Professional Documents
Culture Documents
DapAn DTCSUD 1920 HK2
DapAn DTCSUD 1920 HK2
Mã số :
Đáp Án Tự Luận
Câu 1 (1 đ)
a) Mạch tạo xung dòng kích tối ưu : Giúp Transistor Q chuyển mạch nhanh → cải thiện phát nóng. Tại các vị
trí cạnh xung tụ C dẫn nối tắt R2 → dòng kích/xả cực B lớn → Q chuyển mạch nhanh. Sau khi hết quá độ,
C không dẫn → dòng qua R2, R3 bình thường.
b) Mạch ghép Darlington và nguyên lý mạch kẹp Baker :
+ Mô tả các phần tử mạch
+ Q1, Q2 ghép Darlington → tăng hệ số kđ β
+ Diode D dựa trên nguyên lý mạch kẹp Baker (còn gọi là diode Speedup) có tác dụng tạo ra đường dẫn
để rút điện tích trong cực B của Q2 → Q2 tắt nhanh → giảm phát nóng.
c) Mạch lái tỉ lệ (Proportional Base Drive) :
+ Mô tả các phần tử mạch
+ Ưu điểm là linh hoạt thay đổi dòng IB khi IC (dòng tải) thay đổi nhưng vẫn đảm bảo tỉ số β = IC/IB nên Q
luôn được bảo hòa và đảm bảo Q không bị bảo hòa sâu. Nếu Q bảo hòa sâu → thời gian tắt kéo dài → bị
phát nóng.
d) Mạch lái tích cực (Active Drive) :
+ Mô tả các phần tử mạch
+ Khi xung điều khiển xuống mức 0 thì Q2 tắt, Q1 dẫn → cực B của Q được nối –VCC → rút điện tích
trong Q → Q tắt nhanh.
1
Câu 2. (1 đ)
Vcc1
BAX T1
TCA785
AN
ĐB O+
ĐK Vcc2
TCA785 T3
CN BAX
ĐB O+
Uđk
ĐK
+ Do SCR T2 được thay bởi Diode nên chỉ cần điều khiển T1, T3 như hình trên. Mỗi SCR được kích bởi một
TCA785, T1 nối vào pha A nên tín hiệu đồng bộ ĐB của TCA785 được nối vào pha AN, tương tự tín hiệu ĐB
cho T3 là pha CN.
+ Sinh viên cũng được yêu cầu vẽ lại sơ đồ mạch điều khiển TCA785 như trong giáo khoa.