Lý thuyết biết dạng dẻo

ch-¬ng 2
Ch-¬ng 2. C¬ së kim lo¹i häc

2.1. Cấu trúc tinh thể và tổ chức kim loại
Mạng tinh thể
Ô cơ sở (Ô cơ bản)
2.1. CÊu tróc tinh thÓ vµ tæ chøc cña kim lo¹i
❖ Các ô cơ bản của những kim loại thường dùng trong kỹ thuật:
▪ Lập phương thể tâm (LPTT - A2)
Điển hình có: Feα (< 1184 °K), Nb, Mo, Ta, W, Cr, V,
Ti (> 1155 °K), Zr (> 1125 °K).
* 3
2.1. CÊu tróc tinh thÓ vµ tæ chøc cña kim lo¹i
▪ Lập phương diện tâm (LPDT - A1)
Điển hình có: Feγ (1184÷1665°K), Al, Ni, Cu, Ag, Au, Pt,
Pb,
Co (> 1393°K).
* 4
●2.1. Cấu trúc tinh thể và tổ chức của kim loại
▪ Lục giác xếp chặt (LGXC – A3)
Điển hình có: Mg, Be, Zn, Ti (< 1125 °K), Co (< 1393 °K),
Zr (< 1125°K).
Chú ý: một số KL có thể tồn tại dưới những dạng mạng
tinh thể khác nhau phụ thuộc vào điều kiện áp suất và nhiệt
độ → tính thù hình của KL.
* 5
2.2. Lùc liªn kÕt giữa çc nguyªn tö trong m¹ng tinh thÓ
(Lực đẩy)
(Lực tổng hợp)
(Lực hút)
Lực tương tác giữa hai nguyên tử gần nhau trong mạng tinh thể
* 6
Ký hiệu các mặt dùng chỉ số Miller:
Đối với mạng tinh thể LPXC dùng chỉ số

Miller – Bravais:
* 7
▪ Ký hiệu các phương dùng chỉ số Miller:
Các phương điển hình trong mạng tinh thể
* 8
2.3. BiÕn d¹ng ®µn håi vµ biÕn d¹ng dÎo trong tinh thÓ lý t-ëng
❖Biến dạng đàn hồi:
Trước biến dạng Trong biến dạng Mô hình năng lượng trong biến
đàn hồi dạng đàn hồi
* 9
▪ Biến dạng đàn hồi:

- Ở trạng thái ứng suất đơn:
Khi kéo, nén: σ = E.ε
Khi trượt, xoắn: τ = G.γ
- Mô đun đàn hồi là đặc trưng của lực liên kết giữa các
nguyên tử trong mạng tinh thể (lực liên kết lớn => mô đun đàn
hồi lớn => VL càng cứng).
- Trị số của mô đun đàn hồi phụ thuộc vào:
+ Nhiệt độ
+ Mức độ biến dạng nguội.
+ Thành phần hóa học
* 10
▪ Biến dạng dẻo trong tinh thể lý tưởng

① Trượt
a/ b/
Trượt ở đơn Trượt ở đơn tinh thể Biến dạng dẻo mạng tinh thể do trượt
tinh thể Zn dưới tải trọng kéo F a/ trước biến dạng b/ sau biến dạng
- Đặc điểm của trượt:
+ Trượt chỉ xảy ra dưới tác dụng của ứng suất tiếp;
+ Phương mạng không thay đổi trước và sau khi trượt;
+ Mức độ trượt bằng một số nguyên lần khoảng cách giữa các nguyên tử trên
phương trượt;
+ Ứng suất tiếp cần thiết để gây ra trượt không lớn.
* 11

① Trượt
Mạng lập phương tâm khối (A2)

- Các mặt dày đặc nhất là họ mặt
{110} là mặt chéo chữ nhật đi qua
nguyên tử ở giữa khối (có 6 mặt).
- Trên mỗi mặt lại có hai phương dày
đặc nhất thuộc họ 〈111〉 là các
phương đối đỉnh của khối lập phương.
→ Mạng A2 có 12 (6 mặt x 2 phương)
hệ trượt chính khác nhau.

① Trượt
Mạng lục giác xếp chặt (A3)

- Chỉ có một mặt dày đặc nhất là
mặt đáy (0001).
- Trên đó có ba phương dày đặc
nhất thuộc họ 〈11 20〉.
→Như vậy mạng lục giác xếp chặt
chỉ có 3 (1 mặt x 3 phương) hệ
trượt chính khác nhau.

① Trượt
Kim loại nào có số phương trượt cao hơn sẽ có tính dẻo hơn (Mạng A1
có nhiều phương trượt hơn mạng A2 nên dẻo hơn, như ở nhiệt độ
thường Cu, Al … dẻo hơn Fe).
- Hệ trượt của ba dạng tinh thể thường gặp
Mạng LPDT Mạng LPXC
Mạng LPTT
* 15
▪ Biến dạng dẻo trong đa tinh thể
Trượt trong hạt Biến dạng quay trong đa tinh thể

▪ Biến dạng dẻo trong đa tinh thể
- Có độ bền cao hơn đơn tinh thể

Trong đa tinh thể, vùng biên giới hạt có sắp xếp không trật
tự, rất khó tạo nên mặt và phương trượt, nó là lớp vỏ cứng cản
trượt. Để trượt được phải tác dụng lực lớn hơn.
→ vì vậy trở lực trong đa tinh thể lớn hơn nhiều tức là độ
bền trong đa tinh thể cao hơn đơn tinh thể.
- Hạt càng nhỏ độ bền độ dẻo càng cao
Hạt càng nhỏ thì tổng biên giới hạt lớn nên cản trở mạnh sự
trượt, do đó độ bền tăng.
Hạt càng nhỏ thì số lượng hạt sẽ tăng số hạt thích ứng với
sự trượt theo phương bất kỳ cũng tăng lên, do đó độ dẻo tăng.
- Ứng suất gây ra trượt:
+ Thực nghiệm cho thấy trượt chỉ xảy ra khi ứng suất
đạt giá trị tới hạn τ0:
Pháp F
tuyến
So
Phương
λ
Mặt trượt trượt
- là ứng suất quy ước ϕ τ
Định luật Schmid S
+ Đặt: μ = cosϕ.cosλ (yếu tố định hướng)

+ Có thể nhận thấy rằng: τ phụ thuộc vào F
cả σ và yếu tố định hướng μ.
+ τ sẽ đạt giá trị lớn nhất (τmax) khi μ lớn
nhất, lúc ϕ = λ = 45° và μ = ½.
* 18
- Chú ý:
+ Vì trong một tinh thể tồn tại nhiều hệ trượt nên hệ nào có yếu tố định
hướng lớn nhất thì trượt trước tiên (τ lớn nhất và góc ϕ = 45°).
+ Khi μ = 0 thì không thể xảy ra trượt trên những hệ này.
* 19
Hình thái trượt

Quá trình trượt trong đơn tinh thể xảy ra theo hình thái sau:
- Đầu tiên sự trượt sẽ xảy ra với hệ trượt có lợi nhất (ứng suất tiếp lớn
nhất và ϕ = 45o ).
- Các mặt dịch chuyển tương đối với nhau một khoảng nhất định thì
dừng lại (đối với A1 khoảng này là 2000 Å). Các mặt trượt cũng cách nhau
một khoảng nhất định (đối với A1 là 200 Å).
- Hệ trượt đầu tiên này gọi là hệ trượt chính, sau đó các mặt trượt kế
tiếp với hệ trượt chính lại trượt.
Cuối cùng trên bề mặt tinh thể xuất hiện những bậc thang giống như
chuỗi xu xếp nghiêng.
Mạng tinh thể ở vùng xung quanh mặt trượt bị xô lệch đó là nguyên
nhân cản trở sự trượt tiếp tục, do đó các hệ trượt trong hệ trượt chính
chỉ trượt được một khoảng rồi lại dừng.
- Cơ chế trượt:
+ Trượt đồng thời (trượt cứng): xảy ra ở mạng tinh thể hoàn chỉnh không
có lệch, cần ứng suất tiếp rất lớn.
+ Trượt nối tiếp (có tham gia của lệch): ứng suất tiếp chỉ cần nhỏ vì khi
trung tâm lệch dịnh chuyển thì chỉ có một vài nguyên tử xung quanh đó
tham gia quá trình trượt.
* 21
▪ Song tinh (Đối tinh):
- Khi τ = τth thì một phần của mạng tinh thể sẽ xê dịch đến một vị trí
mới đối xứng với phần còn lại qua một mặt phẳng gọi là mặt song tinh.
- Song tinh cũng chỉ xảy ra trên các mặt và các phương xác định.
MÆt
song
tinh
* 22
2.4. KhuyÕt tËt trong m¹ng tinh thÓ
▪ Các dạng khuyết tật:

- CÊu tróc tinh thÓ cña VL KL bÞ rèi lo¹n do sù xuÊt hiÖn
cña çc khuyÕt tËt m¹ng.
- Dựa vµo kÝch th-ưíc çc khuyÕt tËt cã thÓ chia chóng
thµnh 3 d¹ng:
+ KhuyÕt tËt ®iÓm:
+ KhuyÕt tËt ®ưêng:
+ KhuyÕt tËt mÆt:
- Mạng tinh thể chứa khuyết tật được gọi là mạng tinh thể
thực.
* 23
Sai lệch điểm (khuyết tật)
Các dạng khuyết tật điểm bao gồm:
+ Nút trống;
+ Nguyên tử xen kẽ;
+ Nguyên tử lạ thay thế;
+ Nguyên tử lạ xen kẽ.
Sai lệch điểm (khuyết tật)
+ Có thể là khuyết tật điểm vật lý

hoặc hóa học;
- Khuyết tật điểm hóa học: 1 và 2;
- Khuyết tật điểm vật lý: 3 và 4;
+ Tăng nhiệt độ: khuyết tật điểm tăng
lên;
+ Có ý nghĩa với sự chuyển động của
lệch (tức là với quá trình BDD) và khuếch
tán. 1- Nót trèng; 2- Nguyªn tö xen kÏ;
3- Nguyªn tö thay thÕ;
4- Nguyªn tö ngo¹i lai xen kÏ.
* 25
▪ Lệch – sai lệch đường:
- Gồm 2 dạng cơ bản là lệch biên và lệch xoắn.
ABCD- mặt lệch; AB- đường lệch (trục lệch)

- Đặc điểm của lệch biên:
+ Đường lệch vuông góc với véc tơ trượt b;
+ Mặt trượt của lệch biên là xác định.
* 26
▪ Lệch:
Lệch xoắn
- Lệch xoắn có những đặc điểm sau:
+ Đường lệch song song với vectơ trượt b.
+ Mặt trượt của lệch xoắn có thể là bất kỳ mặt phẳng nào chứa đường lệch.
* 27
▪ Lệch:
Lệch hỗn hợp
- Đặc điểm:
+ Đường lệch tạo với véc tơ Burgers một góc α (0° < α < 180°);
+ Đường lệch thường không thẳng mà cong (α ≠ const).
* 28
▪ Véc tơ Burgers:
Lệch xoắn
Lệch biên
- Véc tơ Burgers là đại lượng đặc trưng cho mức độ xô lệch mạng do
lệch gây ra.
- Véc tơ Burgers là đại lượng đặc trưng cơ bản của lệch (xác định năng
lượng của lệch, trường ứng suất đàn hồi, mức độ trượt, …).
- Đặc điểm:
+ Véc tơ Burgers vuông góc với đường lệch biên và song song với đường
lệch xoắn;
+ Véc tơ Burgers không thay đổi dọc theo đường lệch.
* 29
▪ Các khuyết tật khác:
- Các khuyết tật mặt:
+ Biên giới hạt

+ Biên giới pha
+ Khuyết tật xếp
+ Song tinh
Biên giới hạt.
* 30
▪ Các khuyết tật khác:
Sơ đồ cấu trúc biên giới pha
Phân ly lệch hoàn chỉnh b thành 2 lệch bộ phận b1 và b2.
* 31
2.5. LÖch vµ tÝnh chÊt cña vËt liÖu
▪ Sự chuyển động của lệch:
- Lực tác dụng lên lệch gồm ngoại lực và nội lực.
- Nếu τ trên một mặt trượt nào đó đạt τth thì lệch sẽ chuyển động.
(a) (b) (c)

Trượt trong mạng tinh thể nhờ chuyển động của một lệch biên:
(a) Vị trí ban đầu; (b) Lệch xê dịch sang trái một khoảng cách nguyên tử;
(c) Lệch chuyển động ra đến bề mặt tinh thể.
* 32
▪ Sự sản sinh lệch, nguồn lệch:

- Lệch được tạo thành trong quá trình kết tinh của KL từ
thể lỏng, nó đóng vai trò như những mầm kết tinh và điều đó
là không thể tránh khỏi.
- Mật độ lệch ρ (tính bằng số lượng đường lệch/1 đơn vị
diện tích) trong tinh thể kim loại chưa được ủ mềm trong
khoảng 104 ÷ 108 lệch/cm2.
- Dựa vào mật độ lệch, khoảng xê dịch trung bình của lệch
và trị số của vectơ Burgers b có thể đánh giá được mức độ
BD trượt của một tinh thể.
- Mật độ lệch cần thiết khi biến dạng là ρ = 1010 lệch/cm2
=> Lệch cần được sản sinh thêm trong quá trình biến dạng.
* 33
▪ Sự sản sinh lệch, nguồn lệch:
- Một trong những cơ chế sản sinh lệch trong quá trình biến dạng là
nguồn Frank – Read.
Sơ đồ sản sinh lệch của nguồn Frank-Read

+ AB: nguồn lệch là đường AB (A, B bị giữ chặt ở hai đầu bởi chứng ngại nào đó
như giao điểm của 2 đường lệch, hạt phân tán,..).
+ Nguồn lệch Frank – Read là nguồn lệch phẳng hoặc không gian.
+ Nó chỉ là một nguồn lệch dưới tác dụng của ứng suất tiếp.
* 34
Hai lÖch biªn kh¸c dÊu triÖt tiªu nhau
Nguån Ch-íng
lÖch Ng¹i vËt
MÆt tr-ît
LÖch bÞ dån ø giữa nguån lÖch vµ vËt ch-íng
ng¹i
- VËt ch-íng ng¹i cã thÓ lµ những lÖch kh«ng chuyÓn ®éng, çc h¹t tiÕt
pha hoÆc biªn giíi h¹t.
* 35
▪ Sự trượt ngang của lệch xoắn:
- ĐÆc ®iÓm cña lÖch xo¾n lµ ®-êng lÖch song song víi vect¬ Burgers nªn lÖch
xo¾n kh«ng cã mÆt tr-ît cè ®Þnh mµ vÒ nguyªn t¾c nã cã thÓ chuyÓn ®éng
trªn bÊt cø mÆt nµo cã chøa ®-êng lÖch.
- Bëi vËy lÖch xo¾n cã thÓ chuyÓn mÆt tr-ît nÕu nh- trªn mÆt tr-ît ban ®Çu nã
gÆp phải ch-íng ng¹i. Qu¸ trình nµy gäi lµ tr-ît ngang.
* 36
▪ Sự leo của lệch biªn:

✔ MÆt tr-ît cña lÖch biªn hoµn toµn x¸c ®Þnh bëi vect¬ Burgers vµ ®-êng
lÖch cña nã cho nªn lÖch biªn trong qu¸ tr×nh tr-ît gÆp ph¶i ch-íng ng¹i th×
kh«ng cã kh¶ n¨ng chuyÓn mÆt tr-ît ®Ó vßng qua ch-íng ng¹i nh- ®èi víi
lÖch xo¾n.
✔ Thùc tÕ ®-êng lÖch kh«ng bao giê chØ n»m trong mét mÆt ph¼ng mµ nã
th-êng qu¸ ®é sang nh÷ng mÆt ph¼ng l©n cËn => bËc lÖch.
✔ NÕu cã çc nguyªn tö khuÕch t¸n ®Õn hoÆc khuÕch t¸n khái bËc lÖch th×
®Òu sÏ lµm cho bËc lÖch dÞch chuyÓn. KÕt qu¶ lµ lµm cho ®-êng lÖch
hoÆc n©ng lªn hoÆc h¹ xuèng, bëi vËy qu¸ tr×nh nµy gäi lµ leo.
✔ Sù khuÕch t¸n cña çc nguyªn tö hoÆc cña çc nót trèng trong m¹ng tinh
thÓ chØ x¶y ra mét çch ®¸ng kÓ khi cã kÝch ho¹t nhiÖt nghÜa lµ ë nhiÖt
®é t-¬ng ®èi cao, cho nªn leo ®ãng mét vai trß quan träng ®èi víi qu¸ tr×nh
håi phôc vµ d·o.
* 37
§-êng lÖch BCDE cã bËc lÖch

CD
KhuÕch t¸n cña nguyªn tö D’

vµo chç bËc lÖch lµm cho nã
dÞch chuyÓn theo h-íng B.
- Khi biến dạng ở nhiệt độ cao, lượng nút trống tăng mạnh khi tăng nhiệt
độ và biến dạng => khuếch tán của các nguyên tử và leo dễ dàng hơn,
hiện tượng hóa bền giảm hoặc được khử bỏ hoàn toàn.
* 38
▪ Sự cắt nhau của lệch:
- Trong tinh thÓ lÖch th-êng n»m vµ chuyÓn ®éng trªn çc mÆt ph¼ng
kh¸c nhau. Khi tr-ît mét lÖch sÏ gÆp v« sè lÖch kh¸c vµ chóng c¾t nhau t¹o
nªn những bËc nhá gäi lµ bËc lÖch.
Bậc lệch
* 39
Bậc lệch
* 40
Bậc lệch
Sù c¾t nhau cña mét lÖch xo¾n vµ mét lÖch biªn
* 41
2.6. Hãa bền biến dạng
▪ Là hiện tượng ứng suất chảy tăng lên theo mức độ biến dạng trong qúa
trình biến dạng.
- Một hiện tượng rất quan trọng xảy ra trong qúa trình biến dạng.
- Ảnh hưởng đến tính chất của sản phẩm.
- Xảy ra khi biến dạng ở nhiệt độ còn tương đối thấp.
ứng suất chảy kf
Mức độ biến dạng ϕ
* 42
▪ Nhược điểm: làm tăng tải trọng đối với dụng cụ BD, đòi hỏi tiêu hao về lực
và công BD tăng.
▪ Khắc phục:
- Để có thể đạt được một mức độ BD mong muốn, trong nhiều trường hợp
phải tiến hành các bước nhiệt luyện trung gian nhằm giảm bớt ứng suất
chảy và khôi phục tính dẻo.
- Để tránh hiện tượng hoá bền BD --> thực hiện BD ở nhiệt độ cao, song
độ chính xác và chất lượng bề mặt của sản phẩm lại kém hơn nhiều so với
BD nguội.
* 43
▪ Ưu điểm: hiện tượng tăng độ bền khi biến dạng là tích cực đối với
tính chất của sản phẩm, nhất là một số vật liệu không hóa bền được
bằng nhiệt luyện hoặc bằng hợp kim hóa.
▪ Nguyên nhân:
- Lệch không ngừng được sinh ra,
- Khi chuyển động, lệch hoặc gặp phải chướng ngại vật hoặc cắt
nhau --> dồn ứ lại --> rừng lệch,
- Muốn tiếp tục chuyển động --> phải tăng ứng suất.
▪ Tất cả những nhân tố nào gây cản trở cho sự sản sinh và chuyển
động của lệch đều là nguyên nhân dẫn đến hoá bền biến dạng (gồm
cả biên giới hạt với các vật liệu đa tinh thể).
* 44
2.7. Các quá trình kích hoạt nhiệt
▪ Ưu điểm: T0ktl
--> Tính chất kim loại thay đổi, trở nên mềm và dẻo hơn.
--> Lực và công biến dạng nhỏ, mức độ biến dạng lớn.
▪ Nhược điểm:
--> Dễ bị ôxy hoá bề mặt dẫn đến chất lượng bề mặt kém.
--> Độ chính xác của sản phẩm không cao.
(1) håi phôc

c
(2)
Hạt kÕt
mới tinh l¹i
(3) lín lªn cña h¹t

(1) (2) (3)
Giai đoạn Giai đoạn
hồi phục kết tinh lại
Hạt lớn lên
* 45
2.8. Quá trình phá hủy trong kim loại
▪ Nhiều phương pháp công nghệ thì mức độ biến dạng bị giới hạn trước
hết bởi sự xuất hiện của các quá trình phá hủy trong vật liệu,
ví dụ: kéo dây, dập vuốt, …
▪ Cơ chế phá hủy rất khác biệt, gồm 2 dạng: phá hủy dẻo và phá hủy dòn.
Phá hủy dẻo:
- Trước khi phá hủy đã thực hiện được một mức độ biến dạng lớn.
- Theo Reed – Hill: sự phát triển của vết nứt là hậu quả của biến dạng dẻo
quá lớn ở vùng xung quanh nó.
Phá hủy dòn:
- Trước khi phá hủy mức độ biến dạng không đáng kể.
- Theo Reed – Hill: vết nứt phát triển không đi đôi với biến dạng dẻo đáng
kể ở vùng xung quanh nó.
* 46
2.8. Quá trình phá hủy trong kim loại
▪ Theo Griffith: trong hoặc ngoài vật thể kim loại luôn tồn tại những vết nứt
tế vi.
▪ Vết nứt được tạo thành ở những chỗ có chướng ngại cản trở chuyển
động của lệch (biên giới hạt, mặt song tinh, ...).
- Nếu ứng suất pháp đạt tới độ bền kéo lý thuyết thì sẽ xuất hiện vết nứt;
- Nứt gây phá hủy dòn nếu nó tiếp tục phát triển mà không kèm theo biến
dạng dẻo.
Tập trung
ứng suất tại
vết nứt elip.
Vết nứt tạo thành do trường ứng suất của các lệch
bị dồn ứ tại chướng ngại.
* 47
Bà i tâ ̣p – Vı́ dụ
A B
D C
A’
B’
D’ C’
Anh (Chi)̣ hãy ký hiệu mặt tinh thể trên hı̀nh vẽ: mặt ABCD; mặt BCC’B’; mặt
AB’C’D’; mặt ABB’A’; mặt DCC’D’; mặt DCB’A’; …? Có nhận xé t gı̀?
* 48
[???] [???]
[???]
[???]
[???]
[???]
[???]
[???]
[???]
[???]
Anh (Chi)̣ hãy ký hiệu phương mạng tinh thể trên hı̀nh vẽ (mũi tên)? Có nhận
xé t gı̀?
* 49
Anh (Chi)̣ hãy giả i thı́ch ý nghı ̃a củ a hı̀nh vẽ nà y?
* 50

Lý thuyết biết dạng dẻo

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Lý thuyết biết dạng dẻo

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ch-¬ng 2

Ch-¬ng 2. C¬ së kim lo¹i häc

(Lực tổng hợp)

Ký hiệu các mặt dùng chỉ số Miller:

Đối với mạng tinh thể LPXC dùng chỉ số

Các phương điển hình trong mạng tinh thể

▪ Biến dạng đàn hồi:

▪ Biến dạng dẻo trong tinh thể lý tưởng

▪ Biến dạng dẻo trong tinh thể lý tưởng

Mạng lập phương tâm khối (A2)

▪ Biến dạng dẻo trong tinh thể lý tưởng

Mạng lục giác xếp chặt (A3)

▪ Biến dạng dẻo trong tinh thể lý tưởng

Mạng LPDT Mạng LPXC

▪ Biến dạng dẻo trong đa tinh thể

Trượt trong hạt Biến dạng quay trong đa tinh thể

▪ Biến dạng dẻo trong đa tinh thể

- Có độ bền cao hơn đơn tinh thể

Định luật Schmid S

+ Đặt: μ = cosϕ.cosλ (yếu tố định hướng)

Hình thái trượt

▪ Các dạng khuyết tật:

+ Có thể là khuyết tật điểm vật lý

ABCD- mặt lệch; AB- đường lệch (trục lệch)

Lệch hỗn hợp

+ Biên giới hạt

Biên giới hạt.

Sơ đồ cấu trúc biên giới pha

Phân ly lệch hoàn chỉnh b thành 2 lệch bộ phận b1 và b2.

(a) (b) (c)

▪ Sự sản sinh lệch, nguồn lệch:

Sơ đồ sản sinh lệch của nguồn Frank-Read

Hai lÖch biªn kh¸c dÊu triÖt tiªu nhau

▪ Sự leo của lệch biªn:

§-êng lÖch BCDE cã bËc lÖch

KhuÕch t¸n cña nguyªn tö D’

Sù c¾t nhau cña mét lÖch xo¾n vµ mét lÖch biªn

Mức độ biến dạng ϕ

(1) håi phôc

(3) lín lªn cña h¹t

You might also like