ∴ 두번째 점 (VGS=0,  = ).


⋅그림 8-25 전압분배 바이어스된 JFET의 dc 부하선

[예제 8-12] 그림 8-26 (a)와 같이 전압분배 바이어스된 JFET의

근사 Q점을 구하라. 전달 특성곡선은 그림 8-26 (b)와 같다.

- 19 -
 
[풀이] ⋅ID=0에서,        
   

       .
  
∴ 첫번째 점 (VGS=4V, ID=0).
    
⋅VGS=0에서,   = = = 1.2㎃.
  
∴ 두번째 점 (VGS=0, ID=1.2㎃).
⋅두 점을 잇는 부하선을 긋고, 교차점에서 VGS와 ID를 구한다.
∴ Q점 (VGS≅-1.8V, ID≅1.8mA)
[7] Q점의 안정도
⋅그림 8-27. 2N5459 JFET의 전달특성곡선 변화와 Q점에 미치는 영향.

⋅그림 8-28 : 최대 Q점과 최소Q점 사이의 ID 변화는 전압분배 바이어스가

자기 바이어스보다 훨씬 작다.

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⋅동일한 JFET (ex 2N5459)라 하더라도 교체시에는 전달특성곡선이 크게
달라질 수 있다. → ∴ 최소 바이어스 점 Q1과 최대 바이어스 점 Q2 사이
의 부하선 상에 Q점을 갖게 된다.

⋅부하선의 기울기가 자기 바이어스에 비해 전압분배 바이어스가 더 작으므

로, Q점의 변화에 대한 ID의 변화는 전압분배 바이어스가 더 작아서 훨씬
안정적.

[8] 전류원 바이어스

⋅    값에 관계없이  가 임의의 전달 특성곡선에 대해 일정하게 유지.
⋅그림 8-29 (a)전류원 바이어스 회로에서,
- JFET와 BJT를 직렬로 연결.
if   ≫   ,  가 일정. → ∴ BJT는 정전류원으로 동작.

    
즉,    ≅  →  ≅  이므로, ∴  ≅  로 일정(그림 (b).
  

[예제 8-13] 그림 8-29의 전류원 바이어스 회로에서,

                일 때,         가
되도록  와  값을 구하라.

 
[풀이] ⋅        .
 

 
    
⋅        .
 

8-4 저항영역
⋅옴의 법칙이 성립되는 FET 특성곡선의 한 부분. : 그림 8-30.
- 이 영역의 특성곡선은 작은  값에서 비교적 일정한 기울기를 가짐.
    
기울기(D-S 컨덕턴스) =    ≅  → ∴     ≅  .
   
⋅저항영역에서 동작하도록 바이어스되었을 때, JFET는 가변저항 특성.
→ 저항값은    에 따라 달라진다(전압제어 가변저항). : 그림 8-31.
⋅    가   를 제어.
-직류 부하선이 저항영역에서 특성곡선의 대부분과 교차하기 위해,
직류포화전류    은    보다 매우 작은 값으로 설정.

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    
         .
 

- 그림 8-31의 저항영역에서,
부하선을 따라 이동하면서, Q점이 서로 다른 기울기의 특성곡선에 위치.
→ ∴    에 따라   의 값이 변함.
즉, 기울기 ↓ →  ↓,    ↑ → ∴   ↑
*원점에서의 Q점. : 생략.

8-5 MOSFET (IGFET)

⋅종류 : 증가형(E-MOSFET) : 그림 8-34, 그림 8-35, 그림 8-39.
공핍형(D-MOSFET) : 그림 8-36, 그림 8-37, 그림 -38.
전력형(Power-MOSFET) : LDMOSFET(그림 8-40),
VMOSFET(그림 8-41).
TMOSFET(그림 8-42).
이중게이트형(Dual-Gate MOSFET) : ⋅입력커패시턴스를 감소시켜
RF 증폭기에 사용. 그림 8-43.

⋅그림 8-34 n 채널 E-MOSFET의 구조와 동작

⋅그림 8-35 E-MOSFET의 기호.

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⋅그림 8-39 일반적인 E-MOSFET 구조 단면도.

⋅그림 8-36 공핍형 MOSFET의 기본 구조.

⋅그림 8-37 n 채널 D-MOSFET의 동작.

⋅그림 8-38 공핍형 MOSFET의 기호.

- 23 -
⋅그림 8-40 LDMOSFET 구조 단면도.

⋅그림 8-41 VMOSFET 구조 단면도.

⋅그림 8-42 TMOSFET 구조 단면도.

⋅그림 8-43 이중 게이트형 n 채널 MOSFET의 기호.

- 24 -
8-6 MOSFET 특성과 파라미터
[1] E-MOSFET의 전달특성
⋅ VGS : (+) for NMOS
(-) for PMOS
⋅ 전달 특성곡선 : 그림 8-44.

VGS ≦ VT (VGS(th))에서는 ID = 0.
⋅ 전달 특성곡선 식 :              (8-4)
where K는 MOSFET의 종류에 따라 다름.
VGS 값이 주어졌을 때, 규격표(참고그림 1)에서 ID(on) 이라는
ID 값을 가져와 식(8-4)에 대입하여 구함.
⋅ 참고그림 1 2N7008 n 채널 E-MOSFET(T-MOSFET 구조)의 규격표.

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[예제 8-16] 2N7008 E-MOSFET 규격표에서 VGS = 10V일 때
ID(on) = 500㎃(최소값)이고, VGS(th) = 1V임을 알 수 있다.
VGS = 5V일 때 ID를 구하라.
[풀이] ⋅by 식 (8-4),
   
K = 
= 
 
= 6.17㎃/V2.
          
⋅                       .

[2] D-MOSFET의 전달특성 (생략)

[3] 취급상의 주의점
⋅ 정전기에 의한 손상 방지

8-7 MOSFET 바이어스

⋅전압분배 바이어스
⋅드레인 귀환 바이어스

[1] E-MOSFET의 바이어스

⋅그림 8-46 E-MOSFET 바이어스 방법.

⋅그림 8-46 (a) 전압분배 바이어스.



    
    
          
             ; 식 (8-4)

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⋅그림 8-46 (b) 드레인 귀환 바이어스
IG = 0 ⇒ ∴ VRG = 0 ⇒ ∴ VGS = VDS - VRG = VDS.

[예제 8-18] 그림 8-47의 E-MOSFET 회로에서 VGS와 VDS를 구하라. 단,

MOSFET가 VGS=4V에서 ID(on) = 200㎃의 최소값을 갖고,
VGS(th)=2V를 갖는다고 가정.

[풀이] ⋅by 전압분배법칙,

 
        = 3.13V
     
⋅from 식 (8-4),
      = 50㎃/V2
K = 
=
           
⋅VGS = 3.13V 일 때의 ID ;
2 2
             = (50㎃/V )(3.13V-2V)
= (50㎃/V2)(1.13V)2 = 63.8㎃
⋅           = 24V - (200Ω)(63.8㎃) = 11.2V

[예제 8-19] 그림 8-48에서 드레인 전류 ID를 구하라.

MOSFET의 VGS(th)=3V이다.

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[풀이] ⋅전압계가 VGS=8.5V를 가리킴.
⋅드레인 귀환 회로이므로, VDS = VGS = 8.5V
  
∴       = 1.38㎷
 

[2] D-MOSFET의 바이어스(생략)

* FET의 요약 ; P.566 ∼ P.567

8-8 IGBT : 생략
8-9 고장진단, 응용연습 : 생략

요약, 주요용어, 주요공식, 회로동작퀴즈, 자습문제 : Self-Study

Report : 문제 : 5, 7, 12, 17, 19, 21, 27, 37, 41 (9문제)

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