TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

VIỆN ĐIỆN

**********

BÀI BÁO CÁO BÀI TẬP LỚN

Giảng viễn hướng dẫn: PGS.TS. Nguyễn Quốc Cường

Sinh viên thực hiện : Nguyễn Danh Nam

Mã số sinh viên : 20191978

Hà Nội, 06/2021

1
Mục lục
1.Thiếu kế mạch………………………………………………………….3
1.1.Sơ đồ mạch……………………………………………………………3
1.2.Khối tiền khuếch đại………………………………………………….3
1.3. Khối khuếch đại đệm…………………………………………………5
1.4. Khối khuếch đại công suất……………………………………………6
2.Kết luận………………………………………………………………...6

2
 Phần 1.Thiết kế mạch
1.1.Sơ đồ mạch:

Hình 1: Sơ đồ khối mạch khuếch đại âm thanh

Hình 2: Sơ đồ mạch mô phỏng LTspice

1.2.Khối tiền khuếch đại
Nhận tín hiệu và khuếch đại tín hiệu lên nhiều lần, ở đây thiết kế mạch khuếch đại
sao cho hệ số khuếch đại là Av≈40.

3
 Hình 3: Tín hiệu đầu vào và đầu ra sau khi đi qua khối
Khối này sử dụng transistor 2N2222, thông dụng trên các mạch mô phỏng. Theo
datasheet ta có β2N2222=200.
Ở chế độ DC:

Ta có U CE  12  IC (R C  R E )  7(V)
 I C (R C  R E )  5(V)

Hệ số khuếch đại Av≈40:

R C RC
AV  
rE  (1  )R E rE  R E
Ở chế độ AC: .
I C0 
Ta chọn 1 (mA), để β=200.
12  6 26.103 V
I C0  3
 10 (mA) Er   26
RE  RC I C0
; (Ω).
RC
40 
Nên rE  R E , mà rE =26(Ω)

Ta chọn R C =4000(Ω) nên R E =74(Ω). Ta chọn R C =4000(Ω), R E =80(Ω).

Tính lại ta có IC =1 (mA), rE =26(Ω).

4
 I C0 3
 I B0   10  5.106
 200 (A)

VCC  VBE  I E * R E 12  0.67  74*103

 RB    2251200
IB O 5*106
(Ω).

Chọn R B =2.251(MΩ)
1.3. Khối khuếch đại đệm
Khối này có hệ số khuếch đại mạch Av≈1 nhưng có Zin rất lớn và Zout nhỏ để có thể
đưa vào khối khuếch đại công suất cuối cùng.
Ở chế độ DC

Ta có 1  200, 2  200 .
V CC  U CE3  I E3 R E  I E3 R E  V CC  U CE3
VCC  U CE 2  U BE  I E3 R E  U CE 2  VCC  U BE  IE3 R E
R4
U td  U CC *
Ta có R 4  R 5 =2* U BE + IC3 R E

Chọn U td =7(V), R 5 =1000(kΩ) nên ta có R 4 =1400

Chọn R E =200(Ω)
I C3
 =0.03165(A)
 rE3 =0.821(Ω)
4
I C2
 =1.5825. 10 (A)
 rE 2 =164(Ω)
7
 I B =7.9125. 10 (A)
 R B =8.8(MΩ)

5
 Hình 4: Khối khuếch đại đệm

Xét chế độ AC:

Ta có Zin= R B / /(12 R E ) mà R B =8.8(MΩ), 1  2 =200, R E =200(Ω)
 Zin=4.2(MΩ)

rE 2
Zout= rE3 +  =1.64(Ω)
Nhận xét :Zin của khối khuếch đại đệm lớn hơn rất nhiều so với Zout của khối, vì vậy
tín hiệu gần như không bị suy giảm, tạo thuận lợi để đi vào khối khuếch đại công
suất cuối cùng.

1.4. Khối khuếch đại công suất

Khối này có tác dụng đưa công suất ra tải, sử dụng hai transistor 2N2222(NPN) và
2N2907(PNP)
Điện trở R7, R8 và 2 diode có tác dụng phân cực cho transistor, làm cho 2 transistor
luôn sẵn sàng làm việc.
U BE1   U BE2  0.67(V)
;
Ta có VCE  6(V)
VCC  VCE 12  6
ICMax    0.075(A)
RL 80
mà β=200, Idiode=3.5(mA)
ICC
I R  I diode  I B  Idiode   3.875(mA)
 

6
 VCC  VCE1  VBE2 12  6  0.67
R6  R7    1375()
 IR 3.875*103 , chọn R 6  R 7  1375()

Hình 5: Sơ đồ khối của mạch

Hình 6. Tín hiệu đầu vào và đầu ra cuối cùng

Phần 2 . Kết luận

7
Với các thông số trên, mạch hoạt động đúng ở tầng 1 khi khuếch đại dòng điện
lênđược 9 V. Thêm vào đó, điện áp tầng 1 không méo, ngược pha với tín hiệu đầu
vào
Tầng số 2 hoạt động tương đối tốt.
Ở tầng 3 tín hiệu sau khi khuếch đại so với đầu vào, ở đầu ra chỉ tăng 30 lần so với
40 lần ở đầu vào.
Trong quá trình tiến hành tính toán và mô phỏng , bài làm của em khó tránh khỏi
thiếu sót , mong thầy chỉ ra lỗi sai.Em xin chân thành cảm ơn!