POLITECHNIKA WARSZAWSKA

Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Instytut Systemów Elektronicznych

Cezary Sałbut
Numer albumu: 206188

Praca inżynierska

Zasilacz impulsowy o programowanym

napięciu wyjściowym

Praca wykonana pod kierunkiem:

mgr inż. Maciej Radtke

Warszawa, 2011
Zasilacz impulsowy o programowanym napięciu wyjściowym
Celem niniejszej pracy było zaprojektowanie i zbudowanie sterowanego cyfrowo zasilacza
impulsowego, o napięciu wyjściowym regulowanym w szerokim zakresie. Architekturę urządze-
nia oparto na mikrokontrolerze ogólnego przeznaczenia z rdzeniem ARM Cortex–M3, odpo-
wiadającym za najważniejsze funkcje — kontrolę analogowego układu przetwarzania energii
oraz obsługę cyfrowego interfejsu użytkownika. Do stabilizacji napięcia wyjściowego użyty
został regulator PID, zaimplementowany w programie wykonywanym przez mikrokontroler.
Istotną zaletą zasilacza jest możliwość przetwarzania zmiennego napięcia sieciowego 230V na
niskie napięcia stałe (nawet poniżej 1V) ze sprawnością energetyczną znacznie przewyższającą
możliwości liniowych układów stabilizujących.

Switched–mode power supply with programmable output voltage

The aim of this thesis was to design and build a digitally controlled switched–mode power
supply, with output voltage adjustable over a wide range. Device architecture is based on
a general purpose microcontroller incorporating ARM Cortex–M3 core, which is responsible
for main tasks — control of analog energy conversion circuit and digital user interface. In
the voltage stabilization process, software PID controller which runs on the microcontroller
is used. An important advantage of the power supply is the ability to convert 230V mains
voltage to low DC voltages (even below 1V) with energy efficiency far exceeding capabilities
of linear regulators.
Spis treści
1 Wstęp 5

2 Założenia projektowe 6

3 Przegląd istniejących rozwiązań 7

3.1 Układy przekazywania energii . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.1.1 Dwutaktowa transformatorowa przetwornica zaporowa . . . . . . . . . 7
3.1.2 Jednotaktowa transformatorowa przetwornica przepustowa . . . . . . . 9
3.1.3 Transformatorowe przetwornice przeciwsobne . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.1.4 Przetwornica mostkowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.1.5 Przetwornica półmostkowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3.1.6 Przetwornice beztransformatorowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3.2 Porównanie transformatorowych układów przekazywania energii . . . . . . . . 15
3.3 Wybór typu przetwornicy dla potrzeb niniejszej pracy . . . . . . . . . . . . . . 16
3.4 Układy kontroli i stabilizacji . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
3.5 Wybór metody kontroli i stabilizacji . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
3.6 Płyty czołowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.7 Wybór elementów płyty czołowej . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.8 Podsumowanie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

4 Konstrukcja układu 24
4.1 Transformator impulsowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.1.1 Dobór rdzenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.1.2 Częstotliwość pracy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.1.3 Przekładnia napięciowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4.1.4 Indukcyjności uzwojeń . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
4.1.5 Liczby zwojów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
4.1.6 Drut nawojowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2 Wykonanie transformatora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.2.1 Pomiar indukcyjności uzwojeń . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.3 Układ gaszący . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.3.1 Analiza działania przetwornicy bez układu gaszącego . . . . . . . . . . 35
4.3.2 Wybór układu gaszącego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.3.3 Symulacje i testy układu gaszącego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.4 Główny tranzystor kluczujący . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.4.1 Sterownik tranzystora mocy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4.5 Obwód wyjściowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.5.1 Dioda obwodu wyjściowego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.5.2 Kondensatory obwodu wyjściowego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.6 Zasilacz sieciowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.6.1 Napięcie wyjściowe zasilacza sieciowego . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
 4.7 Kontroler PWM i pętla sprzężenia zwrotnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.7.1 Pomiar napięcia wyjściowego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.7.2 Generacja sygnału PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.7.3 Ograniczenie nadprądowe po stronie pierwotnej . . . . . . . . . . . . . 49
4.8 Interfejs użytkownika — warstwa sprzętowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.9 Pomocnicze źródła napięcia zasilającego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

5 Oprogramowanie 53
5.1 Określenie wymagań dla programu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.2 Projekt i konstrukcja programu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.2.1 Moduł inicjalizacji i konfiguracji mikrokontrolera . . . . . . . . . . . . 55
5.2.2 Moduł przetwarzania energii . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.2.3 Metoda kontroli współczynnika wypełnienia sygnału PWM przełącza-
jącego tranzystor mocy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
5.2.4 Moduł interfejsu użytkownika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
5.2.5 Integracja modułów programu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

6 Podsumowanie i wnioski 68
6.1 Zakres regulacji napięcia wyjściowego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
6.2 Moc wyjściowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
6.3 Reakcja na zmiany obciążenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
6.4 Wnioski . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
6.5 Dalsze prace nad projektem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

Dodatki 77

A Moc, jaką można uzyskać z transformatora impulsowego w układzie typu

flyback 77

B Protokół pomiarów transformatora 80

C Kompletny schemat układu 81

D Fotografie wykonanego układu 82

1 Wstęp
Elektronika jest gałęzią techniki która doświadczyła niebywałego, nieobserwowanego w in-
nych dziedzinach rozwoju. Postępuje on z niezwykłą szybkością już od kilkudziesięciu lat i nic
nie wskazuje na to, by miał się wkrótce zakończyć lub choćby ulec spowolnieniu. Najróżniejsze
rodzaje urządzeń i przyrządów elektronicznych są obecne już we wszystkich dziedzinach życia.
Każde urządzenie elektroniczne do poprawnego działania wymaga źródła napięcia zasilają-
cego, przeważnie o stałej wartości. W związku z tym, przedmiotem ciągłego rozwoju są również
układy służące dopasowaniu do konkretnych wymagań napięcia pochodzącego z rozmaitych
źródeł: sieci energetycznej, ogniw chemicznych lub słonecznych. Do tej kategorii zaliczają się
zasilacze, stabilizatory i przetwornice napięcia.
Tematem niniejszej pracy jest zasilacz laboratoryjny — przyrząd uniwersalny, nie przezna-
czony do pracy z żadnym konkretnym układem, ale, dzięki regulowanemu napięciu wyjścio-
wemu, umożliwiający zasilanie różnych urządzeń. Przydatny w pracy badawczej i serwisowej,
niezbędny do projektowania, konstrukcji i testowania nowych układów.
Zasilacz laboratoryjny zazwyczaj dysponuje mocą co najmniej kilkudziesięciu watów, by
umożliwić zasilanie różnych rodzajów urządzeń podłączanych do jego wyjścia. Dawniej, aby
przetworzyć zmienne napięcie sieci energetycznej na stałe, napięcie sieci obniżano za pomocą
transformatora dostosowanego do pracy z niską częstotliwością (50Hz), a następnie prostowano
i stabilizowano za pomocą układu liniowego stabilizatora. Takie rozwiązanie, ze względu na
pracę z niskimi częstotliwościami wymagało dużego i ciężkiego transformatora sieciowego, a ze
względu na liniowy charakter stabilizacji napięcia sprawność energetyczna sięgała maksymalnie
50%.
Obecnie w większości zastosowań stosuje się technikę impulsowego przetwarzania napięcia.
Polega ona na pobieraniu energii ze źródła w formie krótkich impulsów następujących po
sobie z dużą częstotliwością i późniejszym jej przetwarzaniu. Takie podejście pozwala znacznie
zmniejszyć wymiary i masę elementów, w szczególności transformatorów przetwarzających
napięcie. Impulsowy charakter pracy powoduje że tranzystory kontrolujące przepływ prądu
pracują w trybach włączony/wyłączony, co pozwala uzyskać dobre parametry przewodzenia
i znacznie poprawić sprawność — w przetwornicach impulsowych typowo osiągane wartości
sprawności energetycznej plasują się w przedziale 70% − 90%.

5
2 Założenia projektowe
W starszych rozwiązaniach zasilaczy regulowanych (liniowych) jednym z najważniejszych
problemów występujących przy przetwarzaniu napięcia sieciowego na napięcie stałe o niskiej
wartości jest duży spadek napięcia na liniowym elemencie stabilizującym. W połączeniu z dość
dużym natężeniem prądu który może być pobierany z wyjścia zasilacza (co często się zdarza
w pracy ze współczesnymi układami cyfrowymi), na elemencie stabilizującym tracona jest
znaczna ilość energii, a sprawność zasilacza jest bardzo niska.
Celem pracy było zaprojektowanie i skonstruowanie zasilacza impulsowego sterowanego
cyfrowo. Główną zaletą urządzenia miała być możliwość uzyskania niskich napięć (poniżej
12V) z sieci zasilającej 230V, bez strat dużych ilości energii — jak ma to miejsce w przypadku
stosowania zasilaczy i stabilizatorów liniowych. Projekt urządzenia podzielono na dwie czę-
ści. Właściwą część stanowi programowalna, impulsowa przetwornica napięcia, wytwarzająca
stabilne napięcie o regulowanej wartości z niestabilizowanego napięcia wejściowego. Drugą czę-
ścią pracy jest transformatorowy zasilacz sieciowy, wytwarzający niskie napięcie do zasilania
przetwornicy.
Zastosowanie transformatorowego zasilacza sieciowego było podyktowane bezpieczeństwem
pracy z urządzeniem. A ponieważ w procesie transformowania napięcia zmiennego nie są tra-
cone duże ilości energii, cały układ może zachować bardzo dobrą sprawność energetyczną.
Ustalono następujące główne założenia projektowe:

• Regulacja napięcia wyjściowego w szerokim zakresie, z naciskiem na możliwość uzyskania

niskich napięć (bliskich 0V);

• Średnia moc wyjściowa;

• Programowanie ustawień z poziomu płyty czołowej (brak zdalnego sterowania);

• Możliwie wysoka sprawność energetyczna, zwłaszcza dla niskich napięć wyjściowych.

Określono następujące szczegółowe parametry:

• Zakres napięć wejściowych (niestabilizowanych) Ui : 20...40V;

• Zakres napięć wyjściowych (regulowanych) Uo : 1...30V;

• Moc wyjściowa Po ≈ 45W, przy Uo = 30V;

• Regulacja napięcia wyjściowego z rozdzielczością 0,1V.

Wymagania dla zasilacza sieciowego wynikają bezpośrednio ze specyfikacji przetwornicy:

• Zasilanie z sieci 230V;

• Napięcie wyjściowe: nominalnie 24V, niestabilizowane (U = 20...40V).

6
3 Przegląd istniejących rozwiązań
Nazewnictwo
Polskie nazwy związane z tematyką impulsowego przetwarzania napięć bywają niejedno-
znaczne. Często wygodniej jest posługiwać się nazewnictwem angielskim, nieco bardziej zwię-
złym i oddającym istotę rzeczy. Poniżej przedstawiono i uściślono polskie nazewnictwo, które
będzie używane w niniejszej pracy.

Zasilacz impulsowy — zasilacz pobierający energię z sieci energetycznej (230V AC), prze-
twarzający energię za pomocą impulsowej przetwornicy napięcia.

Impulsowa przetwornica napięcia, przetwornica — kompletny układ elektroniczny, prze-

twarzający napięcie stałe podane na jego wejście, na napięcie stałe o innej wartości.
Przetwornica jest częścią każdego zasilacza impulsowego, ale może być też samodziel-
nym urządzeniem.

Układ przekazywania energii — część przetwornicy, składająca się najczęściej z cewki

indukcyjnej lub transformatora, oraz zespołu kluczy przełączających. Zadaniem tego
układu jest impulsowe przekazywanie odpowiednich ilości energii z wejścia na wyjście.

Topologia, konfiguracja przetwornicy — określa schemat budowy układu przekazywania

energii. Przykłady topologii to: podwyższająca (boost), zaporowa (flyback ) lub półmost-
kowa (half-bridge).

3.1 Układy przekazywania energii

3.1.1 Dwutaktowa transformatorowa przetwornica zaporowa
W podstawowym układzie transformatorowej przetwornicy zaporowej (ang. flyback conver-
ter, rys. 1) energia jest przekazywana z wejścia na wyjście przez transformator składający się
z dwóch, silnie sprzężonych ze sobą, uzwojeń. Termin „dwutaktowa” pochodzi od sposobu
pracy układu. Przekazanie energii na wyjście wymaga bowiem dwóch cykli pracy — taktów.
W pierwszym takcie, gdy tranzystor T 1 jest włączony, przetwornica pobiera energię z wejścia.
Prąd w uzwojeniu pierwotnym transformatora (L1) narasta, a w jego polu magnetycznym ma-
gazynowana jest energia. W tym czasie dioda D1 uniemożliwia przepływ prądu przez uzwojenie
wtórne L2, a jedynym źródłem energii dla obciążenia jest kondensator wyjściowy Co .
W drugim takcie pracy tranzystor T 1 zostaje wyłączony. Przepływ prądu przez uzwojenie
pierwotne jest niemożliwy, więc układ nie pobiera już energii z wejścia, zaś zmiana strumienia
magnetycznego w rdzeniu indukuje prąd w uzwojeniu L2. Prąd ten płynie przez diodę D1,
zasilając układ dołączony do wyjścia przetwornicy i jednocześnie doładowując kondensator
wyjściowy.
W tym układzie bardzo ważne jest jak najlepsze sprzężenie ze sobą uzwojeń transformatora.
Gdyby sprzężenie było idealne, cała energia zgromadzona po stronie pierwotnej mogłaby być
przekazana na stronę wtórną (z pominięciem strat związanych z pasożytniczą rezystancją

7
 N :1 D1

L1 L2 C1 Ro
Ui

T1

Rysunek 1: Podstawowy schemat transformatorowej przetwornicy zaporowej

uzwojeń). Rzeczywiste transformatory charakteryzują się jednak zawsze pewną indukcyjnością

rozproszenia. W modelu transformatora można przedstawić ją jako indukcyjność połączoną
szeregowo z uzwojeniem pierwotnym (rys. 2). Współczynnik sprzężenia między uzwojeniami
L1 i L2 jest równy 1, natomiast między indukcyjnością rozproszenia LD i uzwojeniem wtórnym
ma wartość 0.

L1 L2

LD

Rysunek 2: Model transformatora z niepełnym sprzężeniem pomiędzy uzwojeniami

Nieidealne sprzężenie uzwojeń skutkuje stratami energii. W momencie wyłączania tranzy-

stora T 1, nie cały strumień magnetyczny obecny w rdzeniu jest objęty uzwojeniem wtórnym
L2, podczas gdy uzwojenie L1 obejmuje jego całość (bo to ono go zaindukowało). Część stru-
mienia obecna w uzwojeniu pierwotnym, a nieobecna we wtórnym, próbując wywołać prze-
pływ prądu po stronie pierwotnej, podnosi napięcie na drenie tranzystora T 1. Aby zapobiec
jego przebiciu, dodaje się układ gaszący, który umożliwia przepływ tego prądu. Dzięki temu
w każdym cyklu pracy impuls napięciowy jest zmniejszany do poziomu który nie zagraża
tranzystorowi, ale część energii jest bezpowrotnie tracona.

Napięcie wyjściowe przetwornicy zaporowej określa zależność:

Ui Don
Uo = · , (1)
N 1 − Don

gdzie N oznacza przekładnię napięciową transformatora (rys. 1), zaś Don — współczynnik
wypełnienia impulsów sterujących tranzystorem.

8
 Przy założeniu stałego napięcia wejściowego Ui , napięcie wyjściowe jest funkcją współczyn-
nika wypełnienia impulsów sterujących tranzystorem. Ponieważ Don może mieć wartość z prze-
działu h0 . . . 1), napięcie mogłoby teoretycznie przyjmować wartości z zakresu h0 . . . + ∞i, i to
niezależnie od wartości przekładni N . W praktyce praca z dużymi wartościami współczynnika
wypełnienia jest trudna. Aby to pokazać rozważmy sytuację, w której przetwornica dostarcza
stały prąd do obciążenia. Napięcie na jej wejściu jest stałe, napięcie wyjściowe również po-
winno być utrzymywane na stałym poziomie. Jeśli w pewnej chwili zapotrzebowanie na moc
w obciążeniu wzrośnie, przetwornica będzie musiała dostarczyć większy prąd — zwiększy się
więc natężenie prądu w impulsach dostarczających energię do obciążenia. Dodatkowo, jeśli
przetwornica działa w trybie podkrytycznym (ang. Discontinuous Current Mode, DCM ), co
oznacza że przez część okresu pracy strumień magnetyczny w rdzeniu jest równy 0, zwięk-
szy się długość impulsów w których energia jest pobierana z wejścia, a to z kolei spowoduje
skrócenie czasu impulsów w których energia (większa niż początkowo) jest dostarczana do
obciążenia. W rozważanej sytuacji mogą więc nałożyć się na siebie dwa efekty powodujące
zwiększanie amplitudy impulsów prądowych po stronie wtórnej: wzrost dostarczanej mocy
i skrócenie impulsów w których ta moc jest dostarczana.
Również praca z niskimi współczynnikami wypełnienia jest problematyczna. Włączenie
i wyłączenie tranzystora mocy zajmuje pewną ilość czasu. Ogranicza to możliwość regulowa-
nia współczynnika wypełnienia w pobliżu wartości bliskich zeru. Niemniej jednak, konfiguracja
zaporowa umożliwia uzyskanie napięć z dość szerokiego zakresu, zarówno niższych, jak i wyż-
szych od wartości napięcia zasilającego układ.
Układ zaporowy ma zasadniczą wadę — każda porcja energii, która ma być dostarczona do
obciążenia, musi najpierw w całości zostać zmagazynowana w rdzeniu transformatora. Przy
wysokich poziomach mocy powoduje to konieczność stosowania odpowiednio dużych i drogich
rdzeni, mogących magazynować duże ilości energii. To sprawia że używa się go przy małych
i średnich mocach.

3.1.2 Jednotaktowa transformatorowa przetwornica przepustowa

W konfiguracji przepustowej (ang. forward converter ) stosuje się transformator o trzech
uzwojeniach. Taki układ charakteryzuje się pracą jednotaktową, co oznacza że w takcie w któ-
rym przetwornica pobiera energię ze źródła zasilania, zachodzi również dostarczenie jej do
obciążenia na wyjściu.
Podstawowy schemat przetwornicy przepustowej przedstawiono na rysunku 3. W fazie włą-
czenia tranzystora T 1, prąd pobierany ze źródła zasilania płynie przez uzwojenie pierwotne
L1, indukując w tym samym czasie napięcie i wywołując przepływ prądu w uzwojeniu wtór-
nym L2. Ten prąd przepływa przez diodę D1 i cewkę indukcyjną Lo , powoduje przy tym
zmagazynowanie części energii w cewce i kondensatorze Co .
Ponieważ transformator na bieżąco przekazuje energię do obciążenia, nie ma potrzeby jej
magazynowania, dzięki czemu rdzeń przy tej samej mocy może mieć mniejsze wymiary niż
w układzie zaporowym. Mimo wszystko, na skutek niedoskonałego sprzężenia uzwojeń, pewna
energia pozostaje zmagazynowana w rdzeniu po każdym okresie włączenia tranzystora — tak
jak w układzie zaporowym. Konieczne jest jej usunięcie (w czasie gdy tranzystor jest wyłą-

9
 N3 N1 N2 D1 Lo

L3 L1 L2 D2 Co Ro
Ui

T1

Rysunek 3: Podstawowy schemat transformatorowej przetwornicy przepustowej

czony), gdyż sukcesywnie gromadzona w kolejnych cyklach pracy przetwornicy doprowadziłaby

do nasycenia rdzenia i utraty jego właściwości magnetycznych.
W chwili wyłączenia tranzystora ustaje przepływ prądu w uzwojeniach L1 i L2, a napięcia
na nich ulegają odwróceniu. Podtrzymanie przepływu prądu po stronie pierwotnej umożliwia
uzwojenie L3. Pełni ono rolę odmagnesowującą — odprowadza pozostałą w rdzeniu transfor-
matora energię, z powrotem do źródła zasilania układu. Po stronie wtórnej prąd podtrzymy-
wany przez Lo nie może płynąć przez diodę D1, więc obwód zamyka się przez diodę D2. W tej
fazie pracy przetwornicy, obciążenie podłączone do wyjścia korzysta z energii zgromadzonej
w elementach Lo oraz Co .
Dzięki zastosowaniu uzwojenia odmagnesowującego, tranzystor nie jest narażony na prze-
bicie (które powodowałaby indukcyjność L1, usiłująca podtrzymać ciągłość płynącego w niej
prądu, jak w układzie zaporowym) w chwili wyłączenia. Takie rozwiązanie poprawia również
sprawność układu — nie jest konieczne wytracanie energii z indukcyjności rozproszenia uzwo-
jenia L1 w stratnym układzie gaszącym. Aby omówiony mechanizm był skuteczny, konieczne
jest jednak jak najlepsze sprzężenie ze sobą uzwojeń L1 i L3. Sprzężenie między uzwojeniami
L1 i L2 również powinno być bardzo dobre, gdyż od niego zależy ilość energii przenoszonej
ze strony pierwotnej na wtórną w każdym cyklu pracy przetwornicy. Niedokładne sprzęże-
nie uniemożliwia wykorzystanie pełnych możliwości danego rdzenia, lub inaczej — wymusza
zastosowanie większego rdzenia w celu dostarczenia danej mocy do obciążenia.
Kolejną zaletą tego typu układu jest obecność dolnoprzepustowego filtru wyjściowego zło-
żonego z elementów Lo i Co . Filtr ten pozwala zmniejszyć tętnienia napięcia, ogranicza także
poziom zakłóceń o wysokich częstotliwościach na wyjściu układu.
Napięcie na wyjściu przetwornicy przepustowej opisuje się zależnością:
Ui
Uo = · Don , (2)
N
przy czym współczynnik wypełnienia Don jest ograniczony, ze względu na konieczność
rozmagnesowania rdzenia i musi spełniać warunek [3]:

1
Don ¬ .
1+ N 3
N1

10
 W szczególności, gdy N1 = N3 ,

Don ¬ 0, 5.

Takie ograniczenie wartości Don jest niekorzystne w kontekście projektowanego układu,

gdyż zmniejsza potencjalny zakres regulacji napięcia wyjściowego.

3.1.3 Transformatorowe przetwornice przeciwsobne

Jednotaktowa przetwornica przeciwsobna (ang. push-pull converter, rys. 4) jest połącze-
niem dwóch przetwornic przepustowych, pracujących naprzemiennie. Jej transformator składa
się z dwóch uzwojeń z wyprowadzonymi z ich środków odczepami, sterowanie natomiast od-
bywa się przy pomocy dwóch tranzystorów mocy. Pojedynczy cykl pracy można podzielić na
cztery fazy:

• W pierwszej fazie włączony jest tylko tranzystor T 1. Narastający prąd przepływa przez
uzwojenia L1 i L3, przekazując energię do obciążenia przez diodę D1 i dławik Lo .

• W drugiej fazie obydwa tranzystory są wyłączone. Zgromadzona w rdzeniu energia in-

dukuje przepływ malejącego prądu przez uzwojenie wtórne, oraz przez diody D1 i D2.

• W trzeciej fazie włączony jest tranzystor T 2, a prąd przepływa przez uzwojenia L2 i L4,
diodę D2, oraz dławik Lo .

• Czwarta faza jest taka sama jak faza druga — żaden z tranzystorów nie jest włączony,
rdzeń transformatora jest rozmagnesowywany, a energia w nim zgromadzona jest odda-
wana do obciążenia.

D1 Lo

Ui L3 Co Ro
T1 L1

L2 L4
T2

D2

Rysunek 4: Podstawowy układ przetwornicy przeciwsobnej

Przetwornice przeciwsobne posiadają dwie zalety niewystępujące w układach przepusto-

wych. Pierwszą z nich jest magnesowanie rdzenia naprzemiennie w obie strony. W każdym
okresie pracy wartość indukcji magnetycznej w rdzeniu może zmieniać się w zakresie od −BS
do +BS , a nie tylko h0; +BS i, jak ma to miejsce w poprzednio omówionych układach. Pozwala
to uzyskać większą moc dostarczaną do obciążenia (w porównaniu z przetwornicą przepustową
lub zaporową wykorzystującą taki sam rdzeń).

11
 Drugie usprawnienie polega na oddawaniu całej energii zgromadzonej w strumieniu ma-
gnetycznym w rdzeniu do obciążenia, bez odprowadzania jej części do źródła zasilania — do
czego w układach przepustowych wykorzystywane jest jedno z uzwojeń (L3 na rys. 3).
Zaletą układu jest również podwojona częstotliwość pracy. Efektem są mniejsze tętnienia
napięcia na wyjściu. Można też zastosować dławik Lo o mniejszej indukcyjności, co pociąga
za sobą mniejsze jego wymiary i cenę.
Idealny transformator dla przetwornicy przeciwsobnej powinien być symetryczny — ze-
spół uzwojeń L1 − L3 powinien być taki sam jak zespół L2 − L4, pod względem liczb zwojów
i sprzężenia między częściami pierwotnymi i wtórnymi. Zachowanie idealnej symetrii jest jed-
nak niemożliwe w rzeczywistych konstrukcjach transformatorów. Niesie to ze sobą zagrożenie
podobne do występującego w układach przepustowych, czyli nasycenie rdzenia poprzez reszt-
kowe energie gromadzone w kolejnych cyklach pracy. Taki problem może wystąpić jeśli:

• Uzwojenie L1 składa się z innej liczby zwojów niż L2. W każdym cyklu pracy, przy
identycznych czasach włączenia każdego z tranzystorów, uzwojenia te wytwarzają pola
magnetyczne o różnych natężeniach. Przyrost natężenia pola w jednym cyklu pracy ∆H,
ma wartość:

∆H = ∆I · N.

Przyrost prądu w cewce (∆I) zależy od napięcia do niej przyłożonego (Ui ), czasu włą-
czenia tranzystora (ton ), oraz wartości indukcyjności L:

Ui · ton
∆I = .
L

Z kolei wartość L wynika z właściwości rdzenia i liczby zwojów:

L = AL · N 2

Przyrosty natężenia pola magnetycznego wywołane przez każde z uzwojeń pierwotnych

można więc opisać zależnościami

Ui · ton1 Ui · ton2
∆H1 = , ∆H2 = .
AL · N1 AL · N2

Podczas normalnej pracy przetwornicy, czasy ton1 i ton2 są równe. Nierówne liczby zwo-
jów N1 i N2 spowodują zatem, że rdzeń będzie magnesowany niesymetrycznie — jeden
kierunek będzie przeważał w każdym cyklu pracy, aż indukcja w rdzeniu osiągnie wartość
nasycenia +BS lub −BS .

12
 • Współczynnik sprzężenia uzwojeń L1 i L3 (K1−3 ) ma inną wartość niż współczynnik
dla uzwojeń L2 i L4 (K2−4 ). W rzeczywistych transformatorach K jest zawsze mniejsze
od 1, co sprawia że nie cała energia zostaje przeniesiona z uzwojenia pierwotnego do
wtórnego. Jej część pozostaje w rdzeniu — tym większa, im gorsze jest sprzężenie uzwo-
jeń. Jeśli zatem współczynnik K1−3 będzie miał inną wartość niż K2−4 , gromadzenie
energii w rdzeniu będzie postępowało w jednym kierunku i osiągnięta zostanie indukcja
nasycenia.

Taka wrażliwość układu przepustowego na wszelkie asymetrie budowy obwodu pierwot-

nego sprawia, że ta topologia wymaga dodatkowych układów korygujących nierównomierne
magnesowanie rdzenia, nie jest też stosowana do zasilania układów o dynamicznie zmienia-
jącym się poborze mocy [3]. Zdecydowanie częściej stosowane są jej wersje zmodyfikowane:
półmostkowa, oraz mostkowa. W układach tych wyeliminowany został problem nierównowagi
magnesowania transformatora, kosztem bardziej skomplikowanych układów przełączających
napięcie po stronie pierwotnej.
Napięcie wyjściowe przetwornicy przeciwsobnej jest dane wzorem
Ui
Uo = · Don (0 < Don < 1) (3)
N
przy czym

Don = Don(1) + Don(2) Don(1) = Don(2) < 50%

gdzie Don(1) i Don(2) to współczynniki wypełnienia przebiegów sterujących tranzystorami,

odpowiednio T 1 i T 2.

3.1.4 Przetwornica mostkowa

Podstawowy schemat przeciwsobnej przetwornicy mostkowej przedstawia rysunek 5. W ukła-
dzie tym dwusekcyjne uzwojenie pierwotne zastąpiono pojedynczym zwojem L1. Tranzystory
są włączane naprzemiennie parami: gdy przewodzą tranzystory T 2 i T 3, do uzwojenia przy-
łożone jest napięcie Ui , a uzwojenie wtórne L3 odbiera energię z rdzenia. Gdy włączona jest
druga para tranzystorów, T 1 i T 4, na uzwojeniu L1 panuje napięcie o wartości Ui , ale skie-
rowane przeciwnie niż w pierwszej fazie pracy. W tym takcie energia z rdzenia jest odbierana
przez uzwojenie wtórne L4.
Transformator układu mostkowego ma prostszą konstrukcję w stosunku do transformatora
układu przeciwsobnego, znacznie łatwiej też jest uzyskać jego poprawną pracę w układzie.
W szczególności nie występuje w nim problem nierównego magnesowania, mogący doprowadzić
do nasycenia rdzenia. Wadą układu są aż cztery tranzystory mocy, podające napięcie na
uzwojenie pierwotne. Dodatkowym utrudnieniem jest trudniejsze sterowanie tranzystorami T 1
i T 3. Ich źródła nie są dołączone do punktu o stałym potencjale, ale do zacisków uzwojenia
pierwotnego L1.

13
 D1 Lo

T1 T3 Co Ro
L3
Ui L1
L4
T2 T4

D2

Rysunek 5: Podstawowy układ przetwornicy mostkowej

3.1.5 Przetwornica półmostkowa

Podstawowy schemat przeciwsobnej przetwornicy półmostkowej przedstawia rysunek 6.
Jedyną różnicą w stosunku do układu mostkowego jest zastąpienie dwóch tranzystorów po
stronie pierwotnej kondensatorami. W punkcie między kondensatorami (o takich samych po-
jemnościach) panuje napięcie równe 12 Ui . Jeden z końców uzwojenia L1 jest dołączony na stałe
do tego węzła, zaś na drugi koniec, przy pomocy tranzystorów, przykładane są naprzemiennie
napięcia Ui , oraz 0.

D1 Lo

T1 C1 Co Ro
L3
Ui L1
L4
T2 C2

D2

Rysunek 6: Podstawowy układ przetwornicy półmostkowej

Ponieważ do uzwojenia pierwotnego przykładana jest tylko połowa napięcia wejściowego Ui ,

konfiguracja półmostkowa nie pozwala na uzyskanie tak dużych mocy jak mostkowa. Jednak
dzięki zastąpieniu dwóch tranzystorów kondensatorami, układ półmostkowy jest tańszy, a jego
sterowanie prostsze.

3.1.6 Przetwornice beztransformatorowe

Gdy nie jest potrzebna izolacja galwaniczna pomiędzy wejściem a wyjściem przetwornicy,
stosuje się układy beztransformatorowe. Podstawowe rodzaje takich przetwornic to:

• Przetwornica obniżająca (ang. Buck lub Step–down)

• Przetwornica podwyższająca (ang. Boost lub Step–up)

14
 • Przetwornica odwracająca (ang. Buck–boost)

Cechą charakterystyczną wymienionych układów jest napięcie jakie mogą wytworzyć na

wyjściu. Sygnalizują to ich nazwy. Przetwornica obniżająca może tylko zmniejszać napięcie
wejściowe; przetwornica podwyższająca — tylko zwiększać; zaś w przetwornicy odwracającej
napięcie wyjściowe ma zawsze odwrotną polaryzację niż wejściowe.
Przetwornice takie nie mogą być więc stosowane tam, gdzie napięcie wejściowe może być
zarówno wyższe, jak i niższe od pożądanego napięcia wyjściowego, co sprawia, że nie spełniają
wymagań postawionych w niniejszym projekcie. Nie będą tu więc szczegółowo omawiane.

3.2 Porównanie transformatorowych układów przekazywania ener-

gii
Wśród układów wykorzystujących transformator, przetwornica zaporowa (flyback ) ma naj-
prostszą konstrukcję. Do jej zalet należą: mała liczba elementów składowych, bardzo do-
bre możliwości regulacji napięcia i prosty, dwuuzwojeniowy transformator. Wadą układu jest
mniejsza (w porównaniu do bardziej skomplikowanych układów) sprawność i duży stosunek
wielkości rdzenia transformatora do uzyskiwanej mocy wyjściowej.
Przepustowy układ przekazywania mocy oferuje lepszą sprawność i większą moc możliwą
do uzyskania z danego rdzenia, przy czym sterowanie jest równie proste jak w układzie zapo-
rowym. Do wad należą: konieczność stosowania uzwojenia odmagnesowującego rdzeń, większa
liczba elementów składowych i mniejsze możliwości regulacji napięcia — po podniesieniu na-
pięcia przez transformator, możliwe jest już tylko jego obniżanie. Możliwość regulacji napięcia
jest dodatkowo zmniejszana przez ograniczenie wartości współczynnika wypełnienia, spowo-
dowaną koniecznością rozmagnesowania rdzenia.
Przetwornice przeciwsobne charakteryzują się najbardziej skomplikowanym transformato-
rem, który zazwyczaj wymaga stosowania odpowiednich układów zabezpieczających rdzeń
przed nasyceniem [3]. Układy te mają jednak lepszą sprawność niż przetwornice przepustowe.
Dzięki temu że nie ma konieczności odprowadzenia do źródła zasilania resztkowej energii zgro-
madzonej w rdzeniu, nie ma też ograniczenia wartości współczynnika wypełnienia. Również
sterowanie tranzystorami jest łatwe, gdyż ich źródła połączone są z masą układu zasilającego.
Modyfikacje konfiguracji przeciwsobnej: układ półmostkowy i mostkowy, oferują w przy-
bliżeniu taką samą sprawność. Ulepszeniem w stosunku do pierwowzoru jest prostszy i tańszy
transformator, który także sprawia mniej problemów w obsłudze — nie wymaga stosowa-
nia specjalnych zabiegów zapobiegających nasycaniu rdzenia. Wadą tych układów są bardziej
skomplikowane, a przez to droższe, układy sterujące przełączaniem tranzystorów. Przetwor-
nica półmostkowa może dostarczać nieco mniejszych mocy, z uwagi na wykorzystanie tylko
połowy napięcia wejściowego do zasilania pierwotnego uzwojenia transformatora.
Najważniejsze cechy różnych topologii przetwornic zestawiono w tabeli 1.
Zakresy stosowania różnych układów przekazywania energii przestawia rysunek 7. Wybór
konkretnego układu podyktowany jest zazwyczaj wymaganą mocą. W zakresie małych mocy
stosowane są więc proste i tanie układy zaporowe; bardziej skomplikowane przetwornice uży-
wane są przy większych mocach, gdzie liczy się jak najlepsza sprawność przetwarzania energii.

15
Tabela 1: Porównanie topologii przetwornic. ’++’: bardzo korzystne, ’+’: korzystne, ’0’: poziom
odniesienia, ’−’: niekorzystne, ’–’: bardzo niekorzystne.

Konfiguracja Osiągalna moc Osiągalna sprawność Prostota układu Regulacja napięcia

Zaporowa − − ++ ++
Przepustowa 0 0 0 −
Przeciwsobna ++ + −− 0
Półmostkowa + + − 0
Mostkowa ++ + −− 0

Rysunek 7: Porównanie obszarów stosowania różnych topologii przetwornic ze względu na

zakresy napięć i mocy wyjściowych. Źródło: [1].

3.3 Wybór typu przetwornicy dla potrzeb niniejszej pracy

Z dotychczasowych rozważań (przedstawionych syntetycznie na rysunku 7) wynika, że naj-
bardziej odpowiednią w projektowanym urządzeniu będzie przetwornica zaporowa. Za użyciem
takiej konfiguracji przemawia również konieczność regulacji napięcia wyjściowego w szerokim
zakresie — od 1 do 30V.

3.4 Układy kontroli i stabilizacji

Układy kontroli i stabilizacji przetwornic impulsowych odpowiadają za przełączanie tran-
zystorów mocy. Przełączanie musi odbywać się tak, by na wyjściu przetwornicy panowało
odpowiednie napięcie, niezależne od chwilowej wartości napięcia wejściowego i chwilowego za-
potrzebowania energetycznego odbiornika energii.

16
 Dzięki licznym zaletom zasilaczy impulsowych od wielu lat trwa dynamiczny rozwój ukła-
dów służących do ich kontrolowania. Powszechnie dostępne są układy scalone realizujące pod-
stawowe funkcje, takie jak:
• Wzmacniacz sygnału błędu. Sygnałem błędu określa się różnicę pomiędzy wartością
napięcia panującego na wyjściu przetwornicy, a zadaną wartością tego napięcia.

• Sterownik tranzystora mocy, który jest w stanie włączać i wyłączać tranzystor (zazwy-
czaj typu MOS) w bardzo krótkim czasie, a co za tym idzie — pozwala na pracę z dużą
częstotliwością.

• Generator prostokątnego sygnału okresowego, o regulowanym współczynniku wypełnie-

nia i częstotliwości stałej, lub ustalanej zewnętrznymi elementami (najczęściej pojedyn-
czym kondensatorem). Sygnał ten służy do sterowania tranzystorem mocy.

• Stabilne, skompensowane temperaturowo źródło napięcia odniesienia dla wzmacniacza

błędu.

• Układ „miękkiego startu”, czyli zabezpieczenie przed gwałtownym wzrostem poboru

prądu ze źródła zasilania przy uruchamianiu przetwornicy.

• Układ ograniczenia nadprądowego, pozwalający np. na przejście przetwornicy z trybu

napięciowego w prądowy, lub prostsza wersja — zapobiegająca przepływowi zbyt dużego
prądu przez uzwojenie pierwotne i tranzystor mocy.

• Układy zabezpieczające przed zbyt dużym lub małym napięciem wejściowym, zwarciem
na wyjściu przetwornicy, brakiem obciążenia i zbyt wysoką temperaturą układu.
Najnowsze rozwiązania układów kontroli dążą do integracji w układzie scalonym jeszcze
większej liczby elementów. Do najważniejszych należą:
• Tranzystory mocy. Rozwiązanie takie stosuje w wielu swoich układach scalonych np.
firma Power Integrations [23, 24].

• Układy zwiększające sprawność przetwornicy przy małych obciążeniach, lub zupełnym

ich braku. Mogą one realizować np. tryb czuwania zasilacza (ang. standby)
Dynamiczny rozwój techniki cyfrowej objął również sterowniki zasilaczy impulsowych. Li-
czący się producenci układów scalonych posiadają w swych ofertach układy dedykowane do
cyfrowej obsługi przetwornic impulsowych. Najbardziej popularnym sposobem realizacji kon-
trolerów cyfrowych jest procesor sygnałowy, zintegrowany w układzie scalonym z układami
peryferyjnymi, takimi jak np. sterowniki tranzystorów mocy, przetworniki A/C do pomiaru
napięć i cyfrowe interfejsy komunikacyjne (np. UART, I2 C). Jako przykłady takich ukła-
dów można podać serie: C2000 firmy Texas Instruments, dsPIC30F firmy Microchip, oraz
DSP5685x firmy Freescale.
Jeszcze jedną możliwością kontrolowania pracy przetwornicy impulsowej jest użycie uniwer-
salnego mikrokontrolera. Za takimi układami przemawia ich duża dostępność, dobra cena, oraz
dostępność narzędzi projektowych. Współczesne mikrokontrolery ogólnego przeznaczenia dys-
ponują możliwościami wystarczającymi do pracy jako sterowniki przetwornic impulsowych [5].

17
3.5 Wybór metody kontroli i stabilizacji
Projektowana przetwornica ma być sterowana cyfrowo. Najprostszym i najbardziej po-
wszechnym sposobem obsługi cyfrowej płyty czołowej jest użycie mikrokontrolera. W projekcie
zdecydowano się więc na właśnie taki sposób realizacji interfejsu użytkownika.
Wydajność współczesnych mikrokontrolerów pozwala również na programowe sterowanie
procesem stabilizacji napięcia, o czym świadczy np. wykorzystanie przez firmę Texas Instru-
ments rdzenia ARM-7 w układach kontroli przetwornic impulsowych [19, 20]. Schemat funk-
cjonalny jednego z takich mikrokontrolerów przedstawiono na rysunku 8.

Rysunek 8: Schemat funkcjonalny układu UCD9222, wykorzystującego rdzeń ARM-7. Źró-

dło: [19]

Skoro możliwe jest użycie jednego układu do zrealizowania w postaci oprogramowania jed-
nocześnie funkcji przetwarzania napięcia i obsługi płyty czołowej, zdecydowano się na właśnie
takie rozwiązanie. Zastosowanie analogowego układu sterującego przetwornicą wymagałoby
opracowania układów przetwarzających informacje z płyty czołowej (cyfrowe), na sygnały ak-
ceptowane przez sterownik przetwornicy (analogowe). Używając sterownika cyfrowego można
zbudować urządzenie o prostszej konstrukcji i mniejszej liczbie elementów składowych, a przez
to bardziej niezawodne i mniejsze.
Odpowiednim układem scalonym do zrealizowania wymaganych zadań byłby mikrokontro-
ler z rodziny UCD30. Niestety układy te nie są dostępne w sprzedaży w Polsce, nawet u dużych
dystrybutorów (Elfa, Farnell, TME). Wobec tego zdecydowano się na użycie mikrokontrolera
ogólnego przeznaczenia STM32F103. Jest to układ powszechnie dostępny na rynku, wyposa-
żony w 32–bitowy rdzeń ARM Cortex-M3 (ulepszony w stosunku do poprzednika — ARM-7),

18
oraz peryferia wspierające zastosowania w układach przetwarzania mocy. Stosunek ceny do
możliwości stawia go w czołówce uniwersalnych mikrokontrolerów dostępnych w sprzedaży.
Argumentem przemawiającym za zrealizowaniem funkcji stabilizacji napięcia poprzez opro-
gramowanie jest też szeroki zakres warunków w jakich może pracować przetwornica: napięcie
wejściowe może zmieniać się dowolnie w zakresie 20 – 40V, a na wyjściu mogą pojawić się
wszystkie możliwe rodzaje obciążeń — od Ro = ∞ (rozwarcie) do Ro = 0 (zwarcie), również
zmienne w czasie. Do tych zmiennych warunków zewnętrznych dokłada się regulowane napięcie
wyjściowe.
W analogowych układach sterujących, umożliwiających budowę zasilacza o regulowanym
napięciu, jak np. UC3842 lub TL494, pętla sprzężenia zwrotnego wymaga kompensacji. Ob-
wód kompensujący składa się z odpowiednio dobranych rezystancji i pojemności włączonych
do pętli przed wejściem wzmacniacza błędu. Oczywiście taki obwód musi zapewniać kom-
pensację pętli w pełnym zakresie możliwych napięć wyjściowych. Programowa realizacja pętli
sprzężenia zwrotnego stwarza natomiast możliwość zmiany jej parametrów wraz ze zmienia-
jącym się napięciem wyjściowym przetwornicy, co może pozwolić zbudować układ o lepszych
parametrach niż w przypadku analogowego układu sterującego.
Zdecydowano się więc na realizację całego mechanizmu regulacji i stabilizacji napięcia
niejako „od podstaw”. Implementacje programowe są z reguły bardziej elastyczne od czysto
sprzętowych. Wobec tego wybrane rozwiązanie powinno pozwolić na optymalne wykorzystanie
możliwości użytych elementów elektronicznych i dzięki temu uzyskanie dużej mocy wyjściowej
i regulacji napięcia w szerokim zakresie za pomocą relatywnie prostego i niedrogiego układu
elektronicznego.

Ui układ Uo
przetwarzania
energii

mikrokontroler

wyświetlacz
regulacja i stabilizacja napięcia
LCD

klawiatura obsługa interfejsu użytkownika

Rysunek 9: Koncepcyjny schemat urządzenia. Bloki narysowane linią ciągłą to moduły sprzę-
towe, a linią przerywaną — programowe. Strzałkami ciągłymi zaznaczono przepływ energii
w układzie, a przerywanymi przepływ informacji między modułami.

Dodatkową zaletą przetwornicy sterowanej mikrokontrolerem jest łatwość zmiany jej para-
metrów. Gdy funkcje stabilizowania napięcia realizowane są przez oprogramowanie, można
łatwo przystosować układ np. do pracy z jednym, ustalonym napięciem wyjściowym, lub
zmieniać charakterystykę odpowiedzi impulsowej, czyli charakter zmian napięcia na wyjściu

19
w przypadku zmiany prądu obciążenia. W prosty sposób można też dodawać do urządzenia
nowe funkcje, jak np. zdalne sterowanie przez interfejsy RS-232, GPIB, lub Ethernet. Ponadto,
przetwornica sterowana cyfrowo może być platformą służącą do badań i rozwoju cyfrowych
algorytmów stabilizacji napięcia.

3.6 Płyty czołowe

Fotografie 10, 11, 12 i 13 przedstawiają płyty czołowe kilku laboratoryjnych zasilaczy
programowalnych. Na każdej z płyt można wyróżnić dwie grupy elementów: do informowania
użytkownika o stanie zasilacza, oraz do ustawiania parametrów pracy urządzenia.
Informacje liczbowe (np. o ustawionym napięciu i pobieranym prądzie) są pokazywane za
pomocą różnego rodzaju wyświetlaczy: ciekłokrystalicznych (graficznych lub tekstowych), lub
siedmiosegmentowych wyświetlaczy LED. Do pokazywania stanu urządzenia (włączony/ wy-
łączony, tryb napięciowy lub prądowy, sterowanie zdalne) mogą służyć te same wyświetlacze,
lub odpowiednio opisane pojedyncze diody LED.
Elementy do zadawania nastaw są mniej urozmaicone. Każdy z przedstawionych zasilaczy
jest wyposażony w pokrętło połączone z obrotowym impulsatorem przyrostowym. To rozwiąza-
nie pochodzi bezpośrednio od zasilaczy analogowych, w których ustawianie napięcia odbywało
się przy pomocy wielopozycyjnych przełączników obrotowych, lub potencjometrów. Każdy za-
silacz ma też kilka przycisków, a niektóre wyposażone są również w klawiaturę numeryczną
do wpisywania wartości liczbowych.

Rysunek 10: Zasilacz Seintek P6100. Płyta czołowa wyposażona w impulsator, przyciski i gra-
ficzny wyświetlacz LCD. Źródło: http://www.seintek.com

3.7 Wybór elementów płyty czołowej

Projekt płyty czołowej ma decydujący wpływ na wygodę pracy z przetwornicą, więc jest
bardzo ważny z punktu widzenia użytkownika. Źle zaprojektowany interfejs może prowadzić
do frustracji i popełniania błędów w obsłudze urządzenia [4]. Błędy takie jak przypadkowe
ustawienie zbyt wysokiego napięcia lub ograniczenia prądowego są szczególnie groźne, gdyż
mogą spowodować uszkodzenie lub zniszczenie urządzenia podłączonego do wyjścia zasilacza.

20
Rysunek 11: Zasilacz BK precision 9130. Płyta czołowa wyposażona w impulsator, przyciski,
klawiaturę numeryczną i wyświetlacz tekstowy. Źródło: http://tinyurl.com/66otzmf

Rysunek 12: Zasilacz BK precision 1696. Płyta czołowa wyposażona w impulsator, przyci-
ski, klawiaturę numeryczną i dedykowany wyświetlacz LCD. Źródło: http://tinyurl.com/
4k6b5ll

Skonstruowanie dobrej płyty czołowej, w porównaniu do kwestii związanych z projektowa-

niem układów przetwarzania energii, nie jest zadaniem wymagającym szczególnego wysiłku
projektowego w dziedzinie elektroniki, jest natomiast przedmiotem zainteresowania ergonomii.
Jako zadania wpisujące się w tę dziedzinę i związane z budową urządzenia, można wymienić:
wybór odpowiednich elementów interfejsu, ich rozmieszczenie, sposób przedstawienia informa-
cji oraz ich wprowadzania do urządzenia. Samo wykonanie płyty czołowej wymaga natomiast
odpowiedniego warsztatu mechanicznego. Te zadania wykraczają poza zakres niniejszej pracy.
W związku z tym zdecydowano się na zbudowanie uproszczonego interfejsu użytkownika, zło-
żonego z niedrogich i powszechnie dostępnych elementów, oraz pozwalającego na uruchamianie
i testowanie przetwornicy. Zasady ergonomii zostały zastosowane w podstawowym zakresie,
tam gdzie nie wymagało to dodatkowych kosztów i pracy (jedna z zasad spełniających ta-
kie warunki mówi, że przycisk służący do zwiększania napięcia powinien znajdować się nad
przyciskiem do zmniejszania, a nie odwrotnie).

21
Rysunek 13: Zasilacz BK precision 9110. Płyta czołowa wyposażona w impulsator, przyci-
ski, wyświetlacze siedmiosegmentowe i pojedyncze diody LED. Źródło: http://tinyurl.com/
4khsd6x

Bazując na rozwiązaniach przedstawionych w rozdziale 3.6, stwierdzono że przetwornica

musi być wyposażona w wyświetlacz i zespół przycisków. Jako element służący do infor-
mowania użytkownika o stanie przetwornicy wybrano standard przemysłowy — alfanume-
ryczny wyświetlacz LCD 2x16 (dwa wiersze, po 16 znaków każdy), wyposażony w sterownik
HD44780 [34]. Zapewnia on większą elastyczność wyświetlania informacji w stosunku do sied-
miosegmentowych wyświetlaczy LED, a przy tym jest znacznie tańszy i prostszy w obsłudze
w stosunku do wszelkiego rodzaju wyświetlaczy graficznych.
Jako element służący do wprowadzania informacji do przetwornicy wybrano zespół 16
przycisków w formie prostokątnej klawiatury o czterech wierszach i czterech kolumnach. Taka
organizacja pozwala zaoszczędzić kilka linii we/wy mikrokontrolera sprawdzającego stan kla-
wiatury [14].
Bardzo pożądanym elementem interfejsu byłoby też pokrętło połączone z impulsatorem
(posiada je każdy z przedstawionych zasilaczy), ale na tym etapie budowy urządzenia nie jest
ono konieczne. Zagadnienia związane z wygodą, efektywnością i bezpieczeństwem korzystania
z przetwornicy zostały w pracy pominięte. Należy jednak poświęcić im szczególną uwagę na
dalszych etapach opracowywania urządzenia, gdy wszystkie założone parametry elektryczne
zostaną osiągnięte.

22
3.8 Podsumowanie
Jako konstrukcję pozwalającą spełnić wymagania postawione w rozdziale 2 wybrano trans-
formatorową przetwornicę zaporową (flyback ). Mechanizm kontrolujący ilość energii dostar-
czanej do wyjścia (a przy tym stabilizujący napięcie) zrealizowano w postaci oprogramowania
działającego na uniwersalnym mikrokontrolerze STM32F103. Interfejs użytkownika stanowi
zespół przycisków i tekstowy wyświetlacz LCD, obsługiwanych przez ten sam mikrokontroler
który steruje procesem przetwarzania napięcia.
W projekcie skupiono się przede wszystkim na osiągnięciu założonego poziomu mocy wyj-
ściowej i zakresu regulacji napięcia, a w mniejszym stopniu na dokładności stabilizacji.

23
4 Konstrukcja układu
4.1 Transformator impulsowy
4.1.1 Dobór rdzenia
Do mocy z zakresu 50 – 100W odpowiednie są rdzenie takie jak: ETD29; ETD34; EC35;
EC41; RM12; P30/19; T26/20; EFD25 [16].
Projektowana przetwornica ma dostarczać napięć z szerokiego zakresu i przy różnych ob-
ciążeniach — od zera do kilkudziesięciu watów. Przy tak różnorodnych warunkach, niemożliwe
jest jednoznaczne określenie który z rdzeni byłby najbardziej odpowiedni. W związku z tym
zdecydowano się na użycie niewielkiego i łatwo dostępnego rdzenia ETD34 ze szczeliną po-
wietrzną 0,5mm, z materiału F-807, a w dalszych częściach rozdziału wykazano, że taki wybór
pozwala zrealizować przetwornicę o parametrach danych w rozdziale 2.
Ferryt F-807 jest materiałem przeznaczonym do użytku w transformatorach szerokopasmo-
wych i impulsowych oraz w filtrach przeciwzakłóceniowych. Charakteryzuje się dużą wartością
indukcji nasycenia Bsat , oraz niewielkimi stratami występującymi przy dużych amplitudach
indukcji. Główne parametry materiału F-807 zebrano w tabeli 2.
Główną zaletą rdzeni typu ETD jest okrągła kolumna środkowa. W uzwojeniach nawi-
niętych na takiej kolumnie nie występują odkształcenia i naprężenia takie jak w przypadku
kolumn o przekroju prostokątnym. Dobre przyleganie uzwojeń do rdzenia zmniejsza indukcyj-
ność rozproszenia, a brak punktowych zgięć i naprężeń zmniejsza ryzyko uszkodzenia drutu lub
emalii izolacyjnej, zwiększa się więc trwałość i niezawodność transformatora. Ponadto okrągłe
zwoje mają najlepszy stosunek indukcyjności do długości drutu, co skutkuje małą rezystancją
szeregową uzwojenia.
Parametry wybranego rdzenia przedstawiono w tabeli 3.

Tabela 2: Właściwości materiału F-807 [17]

µi Bsat fmax
[mT] [kHz]
2000 ± 25% 330 100

µi – Początkowa przenikalność magnetyczna (względna).

Bsat – Indukcyjność nasycenia, w temperaturze 100◦ C.

fmax – Maksymalna częstotliwość pracy.

G – Długość szczeliny powietrznej w rdzeniu.

Al – Współczynnik określający zależność między liczbą zwojów na rdzeniu, a ich indukcyj-

nością.

24
 Tabela 3: Właściwości rdzenia ETD34 z materiału F-807, użytego w projekcie [17]

G Al le AN lN
[mm] [nH] [mm] [mm2 ] [mm]
0, 5 251 79 122 60

le – Efektywna droga magnetyczna.

AN – Powierzchnia okna.

lN – Średnia długość pojedynczego zwoju.

4.1.2 Częstotliwość pracy

Określenie optymalnej częstotliwości kluczowania tranzystora mocy wymagałoby dokład-
nego rachunku strat w poszczególnych elementach. Przy wzroście częstotliwości rośnie moc
jaką można uzyskać na wyjściu, ale rosną także straty mocy w materiale ferromagnetycznym
z którego wykonany jest rdzeń, oraz straty wynikające z kluczowania tranzystorów oraz diod.
W związku z tym wybranie najbardziej odpowiedniej częstotliwości przed zaprojektowaniem
całego układu jest bardzo trudne i z praktycznego punktu widzenia nieuzasadnione. Taka teza
znajduje potwierdzenie w różnych układach scalonych przeznaczonych do kontroli przetwornic
— wiele z nich ma ustaloną, niemożliwą do zmienienia, częstotliwość pracy [21, 22, 23, 24, 25],
jednak pozwalają na budowanie przy ich pomocy przetwornic o dobrych właściwościach.
Dolnym ograniczeniem częstotliwości w układach impulsowych jest z reguły 20 kHz. Poniżej
tej wartości przetwornica mogłaby generować słyszalne i uciążliwe dźwięki. Górne ograniczenie
wynika z właściwości materiału ferromagnetycznego rdzenia transformatora i w przypadku
użytego materiału F–807 wynosi około 100kHz (tab. 2). Częstotliwość kluczowania tranzystora
mocy w projektowanym układzie została ustalona arbitralnie na wartość

f = 50kHz.

Czas trwania pojedynczego okresu pracy T jest więc równy

1
T = = 20µs.
f

W kolejnych podrozdziałach przedstawiono analizy potwierdzające że przy tej częstotliwo-

ści można osiągnąć założone parametry układu.

4.1.3 Przekładnia napięciowa

Projektowana przetwornica powinna umożliwiać regulację napięcia wyjściowego w szerokim
zakresie, jednocześnie niwelując wpływ wahań napięcia wejściowego. Przy wyborze przekładni
napięciowej transformatora kierowano się wartościami napięć wejściowych i wyjściowych.

25
 Uwzględniając założone parametry pracy:

Ui = 20 . . . 40V, Uo = 1 . . . 30V

i korzystając z równania (1), uzyskano zestaw wszystkich możliwych wartości współczynnika

wypełnienia, odpowiadających zadanym zakresom napięć Ui i Uo . Zestawienie tych danych
zobrazowano na rysunku 14. Ostatecznie zdecydowano się na wartość przekładni N = 1, 5
(rys. 14c i 14d).
Gdyby transformator składał się z takiej samej liczby zwojów po stronie pierwotnej i wtór-
nej (rys. 14a i 14b), współczynnik wypełnienia impulsów sterujących zawierałby się w „bez-
piecznym” przedziale 10% − 60%. Jednak w takim przypadku widać jednak różnicę w jakości
stabilizacji niskich i wysokich napięć wyjściowych. Przy Uwy = 5V, aby zniwelować wahania
napięcia Uwe w całym możliwym zakresie, współczynnik wypełnienia mógłby przyjmować war-
tości z przedziału o szerokości ok. 10% (od 12 do 22%). Natomiast przy napięciu Uwy = 30V,
ten zakres miałby szerokość ok. 18% (od 43 do 61%). Oznacza to, że niskie napięcia byłyby
stabilizowane gorzej niż napięcia wysokie. Ma to tym większe znaczenie w sterownikach cyfro-
wych, gdzie współczynnik wypełnienia jest skwantowany. Gdyby stosunek n1 /n2 miał wartość
mniejszą niż 1, opisane różnice byłyby jeszcze większe.
Przypadek gdy n1 /n2 = 2 (wtedy transformator obniża napięcie o połowę), obrazują ry-
sunki 14e i 14f. Przy takiej wartości przekładni napięciowej, sterownik dysponowałby w przybli-
żeniu takim samym zakresem regulacji współczynnika wypełnienia dla wszystkich możliwych
napięć wejściowych (rys. 14e). Przeciwko zastosowaniu transformatora obniżającego napięcie
dwukrotnie przemawiają jednak relatywnie wysokie współczynniki wypełnienia potrzebne do
uzyskania odpowiednich napięć. W takiej sytuacji uzwojenie wtórne musi oddać daną ener-
gię do obciążenia w bardzo krótkim czasie, co przekłada się na większe impulsy prądowe
w obwodzie wtórnym i wymusza zastosowanie diody prostowniczej mogącej pracować z du-
żymi prądami szczytowymi. Zwiększają się również straty mocy związane z przełączaniem tej
diody.
Stosunek n1 /n2 = 1, 5 został wybrany jako kompromis pomiędzy wartościami 1 i 2. Zapew-
nia on podobne warunki dla regulacji niskich i wysokich napięć wejściowych, a przy tym nie
wymaga sterowania impulsami o przesadnie dużym lub małym współczynniku wypełnienia.

4.1.4 Indukcyjności uzwojeń

Przy doborze wartości indukcyjności uzwojeń transformatora kierowano się wymaganiami
dotyczącymi poziomów napięć oraz mocy dostarczanej przez przetwornicę. Z punktu widze-
nia poziomu przenoszonej mocy korzystne jest jak najwyższe napięcie wejściowe, ponieważ
powoduje ono szybkie zmagazynowanie odpowiedniej energii w rdzeniu transformatora przy
zachowaniu niewielkich wartości prądów. Jednak ważnym ograniczeniem, które należy wziąć
pod uwagę przy pracy z dużymi napięciami, jest odporność poszczególnych elementów na
przebicie.
Gdy napięcie wejściowe jest niskie, trudniej jest osiągnąć założony poziom mocy wyjścio-
wej, gdyż prąd po stronie pierwotnej transformatora musi osiągać większe natężenie. Jeśli
więc moc na wyjściu jest stała, przy niskim napięciu wejściowym rdzeń nasyci się łatwiej.

26
 70% 70%

60% 60%

50% 50%
Uwe Uwy
40% 20 40% 30

%PWM
24
%PWM

25
28 20
30% 30%
32 15
36 10
20% 40 20%
5
1
10% 10%

0% 0%
0 5 10 15 20 25 30 35 15 20 25 30 35 40 45
Uw y Uwe

(a) n1 /n2 = 1 (b) n1 /n2 = 1

80%
80%
70%
70%
60%
60%
Uwe
50%
20 50% Uwy
24
%PWM

40% 30
%PWM

28 40% 25
32 20
30%
36 30% 15
40 10
20% 5
20%
1
10% 10%

0% 0%
0 5 10 15 20 25 30 35 15 20 25 30 35 40 45
Uw y Uwe

(c) n1 /n2 = 1, 5 (d) n1 /n2 = 1, 5

80% 80%

70% 70%

60% 60%

Uwe 50% Uwy

50%
20 30
%PWM

24
%PWM

40% 40% 25
28 20
32 30% 15
30%
36 10
40 5
20% 20%
1
10% 10%

0% 0%
0 5 10 15 20 25 30 35 15 20 25 30 35 40 45
Uw y Uwe

(e) n1 /n2 = 2 (f) n1 /n2 = 2

Rysunek 14: Analiza wartości współczynnika wypełnienia impulsów sterujących tranzystorem

mocy, dla różnych napięć wejściowych i wyjściowych. Uwzględniono trzy wartości przekładni
napięciowej transformatora N : 1, 1, 5, oraz 2.

Z tego powodu dalsze rozważania dotyczące mocy uzyskiwanej z rdzenia przeprowadzono dla
najniższego założonego napięcia wejściowego, tj. Ui = 20 V.

27
 Parametry wybranego rdzenia są następujące (tab. 2 i 3):

µi = 2000 ± 25% = 1500 . . . 2500, le = 79mm, G = 0, 5mm.

Efektywna przenikalność magnetyczna rdzenia jest równa

µi
µe = .
G · µi
1+
le
Początkowa przenikalność magnetyczna rdzenia µi ma bardzo duży rozrzut produkcyjny.
Ze względu na nasycanie rdzenia, niekorzystna jest większa wartość tego parametru, bo rdzeń
nasyci się wtedy przy niższym natężeniu pola magnetycznego H (rys. 15). Przenikalność efek-
tywna w najgorszym przypadku, tj. µi = 2500, ma wartość
µe ≈ 149.

µ1 µ2
B
µ1 > µ2

Rysunek 15: Powiązanie przenikalności magnetycznej z krzywą histerezy obwodu magnetycz-

nego

Natężenie pola magnetycznego przy jakim rdzeń się nasyca (w temperaturze 100◦ C):
Bsat 330mT
B = µ0 µe · H ⇒ Hsat = = = 1762 [A/m].
µ0 µe 4π · 10−7 · 149
Siła magnetomotoryczna powodująca nasycenie wybranego rdzenia ma zatem wartość
AZsat = Hsat · le = 1762A/m · 79mm = 140A,
natomiast natężenie prądu w uzwojeniu pierwotnym powodujące nasycenie, określa wzór
AZsat
I1(sat) = . (4)
N1
Obliczenie prądu I1(sat) będzie możliwe po ustaleniu liczby zwojów N1 , wcześniej należy
jednak określić indukcyjność uzwojenia. Można to uczynić korzystając z równania opisującego
maksymalną moc możliwą do uzyskania z transformatora (dodatek A).
N Uo Ui N Uo T 1
 q 
Po(max) = · AZsat AL · L1 − 0, 5Ui · · . (5)
Ui + N Uo N Uo + Ui L1

28
 Po podstawieniu wyliczonych wcześniej wartości liczbowych, otrzymano wykres przedsta-
wiony na rysunku 16. Jak widać, mniejsze indukcyjności pozwalają na osiągnięcie większych
mocy, a więc wymagane parametry (Po(max) = 45W, przy Uo(max) = 30V) będą możliwe do
spełnienia tylko wtedy, gdy uzwojenie pierwotne będzie miało indukcyjność mniejszą od pew-
nej wartości LX .

Rysunek 16: Zależność maksymalnej uzyskiwanej mocy od indukcyjności uzwojenia pierwot-

nego transformatora, przy napięciu wejściowym Ui = 20V.

Z rysunku 16 wynika, że założoną moc można otrzymać nawijając uzwojenie pierwotne

o indukcyjności L1 = 350µH lub mniejszej. Jednak korzystne jest wybranie największej moż-
liwej indukcyjności, bo wtedy zmniejszą się pulsacje oraz średnie wartości prądów w układzie.
Zdecydowano się zatem na wartość L1 = 350µH.
Gdy znana jest indukcyjność L1 , na podstawie wzoru (5) można wykreślić zależność mak-
symalnej uzyskiwanej mocy wyjściowej od napięcia wyjściowego, a tym samym sprecyzować
charakterystykę mocową przetwornicy. Wykres obrazujący tę zależność przedstawiono na ry-
sunku 17. Wyznaczono też charakterystykę maksymalnego prądu wyjściowego przetwornicy
Io(max) = Po(max) /Uo(max) (rysunek 18).

4.1.5 Liczby zwojów

Parametr AL wybranego rdzenia ma wartość 251nH. Wymagana indukcyjność uzwojenia
pierwotnego L1 = 350µH. A więc potrzebna liczba zwojów N1 to:
s
L1
N1 = = 37,
AL

a liczba zwojów uzwojenia wtórnego:

N2 = N1 /1, 5 = 25.

29
Rysunek 17: Zależność maksymalnej uzyskiwanej mocy od napięcia wyjściowego, przy induk-
cyjności L1 = 350µH i napięciu wejściowym Ui = 20V

Rysunek 18: Zależność maksymalnego prądu od napięcia na wyjściu, przy indukcyjności L1 =

350µH i napięciu wejściowym Ui = 20V

4.1.6 Drut nawojowy

Z wzoru (5) wynikają maksymalne wartości stałe mocy i prądów wyjściowych:
Ui Uo Po Io
[V] [V] [W] [A]
20 30 46,4 1,6
20 1 5,2 5,2
40 30 66,6 2,2
40 1 5,4 5,4

30
 Największy prąd, jaki może wystąpić w uzwojeniu wtórnym, to Io = 5, 4A. Dopuszczalna
gęstość prądu w drucie nawojowym to Jmax = 5A/mm2 [2]. Wobec tego efektywny przekrój
jednego zwoju po stronie wtórnej powinien być równy
Io(max)
S2 = = 1, 1mm2 .
Jmax
Głębokość wnikania pola elektrycznego w drut miedziany, zdefiniowana jako głębokość na
jakiej natężenie prądu jest e-krotnie mniejsze (e ≈ 2, 72) od natężenia na powierzchni, jest
równa [2]:
76 76
dwnik [mm] = √ = = 0, 34mm
f 50kHz
Można więc użyć drutu nawojowego o grubości 0,5mm i powierzchni przekroju π·(0, 25mm)2 =
0, 196mm2 i, żeby uzyskać efektywny przekrój zwoju 1, 1mm2 , połączyć równolegle sześć takich
drutów.

Aby wykonać te obliczenia dla strony pierwotnej, wstępnie założono że transformator prze-
nosi energię ze stuprocentową sprawnością, czyli Po = Pi .
Ui Uo P o = Pi Ii
[V] [V] [W] [A]
20 30 46,4 2,3
20 1 5,2 0,26
40 30 66,6 1,7
40 1 5,4

Stąd:
I1(max) 2, 5A
S1 = = = 0, 5mm2 .
Jmax 5A/mm 2

W tym przypadku, odpowiednio niską gęstość prądu można uzyskać łącząc w wiązkę równolegle
trzy druty.

Ostatecznie efektywne powierzchnie przekroju zwojów:

2
0, 5mm

S1 = 3π · = 0, 59mm2
2
2
0, 5mm

S2 = 6π · = 1, 18mm2 ,
2
natomiast całkowita powierzchnia przekroju uzwojeń jest równa:

S1 N1 + S2 N2 = 0, 59 · 37 + 1, 18 · 25 = 51, 33 [mm2 ].

Ze względu na niedoskonałe wypełnienie dostępnego okna drutem miedzianym (drut ma

przekrój okrągły, więc między zwojami pozostają wolne przestrzenie; emalia izolująca ma

31
pewną grubość; potrzebne są dodatkowe taśmy lub folie izolacyjne), należy przyjąć że jest
wymagane okno o powierzchni mniej więcej dwukrotnie większej niż czynna powierzchnia
przekroju uzwojeń [2]:

AN = 51, 33 · 2 = 102, 66 [mm2 ]

Rdzeń ETD34 ma okno o powierzchni AN = 122mm2 , więc wyznaczone liczby uzwojeń

zmieszczą się. W rdzeniu mniejszego rozmiaru (ETD29), parametr AN ma wartość 95mm2 ,
więc istniałoby ryzyko, że zabrakłoby w nim miejsca na zaprojektowane uzwojenia.

4.2 Wykonanie transformatora

Uzwojenia transformatora podzielono na cztery sekcje: AB, CD, EF, GH. Uzwojenie
pierwotne tworzą połączone szeregowo sekcje AB i CD, z których każda składa się z 18,5
zwoju. Podzielenie uzwojenia na dwie sekcje i umieszczenie pomiędzy nimi uzwojenia wtórnego
poprawia współczynnik sprzężenia transformatora [2].
Uzwojenie wtórne musiało zostać wykonane z wiązki sześciu drutów. Trudności związane
z ręcznym nawijaniem wiązek (rys. 19) wymusiły podział na dwie sekcje: EF i GH. Każdą
z nich tworzy 25 zwojów, nawiniętych wiązką złożoną z trzech drutów. Sekcje połączono rów-
nolegle, zwierając ich końcówki: E z G, oraz F z H.
Uzwojenia nawinięto na karkasie ETD34 w wersji pionowej (rys. 20a). Karkas ten posiada
14 wyprowadzeń w dwóch rzędach. Końcówki uzwojenia pierwotnego wyprowadzono na rząd
lewy, a wtórnego — na prawy (rys. 20b).

Rysunek 19: Nawijanie uzwojeń transformatora

Użyty karkas ma wyprowadzenia tylko przy dolnej podstawie kolumny, co sprawia że nie-
korzystne staje się nawijanie uzwojeń składających się tylko z jednej warstwy drutu. Obydwie
końcówki uzwojenia muszą być połączone z wyprowadzeniami karkasu, toteż jeśli pierwszy
zwój znajduje się przy dolnej podstawie kolumny, a ostatni przy górnej, to drut od ostatniego
zwoju musi zostać poprowadzony do wyprowadzenia wzdłuż kolumny (w poprzek uzwojeń).
Takie prowadzenie drutu pogarsza przyleganie do siebie uzwojeń i zajmuje niepotrzebnie miej-
sce.

32
 D

C G

B F

(a) Rzut izometryczny. (b) Widok z góry.

Źródło: [18] Kropkami oznaczo-
no początki uzwo-
jeń.

Rysunek 20: Karkas ETD34 w wersji pionowej (stojącej)

O wiele korzystniejsze jest nawijanie uzwojeń złożonych z dokładnie dwóch (ogólnie —

parzystej liczby) pełnych warstw. W takim przypadku zarówno pierwszy, jak i ostatni zwój
znajdują się przy dolnej podstawie kolumny, a więc blisko wyprowadzeń karkasu. W zaprojek-
towanym transformatorze udało się nawinąć wszystkie sekcje uzwojeń właśnie takim sposobem.
Wysokość kolumny użytego karkasu jest równa 20mm. Nawinięcie dwóch warstw (od dol-
nej podstawy do górnej i z powrotem) daje do wykorzystania 40mm przestrzeni. Ponieważ
wszystkie sekcje transformatora zostały nawinięte potrójną wiązką, efektywna szerokość poje-
dynczego zwoju to 1,5mm. Na długości 40mm można zatem zmieścić 40/1, 5 = 26, 6 zwojów.
Takie warunki doskonale pasują do sekcji EF i GH — obydwie składają się z 25 zwojów.
Nawinięto je tak, by wszystkie zwoje ciasno do siebie przylegały i utworzyły po dwie pełne
warstwy.
Sekcje AB i CD mają po 18,5 zwoju. Daje to sumaryczną długość 18, 5 · 1, 5 = 27, 8[mm],
czyli niecałe 1,5 warstwy. Pełne dwie warstwy uzyskano nawijając sekcje nieco luźniej: 18, 5 ·
0, 5mm · 4 = 37mm, zatem dodając ok. 0,5mm wolnego miejsca do każdego 3-drutowego zwoju
rozmieszczono 18,5 zwoju równomiernie na długości 40mm. Schemat nawinięcia wszystkich
sekcji przedstawiono na rysunku 21.
Pomiędzy każdą parą sąsiadujących ze sobą warstw drutu znajduje się jedna warstwa samo-
przylepnej taśmy izolacyjnej PVC (pokrywa zwoje na całej długości kolumny). W ten sposób
zabezpieczono transformator przed przebiciami emalii pokrywającej drut nawojowy. Przebicia
mogłyby występować na końcówkach sekcji w wyniku dużych napięć (ponad 100V) występu-
jących na uzwojeniach.
Sekcje wtórne zostały oddzielone od sekcji pierwotnych trzema warstwami taśmy izolacyjnej
(zaznaczone na rys. 21). Grubsza izolacja zwiększa odległość między warstwami drutu, co
skutkuje zmniejszeniem pasożytniczej pojemności między uzwojeniem pierwotnym i wtórnym.
Dzięki mniejszej pojemności zakłócenia napięciowe będą w mniejszym stopniu przenosiły się
na wtórną stronę transformatora.
Ostatnim zabiegiem („przeciwzakłóceniowym”) było rozpoczęcie nawijania uzwojeń od
końcówki A, łączącej się z drenem tranzystora kluczującego. W tym punkcie układu wystę-

33
 20mm
Liczba
zwojów:
D
C 18,5

H
G 25
F 25
E
B 18,5
A

Rysunek 21: Przekrój pionowy połowy karkasu z nawiniętym kompletem uzwojeń. Zaznaczono
również potrójne warstwy taśmy izolacyjnej rozdzielających sekcje: AB od EF oraz CD od
GH.

pują najsilniejsze impulsy napięciowe (rozdz. 3.1.1). Jeśli końcówka A znajduje się w pierwszej
warstwie, to warstwa druga, na której zakłócenia są już mniejsze, oddziela ją (i zmniejsza po-
jemność) od sekcji wtórnej EF. Ponadto wszystkie pozostałe warstwy uzwojeń tworzą ekran
zapobiegający wypromieniowywaniu zakłóceń z pierwszej warstwy na zewnątrz transforma-
tora [2].
Powiązanie fizycznych końcówek uzwojeń ze schematem ideowym przetwornicy przedsta-
wiono na rysunku 22.

Ui D
E,G
C
B

F,H
A

Rysunek 22: Powiązanie fizycznych końcówek uzwojeń wykonanego transformatora z węzłami

schematu ideowego przetwornicy

4.2.1 Pomiar indukcyjności uzwojeń

Aby zweryfikować poprawność wykonania transformatora, zmierzono indukcyjność uzwo-
jeń. Protokół pomiarów zamieszczono w dodatku B. W wyniku pomiarów otrzymano wartości
indukcyjności pierwotnej i wtórnej

L1 = 350µH L2 = 145µH

34
 Rzeczywista przekładnia napięciowa transformatora:
q
N= L1 /L2 = 1, 55

Indukcyjność rozproszenia uzwojenia pierwotnego:

LD = 1, 17µH

Z tych danych można wyznaczyć współczynnik sprzężenia uzwojeń

L1
k= = 0, 997
L1 + LD

4.3 Układ gaszący

Układy gaszące (ang. snubbers), nazywane również gasikami, stosuje się w przetwornicach
impulsowych do złagodzenia efektów występujących przy przełączaniu tranzystorów mocy.
W języku angielskim wyróżnia się dodatkową podkategorię: clamp to układ ograniczający
tylko poziom napięcia, a nie wpływający na szybkość jego zmian i tym samym tłumienie
wysokoczęstotliwościowych zakłóceń.
W przetwornicy zaporowej, wykorzystującej jeden tranzystor mocy, układ gaszący zabez-
piecza ten element przed przebiciem mogącym wystąpić między drenem i źródłem na skutek
rozwarcia obwodu pierwotnego (wyłączenia tranzystora). Znając indukcyjność rozproszenia po
stronie pierwotnej można oszacować wysokość impulsów napięciowych w przypadku niezasto-
sowania żadnego gasika — może okazać się, że nie będzie on w ogóle potrzebny.

4.3.1 Analiza działania przetwornicy bez układu gaszącego

Szczytowa wartość napięcia impulsu zależy od energii zgromadzonej w indukcyjności roz-
proszenia. Energia ta pozostaje po stronie pierwotnej i powoduje naładowanie pojemności
wyjściowej wyłączonego tranzystora. Do wartości napięcia w impulsie dodaje się również prze-
transformowane napięcie wyjściowe, panujące na drenie przez cały czas wyłączenia tranzystora
[6].
v
u LD 2
· Ipk
u
Upk = t
+ Ui + N · Uo (6)
COSS

gdzie Upk to szczytowa wartość napięcia impulsu, Ipk – szczytowa wartość prądu w obwodzie
pierwotnym, a COSS – pojemność wyjściowa tranzystora.
Natężenie prądu Ipk jest największe w warunkach Po = 45W i Ui = 20V. Przy takiej mocy
i napięciu wyjściowym, współczynnik wypełnienia impulsów Don jest równy w przybliżeniu
0, 7 (rys. 14d). Czas włączenia tranzystora wynosi zatem

ton = Don · T = 0, 7 · 20µs = 14µs

35
 Natężenie prądu Ipk można obliczyć na podstawie mocy wejściowej Pi . Założono sprawność
energetyczną przetwornicy η = 80%.

Pi = 45W/0, 8 = 56W

Energia jest pobierana z wejścia nie ciągle, lecz impulsowo. Średnia wartość mocy wejścio-
wej w impulsie:

c = P /D = 56W/0, 7 ≈ 80W
P i i on

Średnia wartość prądu wejściowego w impulsie:

Ibi = P
c /U = 80W/20V = 4A
i i

Przyrost natężenia prądu w impulsie:

Ui · ton 20V · 14µs

∆I1 = = = 0, 8A
L1 350µH

Wartość prądu pod koniec impulsu, w chwili wyłączania tranzystora:

1 1
Ipk = Ib1 + ∆I1 = 4A + · 0, 8A = 4, 4A
2 2
Pojemność wyjściowa COSS jest parametrem charakterystycznym dla modelu tranzystora.
Przykładowo, w popularnym tranzystorze IRF540 (UDS(max) = 100V, ID(max) = 20A), pojem-
ność ta ma wartość typowo 250pF [26].
Po podstawieniu obliczonych wartości do wzoru (6), otrzymano wysokość impulsu napięcia.
Ponieważ nieznany jest rozrzut produkcyjny indukcyjności rozproszenia, w obliczeniach orien-
tacyjnie przyjęto wartość LD trzykrotnie większą niż uzyskana w wykonanym transformatorze,
co odpowiada współczynnikowi sprzężenia uzwojeń k = 0, 990.
s
3, 5µH · (4, 4A)2
Upk = + 20V + 1, 5 · 30V = 586V
250pF

Dla tranzystora o wyższej wytrzymałości na przebicie — STP10NK60Z (UDS(max) = 600V,

ID(max) = 10A) — typowa wartość pojemności wyjściowej to 150pF [27], stąd
s
3, 5µH · (4, 4A)2
Upk = + 20V + 1, 5 · 30V = 737V.
150pF

W obydwu przypadkach impulsy znacznie przekraczają dopuszczalne napięcie UDS . Gene-

ralnie korzystne jest użycie tranzystora o jak najmniejszej wytrzymałości napięciowej, gdyż
takie elementy mają z reguły mniejszą rezystancję kanału rDS(on) , co zmniejsza straty mocy
wynikające z przewodzenia prądu przez tranzystor. Z obliczeń wynika, że mimo bardzo do-
brego sprzężenia między uzwojeniami istnieje poważne ryzyko przebicia tranzystora mocy.
W związku z tym, należy zastosować odpowiedni układ gaszący.

36
Rysunek 23: Pasywne, stratne układy gaszące. Od lewej kolejno: układ z diodą Zenera (DZ),
RCD, oraz RC. Źródło:[12]

4.3.2 Wybór układu gaszącego

Istnieje możliwość zbudowania gasika bezstratnego (pasywnego lub aktywnego), lecz ze
względu na stopień skomplikowania i dużą liczbę elementów składowych w takich układach [7],
z ich zastosowania zrezygnowano. Pod uwagę były brane trzy główne typy pasywnych, strat-
nych gasików, przedstawione na rysunku 23.
W zbudowanym układzie wstępnie użyto gasika typu RCD, oraz tranzystora mocy IRF540N.
Podczas testów okazało się jednak, że w pewnych warunkach przetwornica zakłóca samą siebie.
Nieprawidłowości objawiały się, gdy chwila wyłączenia głównego tranzystora pokrywała się
z chwilą zakończenia próbkowania napięcia wyjściowego przez przetwornik analogowo–cyfrowy.
Impuls napięcia na drenie towarzyszący wyłączaniu tranzystora powodował silne zakłócenie
pomiaru Uo , przez co stabilizacja tego napięcia stawała się niemożliwa.
Z tego powodu, zdecydowano się na zastąpienie gasika RCD układem typu RC. Układ ten
jako jedyny z przedstawionych na rysunku 23, oprócz zmniejszenia szczytowej wartości napię-
cia, zmniejsza też nachylenie zboczy impulsu [6]. Zastosowanie gasika RC zmniejszyło poziom
wypromieniowywanych zakłóceń, jednak wciąż w pewnym stopniu zaburzały one proces sta-
bilizacji napięcia. Rozwiązaniem problemu może być odpowiednie zaprojektowanie płytki dru-
kowanej dla przetwornicy, jednak aby umożliwić poprawne działanie jeszcze przed zaprojekto-
waniem i wykonaniem PCB, problem zakłóceń został całkowicie usunięty poprzez odpowiedni
sposób pomiaru napięcia wyjściowego (patrz rozdz. 4.7.1).
Zasada działania gasika RC opiera się na tłumieniu oscylacji powstałych w obwodzie LC
złożonym z indukcyjności rozproszenia LD , pojemności wyjściowej tranzystora COSS i pojem-
ności międzyzwojowej uzwojenia pierwotnego.
Wartości elementów gasika Rsn i Csn zostały dobrane eksperymentalnie, metodą polegającą
na dołączaniu do tranzystora różnych pojemności i mierzeniu częstotliwości pasożytniczych
oscylacji po stronie pierwotnej [7]. Ostatecznie zastosowano następujące elementy:

Rsn = 11Ω Csn = 15nF

37
 Rezystancja Rsn jest w przybliżeniu równa impedancji charakterystycznej obwodu LC,
w związku z czym oscylacje zostają bardzo szybko wytłumione.
Mierząc częstotliwość oscylacji wyznaczono również wartość indukcyjności rozproszenia
LD = 1, 98µH. Wynik ten jest zbliżony do uzyskanego w pomiarach przy pomocy miernika
(rozdz. 4.2.1) i potwierdza bardzo dobry współczynnik sprzężenia między uzwojeniami.
Na podstawie energii zgromadzonej w indukcyjności rozproszenia można oszacować moc
traconą w gasiku
2
LD · Ipk
Pstrat(snub) = ·f
2
W najgorszym przypadku, Po = 45W i Ui = 20V, otrzymujemy

2, 5µH · (4, 5A)2

Pstrat(snub) = · 50kHz = 1, 3W
2
Wobec tego moc znamionowa rezystora Rsn powinna być równa co najmniej 2W. Nie
powinien być to przy tym rezystor drutowy — takie elementy mają zbyt dużą pasożytniczą
indukcyjność szeregową i nie nadają się do stosowania w układach gaszących typu RC.

4.3.3 Symulacje i testy układu gaszącego

Aby zweryfikować poprawność i skuteczność zaproponowanego gasika RC, przeprowadzono
symulacje w programie LTSpice IV (wersja 4.06). Zachowanie gasika badano w układzie
przedstawionym na rysunku 24. W takim układzie użyty model tranzystora nie ma zna-
czącego wpływu na wynik symulacji, gdyż dominującą pojemność w węźle drenu stanowi
kondensator Csn = 15nF. W symulacji wykorzystano więc model tranzystora działającego
też w rzeczywistym układzie — IRF540N, pobrany ze strony internetowej producenta (http:
//www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf540n.spi). Model zmodyfikowano tak, by
nie uwzględniał przebicia przy UDS = 100V.

Rysunek 24: Schemat układu do symulacji pracy gasika RC.

38
Test 1: symulacja układu z gasikiem RC przy największych możliwych impulsach
na drenie
W symulowanym układzie ustawiono wartość współczynnika sprzężenia między uzwojeniami
k = 0, 99, co odpowiada indukcyjności rozproszenia trzykrotnie większej od uzyskanej w wyko-
nanym transformatorze. Symulowano najtrudniejsze — z punktu widzenia gasika — warunki,
tj. napięcie wejściowe Ui = 20V i moc wyjściową Po = 45W, przy napięciu wyjściowym
Uo = 30V. Przebieg napięcia na drenie uzyskany w symulacji przedstawia rysunek 25.

Rysunek 25: Przebiegi napięcia na drenie tranzystora w symulowanym układzie. Warunki

symulacji: Ui = 20, 0V; Uo = 30, 0V; Ro = 20Ω; Po = 45W; k = 0, 99.

Dzięki zastosowaniu gasika, napięcie UDS nie przekracza wartości ok. 130V. W docelowej
wersji przetwornicy należy zatem zastosować tranzystor o UDS(max) = 200V.

Test 2: Porównanie układu rzeczywistego z symulowanym w przypadku braku ga-

sika
By dowiedzieć się jak wiernie symulacja obwodu oddaje jego rzeczywiste zachowanie, przepro-
wadzono testy na wykonanym prototypie przetwornicy i porównano ich wyniki z symulacjami.
Warunki testów:

Ui = 20, 0V Uo = 9, 0V Ro = 20Ω Po = Uo2 /Ro = 4, 05W

W prototypie zastosowano transformator opisany w rozdziale 4.2. Do symulacji użyto

układu z rysunku 24, ze zmienionym współczynnikiem sprzężenia k i czasem włączenia tran-
zystora mocy ton = 8, 3µs. W celu zachowania jak największej zgodności układu rzeczywistego
z symulowanym, ustawiono wartość k = 0, 997.
Badano przebiegi napięcia na drenie. Wyniki symulacji przedstawiono na rysunku 26,
a oscylogramy z rzeczywistego układu na rysunku 27.

Test 3: Porównanie działania gasika RC w układzie rzeczywistym i symulowanym

Do układu dołączono gasik RC: Rsn = 11Ω, Csn = 15nF . Pozostałe warunki były identyczne
jak w teście 2. Wyniki symulacji przedstawiono na rysunku 28, a oscylogramy z rzeczywistego
układu na rysunku 29.

39
Rysunek 26: Przebiegi napięcia na drenie tranzystora w symulowanym układzie, bez gasika.
Warunki symulacji: Ui = 20, 0V; Uo = 9, 0V; Ro = 20Ω; Po = 4, 05W; k = 0, 997; ton = 8, 3µs.

(a) Widok ogólny (b) Zbliżenie na impuls przy wyłączeniu tranzystora

Rysunek 27: Przebiegi napięcia na drenie tranzystora (kanał 1), oraz na wyjściu (kanał 2)
w rzeczywistym układzie, bez gasika. Warunki pracy: Ui = 20, 0V; Uo = 9, 0V; Ro = 20Ω; Po =
4, 05W; k = 0, 997.

Rysunek 28: Przebiegi napięcia na drenie tranzystora w symulowanym układzie, z gasikiem RC.
Warunki symulacji: Ui = 20, 0V; Uo = 9, 0V; Ro = 20Ω; Po = 4, 05W; k = 0, 997; ton = 8, 3µs.

40
 (a) Widok ogólny (b) Zbliżenie na impuls przy wyłączeniu tranzystora

Rysunek 29: Przebiegi napięcia na drenie tranzystora (kanał 1), oraz na wyjściu (kanał 2)
w rzeczywistym układzie, z gasikiem RC. Warunki pracy: Ui = 20, 0V; Uo = 9, 0V; Ro =
20Ω; Po = 4, 05W; k = 0, 997.

W teście drugim układ symulowany zachowywał się wyraźnie inaczej niż układ rzeczywi-
sty — pasożytnicze oscylacje trwały przez cały czas wyłączenia tranzystora, a początkowe
impulsy szpilkowe były znacznie silniejsze. Było to spowodowane głównie nieuwzględnieniem
w symulacji pasożytniczych rezystancji szeregowych rezonującego obwodu LC.
Test trzeci wykazał skuteczność zaprojektowanego gasika RC, zarówno w symulacji, jak
i w rzeczywistości. Poza tym stwierdzono bardzo dobrą zgodność wyników symulacji z pomia-
rami rzeczywistego układu — zwłaszcza w zakresie wysokości szpilkowych impulsów napięcia.
Tak dobra zgodność potwierdza poprawność obliczeń gasika i pomiarów indukcyjności roz-
proszenia transformatora; pozwala również stwierdzić że w najtrudniejszych warunkach pracy
rzeczywisty układ będzie zachowywał się tak jak symulowany (rys. 25).

4.4 Główny tranzystor kluczujący

Warunki panujące w przetwornicy decydują o wymaganiach wobec tranzystora kluczują-
cego: maksymalnym dopuszczalnym natężeniu prądu drenu (ID(max) ), napięciu przebicia dren–
źródło (UDS(max) ) i rezystancji kanału włączonego tranzystora (rDS(on) ).
Największa chwilowa wartość natężenia prądu płynącego przez tranzystor, mogąca wy-
stąpić w układzie, to ok. 4,4A, natomiast średnia wartość prądu drenu może mieć wartość
maksymalnie ok. 56W / 20V = 2,8A (rozdz. 4.3.1).
Największe napięcie mogące wystąpić na drenie wynika z właściwości zaprojektowanego
gasika RC i wynosi ok. 130V (rys. 25).
Na podstawie powyższych wymagań, wytypowano kilka modeli tranzystorów (tabela 4).
Spośród przedstawionych elementów wybrano model IRF640.

41
Tabela 4: Porównanie podstawowych parametrów różnych tranzystorów N-MOSFET, speł-
niających wymagania projektu. Podano ceny netto, przy zakupie powyżej 25 sztuk. Źródło:
www.tme.eu, dostęp 12.02.2011.

IRF620 IRF630 IRF640 BUZ30A IRFB23N15

UDS(max) [V] 200 200 200 200 150
ID(max) [A]@25◦ C 5, 2 9, 5 18 21 23
rDS(on) [mΩ] 800 300 150 130 90
cena [zł] 1,39 1,39 2,29 5,74 5,61

4.4.1 Sterownik tranzystora mocy

Żeby dostatecznie szybko włączać i wyłączać tranzystor, oraz uzyskać dobre parametry
(małe rDS(on) ), należy podawać na bramkę odpowiednio wysokie napięcie UGS , ze źródła o do-
syć dużej wydajności prądowej. Wartość napięcia bramki wpływa na rezystancję kanału dren–
źródło (im większe UGS , tym mniejsze rDS(on) ), a duże natężenie prądu dostarczanego/odbie-
ranego przez źródło pozwala szybko naładować/rozładować pojemność bramki, a co za tym
idzie, szybko włączyć/wyłączyć tranzystor.
Mikrokontroler generuje sygnał PWM o amplitudzie 3,3V, a wydajność prądowa jego wyjść
nie przekracza 25mA. Zarówno napięcie jak i natężenie prądu są więc zbyt małe by zapewnić
poprawną pracę tranzystora IRF540N w układzie. Wobec tego zbudowano sterownik złożony
z trzech tranzystorów i rezystora (rys. 30). Pierwszy stopień sterownika zwiększa amplitudę
sygnału PWM, a drugi, złożony z dwóch tranzystorów bipolarnych połączonych w układzie
komplementarnego wtórnika napięciowego, zapewnia wydajność prądową sterownika wystar-
czającą do poprawnego działania przetwornicy.

Rysunek 30: Schemat ideowy bloku tranzystora mocy

Rezystory R1 i R2 służą zmniejszeniu emisji zakłóceń z układu przełączania tranzystora.

R1 spowalnia przełączanie i zmniejsza nachylenie zboczy w sygnale sterującym, a R2 obciąża
linię doprowadzającą sygnał do bramki tranzystora. Rezystor R2 wprowadzono by zmniejszyć
zakłócenia emitowane przez długi przewód doprowadzający sygnał do bramki. W poprawnie
zaprojektowanej płytce drukowanej użycie tego rezystora może nie być konieczne.

42
4.5 Obwód wyjściowy
W skład obwodu wyjściowego wchodzą: uzwojenie wtórne transformatora, oraz prostownik
złożony z diody i kondensatora (rys. 31).

Rysunek 31: Schemat ideowy obwodu wyjściowego przetwornicy

4.5.1 Dioda obwodu wyjściowego

Kryteria wyboru diody to: średnie natężenie prądu w obwodzie Io i maksymalne napię-
cie wsteczne UDr(max) mogące wystąpić na diodzie. Napięcie przewodzenia UDf powinno być
możliwie jak najmniejsze, by zminimalizować straty mocy wynikające z przewodzenia prądu.
Maksymalne natężenie prądu Io wynosi (rozdz. 4.1.6)

Io(max) = 5, 4A,

a maksymalne napięcie wsteczne ma wartość

Ui(max) 40V
UDr(max) = Uo(max) + = 30V + = 57V.
N 1, 5
Spośród elementów spełniających takie warunki, wybrano diodę Schottky’ego STPS8H100D,
o parametrach [32]:

UDr(max) = 100V

ID(max) = 8A

UDf (max) ≈ 0, 65V, przy ID = 5, 0A

4.5.2 Kondensatory obwodu wyjściowego

Kryterium wyboru pojemności wyjściowej jest dopuszczalna amplituda tętnień napięcia
wyjściowego ∆Uo(max) . Ponieważ nie określono konkretnych wymagań dotyczących tętnień na
wyjściu, podjęto próbę oszacowania jakie wyniki można uzyskać.
Amplituda tętnień zależy od zmian ładunku zgromadzonego w pojemności naprzemiennie
ładowanego i rozładowywanego kondensatora Co , oraz od natężenia prądu ładującego i paso-
żytniczej rezystancji szeregowej rC . Wartość amplitudy określa wzór [3]
rC Io(max) Io(max) Don(max) T
∆Uo(max) = + . (7)
1 − Don(max) Co

43
 Na podstawie tego wzoru można wykreślić zależność maksymalnej amplitudy tętnień dla
całego zakresu napięć wyjściowych. Zdecydowano się na użycie kondensatorów z serii 136 RVI
firmy Vishay [33], o napięciu nominalnym 35V. Do analizy wybrano trzy kondensatory z tej
serii:

a) o najmniejszej pojemności (C =120µF, rC =120mΩ)

b) o pośredniej pojemności (C =1000µF, rC =30mΩ)

c) o największej pojemności (C =3300µF, rC =21mΩ)

Aby dodatkowo zredukować pasożytniczą rezystancję, połączono równolegle dwa kondensa-

tory. Taki zabieg powoduje podwojenie pojemności, przy jednoczesnym dwukrotnym zmniej-
szeniu rezystancji rC . Uzyskane wykresy przedstawiono na rysunku 32.
Z rysunku wynika, że pojemność 240µF jest zbyt mała do projektowanej przetwornicy.
Amplituda tętnień osiąga wartości ok. 400mV, a więc czterokrotnie więcej niż założona pre-
cyzja regulacji napięcia. Większe z rozpatrywanych kondensatorów pozwalają na osiągnięcie
akceptowalnych wyników (rys. 32b i 32c), tj. takich, w których amplituda tętnień jest za-
wsze mniejsza niż precyzja regulacji napięcia. Wykresy przedstawione na rysunkach 32b i 32c
nie różnią się znacząco od siebie ze względu na podobną wartość rezystancji rC w obydwu
przypadkach.
Na podstawie uzyskanych wyników można stwierdzić że odpowiednie będą kondensatory
o pojemności z przedziału od 1000µF do 3300µF, przy czym im większe tym lepsze. W związku
z brakiem w specyfikacji przetwornicy precyzyjnych wymagań dotyczących tętnień na wyjściu,
uznano że równoległe połączenie dwóch kondensatorów o pojemności 1000µF każdy będzie
wystarczające.

4.6 Zasilacz sieciowy

Projektowaną przetwornicę można zasilać z dowolnego źródła napięcia stałego o wartości
z przedziału +20 . . . + 40V . W ramach pracy zbudowano prosty, niestabilizowany zasilacz
sieciowy, którego schemat znajduje się na rysunku 34.
Wymaganą pojemność wyjściową zasilacza obliczono korzystając ze wzoru [13]:
2Po · tD
Cout = √ 2
(8)
η((UAC(min) · 2)2 − UI(min) )
gdzie

Cout – Całkowita pojemność wyjściowa zasilacza

Po – Moc wyjściowa przetwornicy. Przyjęto największą możliwą moc, Po = 45W.

η – Sprawność energetyczna przetwornicy. Przyjęto wartość η = 0, 8.

tD – Kąt wyłączenia prostownika, czyli czas w którym prostownik nie pobiera energii
z sieci (diody w mostku nie przewodzą). Przyjęto tD = 7ms

44
 (a) Co = 240µF, rC = 60mΩ

(b) Co = 2000µF, rC =15mΩ

(c) Co = 6600µF, rC =11mΩ

Rysunek 32: Tętnienia napięcia na wyjściu przetwornicy, przy maksymalnej mocy wyjścio-
wej. Wykresy po lewej przedstawiają bezwzględną amplitudę tętnień, a po prawej — wartość
odniesioną do ustawionego napięcia Uo .

UAC(min) – Najmniejsza wartość skuteczna przetransformowanego napięcia wejściowego.

Przyjęto UAC(min) = 18V

UI(min) – Najmniejsza dopuszczalna wartość napięcia stałego zasilającego przetwornicę.

UI(min) = 20, 0V

Po podstawieniu wartości liczbowych do wzoru, otrzymano pojemność Cin = 3, 14mF. Wo-

bec tego zastosowano w prostowniku cztery kondensatory elektrolityczne, każdy o pojemności
równej 1mF.

45
 Wartość pojemności wyjściowej wynika z dopuszczalnych napięć wejściowych przetwor-
nicy, co wymusza utrzymanie tętnień napięcia zasilacza sieciowego poniżej pewnego poziomu
(rys. 33). Dokładniejszą analizę tego zagadnienia można znaleźć w [13].

Rysunek 33: Przebiegi napięcia na wyjściu zasilacza niestabilizowanego: w przypadku braku

kondensatorów (linia przerywana), oraz z kondensatorami (linia ciągła). Źródło: [13]

SW 1 F U SE1 T RAF O1

B1
230VAC

24VDC

C1 C2 C3 C4

Rysunek 34: Schemat niestabilizowanego zasilacza sieciowego użytego do zasilania przetwor-

nicy

Wykaz elementów
Zasilacz sieciowy składa się z toroidalnego transformatora sieciowego (TRAFO1), mostka
prostowniczego w układzie Graetza (B1) i zespołu kondensatorów filtrujących napięcie (C1-C4).
Listę elementów wraz z ich parametrami zawarto w tabeli 5.

Tabela 5: Elementy zasilacza sieciowego

Element Parametry
TRAFO1 18V / 100VA / 50Hz
B1 50V / 2A
FUSE1 315mA / 250V, zwłoczny
SW1 1A / 250V, SPST
C1-C4 1000 µF / 40V, elektrolityczne

46
4.6.1 Napięcie wyjściowe zasilacza sieciowego
√
Szczytowe napięcie na wyjściu zasilacza to 18V · 2 = 25, 5V, przy założeniu że jest on
obciążony mocą 100W. Przetwornica nie będzie jednak pobierać tak dużych mocy: maksy-
malna wartość to ok. 45W/η = 45W/0, 8 ≈ 56W. Transformator dostarczający moc mniejszą
od nominalnej, będzie dostarczał napięcie o wartości nieco większej niż 18V.
Pobieranie małej mocy z zasilacza wiąże się dodatkowo ze zmniejszaniem tętnień napięcia
na jego wyjściu, co oznacza że napięcie skuteczne zbliża się do wartości szczytowej. Biorąc pod
uwagę te efekty, należy spodziewać się napięć wyjściowych zasilacza z przedziału ok. 20 − 28V.

4.7 Kontroler PWM i pętla sprzężenia zwrotnego

Zasada działania stabilizowanej przetwornicy napięcia opiera się na pomiarze napięcia
wyjściowego, porównywaniu go z napięciem odniesienia i zmianie współczynnika wypełnie-
nia sygnału sterującego tranzystorem mocy. Do zrealizowania tych zadań wykorzystany zo-
stał mikrokontroler ogólnego przeznaczenia z rodziny STM32F [30]. Aby przyspieszyć bu-
dowę układu przetwornicy, użyto płytki ewaluacyjnej Olimex STM32-P103 z mikrokontrolerem
STM32F103RBT6.
Napięcie na wyjściu przetwornicy, po przeskalowaniu, jest mierzone przez przetwornik ana-
logowo-cyfrowy (ADC). Sygnał PWM o częstotliwości 50kHz i odpowiednim współczynniku
wypełnienia jest generowany przez układ timera wbudowany w mikrokontroler. Schemat ide-
owy przedstawiono na rysunku 35.

Rysunek 35: Schemat ideowy bloku pętli sprzężenia zwrotnego

4.7.1 Pomiar napięcia wyjściowego

Przetworniki ADC wbudowane w układ STM32F mają rozdzielczość 12 bitów i zakres
napięć pomiarowych rozciągający się od 0V do napięcia zasilania procesora — w projektowa-
nym układzie jest to 3,3V. Ponieważ napięcie wyjściowe Uo może zawierać się w przedziale
0V . . . 30V, użyto dzielnika napięcia (o współczynniku podziału równym 10) do liniowego od-
wzorowania napięcia Uo na zakres 0V . . . 3V, możliwy do zmierzenia przez przetwornik.
Dzielnik napięciowy jest złożony z dwóch rezystorów o tolerancji 0, 1% i temperaturowym
współczynniku rezystancji (TWR) 50ppm/K. Takie parametry pozwalają na uzyskanie błędu
napięcia wyjściowego nie większego niż δUo = 54mV , przy Uo = 30, 0V . Przy mniejszych
napięciach wyjściowych błąd ten również się zmniejsza.

47
 Rozdzielczość 12 bitów przekłada się na 4096 rozpoznawalnych poziomów napięcia w peł-
nym zakresie pomiarowym. Rozdzielczość napięciowa wynosi zatem 3300mV/4096 = 0, 8mV.
Ponieważ mierzone jest przeskalowane napięcie Usens = Uo /10, nie można uzyskać rozdzielczo-
ści regulacji napięcia wyjściowego lepszej niż 0, 8mV · 10 = 8mV. Błąd wynikający z tolerancji
rezystorów pomiarowych jest większy, więc taka precyzja jest wystarczająca.
Przetwornik analogowo–cyfrowy jest taktowany sygnałem zegarowym o częstotliwości
4,50MHz. Napięcie wyjściowe jest próbkowane w co drugim okresie sygnału kluczującego
PWM. Pobranie pojedynczej próbki napięcia trwa ts = 15, 9µs, i odbywa się zawsze na po-
czątku okresu TP W M — jest wyzwalane automatycznie przez timer generujący ten sygnał.
Dzięki temu tętnienia napięcia Uo nie mają wpływu na wartość napięcia mierzoną w kolejnych
cyklach pracy. Maksymalny czas włączenia tranzystora to ton(max) = 14µs (rozdz. 4.3.1). Czas
ts jest zatem zawsze dłuższy niż ton , co oznacza że wyłączenie tranzystora mocy nigdy nie
nastąpi w tej samej chwili co zakończenie czasu próbkowania. Jest to dodatkowe zabezpiecze-
nie przed zakłócaniem pomiarów napięcia Uo (patrz rozdz. 4.3.2). Zależności czasowe procesu
próbkowania zobrazowano na rysunku 36.

Uo

Ugs

ton toff

ts Tpwm
15,9us 20us

Rysunek 36: Realizacja pomiaru napięcia wyjściowego w zasilaczu. Pokazano przebiegi napięcia
wyjściowego Uo i napięcia na bramce tranzystora mocy UGS . Zielonym kolorem zaznaczono
czas, w którym ADC próbkuje napięcie Uo /10.

4.7.2 Generacja sygnału PWM

Sygnał PWM jest wytwarzany przy pomocy jednego z układów timerów wbudowanych
w mikrokontroler. Timer jest taktowany zegarem o maksymalnej dopuszczalnej częstotliwo-
ści, fT IM = 72MHz. Aby wygenerować sygnał o częstotliwości fP W M = 50kHz, timer liczy
cyklicznie do wartości fT IM /fP W M = 1440.
Generowanie sygnału PWM po skonfigurowaniu układu timera odbywa się automatycznie,
bez udziału programu wykonywanego przez procesor. Jedyną ingerencją wykonywaną przez
program jest zmiana współczynnika wypełnienia Don . Zmiana Don polega na wpisaniu liczby do
odpowiedniego rejestru mikrokontrolera i odbywa się bez zaburzania generacji. Nowa wartość
obowiązuje od kolejnego cyklu pracy przetwornicy.

48
 Największa wartość Don mogąca wystąpić podczas pracy, to ok. 0, 7. Do programu dodano
zabezpieczenie, nie pozwalające ustawić współczynnika wypełnienia na wartość większą niż
0, 8.

4.7.3 Ograniczenie nadprądowe po stronie pierwotnej

Aby zapobiec nasyceniu się rdzenia transformatora i uszkodzeniu tranzystora mocy, nie
można dopuścić do wzrostu natężenia prądu w obwodzie pierwotnym ponad wartość określoną
wzorem (4):

AZsat 140A
I1(sat) = = = 3, 8A
N1 37

Pomiar natężenia prądu I1 zrealizowano przy pomocy rezystora włączonego szeregowo

w obwód uzwojenia pierwotnego (rys. 37). Rezystor pomiarowy ma wartość 0, 25Ω, zatem gdy
odkłada się na nim napięcie równe 3, 8A · 0, 25Ω ≈ 1, 0V, mikrokontroler dostaje informację
że rdzeń ferrytowy przechodzi w stan nasycenia.

Rysunek 37: Schemat ideowy bloku ograniczenia nadprądowego

W tym miejscu należy zaznaczyć, że nasycanie się rdzenia ma charakter płynny i objawia
się gwałtownym narastaniem prądu w uzwojeniu pierwotnym — tym gwałtowniejszym, im
większy prąd płynie w danej chwili przez uzwojenie. Wynika z tego, że precyzja pomiaru
prądu nie ma krytycznego znaczenia. W przypadku ustawienia progu napięciowego większego
niż 1,0V, zabezpieczenie zadziała przy prądzie nieco większym niż 3,8A — z tym że opóźnienie
zadziałania, w stosunku do czasu nominalnego, będzie pomijalnie małe z uwagi na bardzo
szybkie narastanie prądu.
Ustawienie progu napięciowego mniejszego niż 1,0V powoduje przedwczesne zadziałanie
zabezpieczenia. Wskutek tego z wejścia nie jest pobierana dostateczna ilość energii, i maksy-
malna moc którą może zapewnić zasilacz jest mniejsza niż w specyfikacji.
Z powyższych rozważań wynika, że tolerancja wartości rezystancji może wynosić 5%, ale za-
leca się użycie rezystora o tolerancji 1%. Rezystor w najgorszym przypadku (patrz rozdz. 4.3.1)

49
rozprasza moc równą (2, 8A)2 · 0, 25Ω = 1, 96W . Powinien mieć on zatem moc znamionową
równą lub większą od 2W .

Napięciowy sygnał pomiaru prądu jest porównywany, przy użyciu scalonego komparatora
napięcia LM393 [31], z wytworzonym przez mikrokontroler napięciem odniesienia Uref (sat) =
1, 0V. W chwili przekroczenia dopuszczalnego natężenia prądu I1 , komparator zmienia stan
na odpowiednim wyprowadzeniu mikrokontrolera. Wyprowadzenie to jest skonfigurowane tak,
by stanowiło „zewnętrzny wyzwalacz” (ang. External Trigger, ETR) dla układu timera gene-
rującego sygnał PWM. Zasadę działania mechanizmu przedstawiono na rysunku 38.
Rysunek 38(a) obrazuje normalną pracę przetwornicy — przebieg PWM wychodzący z mi-
krokontrolera jest taki sam jak generowany przez timer. W chwili przekroczenia przez prąd I1
wartości Isat (rys. 38(b)), wyjście PWM mikrokontrolera jest ustawiane w stan nieaktywny,
a tranzystor mocy zostaje wyłączony, aż do rozpoczęcia kolejnego okresu TP W M . Sam timer
nie otrzymuje informacji o zadziałaniu zabezpieczenia, i cały czas generuje przebieg o dużym
wypełnieniu (kolor zielony).

I1

Isat

(a) (b) t

Rysunek 38: Zasada działania ograniczenia nadprądowego po stronie pierwotnej. Pokazano

przebiegi: sygnału PWM kluczującego tranzystor mocy (na górze) i prądu płynącego w uzwo-
jeniu pierwotnym i tranzystorze (na dole).

Podczas normalnej pracy, na wejściu ETR panuje stan wysoki (3,3V). Rezystor podcią-
gający wyjście komparatora znajduje się wewnątrz mikrokontrolera. W chwili przekroczenia
granicznego prądu, stan wejścia zmienia się na niski. Powoduje to automatyczne ustawie-
nie wyjścia generatora PWM w stan niski i wyłączenie tranzystora mocy. Mechanizm ETR
wbudowany jest w układ scalony mikrokontrolera. Zabezpieczenie nadprądowe nie wymaga
zatem obsługi z poziomu programu wykonywanego przez procesor i jest w pełni obsługiwane
sprzętowo.
Nie wszystkie modele procesorów z rodziny STM32F mają wbudowany przetwornik cyfrowo
analogowy. Wszystkie są natomiast wyposażone w układy timerów. Z tego powodu zdecydo-
wano się wytworzyć napięcie odniesienia 1,0V przy pomocy timera — tego samego, który
generuje sygnał sterujący tranzystorem mocy. Stałe napięcie 1,0V powstaje przez przefiltro-
wanie sygnału prostokątnego przez filtr RC o odpowiednio dużej stałej czasowej (R = 20kΩ,

50
C = 100nF, τ = 2ms). Sygnał prostokątny ma amplitudę 3,30V, wypełnienie 30, 3% i częstotli-
wość 50kHz. Do wygenerowania sygnałów wykorzystano timer trzeci (TIM3) mikrokontrolera:
kanał pierwszy steruje tranzystorem mocy, a kanał drugi wytwarza napięcie odniesienia (rys. 35
i 37).

4.8 Interfejs użytkownika — warstwa sprzętowa

Interfejs użytkownika składa się z 16–przyciskowej klawiatury i tekstowego wyświetlacza
LCD typu HD44780 [34]. Aby nie zajmować niepotrzebnie dużej liczby portów wejścia/wyjścia
mikrokontrolera, zastosowano klawiaturę typu matrycowego [14], a wyświetlacz LCD podłą-
czono tak, by pracował z wykorzystaniem tylko połowy (czterech z ośmiu) linii danych.
Wyświetlacz jest zasilany napięciem 3,3V. Jest to wartość zbyt mała, by można było
uzyskać odpowiedni kontrast, który jest proporcjonalny od napięcia przyłożonego pomiędzy
wyprowadzeniami VCC (UCC(LCD) ) i CONTR (Ucontr(LCD) ). Zastosowano więc układ pomocni-
czy ICL7660 — wraz z kondensatorami tworzy on pompę ładunkową, wytwarzającą napięcie
ujemne. Jest ono następnie podawane przez potencjometr na wyprowadzenie CONTR, co po-
zwala regulować wartość napięcia UCC(LCD) − Ucontr(LCD) w zakresie od 3,3V do 6,6V.
Schemat przedstawiający układy interfejsu użytkownika przedstawiono na rysunku 39.

Rysunek 39: Schemat ideowy obwodów interfejsu użytkownika

4.9 Pomocnicze źródła napięcia zasilającego

Niestabilizowane napięcie wejściowe Ui jest nieodpowiednie do zasilania niektórych układów
wchodzących w skład przetwornicy. Elementy wymagające niższego i stabilnego napięcia to:

51
sterownik tranzystora mocy (rozdz. 4.4.1), komparator w układzie zabezpieczenia nadprądo-
wego (rozdz. 4.7.3), płytka ewaluacyjna z mikrokontrolerem oraz układy interfejsu (rozdz. 4.8).
Płytkę ewaluacyjną Olimex STM32–P103 zasilono największym dopuszczalnym napięciem,
tj. 9V. Napięcie 3,3V potrzebne do zasilania mikrokontrolera jest wytwarzane przez układ
scalony liniowego stabilizatora napięcia obecny na płytce. Stabilizator ten został wykorzystany
również do zasilenia klawiatury i wyświetlacza LCD.
Ponieważ w pracy nie skupiano się na uzyskaniu jak największej sprawności energetycznej
całego urządzenia, do wytworzenia napięcia 9V użyto popularnego układu liniowego stabili-
zatora napięcia L7809. Elementy przetwornicy zasilane tym napięciem to płytka ewaluacyjna
STM32-P103, sterownik tranzystora mocy i komparator LM393.
Stabilizator L7809, jakkolwiek odpowiedni do osiągnięcia założeń opisanych w rozdziale 2,
nie powinien być użyty w ostatecznej wersji przetwornicy z dwóch powodów: po pierwsze,
liniowa konwersja napięcia 20–40V do wartości 3,3V jest bardzo nieefektywna energetycznie,
a po drugie — układ L7809 nie może być zasilany napięciem wyższym niż 35V. Z tego powodu
w finalnej wersji urządzenia napięcie 3,3V można wytworzyć przy pomocy pomocniczej prze-
twornicy obniżającej, kontrolowanej przez odpowiedni układ scalonego sterownika. Napięcie
do zasilania komparatora i sterownika tranzystora mocy, z racji małego zapotrzebowania na
prąd tych układów, może pochodzić z układu prostego stabilizatora zbudowanego w oparciu
o diodę Zenera i ew. wtórnik napięciowy.

52
5 Oprogramowanie
5.1 Określenie wymagań dla programu
W projektowanym urządzeniu, oprogramowanie działające na mikrokontrolerze realizuje
dwie główne funkcje: regulacji i stabilizacji napięcia, oraz interakcji z użytkownikiem (rys. 9).
Część oprogramowania odpowiedzialna za przetwarzania energii będzie dalej nazywana modu-
łem przetwarzania energii (MPE), a część odpowiedzialna za interakcję z użytkownikiem
— modułem interfejsu użytkownika (MIU). Charaktery zadań realizowanych przez te
moduły znacznie się różnią, a to bezpośrednio wpływa na strukturę programu.
Moduł przetwarzania energii jest kluczowy do poprawnego działania przetwornicy. Wydaje
bezpośrednie dyspozycje dotyczące chwil przełączania tranzystora mocy i mierzy w precyzyj-
nie określonych chwilach napięcie wyjściowe Uo . Musi również umożliwiać szybką reakcję na
zmiany napięcia wejściowego i wyjściowego; a także nie dopuścić do powstania sytuacji nie-
bezpiecznych (np. włączenia tranzystora na zbyt długi czas, co prowadziłoby do nadmiernego
wzrostu prądu i uszkodzenia elementów). Wynika stąd że moduł przetwarzania energii musi
być aktywny przez cały czas działania urządzenia. Dodatkowo musi zachować odpowiednie
rygory czasowe: operacje wykonywane przez moduł powinny rozpoczynać się bez opóźnień
i trwać odpowiednio krótki czas. Ograniczenie czasu wykonania wynika z konieczności jedno-
czesnego działania MPE i MIU — czas procesora jest dzielony między te dwa moduły.

Do zadań wykonywanych przez moduł interfejsu należą:

• Utworzenie wielopozycyjnego menu służącego do ustawienia różnych parametrów pracy

urządzenia

• Wyświetlanie aktualnej pozycji menu na wyświetlaczu LCD

• Odczytywanie stanu przycisków na płycie czołowej i podejmowanie odpowiednich działań

— nawigacji po menu i zmian parametrów pracy przetwornicy.

• Uzyskiwanie od MPE aktualnych informacji o stanie przetwornicy i parametrach pracy,

w celu przekazania ich użytkownikowi

• Informowanie MPE o parametrach pracy ustawionych przez użytkownika

Wszystkie te zadania można sprowadzić do jednej, ogólnej kategorii — wymiana informacji

między użytkownikiem i przetwornicą. A ponieważ w tej relacji człowiek jest zdecydowanie
wolniejszym elementem, można podjąć decyzję że MPE powinien być modułem nadrzędnym
w stosunku do MIU i mieć pierwszeństwo w kwestii dostępu do czasu procesora. Moduł MIU
nie musi zatem spełniać tak ścisłych rygorów czasowych jak MPE, ale też nie może zajmować
całego czasu procesora. Koncepcję współdziałania modułów przedstawiono na rysunku 40.
Warto zauważyć, że MIU nie musi pracować bez przerwy — może przestać działać bez ja-
kichkolwiek konsekwencji dla pozostałych bloków przetwornicy. Taka możliwość wynika z cha-
rakteru pracy z zasilaczami: interakcje z człowiekiem zajmują zazwyczaj bardzo niewielki uła-
mek czasu pracy urządzenia. Użytkownik może ustawić pewne napięcie wyjściowe, a następnie

53
 korzysta z CPU

tak
Proces Przetwarzania
nie Energii

tak
Proces Interfejsu
Użytkownika
nie
czas

Rysunek 40: Idea przydziału czasu procesora dla działających jednocześnie MPE i MIU. Moduł
przetwarzania energii ma pierwszeństwo dostępu do procesora, natomiast obsługa interfejsu
użytkownika odbywa się w „wolnym czasie”, gdy procesor nie jest zajęty procesem przetwa-
rzania energii.

korzystać z niego przez dowolnie długi czas. Zasilacz w międzyczasie może być wielokrotnie
wyłączany i włączany, cały czas pamiętając ostatnio ustawione parametry pracy. W efekcie,
w kompletnym „cyklu pracy” (pomiędzy włączeniem i wyłączeniem zasilania) może w ogóle
nie zachodzić żadna interakcja z człowiekiem.
Mimo tego, większość (jeśli nie wszystkie) zasilaczy przez cały czas pokazuje aktualną
wartość ustawionego napięcia. Taki model interakcji przyjęto również w projektowanej prze-
twornicy. Dla uproszczenia założono że ciągłe działanie będzie dotyczyło nie tylko wyświetlania
informacji, ale też sprawdzania stanu przycisków na płycie czołowej.

5.2 Projekt i konstrukcja programu

Po zdefiniowaniu zadań mających być realizowanych przez program, przystąpiono do jego
zaprojektowania. Określono dokładniejszy podział programu na moduły, interfejsy między
tymi modułami i sposób wykorzystania zasobów sprzętowych mikrokontrolera do realizacji
zadań.

Wybór języka implementacji programu

Na tym etapie pracy podjęto decyzję o języku implementacji programu. Współczesne stan-
dardy przemysłowe programowania mikrokontrolerów to języki C i C++ (stosowane są rów-
nież inne języki, ale nie brano ich w tym przypadku pod uwagę). Język C++ pozwala na
korzystanie ze wszystkich zasobów języka C, dodając do nich wiele użytecznych konstrukcji

54
(m.in. klasy i dziedziczenie). Język C, kosztem mniejszej funkcjonalności, tworzy programy
nieco szybsze i zajmujące mniej pamięci. Biorąc pod uwagę cechy języków i charakterystykę
programu zarysowaną w rozdziale 5.1, najlepszym wyborem byłoby użycie języka C++ do
zaimplementowania MIU, a języka C do MPE. Mimo tego zdecydowano się użyć języka C do
napisania całego programu. Taki wybór poparto nietrywialnym łączeniem C i C++ w obrębie
jednego programu dla mikrokontrolera z rodziny ARM.

Struktura programu
Program podzielono na kilka modułów:

• Moduł inicjalizacji i konfiguracji mikrokontrolera.

• Moduł przetwarzania energii (MPE).

• Moduł interfejsu użytkownika (MIU).

• Sterownik wyświetlacza LCD.

• Sterownik klawiatury 4x4.

5.2.1 Moduł inicjalizacji i konfiguracji mikrokontrolera

Moduł ten zawiera funkcje uruchamiane tylko jeden raz, tuż po włączeniu przetwornicy.
Funkcje te służą do skonfigurowania:

• linii wejść i wyjść mikrokontrolera;

• timera generującego sygnał o częstotliwości 50kHz;

• kanału timera tworzącego sygnał PWM do sterowania tranzystorem mocy (patrz rozdz. 4.7);

• kanału timera tworzącego sygnał o wypełnieniu 30,3%, do wytworzenia stałego napięcia

1,0V (patrz rozdz. 4.7.3);

• przetwornika analogowo–cyfrowego do pomiaru napięcia wyjściowego (patrz rozdz. 4.7.1);

• kontrolera przerwań sprzętowych i priorytetów tych przerwań;

5.2.2 Moduł przetwarzania energii

Moduł ten jest krytyczną częścią programu. Proces przetwarzania energii podlega ściśle
określonym rygorom czasowym, wobec tego wymaga pierwszeństwa w dostępie do czasu proce-
sora. Spełnienie tych wymagań wymagało zastosowania odpowiednich rozwiązań w programie.

55
 Pomiar napięcia Uo w ściśle określonych momentach uzyskano dzięki sprzętowemu wyzwa-
laniu pomiaru ADC przez timer generujący sygnał PWM. Próbkowanie napięcia rozpoczyna
się wraz z początkiem każdego okresu odliczania timera, w chwili włączenia tranzystora mocy
(patrz rys. 36). Przetwornik jest taktowany z częstotliwością 4,5MHz. Jeden cykl zegara tak-
tującego trwa zatem 1/4, 5MHz ≈ 220ns.
Próbkowanie napięcia trwa 71,5 cyklu zegara. Przetwarzanie próbki zajmuje 12,5 cyklu.
Wartości te przez cały czas działania przetwornicy są stałe. Całkowity czas pomiaru napięcia
wynosi więc
1
tADC = ts + tc = · (71, 5 + 12, 5) = 15, 89µs + 2, 78µs = 18, 67µs,
4, 5MHz
gdzie ts oznacza czas próbkowania, a tc czas konwersji próbki na wynik cyfrowy. Pomiar
napięcia nie angażuje procesora, więc może on w tym czasie wykonywać inne działania.

Szybką reakcję pętli sprzężenia zwrotnego uzyskano uruchamiając proces korekcji współ-
czynnika wypełnienia sygnału PWM natychmiast po otrzymaniu wyniku pomiaru napięcia
Uo . Gdy ADC zakończy konwersję próbki napięcia, zgłasza przerwanie. Proces stabilizacji
napięcia zaimplementowano w procedurze obsługi tego przerwania (ISR, od ang. Interrupt
Service Routine).
W rdzeniu Cortex-M3, od chwili zgłoszenia przerwania do wykonania pierwszej instrukcji
w ISR mija dokładnie 12 cykli zegara taktującego rdzeń. W przypadku przechodzenia z jed-
nej ISR do drugiej, czas ten jest krótszy i wynosi 6 taktów zegara [15]. Zależności czasowe
przedstawiono na rysunku 41.
Procedurze obsługi przerwania ADC przydzielono wysoki priorytet, pozwalający na wy-
właszczenie wszystkich innych procesów działających w programie. W ten sposób zapewniono,
że jej wykonanie rozpocznie się nie później niż 1/72MHz · 12taktów ≈ 170ns po uzyskaniu wy-
niku pomiaru napięcia. Chwila w której nastąpi zaktualizowanie współczynnika wypełnienia
sygnału PWM zależy od zastosowanego algorytmu stabilizacji napięcia, jego implementacji
i zastosowanego kompilatora, dlatego nie da się jej określić na drodze analiz teoretycznych.
20us
18 7u s
s
us

4u
9

,6
,8
,8

18
15

0 t

Zakończenie próbkowania ADC. Rozpoczęcie procedury

Rozpoczęcie konwersji na liczbę. obsługi przerwania ADC.

Włączenie tranzystora mocy. Zakończenie konwersji ADC.

Rozpoczęcie próbkowania ADC. Zgłoszenie przerwania.

Rysunek 41: Zależności czasowe w procesie stabilizacji napięcia

Dodatkowo w module umożliwiono łatwą zmianę metody kontroli współczynnika wypełnie-

nia sygnału PWM. Główną część procedury obsługi przerwania ADC przedstawia listing 1.

56
1 adcOut = A D C _ G e t C o n v e r s i o n V a l u e ( ADC1 );
2 D u ty C y cl e C or r e ct i o n = Regulate ( g_AdcSet , adcOut );
3 CurrentDutyCycle = G et C u rr e n tD u t yC y c l e ();
4 NewDutyCycle = CurrentDutyCycle + D ut y C yc l e Co r r ec t i on ;
5 SetDutyCycle ( NewDutyCycle );
Listing 1: Szkielet procedury obsługi przerwania ADC

Stabilizacja napięcia odbywa się na takiej samej zasadzie jak w sprzętowych, analogowych
kontrolerach PWM. Napięcie jakie w danej chwili panuje na wyjściu przetwornicy (Uo ) jest
porównywane z pożądaną wartością, ustawioną przez użytkownika (Uset ). Jeśli napięcia się
różnią, współczynnik wypełnienia PWM zostaje zmieniony: zmniejsza się, jeśli napięcie Uo
jest większe niż powinno, lub zwiększa się, jeśli Uo jest zbyt małe. Różnicę Uo − Uset nazywa
się napięciowym sygnałem błędu (ue ).
Za wyznaczenie nowego współczynnika wypełnienia w programie odpowiada funkcja
Regulate(g AdcSet, adcOut). Przekazywane są do niej dwa parametry: wartość odczytu
z ADC odpowiadająca napięciu Uset , oraz wartość odczytu z ADC odpowiadająca zmierzonemu
napięciu Uo .
Charakterystyczną cechą funkcji Regulate jest przyjmowanie nie wartości napięć Uset i Uo ,
lecz liczb odpowiadającym wynikom pomiarów tych napięć przez przetwornik analogowo-cy-
frowy: odpowiednio adcSet i adcOut. Gdyby funkcja miała przyjmować wartości napięć wyra-
żone w woltach, konieczne byłoby zastosowanie typu zmiennoprzecinkowego float lub double
(chyba że zadowalająca byłaby regulacja napięcia z dokładnością do 1V). Rdzeń Cortex–M3
nie posiada jednak jednostki obliczeń zmiennoprzecinkowych, więc wszystkie operacje na licz-
bach rzeczywistych wykonywane są przy pomocy funkcji bibliotecznych. Znacząco wydłuża to
czas obliczeń, więc takie rozwiązanie odrzucono.
Problem reprezentacji napięcia z dobrą dokładnością można rozwiązać przez przejście z wol-
tów na miliwolty. Napięcia wyjściowe z zakresu 0 . . . 30V byłyby odwzorowane w programie
na liczby całkowite 0 . . . 30000. Operacje na liczbach całkowitych są wykonywane znacznie
szybciej niż na zmiennoprzecinkowych, dzięki czemu poprawiłaby się szybkość reakcji prze-
twornicy. Jednak ponieważ ADC przedstawia wartość napięcia wyjściowego w postaci liczb
z zakresu 0 . . . 4096, a nowy pomiar jest wykonywany w każdym takcie pracy przetwornicy, co
20µs wymagane byłoby przeliczanie napięcia z miliwoltów na zakres ADC (lub odwrotnie).
Z tych obliczeń można zrezygnować — napięcie w woltach jest użyteczne i zrozumiałe
dla człowieka, natomiast przetwornica może operować na wartościach 12–bitowych, „natu-
ralnych” dla ADC. Wobec tego zdecydowano się na przeliczanie napięcia tylko na poziomie
interfejsu użytkownika: wartość Uset , wprowadzona do zasilacza w woltach, jest natychmiast
przetwarzana na odpowiadający jej wynik pomiaru ADC (adcSet). Podobnie jest przy wy-
świetlaniu zmierzonej wartości napięcia — interfejs przelicza 12–bitową liczbę uzyskaną z prze-
twornika (adcOut) na wartość Uo wyrażoną w woltach, tuż przed wyświetleniem jej na LCD.
Operacje związane z interfejsem użytkownika wykonywane są relatywnie rzadko, a czas ich
wykonania nie ma wpływu na proces stabilizacji napięcia.

57
5.2.3 Metoda kontroli współczynnika wypełnienia sygnału PWM przełączają-
cego tranzystor mocy
Na początku w funkcji Regulate zastosowano bardzo prosty algorytm kontroli współczyn-
nika wypełnienia (nazwijmy go „±1”), zwiększający lub zmniejszający czas trwania impulsu
PWM o jeden takt zegara (ok. 14ns), jeśli wartość bezwzględna sygnału błędu jest większa niż
50mV. Taki algorytm pozwala na poprawną pracę przetwornicy — układ wytwarza odpowied-
nie napięcie na wyjściu i poprawnie reaguje na zmiany obciążenia. Wadą tak prostego sposobu
stabilizacji jest oczywiście bardzo mała dynamika wyjścia. Przetwornica wolno reaguje na
zmiany obciążenia, a w stanach przejściowych wprowadza oscylacje napięcia Uo o dość dużej
amplitudzie.
Algorytm „±1”, jakkolwiek wystarczający do przeprowadzenia wielu testów, nie może
być zastosowany w finalnej wersji przetwornicy i należy zastąpić go lepszym rozwiązaniem.
Podstawowym, dającym bardzo dobre rezultaty i najczęściej stosowanym mechanizmem kon-
troli współczynnika wypełnienia jest regulator PID (ang. Proportional, Integrative, Deriva-
tive) [8, 9, 10, 11], dlatego też postanowiono użyć właśnie tego mechanizmu w projektowanej
przetwornicy.

Regulator PID
Ogólny schemat regulatora PID przedstawiono na rysunku 42. Sygnałem wejściowym jest
sygnał błędu e(t), będący różnicą sygnału odniesienia x(t) i sygnału pomiarowego y(t). Regu-
lator wytwarza trzy pośrednie sygnały: proporcjonalny do e(t) (składnik „P”), scałkowany e(t)
(składnik „I”), oraz zróżniczkowany e(t) (składnik „D”). Sygnałem wyjściowym regulatora jest
U (t), powstały ze zsumowania trzech pośrednich sygnałów, pomnożonych przez odpowiednie
współczynniki: KP , KI i KD . Sygnał wyjściowy służy do wysterowania kontrolowanego układu
(blok Plant).

Rysunek 42: Ogólny schemat blokowy regulatora PID. Źródło: [8]

58
Realizacja regulatora PID w przetwornicy
W projektowanym urządzeniu, blokowi Plant odpowiada sprzętowy, analogowy układ prze-
twarzania energii opisany w rozdziale 4. Jest on sterowany sygnałem PWM, a na wyjściu wy-
twarza napięcie Uo . Szczegółowy schemat realizacji pętli sprzężenia zwrotnego przetwornicy,
obrazujący umiejscowienie regulatora PID w systemie, przedstawiono na rysunku 43.

Ui

mikrokontroler
Układ Przetwarzania
ADC_ISR Energii
Uo
PWM 3,3V Sterownik
adcSet newDutyCycle
PID TIM3 tranzystora
mocy

adcOut Uo / 10
ADC1

MIU

Rysunek 43: Schemat realizacji pętli sprzężenia zwrotnego w układzie. Linią ciągłą narysowano
elementy sprzętowe, a przerywaną — bloki oprogramowania.

Ze względu na programową realizację, regulator PID nie operuje na sygnałach ciągłych

w czasie, ale na dyskretnych wartościach liczbowych. Wartością odniesienia jest adcSet, uzy-
skana od modułu interfejsu użytkownika. Wartością pomiarową jest adcOut, uzyskana z prze-
twornika ADC w procedurze obsługi jego przerwania. Wartością wyjściową regulatora jest po-
prawka jaką należy wprowadzić do sygnału sterującego (DutyCycleCorrection w listingu 1,
wiersz 2). Poprawka służy do obliczenia wartości NewDutyCycle (listing 1, wiersz 4). Zmienna
ta reprezentuje współczynnik wypełnienia sygnału PWM który należy ustawić by uzyskać
odpowiednią wartość napięcia Uo na wyjściu przetwornicy.
Wartość zmiennej NewDutyCycle jest równa liczbie cykli zegara taktującego timer, w czasie
których tranzystor mocy powinien być włączony. Procedura obsługi przerwania ADC wyli-
cza odpowiednią wartość, która bez dodatkowych przekształceń zostaje wpisana do rejestru
TIM3 CC1 mikrokontrolera, wpływając bezpośrednio na współczynnik wypełnienia generowa-
nego sygnału PWM.
Implementację regulatora PID przedstawia listing 2. Zastąpienie algorytmu regulacji „±1”
algorytmem PID, polega na zastąpieniu funkcji Regulate funkcją pidRegulate w procedurze
obsługi przerwania ADC (listing 1, wiersz 2).
Konsekwencją programowej realizacji regulatora jest też zastąpienie operacji całkowania
i różniczkowania odpowiednio: sumowaniem wartości błędu w kolejnych krokach (listing 2,
wiersz 9), oraz odejmowaniem wartości błędu od wartości z poprzedniego kroku (wiersz 11).
1 int32_t pidRegulate ( uint32_t desiredValue , uint32_t measuredValue )
2 {
3 int32_t error = 0; // P , skladnik proporcjonalny
4 static int32_t integral = 0; // I , skladnik sumacyjny
5 int32_t derivative = 0; // D , skladnik roznicowy

59
 6 static int32_t previousError = 0;
7
8 error = desiredValue - measuredValue ;
9 integral += error ;
10 TRUNCATE ( integral , INTEGRAL_MIN , INTEGRAL_MAX );
11 derivative = error - previousError ;
12
13 previousError = error ;
14
15 // Oblicz i zwroc poprawke ( NIE cala nowa wartosc ) sygnalu sterujacego .
16 return Kp * error + Ki * integral + Kd * derivative ;
17 }
Listing 2: Implementacja dyskretnego regulatora PID

Przedstawiona implementacja regulatora PID jest uniwersalna i może być użyta również
do zadań innych niż sterowanie przetwornicą impulsową. W związku z tym, regulator PID
wydzielono do modułu, składającego się z dwóch plików: pid.c, oraz pid.h. W module zaim-
plementowano:
• Główną funkcję regulatora (listing 2).

• Współczynniki Kp, Ki i Kd, pozwalające dostosować regulator do regulowanego systemu.

• Interfejs umożliwiający zmianę współczynników Kp, Ki i Kd w czasie działania pro-

gramu.

• Konfigurowalne ograniczenie wartości współczynników, uniemożliwiające ustawienie nie-

bezpiecznych w danej aplikacji wartości.

• Konfigurowalne ograniczenie wartości składnika sumacyjnego (patrz listing 2, wiersz 10).

Takie ograniczenie zapobiega sytuacji narośnięcia składnika do zbyt dużej wartości,
znacznie przewyższającej składniki proporcjonalny i różnicowy. W przypadku braku
ograniczenia, taka sytuacja występuje np. przy skokowej zmianie Uset z 0V na wartość
niezerową, i prowadzi do znacznego wydłużenia czasu potrzebnego do ustabilizowania
się napięcia wyjściowego.

Strojenie regulatora PID

Dopasowanie regulatora PID do kontrolowanego urządzenia polega na dobraniu odpowied-
nich wartości współczynników Kp, Ki i Kd. Wybór odpowiednich wartości odbywa się na
drodze eksperymentalnej i opiera się na obserwacji zachowania przetwornicy przy różnych pa-
rametrach regulatora. Aby ułatwić strojenie regulatora, zdecydowano się stworzyć możliwość
regulacji tych parametrów w czasie działania przetwornicy, z poziomu interfejsu użytkownika.
Strojenie wymaga zmiennych warunków pracy urządzenia. W czasie normalnej pracy prze-
twornicy zmienne może być napięcie wejściowe Ui i prąd wyjściowy Io . Z powodu niedyspono-
wania przyrządami pozwalającymi wprowadzić kontrolowane, powtarzalne zmiany tych wiel-
kości, zdecydowano się na wprowadzenie innego czynnika wymuszającego aktywną pracę re-
gulatora: trybu pracy przełączanej.

60
 Tryb pracy przełączanej polega na cyklicznym przełączaniu ustawionego napięcia wyjścio-
wego Uset pomiędzy zerem i pewną wartością niezerową. Przełączanie odbywa się ze stałym
okresem (nie krótszym niż 1s), tak by można było przy pomocy oscyloskopu zaobserwować
proces dochodzenia napięcia wyjściowego Uo do ustawionej wartości Uset . Częstotliwość prze-
łączania jest regulowana, a napięcie Uset może mieć dowolną wartość z przedziału 0 . . . 30V.
Konfiguracja trybu pracy przełączanej jest wykonywana w czasie działania urządzenia, za
pomocą interfejsu użytkownika.

5.2.4 Moduł interfejsu użytkownika

W interfejsie użytkownika zaimplementowano trzy funkcjonalności:

• Ustawianie napięcia wyjściowego i wyświetlanie jego aktualnej wartości

• Strojenie regulatora PID

• Konfiguracja trybu pracy przełączanej

Każdej z funkcjonalności przypisano oddzielny ekran w menu użytkownika. Do obsługi

interfejsu użyto siedmiu klawiszy z klawiatury, nadając im następujące oznaczenia:

[↑] (strzałka w górę)

[↓] (strzałka w dół)

[←] (strzałka w lewo)

[→] (strzałka w prawo)

[OK] OK / menu

[ESC] Wyjście

[BW] Blokuj/odblokuj wyjście napięciowe

Główny ekran menu

Główny ekran menu wyświetla się na LCD domyślnie, po włączeniu urządzenia. Służy do
ustawiania napięcia wyjściowego, oraz wyświetlania jego aktualnej, zmierzonej wartości. Wy-
gląd ekranu, zaimplementowanego w pliku menu screen main.h, przedstawiono na rysunku 44.
Aktywne klawisze:

[↑] – Zwiększa napięcie wyjściowe

[↓] – Zmniejsza napięcie wyjściowe

[OK] – Przechodzi do ekranu regulacji PID

[BW] – Blokuje / odblokowuje wyjście napięciowe

61
 .....Uset:30,0V.
.....Uout:30,0V.

Rysunek 44: Główny ekran menu

Ekran strojenia regulatora PID

Ekran strojenia regulatora pozwala użytkownikowi na zmianę wartości współczynników Kp,
Ki i Kd. Zmiana wartości odbywa się przy pomocy klawiszy strzałek. Wygląd ekranu strojenia
regulatora, zaimplementowanego w pliku menu screen pid.h, przedstawiono na rysunku 45.
Aktywne klawisze:

[↑] – Zwiększa zaznaczony współczynnik

[↓] – Zmniejsza zaznaczony współczynnik

[←] – Przejście do współczynnika po lewej stronie

[→] – Przejście do współczynnika po prawej stronie

[OK] – Przechodzi do ekranu konfiguracji trybu pracy przełączanej

[ESC] – Przechodzi do ekranu głównego

[BW] – Blokuje / odblokowuje wyjście napięciowe

.P.....I.....D..
0,10..0,000..00.

Rysunek 45: Ekran strojenia regulatora PID

Ekran konfiguracji trybu pracy przełączanej

Ekran ten służy do włączania i konfigurowania trybu pracy przełączanej. Użytkownik okre-
śla okres z jakim przełączane będzie napięcie na wyjściu przetwornicy. W przypadku ustawienia
okresu T[s] = 0, tryb przełączany zostaje wyłączony. Wygląd ekranu, zaimplementowanego
w pliku menu screen toggle output.h, przedstawiono na rysunku 46.

[↑] – Zwiększa okres przełączania wyjścia

[↓] – Zmniejsza okres przełączania wyjścia

[OK] – Przechodzi do ekranu głównego

[ESC] – Przechodzi do ekranu głównego

[BW] – Blokuje / odblokowuje wyjście napięciowe

62
 Przelacz.wyjscie
T[s]:.0.........

Rysunek 46: Ekran konfiguracji trybu pracy przełączanej

Konstrukcja ekranu menu

Można wyróżnić kilka rodzajów elementów mogących znaleźć się na ekranie wyświetlacza:

1. Elementy informacyjne, niezmieniające się w czasie działania programu (np. litery P, I,

oraz D na ekranie strojenia PID).

2. Elementy informacyjne, samoczynnie zmieniające się w czasie (np. aktualna, zmierzona

wartość napięcia wyjściowego).

3. Elementy regulacyjne, nastawialne. Takie elementy mogą być wybierane przez użytkow-
nika i zmieniane (np. wartość ustawionego napięcia lub wartości współczynników PID).
Element w danej chwili wybrany przez użytkownika będzie dalej nazywany elementem
zaznaczonym.

Każdy ekran menu zawiera co najmniej jeden element. Poza tym ekran powinien zapewniać
odpowiednie działanie wybranych klawiszy dla różnych elementów (np. ten sam klawisz [↑] na
ekranie głównym powoduje zwiększenie napięcia Uset , a na ekranie strojenia PID jest używany
do zwiększania trzech współczynników regulatora). Z powodu możliwości wystąpienia kilku
elementów nastawialnych na jednym ekranie, zachodzi potrzeba nawigowania pomiędzy nimi.
Na podstawie tych przesłanek zrealizowano element menu w postaci struktury screenEle-
ment, przedstawionej na listingu 3. Struktura ta składa się z pól:

text – treść elementu wypisywana na wyświetlaczu.

row, column – pozycja elementu (jego pierwszego znaku) na wyświetlaczu — wiersz i ko-
lumna.

adjustable – określa czy element jest nastawialny.

active – określa czy element jest w danej chwili zaznaczony. Zaznaczone mogą być tylko
elementy nastawialne. Jeśli element nie jest nastawialny, wartość pola active nie ma
znaczenia.

next – wskaźnik do następnego nastawialnego elementu. Jeśli ekran zawiera więcej niż jeden
element nastawialny, są one łączone w listę cykliczną przy pomocy wskaźników next.
Umożliwia to nawigowanie pomiędzy elementami nastawialnymi, z pominięciem w na-
wigacji elementów stałych znajdujących się na ekranie. Aby było możliwe utworzenie
wskaźnika do elementu ekranu, dla struktury zdefiniowano typ danych ScreenElement t.

63
1 struct screenElement
2 {
3 char text [ S CR _E LE M_ MA X_ WI DT H ];
4 uint8_t row ;
5 uint8_t column ;
6 uint8_t adjustable ;
7 uint8_t active ;
8 ScreenElement_t * next ;
9 };
Listing 3: Struktura reprezentująca element ekranu menu

Zaznaczenie elementu jest realizowane na LCD poprzez włączenie migającego kursora pod
pierwszym znakiem zaznaczonego elementu. Sterownik wyświetlacza HD44780 nie umożli-
wia zastosowania bardziej eleganckich sposobów wyróżniania wyświetlanego tekstu (ramka,
podkreślenie kilku znaków naraz). Wprawdzie możliwe jest zasymulowanie podkreślenia kilku
znaków jednocześnie poprzez szybkie przełączanie podkreślenia pomiędzy nimi, ale nie zaim-
plementowano takiej funkcji (patrz rozdz.3.7).

Kompletny ekran menu zaimplementowano w postaci struktury menuScreen, przedstawionej

na listingu 4. Struktura ekranu składa się z pól:

Element – Tablica wskaźników do elementów tworzących ekran.

kbAction – Wskaźnik do funkcji definiującej działanie klawiatury związane z ekranem.

screenRoutine – Wskaźnik do funkcji definiującej działania związane z ekranem, niezależne

od użytkownika, jak np. wyświetlanie aktualnej wartości napięcia wyjściowego Uo .

1 struct menuScreen
2 {
3 ScreenElement_t * Element [ M A X _S C R EE N _ EL E M EN T S ];
4 void (* kbAction )( void );
5 void (* screenRoutine )( void );
6 };
Listing 4: Struktura reprezentująca pojedynczy ekran menu

Elementy sterujące
Jedynym elementem sterującym w budowanym prototypie jest klawiatura, z przyciskami
których funkcje zmieniają się w zależności od aktualnego ekranu menu. W projekcie oprogra-
mowania przewidziano dodanie w przyszłości również innych elementów sterujących: obroto-
wego impulsatora i sterowania zdalnego za pomocą komputera PC. Aby dało się wywoływać
te same funkcje przetwornicy przy pomocy różnych elementów sterujących, w programie stwo-
rzono mechanizm „przycisków wirtualnych”.
Użytkownik zasilacza zmienia stan elementów fizycznych. Przycisk wirtualny sprawdza
stan przypisanych do niego elementów fizycznych i na tej podstawie określa swój stan. Stan

64
przycisku wirtualnego ma bezpośredni wpływ na wywoływanie funkcji w oprogramowaniu
przetwornicy. Umiejscowienie przycisków wirtualnych w systemie, na przykładzie przycisku
[↑], przedstawiono na rysunku 47. W budowanym prototypie przetwornicy przyciski wirtualne
są powiązane tylko z przyciskami na klawiaturze.
Komenda zdalnego
Przycisk Impulsator
sterowania
„w górę” „w górę” „w górę”

Przycisk
wirtualny
„w górę”

Akcja właściwa
dla aktualnego
ekranu menu

Rysunek 47: Powiązanie przycisku wirtualnego z akcją wywoływaną w oprogramowaniu i fi-

zycznymi elementami interfejsu użytkownika

Integracja elementów interfejsu użytkownika

Wszystkie elementy składające się na interfejs użytkownika zintegrowano i dostosowano
do całego systemu w pliku Flyback Interface.c. W pliku tym zdefiniowano akcje związane
z przyciskami dla wszystkich ekranów menu, a także zaimplementowano nadrzędną funkcję
interfejsu. Fragment tej funkcji przedstawiono na listingu 5.
1 while (1)
2 {
3 // g_KbActionFlag jest podnoszona w przerwaniu SysTicka .
4 if ( g_KbActionFlag )
5 {
6 if ( FALSE == upd at eP hy si ca lK ey s ( g_KbKey ))
7 {
8 g_KeyPressedFlag = FALSE ;
9 }
10 upda teVir tualKe ys ();
11 g_Screen - > kbAction ();
12 g_KbActionFlag = FALSE ;
13 }
14
15 // g _S cr ee nU pd at eF la g jest podnoszona w przerwaniu SysTicka .
16 if ( g _S cr ee nU pd at eF la g )
17 {
18 g_Screen - > screenRoutine ();
19 printMenuScreen ( g_Screen );
20 g_ Sc re en Up da te Fl ag = FALSE ;
21 }
22 }
Listing 5: Fragment funkcji InterfaceRoutine — główna pętla programu

65
 Funkcja InterfaceRoutine przez cały czas działania programu wykonuje cyklicznie dwie
główne grupy czynności: związane z klawiaturą i związane z wyświetlaczem. Obsługa kla-
wiatury jest wykonywana co 180ms, a odświeżanie wyświetlacza co 200ms (wartości licz-
bowe dobrano eksperymentalnie, na podstawie subiektywnej oceny wygody obsługi inter-
fejsu). Wymienione akcje są wyzwalane przez ustawienie flag, odpowiednio g KbActionFlag
i g ScreenUpdateFlag. Flagi te są natomiast ustawiane w odpowiednich chwilach przez sprzę-
towy układ timera systemowego (SysTick ).
Obsługa klawiatury polega na:

• Sprawdzeniu stanu rzeczywistych przycisków (wiersz 6 listingu 5).

• Zaktualizowaniu stanu przycisków wirtualnych (wiersz 10).

• Wykonaniu akcji związanej z wciśniętym przyciskiem, właściwej dla danego ekranu menu
(wiersz 11).

Poza tym, klawiatura zgłasza do procesora przerwania. Służą one wyłącznie do reagowania
bez opóźnienia na wciśnięcie przycisku przez użytkownika.

Obsługa wyświetlacza polega na:

• Wykonaniu procedury właściwej dla aktywnego ekranu (pobranie wartości zmiennych

i sformatowanie ich do wyświetlania).

• Wypisaniu na wyświetlaczu wszystkich elementów ekranu menu.

Ważnym elementem systemu interfejsu użytkownika jest zmienna globalna g Screen. Jest
ona wskaźnikiem wskazującym aktywny w danej chwili ekran menu. Przez wskaźnik ten wywo-
ływane są również odpowiednie dla danego ekranu akcje związane z klawiaturą i wyświetlaczem
(wiersze 11 i 18). Przejście do innego ekranu menu polega na przypisaniu do zmiennej g Screen
adresu tego ekranu, do czego utworzono funkcję
void gotoScreen (menuScreen_t* newScreen);

5.2.5 Integracja modułów programu

Główna funkcja programu, znajduje się w pliku main.c. Funkcja ta na początku uruchamia
funkcje konfiguracyjne z pliku Flyback Config.c, a następnie wywołuje funkcję InterfaceRou-
tine. Hierarchię plików nagłówkowych włączanych przez plik źródłowy main.c przedstawia
rysunek 48.

Podsumowanie — priorytety procesów

W obrębie programu można wymienić kilka współdziałających procesów:

Funkcja InterfaceRoutine – Jest nadrzędną funkcją interfejsu i ma najniższy spośród wszyst-

kich procesów priorytet wykonania, wobec czego jest aktywna zawsze gdy procesor nie
jest zajęty obsługą innego procesu.

66
 smps/main.c

math.h smps_interface.h keyboard_4x4.h misc_delays.h

smps_config.h smps_core.h hd44780.h stm32f10x_gpio.h stdint.h

stm32f10x_conf.h

Rysunek 48: Hierarchia plików nagłówkowych włączanych przez plik main.c

Przerwanie sprzętowe od klawiatury – Wymagane do natychmiastowego zareagowania

na działanie użytkownika. Wywłaszcza funkcję InterfaceRoutine. Priorytet w kontro-
lerze przerwań NVIC (Nested Vectored Interrupt Controller ): 3.

Przerwanie sprzętowe od SysTicka – Timer systemowy jest używany do precyzyjnego od-

mierzania czasu (z dokładnością do 1ms) dla interfejsu użytkownika. W ISR tego timera
ustawiane są flagi wyzwalające różne działania interfejsu. Przerwanie wywłaszcza wszyst-
kie pozostałe funkcje związane z interfejsem. Priorytet NVIC: 2.

Przerwanie sprzętowe od ADC – Krytyczna część programu, odpowiedzialna za przetwa-

rzanie energii i stabilizowanie napięcia. Wywłaszcza wszystkie pozostałe procesy. Prio-
rytet NVIC: 1.

67
6 Podsumowanie i wnioski
Kompletny schemat zaprojektowanego układu zamieszczono w dodatku C. Aby zapewnić
poprawną i bezawaryjną pracę urządzenia, konieczne jest jeszcze zaprojektowanie dedykowanej
płytki drukowanej (PCB). Niniejsza praca nie obejmowała projektu i wykonania PCB dla
przetwornicy, wobec tego urządzenie zostało zbudowane z użyciem płytek uniwersalnych.

6.1 Zakres regulacji napięcia wyjściowego

Osiągnięto pełny założony zakres regulacji napięcia. Zastosowane rozwiązanie kontrolera
przetwornicy pozwala ponadto na regulację i stabilizację napięcia również poniżej minimum
założonego zakresu — praktycznie do wartości 0,1V. Rysunki 49 i 50 przedstawiają sygnały
podczas pracy przetwornicy odpowiednio z maksymalnym i minimalnym ustawionym napię-
ciem wyjściowym.

Rysunek 49: Przebieg napięcia przełączającego tranzystor mocy UGS (kanał 1) i prądu pły-
nącego przez uzwojenie pierwotne transformatora oraz tranzystor mocy ID (kanał 2), przy
Uo = 30, 0V i Ro = 51Ω

6.2 Moc wyjściowa

Testy mocy wyjściowej przeprowadzono z użyciem obciążenia rezystancyjnego, którego
schemat przedstawiono na rysunku 51. Regulacja rezystancji odbywa się przez dołączanie
wybranych rezystorów do układu przy pomocy zwór JP1 – JP6. Gdy wszystkie rezystory są
dołączone, wartość rezystancji Ro jest najmniejsza i wynosi ok. 7,5Ω, natomiast największa
możliwa wartość Ro to 94Ω.

Test mocy wyjściowej 1 Rezystancję obciążenia ustawiono na wartość Ro = 7, 5Ω. Napię-

cie wyjściowe zwiększano od Uo = 0V, do momentu zadziałania programowego ograniczenia
współczynnika wypełnienia sygnału sterującego tranzystor mocy. Osiągnięte napięcie było
równe Uo = 12, 7V, zatem moc dostarczana do obciążenia była równa Po = 21, 5W. Oscylo-
gram z testu przedstawiono na rysunku 52.

68
Rysunek 50: Przebieg napięcia przełączającego tranzystor mocy UGS (kanał 1) i prądu pły-
nącego przez uzwojenie pierwotne transformatora oraz tranzystor mocy ID (kanał 2), przy
Uset = 0, 1V, Uo = 0, 15V i Ro = 7Ω

Rysunek 51: Schemat obciążenia rezystancyjnego użytego do testowania przetwornicy

Rysunek 52: Napięcie wyjściowe przetwornicy Uo (kanał 1) i natężenie prądu płynącego przez
uzwojenie pierwotne transformatora oraz tranzystor mocy ID (kanał 2). Warunki testu: Ui =
20, 0V, Uo = 12, 7V i Ro = 7, 5Ω

Test mocy wyjściowej 2 Rezystancję obciążenia ustawiono na wartość Ro = 27Ω. Napię-

cie wyjściowe zwiększano od Uo = 0V, do momentu zadziałania programowego ograniczenia
współczynnika wypełnienia sygnału sterującego tranzystor mocy. Osiągnięte napięcie było

69
równe Uo = 26, 4V, zatem moc dostarczana do obciążenia była równa Po = 25, 8W. Oscylo-
gram z testu przedstawiono na rysunku 53.

Rysunek 53: Napięcie wyjściowe przetwornicy Uo (kanał 1) i natężenie prądu płynącego przez
uzwojenie pierwotne transformatora oraz tranzystor mocy ID (kanał 2). Warunki testu: Ui =
20, 0V, Uo = 26, 4V i Ro = 27Ω

Test mocy wyjściowej 3 Rezystancję obciążenia ustawiono na wartość, tj. Ro = 94Ω.

Napięcie wyjściowe ustawiono na wartość Uo = 30, 0V, zatem moc dostarczana do obciążenia
była równa Po = 9, 6W. Oscylogram z testu przedstawiono na rysunku 54.

Rysunek 54: Napięcie wyjściowe przetwornicy Uo (kanał 1) i natężenie prądu płynącego przez
uzwojenie pierwotne transformatora oraz tranzystor mocy ID (kanał 2). Warunki testu: Ui =
20, 0V, Uo = 30, 0V i Ro = 94Ω

6.3 Reakcja na zmiany obciążenia

Reakcję przetwornicy na zmiany obciążenia na wyjściu zbadano doświadczalnie. Badanie
polegało na skokowej zmianie rezystancji obciążenia, oraz obserwowaniu na oscyloskopie na-

70
pięcia wyjściowego i sygnału PWM sterującego przełączaniem tranzystora mocy. Obciążenie
przełączano między rezystancją Ro(3) = 27Ω (obciążenie rezystorem R3) i Ro(3,4) = 13, 5Ω (ob-
ciążenie rezystorami R3 i R4). Napięcie wejściowe przez cały czas badania było równe 20,0V,
natomiast napięcie wyjściowe ustawiono na wartość Uset = 15, 0V. Prąd pobierany przez Ro(3)
miał więc natężenie 0,56A (Po = 8, 3W), a prąd pobierany przez Ro(3,4) był dwa razy większy
(Io = 1, 1A, Po = 16, 7W). Oscylogramy obrazujące reakcję przetwornicy przedstawiono na
rysunkach 55 i 56.

Rysunek 55: Przebieg prądu płynącego przez tranzystor mocy ID (kanał 2) i napięcia wyjścio-
wego Uo (kanał 1), przy skokowej zmianie obciążenia z 27Ω na 13,5Ω.

Rysunek 56: Przebieg prądu płynącego przez tranzystor mocy ID (kanał 2) i napięcia wyjścio-
wego Uo (kanał 1), przy skokowej zmianie obciążenia z 13,5Ω na 27Ω.

6.4 Wnioski
Zaprojektowany układ udało się uruchomić i przetestować jego podstawowe parametry.
Zastosowana metoda kontrolowania układu przetwarzającego energię, wykorzystująca mikro-

71
kontroler i pomiar napięcia wyjściowego przetwornikiem analogowo-cyfrowym, pozwala na re-
gulację napięcia wyjściowego z dobrą dokładnością w szerokim zakresie — nawet przy bardzo
niskich wartościach Uo .
W zaprojektowanym układzie udało się osiągnąć pełny założony zakres napięcia wyjścio-
wego (0 – 30V), a przy stałym obciążeniu napięcie w całym zakresie można regulować z precy-
zją 0,1V. Przetwornica poprawnie reaguje również na zmiany prądu pobieranego z jej wyjścia
i stabilizuje napięcie wyjściowe. Jednak w przypadku pracy ze zmiennym obciążeniem, zmiany
napięcia wyjściowego są większe niż 0,1V. Można w związku z tym podjąć próbę poprawy sta-
bilizowania napięcia, lub zrezygnować z tak dużej i nieuzasadnionej w tym przypadku precyzji
regulacji.
Zastosowany sposób zapobiegania nasyceniu ferrytowego rdzenia transformatora, wyko-
rzystujący układy wbudowane w mikrokontroler, działa poprawnie. Ponadto, ponieważ za-
bezpieczenie polega na wyłączaniu w odpowiednim momencie tranzystora mocy, mechanizm
ten stanowi zabezpieczenie przed pobieraniem zbyt dużego prądu z wyjścia przetwornicy, jest
też szybszy i bardziej niezawodny w stosunku do rozwiązań spotykanych w innych zasila-
czach, wykorzystujących przekaźniki elektromechaniczne. Mechanizm zabezpieczenia pozwala
także na zwieranie zacisków wyjściowych przetwornicy przy niezerowym napięciu panującym
na wyjściu, bez szkody dla urządzenia.
Porównując wyniki testów mocy wyjściowej opisanych w rozdziale 6.2 i założoną charak-
terystykę mocy, przedstawioną na rysunku 17, można oszacować że w układzie osiągnięto
ok. 80% planowanej mocy. Uzyskanie pełnej mocy może wymagać przyjęcia nieco większych
marginesów podczas projektowania transformatora.
Drugą kwestią wymagającą dopracowania jest niestabilność pracy przetwornicy, pojawia-
jąca się przy niektórych kombinacjach napięcia wyjściowego, prądu obciążenia i parametrów
regulatora PID.

6.5 Dalsze prace nad projektem

Najważniejszym usprawnieniem, wymaganym do zapewnienia praktycznej użyteczności
przetwornicy, jest takie zmodyfikowanie algorytmu kontroli, by przetwornica pracowała sta-
bilnie dla każdej możliwej kombinacji napięcia ustawionego Uset i prądu wyjściowego Io . To
usprawnienie można uzyskać znajdując dla każdej możliwej wartości napięcia Uset odpowied-
nie wartości współczynników KP , KI i KD , zapewniające stabilną pracę dla pełnego zakresu
możliwych wartości Io .
Znalezione wartości (lub funkcję opisującą tę zależność) należy zaimplementować w opro-
gramowaniu przetwornicy tak, by kontroler dobierał do aktualnie ustawionego napięcia wyj-
ściowego odpowiednie współczynniki regulatora PID.

W urządzeniu zaimplementowano zabezpieczenie przed nasyceniem rdzenia, wykorzystujące

stałe napięcie odniesienia generowane przez mikrokontroler. Nic nie stoi na przeszkodzie by
umożliwić zmianę tego napięcia odniesienia z poziomu interfejsu użytkownika i w ten sposób
uzyskać regulowane ograniczenie prądu wyjściowego przetwornicy.

72
 Modyfikacją mogącą prowadzić do znacznego poprawienia sprawności energetycznej urzą-
dzenia jest przystosowanie przetwornicy do zasilania bezpośrednio z sieci energetycznej 230 V.
Taka modyfikacja znacznie zmienia jedno z głównych założeń projektowych — zakres wartości
napięcia wejściowego, wobec czego wymagałaby gruntownego przeprojektowania całego ana-
logowego układu przetwarzania energii, oraz wprowadzenia do układu izolacji galwanicznej
pomiędzy wejściem i wyjściem napięciowym.

Nieznaczne poprawienie sprawności można też uzyskać zmieniając sposób pomiaru prądu
w obwodzie pierwotnym: ze stratnego (rezystor pomiarowy) na bezstratny (np. transformato-
rowy przekładnik prądowo–napięciowy [2]).

Szeroki zakres możliwych usprawnień leży w dziedzinie interfejsu obsługi przetwornicy. Za-
projektowane oprogramowanie pozwala na łatwe dostosowanie do urządzenia płyty czołowej
wyposażonej w dowolne elementy sterujące.
Przetwornicę można wyposażyć również w funkcję zdalnego sterowania z komputera PC.
Szczególnie atrakcyjna jest możliwość zastosowania do zdalnego sterowania powszechnych dzi-
siaj standardów komunikacji z komputerami: USB, i Ethernet. Użyciu tych protokołów sprzyja
fakt zastosowania w przetwornicy mikrokontrolera STM32F. W tej rodzinie znajdują się bo-
wiem układy (np. STM32F107) identyczne z zastosowanym w projekcie, a wyposażone dodat-
kowo w peryferia obsługujące sprzętowe warstwy wymienionych protokołów.

W zaprojektowanym urządzeniu zaimplementowano podstawowe funkcje zadawania nastaw

przez użytkownika. Cyfrowy interfejs stwarza możliwość łatwego dodania dodatkowych funkcji.
Można wśród nich wymienić:

• Zapamiętywanie wielu zestawów różnych nastaw i szybkie przełączanie się między nimi.

• Funkcja „generatora przebiegów”, czyli programowanie profilu automatycznych zmian

(niekoniecznie okresowych) napięcia wyjściowego w czasie.

• Funkcja „rejestratora przebiegów”, czyli rejestracja i prezentacja w formie graficznej

przebiegów napięcia wyjściowego lub pobieranego z przetwornicy prądu. Przebiegi mo-
głyby być próbkowane z konfigurowalną częstotliwością (do 50kHz).

Proponowane funkcje generatora i rejestratora, z powodu rozmiarów i złożoności danych

wejściowych (generator) oraz wyjściowych (rejestrator), wymagałyby odpowiednio rozbudowa-
nego, a przy tym wygodnego interfejsu użytkownika. Mogłyby zatem wykorzystywać funkcję
zdalnego sterowania z komputera PC wyposażonego w dedykowane dla przetwornicy opro-
gramowanie, udostępniające znacznie bogatszy i łatwiejszy w użyciu (w stosunku do płyty
czołowej) interfejs użytkownika.

73
Literatura

[1] Odon Ferenczi, Zasilanie układów elektronicznych. Zasilacze impulsowe. Wydawnictwa

Naukowo–Techniczne, Warszawa 1989

[2] Mirosław Mikołajewski, Materiały wykładowe do przedmiotu „Zasilanie urządzeń elektro-

nicznych”, Warszawa 2009

[3] Marian M. Kazimierczuk, Pulse-width Modulated DC–DC Power Converters, John Wiley
& Sons, Ltd, 2008

[4] Donald A. Norman, The design of everyday things, Doubleday, 1990

Artykuły i noty aplikacyjne

[5] David Caldwell, Microcontroller Enables Digital Control in SMPS, Power Electronics Tech-
nology, 02.2004

[6] Patel, H.K.; Voltage transient spikes suppression in flyback converter using dissipative
voltage snubbers, Industrial Electronics and Applications, 2008. ICIEA 2008. 3rd IEEE
Conference on , vol., no., pp.897-901, 3-5 June 2008

[7] Philip C. Todd; Snubber Circuits: Theory, Design and Application, Unitrode corporation,
May 1993

[8] Antonio Bersani, Switch Mode Power Supply (SMPS) Topologies (Part II), Microchip Tech-
nology Inc., 09.2009

[9] Bryan Kris, Intelligent SMPS goes digital, Engineer IT, 01.2009

[10] D. Maksimovic, R. Zane, R. Erickson, Impact of Digital Control in Power Electronics, Po-
wer Semiconductor Devices and ICs, 2004. Proceedings. ISPSD ’04. The 16th International
Symposium on , vol., no., pp. 13- 22, 24-27 May 2004

[11] Don Alfano, Ka Leung, Implementation of a Digitally-Controlled, Isolated DC/DC Co-

nverter with PMBus, Silicon Laboratories Inc., 10.2005

[12] ON Semiconductor, Switchmode TM Power Supplies. Reference Manual and Design Guide.

[13] Power Integrations, TOPSwitch Flyback Design Methodology, Application Note AN-16, s.
13-14. 1996

[14] Atmel, Interfacing a 4x4 Keyboard to an AT91 Microcontroller, 01.2003

[15] Hitex, The Insider’s Guide To The STM32 ARM

R Based Microcontroller ; 02.2008

74
 Katalogi produktów

[16] Ferroxcube, Data Handbook. Soft Ferrites and Accessories., 2009

http://www.ferroxcube.com

[17] Polfer, Ferrytowe rdzenie ETD, Warszawa 1992.

[18] Feryster, ETD34-K-V-14P, 2009

http://www.feryster.pl/polski/etd/etd34-k-v-14p.pdf

[19] Texas Instruments, UCD9222. Digital PWM System Controller with 4-bit, 6-bit, or 8-bit
VID Support, 11.2010

[20] Texas Instruments, UCD3040, UCD3028, UCD3020. Digital Power Controllers, 12.2009

[21] ON Semiconductor, NCP1200. PWM Current-Mode Controller for Low-Power Universal

Off-Line Supplies, 12.2009

[22] ON Semiconductor, NCP1238. Fixed Frequency Current Mode Controller for Flyback Co-
nverters, 05.2010

[23] Power Integrations, TOP252-262 TOPSwitch-HX R Family Enhanced EcoSmart, Integra-

ted Off-Line Switcher with Advanced Feature Set and Extended Power Range, 01.2009

[24] Power Integrations, PeakSwitch

R Family Enhanced, Energy-Efficient, Off-Line Switcher

IC With Super Peak Power Performance, 02.2007

[25] STMicroelectronics, VIPER28 Off-line high voltage converters, 01.2009

[26] International Rectifier, IRF540N. HEXFET Power MOSFET, 03.2001

[27] STMicroelectronics, STP10NK60Z/FP, STB10NK60Z/-1 STW10NK60Z. Zener-

Protected SuperMESHTM Power MOSFET, 09.2002

[28] International Rectifier, IRF640N. HEXFET Power MOSFET, 10.2000

[29] Microchip, TC426/TC427/TC428. 1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers, 2002

[30] STMicroelectronics, STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB. Performance line,

ARM-based 32-bit MCU with Flash, USB, CAN, seven 16-bit timers, two ADCs and nine
communication interface, 03.2008

[31] STMicroelectronics, LM193, LM293 – LM393. Low power dual voltage comparators,
07.2002

[32] STMicroelectronics, STPS8H100D/F/G/R/FP. High voltage power Schottky rectifier,

01.2002

[33] Vishay, 136 RVI Aluminum Capacitors, 12.2007

75
[34] Display Elektronik GmbH, LCD module DEM 16214 SYH-LY, 04.2003

[35] Intersil, ICL7660, ICL7660A. CMOS Voltage Converters, 04.1999

[36] National Semiconductor, LM2574, LM2574HV Series Simple Switcher 0,5A Step–Down
Voltage Regulator

76
Dodatki
A Moc, jaką można uzyskać z transformatora impulso-
wego w układzie typu flyback
W celu określenia optymalnej indukcyjności pierwotnego uzwojenia transformatora dla
projektowanej przetwornicy, przeprowadzono ogólną analizę wpływu wartości tej indukcyjności
na moc wyjściową możliwą do uzyskania w układzie.

Założenia
Analiza dotyczy układu zaporowej przetwornicy impulsowej, z transformatorem o danej
przekładni napięciowej. Założono że napięcia na wejściu i wyjściu układu są stałe, a parametry
rdzenia transformatora są znane.

Oznaczenia

I I 1 pk

I1 ΔI 1

I1
t off t on t
0 D on⋅T T

Rysunek 57: Przebiegi prądu w uzwojeniu pierwotnym transformatora

Ui , Ii , Pi , Uo , Io , Po — Wartości skuteczne odpowiednio: napięcia, prądu i mocy wejściowych

oraz wyjściowych.

U1 , U2 , I1 , I2 — Skuteczne wartości napięcia i prądu w uzwojeniach pierwotnym i wtórnym.

u1 , u2 , i1 , i2 — Chwilowe wartości napięcia i prądu w uzwojeniach pierwotnym i wtórnym.

U c , Ib , Ib — Średnie wartości impulsów napięcia i prądu.

c, U
1 2 1 2

T, ton , tof f — Okres kluczowania, czas włączenia i wyłączenia klucza.

Don , Dof f — Stosunek czasu włączenia / wyłączenia klucza do długości całego impulsu.

77
 N1 , N2 , N = N1 /N2 — Liczba zwojów po stronie pierwotnej, wtórnej, oraz przekładnia
napięciowa transformatora.

Obliczenia
Moc dostarczana z transformatora do obciążenia:

Po = Io · Uo = I2 · Uo
1 b
Ub2 = · U1 Ib2 = N · Ib1
N

Po = I2 · Uo = Ib2 · Dof f · Uo = N · Ib1 · Dof f · Uo

Maksymalny chwilowy prąd jaki może wystąpić po stronie pierwotnej (imax ), nie może
przekroczyć wartości I1(sat) . Otrzymujemy stąd warunek:

∆I1
Ib1(max) = I1(sat) − ,
2
co pozwala określić maksymalną wartość mocy dostarczanej do wyjścia:
∆I1
!
Po(max) = N · Dof f · Uo · I1(sat) −
2
Przyjęte założenia (ustalone warunki pracy oraz dany rdzeń) pozwalają zastąpić czynniki
N , Dof f , oraz Uo stałą c1 :

∆I1
!
Po(max) = c1 · I1(sat) − (9)
2

Do obliczenia prądu nasycającego dany rdzeń (I1(sat) ) można posłużyć się wielkością okre-
ślającą siłę magnetomotoryczną — amperozwojem (AZ).

AZ = i1 · N1

AZ oznacza chwilową wartość siły magnetomotorycznej generowanej przez chwilowy prąd

i1 płynący w uzwojeniu pierwotnym.

AZsat AZsat
I1(sat) = =q
N1 L1 /AL

Wyrażenie (9) można teraz zapisać w postaci:

  √
AZsat Ui ton  AZsat · AL · L1 − 0, 5 · Ui · ton
Po(max) = c1 ·  − = c1 ·
2L1
q
L1 L1
AL

78
 a więc:
√
c2 · L 1 − c3
Po(max) = c1 · (10)
L1

gdzie:
q
c2 = AZsat · AL

1
c3 = Ui ton
2
Stała c2 charakteryzuje właściwości rdzenia magnetycznego, zaś stała c3 — częstotliwość
pracy i napięcie wejściowe.
Wyrażenie 10 nie zawsze jest dodatnie, a w zakresie wartości dodatnich nie jest monoto-
niczne. Aby dowiedzieć się jaka jest zależność mocy od indukcyjności uzwojenia pierwotnego,
konieczne jest podstawienie realnych wartości poszczególnych parametrów. Żeby uprościć ob-
liczenia, można dokonać przekształceń wzoru 10:
√
AZsat AL · L1 − 0, 5Ui ton
Po(max) = N · Dof f · Uo · .
L1

W powyższej zależności, wielkości Dof f i ton są zależne od napięć we/wy, oraz okresu
kluczowania [1]:

Ui Don
Uo = ·
N 1 − Don

N · Uo
Don =
N · Uo + Ui
Ui
Dof f = 1 − Don =
Ui + N · Uo
N Uo T
ton = Don · T =
N Uo + Ui

Maksymalna moc wyjściowa jest zatem równa

N Uo Ui N Uo T 1
q 
Po(max) = · AZsat AL · L1 − 0, 5Ui · · . (11)
Ui + N Uo N Uo + Ui L1

79
B Protokół pomiarów transformatora

Oznaczenie transformatora
ETD34/F807/N1,5/37-25/350u-155u
Przyrząd pomiarowy
Meratronik – miernik RLC typ E317

POMIARY
1 Obydwa uzwojenia rozwarte. Pomiar indukcyjności strony pierwotnej
L1_roz = 351uH
2 Obydwa uzwojenia rozwarte. Pomiar indukcyjności strony wtórnej
L2_roz = 146uH
3 Uzwojenie wtórne zwarte. Pomiar indukcyjności strony pierwotnej
L1_zw = 2,345uH
4 Uzwojenie pierwotne zwarte. Pomiar indukcyjności strony wtórnej
L2_zw = 1,490uH

OBLICZENIA
5 Indukcyjność rozproszenia uzwojenia pierwotnego
L_D1 = L1_zw / 2 = 1,173uH
6 Indukcyjność rozproszenia uzwojenia wtórnego
L_D2 = L2_zw / 2 = 0,745uH
7 Indukcyjność uzwojenia pierwotnego
L1 = L1_roz – L_D1 = 349,8uH
8 Indukcyjność uzwojenia wtórnego
L2 = L2_roz – L_D2 = 145,3uH
9 Współczynnik sprzężenia uzwojeń
K = L1 / L1_roz = 0,997
10 Przekładnia napięciowa N1 / N2
N =  L1 / L2 = 1,55
Uwagi
Pomiary #3 i #4 wykonano precyzyjnym miernikiem LC będącym na
wyposażeniu pracowni.
Data
26.05.2011

80
C Kompletny schemat układu

81
D Fotografie wykonanego układu

82