СО ИЗУЧУВАЊЕ НА СОДРЖИНАТА ОД ОВАА ТЕМА, ЌЕ СРЕТНЕШ

ОСНОВНИ ЗНАЕЕЊА ЗА БИПОЛАРНИТЕ ТРАНЗИСТОРИ И ЌЕ МОЖЕШ:

 да го опишуваш принципот на работата и биполарниот транзисторот.

 Да ги разликуваш видовите биполарни транзистори според различни критериуми.
 Да црташ електрични шеми на поврзување на биполарни транзистори кои се користат
во праксата.
 Да објаснуваш како се врши поларизација на биполарниот транзистор.
 Да ги познаваш основните параметри и релации на биполарниот транзистор.
 Да ги црташ дијаграмите на одредени карактеристики на биполарниот транзистор (U-I
карактеристики).
 Да ја анализираш конструкцијата,принципот на работа и електричната шема на
транзисторски регулатор на напон кај алтернатор.
Што се случува кога се комбинираат два полуспроводници со PN- споеви? Во таа насока,
уште во 1948 година работеле двајца американски научници Бретејан и Бердин и успеале да
конструрираат нов електронски елемент, наречен транзистор. Називот транзистор е добиен
со спојување на два англиски збора TRANSfer resISTOR, со значење преносна отпорност, или
поточно, отпорност со која може да се управува. Слично како и кај диодата, првиот
транзистор бил со точкест спој, но набргу во 1951 година американскиот физичар Шокли
предложил решение на транзистор со површински спој (во англискиот јазик познат како
Junction transistor).

Јohn Вardeen Walter Houser Brittain

Транзисторите можат да се поделат на две основни групи: биполарни транзистори и

транзистори со ефект на поле (FET-Field Effect Transistor).Двете групи се со слична
конструкција со примена на PN-споеви, но со различен принцип за работа. Кај биполарните
транзистори, струја на транзисторот поминѕва преку два PN-споја,за разлика од
транзисторите со ефект на поле, во кои струјата тече само преку режимот на работа,
транзисторите од двете групи можат да се поделат на засилувачки и на прекинувачи.
 Биполарни Транзистори
Полуспроводничкиот елемент со два PN-споја и три електроди претставува транзистор.
Називот транзистор е добиен од англиските зборови TRANSfer resISTOR, со значење преносна
отпорност, или поточно, отпорност со која може да се управува.

Видови биполарни транзистори

Биполарните транзистори може да се категоризираат според повеке критериум и тоа
според:

1. Видот на материјалот од кој се изработени: германиум, силициум, галиум апсенид и

др.
2. Распоред на PN – споевите: NPN-транзистор, PNP-транзистор.
3. Фрекфенцијата на работа: нискофрекфентни, среднофрекфентни, високофрекфентни,
радиобранови, микробранови.
4. Употребата: општа употреба, преќинувачи, засилувачи, аудиозасилувачи,
високонапонски и др.
5. Физичкиот изглед: метални, пластични и сл.

Принцип на работа на NPN-транзистор

NPN-транзисторот е составен од два PN- споја, допрени со P-регионите.Неговата структураи

шематската ознака се дадени на сликата бр.1

Слика бр.1:Структура и шематска ознака на NPN-транзистор.

 Средиот регион на транзисторот се вика база (В) и во конструкцијата на транзисторот
се бара да биде што потенок. Неговата ширина, за некој видови транзистори, може да има
вредност околу 50 (за споредба, дебелината на спојот изнесува 1 ).Едниот крај на N-
регионот се вика емитер (Е) и има основна задача на емитува носители на полнеж електроди,
кои патуваат преку базата (В) и се собираат на спротивниот крај на транзисторот, наречен
колектор (С).Процентот на примесите во N-подрачјата е поголем од оној на Р-подрачјето.За
подобро разбирање на процесите ќе се послужиме со графички приказ на NPN-
транзистор,даден на слика бр.2

Сликааааа

Од сликата се гледа дека по завршениот процес на формирање на единствениот кристал, се

создаваат две потенцијални бариери и две зони на попречување со внатрешните полиња Е1 и
Е2 со спротивни насоки. Едната е на спојот емитер база, кој е наречен емитерски, а другата на
спојот меѓу базата и колекторот и тој е наречен колекторски.

Поларизација на NPN-транзистор

За поларизација на споевите се потребни два еднонасочни извори (слика број 3).

Изворот Uв е врзнам меѓу базата и емитерот, а изворот Uc меѓу емитерот и колекторот.

Сликаааааа

Кога прекинувачот Р1 е затворен, а Р2 отворен, изворот Uc формира надворешно поле

Еc, ориентирано од колекторот кон емитерот. Неговата насока се совпаѓа со насоката на
внатрешното поле Е2, се проширува зоната на попречување на колекторскиот спој и струјата Ic
не може да тече. Состојбата драстично се менува со затворање на прекинувачот Р2. Изворот
Uв создава надворешно поле Еb меѓу базата и емитерот, насочено од базата кон емитерот.
Задоволно голема вредност на напонот и изворот, надворешното поле Еb му се спротивставува
на внатрешното поле Е1 и го прави емитерскиот спој дирекно поларизиран. Слободните
електрони во голем број преминуваат од регионот на емитерот преку емитерскиот спој и
навлегуваат во регионот на базата. Но, бидејки областа на базата е многу мала и располага со
мал број празнини, можноста за рекомбинација меѓи електорните и празнините е многу мала.
Само оние електрони што се рекомбинираат со празнините учествуваат во формирањето на
базната струја Iв. Останатиот број електрони не можат да се насочат кон приклучокот на
базата, тие по пат на дифузија се преместуваат на границата на зоната на попречување меѓу
базата и колекторот. Тука, тие паѓаат под влијание на полето Еc и E2, го поминуваат
колекторскиот спој и одат во регионот на колекторот. Како резултат, во колото емитер
колектор ке протече струја Ic. Јачината на таа струја ќе зависи од бројот слободните електрони
кој преминувале преку емитерскиот спој, односно од степенот на поларизацијата на
елитерскиот спој. Значи, кај NPN- транзисторот ќе тече струја меѓу колекторот и емитер, само
ако тече струја во колото на база емитер, а тоа се случува кога колекторот е на повисок
потенцијал од потенцијалот на базата кон емитерот

Равенкаааа

Поларитетот на изворите Uc и Uв е многу битен за функционирањето на транзисторот. Што ќе

се случи ако се смени поларитетот на едниоот или на двата извора? Да го свртиме поларитетот
само на изворот Uc, прекинувачот Р2 да биде отворен, а да го затвориме преќинувачот Р1
(Слика број 3). И како прво, се сретнува насоката на полето Еc и таа се совпаѓа во насоката на
полето Е1. Потенцијалната бариера на емитерскиот спој се зголемува, се проширува зоната за
попречување и транзисторот станува блокиран.

Ако го затвориме сега и прекинувачот Р2, емитерскиот слој станува дирекна

поларизиран и протекува струја Iв од емитерот кон базата.Но, во исто време протекува и
голема сртуја од емитерот, преку подрачјето на базата кон колекторот преку колекторскиот
спој на кој нема никаква потенцијална бариера.Бариерата е поништена со дејството на полето
Ес и нема никаква дејства кое би го сопрело преминувањето на електроника преку
колекторскиот спој, што може да предизвика уништување на транзиството.Од друга страна,
двата извора, во однос на колото база колектор се приклучени во серија и нивниот напон, како
збир, го поларизира дирекно колекторскиот спој, што придонесува за зголемување на струјата.
 Ако го свртиме поларитетот и на изворот Uв, двата извора и натаму остануваат врзани
во серија меѓу базата и колекторот, но нивните напони се одземаат.Напонот база колектор е:
Uвс = Uв - Uc. Овој напон ќе биде позитивен, односно базата ќе биде на повисок
потенцијал од коленторот и спојот ќе биде дирекна поларизиран само кога е Uc Uв > Uc. Во тој
случај ќе дојде до оштетување на транзисторот.

Ако го свртиме поларитетот на изворот Uв, полето Еb ќе ја смени насоката и

емитерскиот спој ќе биде инверзно поларизиран. Но, ако напонот на изворот Uc е поголем од
напонот на изворот Uв полето Ес ќе го поништи дејството на полето Еb и емитерскиот спој ќе
биде дирекно поларизиран, што предизвикува оштетување на транзисторот.Само ако напонот
на изворот Uв е еднаков или поголем од напонот на изворот Uc, транзистор ќе биде заштитен.

Струјата може да се граничи и со додавање отпорнизи во надворешната коло.

Принци на работата и поларизација на PNP-транзитор

PNP-транзитор е составен од два PN-споја, докрајни со N-подрачја.Неговата структура и
шематскиот знак се дадени на (слика бр.4)

E P N P C

Целата негова конструкција е иста со конкуренцијата на NPN-транзисторот, со таа

разлика што Р и N- полуспроводниците ги менуваат местата. Овде емитерот и колекторот се од
Р-тип, а базата од N-тип, PN-споевите се поставени така што внатрешните полиња Е1 и Е2 сега
се насочени едното спротивно од другото и во спротивна насока од онаа кај NPN-
транзисторот. Процесот на примесите е поголем во Р-подрачјата од оној на N-подрачјето, што
значи дека во однос на сличната скица на (слика 5) Се забелезува дека изворите Uc и Uв се
поставени спротивно во однос на сличната скица на (слика 3).

Со затворање ма прекинувачот Р1, во внатрешноста на транзисторот се формира поле

Еc со дејството на изворот Uc. Тоа поле е насочено од емитерот кон колекторот и го помага
дејството на полето Е2, со што се зголемува потенцијалната бариера и се проширува зоната на
попречување меѓу базата и колекторот и транзисторот останува блокиран.
Сликаааа

Со затворање на прекинувачот Р2, емитерскиот спој директно се поларизира. Попречниот

слој на емитерскиот спој се стеснува и се поништува, голем број празнини навлегуваат во
подрачјето на базата.По пат на дифузија тие се поместуваат кон работ на зоната на
попречување на колкекторскиот спој, каде што паѓаат под влијание на резултатното поле на Ес
и Е2, ја поминуваат зоната на попречување и се упатуваат кон колекторот и кон неговиот
метален приклучок, каде што извлекуваат електрони од изворот Uc преку спроводникот кој е
сврзан со колекторот.Оваа експреса анализа потсетува само дека се работи за истиот процес
кој веќе е анализиран кај NPN-транзисторот.

Истите опасности од уништување на транзистот постојат и кај PNP-транзистор ско дојде до

свртување на поларитетот на изворите за напојување.

Поларизацијата на транзисторските споеви

Транзисторот е активен електронски елемент со влес и излес. Во електрично коло тој се
однесува како четворопол. Но, бидејки тој има само три изводи, едниот од нив ке биде
заеднички за влезот и за излезот. Зависно од тоа кој извод е заедничкиу за влезот и излезот,
разликуваме три вида на транзисторски споеви:

 Транзистор во спој со заеднички емитер, во кој влезот е меѓу базата и емитерот, а

излезот меѓу колекторот и емитерот.
 Транзистор во спој со заедничка база, во кој влезот е меѓу емитерот и базата, а излезот
меѓу колекторот и базата.
 Транзистор во спој со заеднички колектор, во кој влезот е меѓу базата и колектор, а
излезот меѓу емитерот и колекторот.

На слика број 2.6 е прикажана поларизацијата на транзисторските споеви .

НЕ ЗАБОРАВАЈ ДЕКА...!

*Биполарен транзистор е струјно управуван електронски елемент со три изводи: Колектор,

База и Емитер, во кој стујата по минува преку два PN-споја.

*Според распоредот на споевите, транзисторот може да биде со NPN или од PNP- тип.
* NPN-транзистор е составен од два Р-полуспроводника со вметнат Р-полуспроводник меѓу
нив. Главни носители на електричниот полнеж се електоните.

* PNP-транзистор е составен од два Р- полуспроводника со вметнат N- полуспроводник меѓу

нив. Главни носители на полнежот се празнините.

*Во колекторското коло на транзисторот тече струја само ако тече и базната струја.

*Инверзната струја на транзисторот е струја на споредните носители на полнеж, таа тече од

колекторот кон емитерот кај NPN и од емитерот кон колекторот за PNP- транзисторот, при
отворено коло на базата.

Карактеристики на биполарниот транзистор

Кај транзисторот постојат два режима на работа: статички и динамички. Статички
режим на работа имаме кога во колото на транзисторот постојат само еднонасочни напони и
струи со кои се поларизира транзисторот.Транзисторот се поларизира така што емитерскиот
спој ќе биде дирекно поларизиран, а колекторскиот инверзно. Во динамичкиот режим на
работа, покрај еднонасочните напони и струи, имаме напон и струја на најизменичен сигнал,
кои треба да се засилува.

Статички режим на работа

Колото на транзисторот во статички режим на работа е прикажана на слика бр.2.7

Сликааа

слика бр.2.7 Колото на транзисторот во статички режим на работа.

За анализа го користиме колото со NPN-транзистор, која важи и за колото на

PNP- транзистор, само со спротивни насоки на струите и напоните.

Во колото на колекторот и на базата се ставени потпорникот Rв, со кој се однесува базната

струја и отпорникот Rс, со кој се однесува колекторската струја.

Во анализата ќе ѓи користиме следниве ознаки:

Uce-напон колектор-емитер.

Uве-напон база-емитер.
Ucc-напон на изворот за напојување на колекторот.

Uвв-напон на изворот за напојување на базата.

Ic-колекторска струја.

Iв-базна струја.

Iе-емитерска струја.

Во анализата на приципите на работата на транзисторите е користен метод на

електронската насока на струите.Во пресметките, пак,вообичаено е да се користи метод на
техничката насока, при што се работи само за промена на знаците на струите во однос на оние
од електронската насока.

Статички карактеристики
Од горе наведените, четири големини се со јавно изразена меќусебна зависност. Тоа
се: базната струја Iв и напонот база- емитер Uве, како влезни, и колкеторска струја Iс и
напонот колектор – емитер Uсе, како излезни големини. Нивните зависности можат да се
претстават графилки преку статичките карактеристики на транзисторот. Бројот на овие
карактеристики е доста голем, но нема потреба од сите за пресметка на транзисторското коло
со графичка метода.

Комплетните карактеристики ги дава производителот на транзисторот, или се добиваат

со едноставно коло за мерење. Такво коло е прикажан на слика 2.8.

Сликаааа бр 2.8.

Слика:2.8. Коло за мерење на статичките карактеристики на NPN-транзисторот во спој со

заеднички емитер.

На слика 2.9 се прикажани карактеристики на промената на коликторската струја Iс во

зависност од промената на напонот Uсе за различни вредности на базната струја Iв,според
функцијата:

Iс =( Uсе) за Iв = const.(2.1)
Оваа карактеристика се вика излезна и може да се снима со колото од слика 2.8. Напонот Uсе
се мери со волтиметар, врзан меѓу колекторот и емитерот, а колекторската струја Iс со
милиамперметар, врзан во серија во колекторско коло. Потребно е уште да се мери и базната
струја Iв со милиамперметар, врзан со серија во коло на базата.

Првата од карактеристиките се мори така што со потенциометарот Р2 се регулира цтрујата V Iв

да биде 0, а со Р1 се менува напонот Uce во чекори од по 1V, почнувајки од нула па до 10V и за
секој чекор се забележува вредноста на струјата Ic, при што се води сметка цтрујата Iв да не се
промени. Добиените резултати се внесуваат во координатниот систем Ic- Uce и со поврзување
на точките се добива кривата Ic=f(Uce) за Iв = 0.

Слика 2.9 и Слика 2.10

Потоа следува снимање на следната крива, така што се Р2 се регулира да се добие

струјата Iв од 10hA а целата постапка се повторува како и претходно. Со натамошна промена
на струјата Iв на вредностите 20, 40, 60, 80, 100, 120hA се добиваат сите останати криви на
дијаграмот.

Катактеристиката:

Ic=f(Iв) за Uce =const. ги дава промените на карактеристиката струја Ic во зависност од

промените на базната струја Iв за разни вредности на напонот Uce. Таа е дадена на слика 2.10
и е наречена преносна карактеристика. Оваа карактеристика одредува како да се менува
излезната струја со промена на влезната струја, а тоа значи какво е влијанието на влезо врз
излезот.

Мерењето и на овие карактеристики може да се прави со истото мерно коло од

сликата 2.8. Напонот Uce се нагодува со потенциометарот Р1 на една вредност, на пример 1V,
Потоа со Р2 се менува базаната струја во чекори од по 20hA а на милиамперметарот се
отчитуваат вредностите на колекторската струја. При тоа се води сметка вредноста на напонот
Uce да не се промени. Ако се промени, се прави прво корекција на тој напон со Р1, па потоа се
прави читањето на вредноста на струјата Iс.Следното мерење е со поголема вредност на Uce
како на пример 10V следното на 15 V итн. Со внесувањето на резултатите се добиваат
карактеристиките како на слика 2.10

Катактеристиката:

Iв = f (Uве) за Uce = const.

Ја претставува промената на базната струја Iв во зависност од промените на напонот база-

емитер Uве за разни вредности на напонот колектор-емитер Uce и позната е како влезна
карактеристика.
Мерењето се прави со колото на слика 2.8 во коешто напонот база-емитер се регулира со
потенциометарот Р2 а напонот Uce со потенциометарот Р1.

Слика 2.11.

Со промена на напонот Uве се менува струјата, при што се води сметка напонот Uсе да има
постојано иста вредност. Следното мерење се прави со повисока константа вредност на Uсе
итн. Ако се внесат измерените резултати во координатниот систем на оските Iв-Uве се добива
резултат како на сликата 2.11.

Последната од карактеристиките од интерес е карактеристиката:

Uве=f(Uсе) за Iв = const.

Таа ја претставува промената на напонот на базата-емитер Uве во зависност од промената на

напонот колектор-емитер Uсе за разни вредности на базната струја Iв.