‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿــﺎت اﻟﻘــﻮي‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬
‫زﻣﯿﻞ ﺟﻤﻌﯿﺔ اﻟﻤﮭﻨﺪﺳﯿﻦ اﻷﻣﺮﯾﻜﯿﺔ ‪ASE‬‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫اﻟﻤﺤﺘﻮى‬

‫‪ ١-١‬أھﻤﯿﺔ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى و اﺳﺘﺨﺪاﻣﮭﺎ‪.‬‬

‫‪ ٢-١‬ﻧﺒﺎﺋﻂ اﻟﻘﻮى )اﻟﺜﻨﺎﺋﯿﺎت – اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر – اﻟﻤﻮﺣﺪ‬
‫اﻟﺴﯿﻠﻜﻮﻧﻲ اﻟﻤﺤﻜﻮم ‪ (SCR‬وﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص‪.‬‬
‫‪ ٣-١‬اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫‪ ١-١‬أھﻤﯿﺔ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى واﺳﺘﺨﺪاﻣﮭﺎ‪.‬‬

‫ﯾﻌﺘﺒﺮ ﻋﻠﻢ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ﻣﻦ اﻟﻌﻠﻮم اﻟﮭﺎﻣﺔ ﻓﻲ ﺣﯿﺎﺗﻨﺎ اﻟﻌﻤﻠﯿﺔ إذ ﻻ ﯾﺨﻠﻮ أي ﻣﻨﺰل أو‬

‫ﻣﺼﻨﻊ ﻣﻦ داﺋﺮة ﻣﻦ اﻟﺪواﺋﺮ اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ ‪ .‬أﯾﻀﺎ اﻟﻤﻮاﺻﻼت و اﻟﺴﯿﺎرات ﻻ ﺗﺨﻠﻮ ﻣﻦ‬

‫ھﺬه اﻟﺪواﺋﺮ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ ‪.‬‬

‫اﻟﻤﻘﺼﻮد ﺑﺎﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ھﻲ ﺗﻠﻚ اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﺘﻲ ﺗﺤﺘﻮى ﻋﻠﻰ ﻋﻨﺼﺮ أو أﻛﺜﺮ ﻣﻦ‬

‫ﻋﻨﺎﺻﺮ أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت ‪ ،‬اﻟﺘﻲ ﯾﻤﻜﻨﮭﺎ اﻟﺘﻌﺎﻣﻞ ﻣﻊ ﻗﺪرات ﻋﺎﻟﯿﺔ ﺑﺤﯿﺚ ﯾﻤﻜﻦ‬

‫اﺳﺘﺨﺪاﻣﮭﺎ ﻓﻲ ﻣﺠﺎل اﻟﻘﻮى اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ‪ .‬ﺣﯿﺚ ﺗﺴﺘﺨﺪم دواﺋﺮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ﻟﻠﺤﺼﻮل‬

‫ﻋﻠﻰ ﻣﻨﺒﻊ ﻗﺪرة ﺑﻤﻮاﺻﻔﺎت ﺧﺎﺻﺔ ﻟﻠﺠﮭﺪ و اﻟﺘﺮدد‪ .‬ﺣﯿﺚ ﯾﻤﻜﻦ اﻟﺘﺤﻮﯾﻞ ﻣﻦ ﺻﻮرة إﻟﻲ‬

‫أﺧﺮى ﻟﻤﺼﺪر اﻟﻘﺪرة‪ ،‬ﻓﻤﺜﻼ ﯾﻤﻜﻦ اﻟﺤﺼﻮل ﻋﻠﻰ ﺟﮭﺪ ﻣﺘﻐﯿﺮ اﻟﻘﯿﻤﺔ و اﻟﺘﺮدد ﻣﻦ ﺟﮭﺪ‬

‫ﺛﺎﺑﺖ اﻟﻘﯿﻤﺔ واﻟﺘﺮدد‪ .‬وﯾﻤﻜﻦ أﯾﻀﺎ اﻟﺤﺼﻮل ﻋﻠﻰ ﺟﮭﺪ ﻣﺴﺘﻤﺮ ﻣﻦ ﺟﮭﺪ ﻣﺘﺮدد‪ ،‬ﻛﻤﺎ‬

‫ﯾﻤﻜﻦ اﻟﺘﺤﻮﯾﻞ ﻣﻦ ﺟﮭﺪ ﻣﺴﺘﻤﺮ إﻟﻲ ﺟﮭﺪ ﻣﺘﻐﯿﺮ اﻟﻘﯿﻤﺔ واﻟﺘﺮدد‪ .‬وﻟﻜﻞ ﻣﺎ ﺳﺒﻖ ﻓﺈن‬

‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ﻟﮭﺎ أھﻤﯿﺔ ﻛﺒﯿﺮة ﻓﻲ اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺪات اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ‪ ،‬ﺗﻮﻟﯿﺪ و ﻧﻘﻞ و‬

‫ﺗﻮزﯾﻊ اﻟﻘﻮى اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ‪ .‬وﺧﻼﺻﺔ اﻟﻘﻮل ﯾﻤﻜﻦ ﺗﻌﺮﯾﻒ إﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ﺑﺄﻧﮭﺎ ﺗﻄﺒﯿﻘﺎت‬

‫أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت ﻟﻠﺘﺤﻜﻢ وﺗﺤﻮﯾﻞ اﻟﻘﻮى اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ ﻣﻦ ﺻﻮرة إﻟﻲ ﺻﻮر أﺧﺮى‪.‬‬

‫ﯾﮭﺘﻢ ﻋﻠﻢ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت ﺑﺪراﺳﺔ اﻟﻤﻜﻮﻧﺎت اﻷﺳﺎﺳﯿﺔ ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ ﻣﺜﻞ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺎت‪,‬‬

‫اﻟﻤﻠﻔﺎت‪ ,‬واﻟﻤﻜﺜﻔﺎت ﺑﺎﻹﺿﺎﻓﺔ إﻟﻲ اﻟﻌﻨﺎﺻﺮ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ اﻟﻤﺒﻨﯿﺔ ﻣﻦ أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت‬

‫ﻣﺜﻞ اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ و اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر و اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر وﻣﻜﺒﺮ اﻟﻌﻤﻠﯿﺎت واﻟﺪواﺋﺮ اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻠﺔ ‪ .IC‬ﺷﻜﻞ‬

‫)‪ (١-١‬ﯾﻮﺿﺢ ﺻﻮر ﻟﺒﻌﺾ اﻟﻌﻨﺎﺻﺮ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ ‪ .‬ﻛﻤﺎ ﯾﺮﻛﺰ ھﺬا اﻟﻌﻠﻢ أﯾﻀﺎ ﻋﻠﻰ‬

‫اﻟﻨﻈﻢ اﻟﺨﻄﯿﺔ وﺑﻨﺎء أﺟﮭﺰة دﻗﯿﻘﺔ ﺗﺘﻌﺎﻣﻞ ﻣﻊ ھﺬه اﻟﻨﻈﻢ ﻛﻤﺎ ﻓﻲ اﻷﺟﮭﺰة اﻟﺪﻗﯿﻘﺔ ﻣﻦ‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﻣﻘﺎﯾﯿﺲ ﺿﻐﻂ و ﺣﺮارة و رﻃﻮﺑﺔ و إﺷﻌﺎع وﻏﯿﺮھﺎ‪ .‬ﻛﻤﺎ أن ﺗﻄﺒﯿﻘﺎت اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت‬

‫ﺗﻜﺎد ﻻ ﯾﺨﻠﻮ ﻣﻨﮭﺎ أي ﻋﻠﻢ أﺧﺮ ﻣﻦ ﻣﯿﻜﺎﻧﯿﻜﺎ و ﻃﺐ و ﻛﻤﺒﯿﻮﺗﺮ وﻏﯿﺮھﺎ ﻣﻦ اﻟﻌﻠﻮم ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١-١‬ﺻﻮر ﺑﻌﺾ اﻟﻌﻨﺎﺻﺮ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ‬

‫ﺗﻮﺟ ﺪ ﻣﺠ ﺎﻻت ﺷ ﺘﻰ ﻻﺳ ﺘﺨﺪام دواﺋ ﺮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿ ﺎت اﻟﻘ ﻮى‪ ،‬وﻋﻠ ﻰ ﺳ ﺒﯿﻞ اﻟﻤﺜ ﺎل ﺗ ﺴﺘﺨﺪم‬

‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ﻓﻲ اﻟﺘﺴﺨﯿﻦ اﻟﻜﮭﺮﺑﻲ ‪ ،‬اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ اﻹﺿﺎءة و اﻟ ﺘﺤﻜﻢ ﻓ ﻲ اﻟﻤﺤﺮﻛ ﺎت‬

‫اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ و اﻟﺠﺮ اﻟﻜﮭﺮﺑﻲ و ﻧﻘﻞ اﻟﻘ ﻮى اﻟﻜﮭﺮﺑﯿ ﺔ و ﺷ ﺒﻜﺎت اﻟ ﺮﺑﻂ اﻟﻜﮭﺮﺑ ﻲ وﻣﻨﻈﻤ ﺎت‬

‫اﻟﺠﮭ ﺪ واﻷﺟﮭ ﺰة اﻟﻤﻨﺰﻟﯿ ﺔ ﻣﺜ ﻞ اﻟﺜﻼﺟ ﺎت و اﻟﻐ ﺴﺎﻻت و أﺟﮭ ﺰة اﻟﺘﻜﯿﯿ ﻒ و اﻟ ﺘﺤﻜﻢ ﻓ ﻲ‬

‫درﺟ ﺎت اﻟﺤ ﺮارة ‪ ،‬ﻓ ﻲ ﻛ ﻞ ﻣﺠ ﺎﻻت اﻟ ﺼﻨﺎﻋﺔ وﻛ ﺬﻟﻚ ﯾ ﺪﺧﻞ ﻋﻠ ﻢ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿ ﺎت ﺑ ﺸﻜﻞ‬

‫ﺧ ﺎص ﻓ ﻲ ﻣﺠ ﺎﻻت اﻟﮭﻨﺪﺳ ﺔ اﻟﻜﮭﺮﺑﯿ ﺔ‪ .‬ﺳ ﻮاء ﻛﺎﻧ ﺖ ھﻨﺪﺳ ﺔ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿ ﺎت ﻣ ﺴﺘﻘﻠﺔ ﻋ ﻦ‬

‫اﻟﮭﻨﺪﺳﺔ اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ أم ﻻ ﻓﺈن اﻟﻤﺠﺎﻻت اﻵﺗﯿﺔ ﺗﺸﻜﻞ أﺑﺮزھﺎ ‪:‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫‪ -١‬ھﻨﺪﺳﺔ اﻻﺗﺼﺎﻻت ‪ :‬اﻻﺗﺼﺎﻻت اﻟﮭﺎﺗﻔﯿﺔ ﺑﻨﻮﻋﯿﮭﺎ اﻟﺜﺎﺑﺖ واﻟﺠﻮال وأﻧﻈﻤﺔ‬

‫اﻻﺗﺼﺎﻻت واﻟﺸﺒﻜﺎت اﻟﻤﺨﺘﻠﻔﺔ واﻻﻧﺘﺮﻧﺖ ‪.‬‬

‫‪ -٢‬اﻟﺮادﯾﻮ واﻟﺘﻠﻔﺰﯾﻮن ‪ :‬ﺗﻄﺒﯿﻘﺎت اﻟﻜﺎﻣﯿﺮا و اﻟﺮادﯾﻮ واﻟﺘﻠﻔﺎز و اﻟﺴﺘﺎﻻﯾﺖ‬

‫‪ -٣‬ﻣﻌﺎﻟﺠﺔ اﻹﺷﺎرة ‪ :‬دراﺳﺔ اﻹﺷﺎرات وﺧﻮاﺻﮭﺎ وﻣﻌﺎﻟﺠﺘﮭﺎ ﻛﻤﺎ ﻓﻲ ﻣﻌﺎﻟﺠﺔ اﻟﺼﻮت‬

‫واﻟﺼﻮرة‬

‫‪ -٤‬ھﻨﺪﺳﺔ اﻷﺟﮭﺰة اﻟﺪﻗﯿﻘﺔ ‪ :‬اﻟﻤﻌﺪات اﻟﻄﺒﯿﺔ واﻟﺼﻨﺎﻋﯿﺔ اﻟﺪﻗﯿﻘﺔ وأﺟﮭﺰة اﻟﻘﯿﺎس‬

‫واﻟﺘﺤﻜﻢ ‪.‬‬

‫‪ -٥‬ھﻨﺪﺳﺔ اﻟﺘﺤﻜﻢ ‪ :‬ﯾﺮﺗﺒﻂ ھﺬا اﻟﻔﺮع ارﺗﺒﺎﻃﺎ وﺛﯿﻘﺎ ﺑﻜﻞ ﻣﻦ ﻣﻌﺎﻟﺠﺔ اﻹﺷﺎرة واﻷﺟﮭﺰة‬

‫اﻟﺪﻗﯿﻘﺔ‬

‫‪ -٦‬ھﻨﺪﺳﺔ اﻟﻜﻤﺒﯿﻮﺗﺮ ‪ :‬ﺗﻄﻮﯾﺮ و ﺗﺼﻤﯿﻢ و ﺑﺮﻣﺠﺔ وﺻﯿﺎﻧﺔ اﻟﻜﻤﺒﯿﻮﺗﺮ‪.‬‬

‫‪ ٢-١‬ﻧﺒﺎﺋﻂ اﻟﻘﻮي‬

‫ﻣﻘﺪﻣﮫ ‪ :‬ﺷﺒﮫ اﻟﻤﻮﺻﻞ )‪ (Semiconductor‬ھﻮ ﻣﺎدة ﻋﺎزﻟﺔ ﯾﺘﻢ اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ ﻣﻮﺻﻠﯿﺘﮭﺎ‬

‫اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ ﺑﺈﺿﺎﻓﺔ ﻋﻨﺎﺻﺮ أﺧﺮى‪ .‬و ﺗﻜﻮن ﻣﻘﺎوﻣﺘﮫ اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ ﻣﺎ ﺑﯿﻦ اﻟﻤﻮﺻﻼت‬

‫واﻟﻌﻮازل‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﯾﻤﻜﻦ ﻟﻤﺠﺎل ﻛﮭﺮﺑﻲ ﺧﺎرﺟﻲ ﺗﻐﯿﯿﺮ درﺟﺔ ﻣﻘﺎوﻣﺔ ﺷﺒﮫ اﻟﻤﻮﺻﻞ‪.‬‬

‫ﻓﺎﻷﺟﮭﺰة واﻟﻤﻌﺪات اﻟﺘﻲ ﯾﺪﺧﻞ ﻓﻲ ﺗﺼﻨﯿﻌﮭﺎ ﻣﻮاد ﺷﺒﮫ ﻣﻮﺻﻠﺔ ھﻲ أﺳﺎس اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت‬

‫اﻟﺤﺪﯾﺜﺔ واﻟﺘﻲ ﺗﺸﻤﻞ اﻟﺮادﯾﻮ‪ ،‬اﻟﻜﻤﺒﯿﻮﺗﺮ واﻟﮭﺎﺗﻒ وأﺟﮭﺰة أﺧﺮى ﻛﺜﯿﺮة‪ .‬واﻷﺟﺰاء‬

‫اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ اﻟﺘﻲ ﺗﻌﻤﻞ ﺑﺄﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت ﺗﺸﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‪ ،‬واﻟﺨﻼﯾﺎ اﻟﻀﻮﺋﯿﺔ ‪،‬‬

‫اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت اﻟﺜﻨﺎﺋﯿﺔ )‪ (Diode‬واﻟﺒﻠﻮرات اﻟﻤﺸﻌﺔ ﺑﺎﻟﻀﻮء )‪ (LEDs‬وﻣﻮﺣﺪات اﻟﺘﯿﺎر‬

‫واﻟﺪواﺋﺮ اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻠﺔ‪ .‬وﻛﻤﺎ ﺗﻤﺜﻞ أﻟﻮاح اﻟﻄﺎﻗﺔ اﻟﺸﻤﺴﯿﺔ أﻛﺒﺮ ﻣﺜﺎل ﻷﺟﮭﺰة اﻟﺘﻲ ﺗﻌﻤﻞ‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﺑﺎﻟﻤﻮاد ﺷﺒﮫ اﻟﻤﻮﺻﻠﺔ ﺣﯿﺖ ﺗﻘﻮم ﺑﺘﺤﻮﯾﻞ اﻟﻄﺎﻗﺔ اﻟﻀﻮﺋﯿﺔ إﻟﻲ ﻃﺎﻗﺔ ﻛﮭﺮﺑﯿﺔ ﻓﻲ‬

‫اﻟﻤﻮﺻﻼت اﻟﻤﻌﺪﻧﯿﺔ ﺗﻘﻮم اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﺑﻨﻘﻞ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻜﮭﺮﺑﻲ ‪ ،‬أﻣﺎ ﻓﻲ أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت‬

‫ﯾﻨﺘﻘﻞ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻜﮭﺮﺑﻲ ﻋﻦ ﻃﺮﯾﻖ ﺳﯿﻞ ﻣﻦ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت أو ﻓﺠﻮات )أﺟﺴﺎم ذات ﺷﺤﻨﺔ‬

‫ﻣﻮﺟﺒﺔ( ﺧﻼل اﻟﺒﻨﺎء اﻟﺬري ﻟﻠﻤﺎدة‪ .‬وﯾﺴﺘﺨﺪم اﻟﺴﯿﻠﯿﻜﻮن ﻟﺘﺼﻨﯿﻊ ﻣﻌﻈﻢ اﻷﺟﮭﺰة اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ‬

‫اﻟﺘﻲ ﺗﺤﺘﻮي ﻋﻠﻰ ﻣﻮاد ﺷﺒﮫ ﻣﻮﺻﻠﺔ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﺗﺴﺘﺨﺪم ﻣﻮاد أﺧﺮى ﻛﺜﯿﺮة ﻣﻨﮭﺎ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم‬

‫وزرﻧﯿﺦ اﻟﺠﺎﻟﯿﻮم اﻟﺜﻼﺛﻲ وﻛﺮﺑﯿﺪ اﻟﺴﯿﻠﯿﻜﻮن‪ .‬وﯾﺘﻢ ﺗﺤﺴﯿﻦ اﻟﺘﻮﺻﯿﻠﯿﺔ‪ ،‬واﻟﻘﺪرة ﻋﻠﻰ‬

‫ﺗﻮﺻﯿﻞ اﻟﻜﮭﺮﺑﺎء‪ ،‬ﺑﺈﺿﺎﻓﺔ ﻋﻨﺎﺻﺮ أﺧﺮى ﺗﺴﻤﻰ "اﻟﺸﻮاﺋﺐ" ﻋﻦ ﻃﺮﯾﻖ ﺻﮭﺮھﺎ‬

‫وﺗﺮﻛﮭﺎ ﻟﺘﺒﺮد ﻟﺘﻜﻮن ﺑﻠﻮرة ﺟﺪﯾﺪة وﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻋﻦ اﻷﺻﻠﯿﺔ وﺗﺴﻤﻰ ھﺬه اﻟﻌﻤﻠﯿﺔ ﺑﻌﻤﻠﯿﺔ‬

‫اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ ) إﺿﺎﻓﺔ ﻣﻮاد ﻟﺒﻌﻀﮭﺎ (‬

‫‪ -١‬اﻟﺜﻨﺎﺋﯿﺎت‬

‫وﺻﻠﺔ ‪ P N‬أو اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﻤﻮﺟﺒﺔ اﻟﺴﺎﻟﺒﺔ أو اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﺜﻨﺎﺋﯿﺔ )‪: (P-N Junction‬‬

‫ﯾﺘﻢ ﺗﺸﻜﯿﻞ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪ p-n‬ﻋﻠﻰ ﺑﻠﻮرة أﺣﺎدﯾﺔ وﻣﺘﺼﻠﺔ ﻣﻦ ﻣﺎدة ﺷﺒﮫ ﻣﻮﺻﻞ ﻧﻘﻰ‬

‫ﻣﺜﻞ اﻟﺴﯿﻠﯿﻜﻮن أو اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم ﯾﻄﻌﻢ أﺣﺪ ﺟﺎﻧﺒﻲ ھﺬه اﻟﺒﻠﻮرة ﺑﺸﻮاﺋﺐ ﻣﺎﻧﺤﺔ )‪(n-type‬‬

‫وﯾﻄﻌﻢ اﻟﺠﺎﻧﺐ اﻵﺧﺮ ﺑﺸﻮاﺋﺐ ﻛﺎﺳﺒﺔ )‪ .(p-type‬واﻟﺠﺪﯾﺮ ﺑﺎﻟﺬﻛﺮ أﻧﮫ ﻻ ﯾﻤﻜﻦ ﺗﺸﻜﯿﻞ‬

‫ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪ p-n‬ﺑﻤﺠﺮد وﺿﻊ ﻗﻄﻌﺔ ﻣﻦ ﻣﺎدة ﺷﺒﮫ ﻣﻮﺻﻞ ﻧﻮع )‪ (n-type‬ﻣﻼﺻﻘﺔ‬

‫ﻟﻤﺎدة ﻧﻮع )‪ (p-type‬ﻷن ﻋﺪم اﻻﺳﺘﻤﺮارﯾﺔ ﻓﻲ اﻟﺒﻨﺎء اﻟﺒﻠﻮرى ﻟﻤﺎدة ﺷﺒﮫ اﻟﻤﻮﺻﻞ ﯾﺆدى‬

‫إﻟﻲ ﺿﯿﺎع ﻛﻞ اﻟﺼﻔﺎت اﻟﺘﻲ ﺷﻜﻞ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ﻣﻦ أﺟﻠﮭﺎ ‪ .‬وﯾﺒﯿﻦ ﺷﻜﻞ )‪(٢-١‬‬

‫اﻟﺘﺮﻛﯿﺐ واﻟﺮﻣﺰ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ‪ .‬وﻧﻼﺣﻆ أن ﻟﻠﺜﻨﺎﺋﻲ ﻃﺮﻓﯿﻦ اﻟﻄﺮف اﻷول‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫اﻟﻤﺘﺼﻞ ﺑﺎﻟﻤﺎدة ﻧﻮع ‪ p‬وﯾﻄﻠﻖ ﻋﻠﯿﮫ اﻟﻤﺼﻌﺪ أو اﻷﻧﻮد وﯾﺮﻣﺰ ﺑﺎﻟﺤﺮف ‪ A‬واﻟﻄﺮف‬

‫اﻟﺜﺎﻧﻲ اﻟﻤﺘﺼﻞ ﺑﺎﻟﻤﺎدة ﻧﻮع ‪ n‬وﯾﻄﻠﻖ ﻋﻠﯿﮫ اﻟﻤﮭﺒﻂ أو اﻟﻜﺎﺛﻮد وﯾﺮﻣﺰ ﻟﮫ ﺑﺎﻟﺤﺮف ‪K‬‬

‫اﻟﺮﻣﺰ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬ ‫اﻟﺘﺮﻛﯿﺐ‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٢-١‬اﻟﺘﺮﻛﯿﺐ واﻟﺮﻣﺰ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻟﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٣-١‬ﯾﺒﯿﻦ ﻟﻨﺎ ﺗﻮزﯾﻊ اﻟﺸﺤﻨﺎت ﻓﻲ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ﺣﯿﺚ ﺗﻜﻮن ﻏﺎﻟﺒﯿﺔ اﻟﺸﺤﻨﺎت‬

‫) ﺣﺎﻣﻼت اﻟﺘﯿﺎر( ﻓﻲ اﻟﺠﺰء اﻷﯾﺴﺮ واﻟﺬي ﯾﺤﺘﻮى ﻋﻠﻰ ﻣﺎدة ﻧﻮع ‪ p‬ﻓﺠﻮات وﺗﻤﺜﻞ‬

‫اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت أﻗﻠﯿﺔ ﻓﻲ ھﺬا اﻟﺠﺰء ‪ ،‬ﺑﯿﻨﻤﺎ ﺗﻜﻮن ﻏﺎﻟﺒﯿﺔ اﻟﺸﺤﻨﺎت ﻓﻲ اﻟﺠﺰء اﻷﯾﻤﻦ واﻟﺬي‬

‫ﯾﺤﺘﻮى ﻋﻠﻰ ﻣﺎدة ﻧﻮع ‪ n‬اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت وﺗﻤﺜﻞ اﻟﻔﺠﻮات أﻗﻠﯿﺔ ﻓﻲ ھﺬا اﻟﺠﺰء‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٣-١‬ﺗﻮزﯾﻊ اﻟﺸﺤﻨﺎت ﻓﻲ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪p-n‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﯾﺘﺄﻟﻒ اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ ﻣﻦ رﻗﺎﻗﺘﯿﻦ ﻣﻦ ﺷﺒﮫ ﻣﻮﺻﻞ اﻟﻄﺒﻘﺔ اﻷوﻟﻰ ‪ n‬ﺗﻜﻮن ﺧﺎﺻﯿﺔ ﺑﻨﯿﺘﮭﺎ ﻏﻨﯿﺔ‬

‫ﺑﺎﻹﻟﻜﺘﺮون )ﺳﺎﻟﺒﺔ( واﻟﻄﺒﻘﺔ اﻟﺜﺎﻧﯿﺔ ‪ p‬ﺗﻜﻮن ﺧﺎﺻﯿﺔ ﺑﻨﯿﺘﮭﺎ ﻏﻨﯿﺔ ﺑﺎﻟﻔﺠﻮات )ﻣﻮﺟﺒﺔ(‪ .‬ﻋﻨﺪ‬

‫ﺗﻮﺻﯿﻞ اﻟﺮﻗﺎﻗﺘﯿﻦ ﺗﺘﺸﻜﻞ )ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻋﺰل( ﺑﯿﻦ اﻟﺮﻗﺎﻗﺘﯿﻦ ﻓﯿﺘﻜﻮن ﻟﺪﯾﻨﺎ ﺻﻤﺎم ﺛﻨﺎﺋﻲ‬

‫‪ .Diode‬ﺷﻜﻞ )‪ (٣-١‬ﯾﻮﺿﺢ اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﺜﻨﺎﺋﯿﺔ وﺗﻜﺘﺴﺐ اﻟﻮﺻﻠﺔ أھﻤﯿﺘﮭﺎ ﻣﻦ أﻧﮭﺎ ﺣﺠﺮ‬

‫اﻷﺳﺎس ﻓﻲ ﺻﻨﻊ اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ و اﻟﺨﻼﯾﺎ اﻟﺸﻤﺴﯿﺔ و اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﻀﻮﺋﻲ و اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﻤﺸﻊ و‬

‫اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﻠﯿﺰر و اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر واﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر و اﻟﺘﺮﯾﺎك‬

‫و اﻟﺪﯾﺎك و اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻠﺔ‪.‬‬

‫ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪ p-n‬ﻋﻨﺪ ﺗﻄﺒﯿﻖ ﺟﮭﺪ اﻻﻧﺤﯿﺎز‬

‫ﯾﻮﺟﺪ ﻧﻮﻋﯿﻦ ﻣﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز ھﻤﺎ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ واﻟﺬي ﯾﻜﻮن ﻋﻨﺪه ﺟﮭﺪ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ‪p‬‬

‫ﻣﻮﺟﺒﺎ ﺑﺎﻟﻨﺴﺒﺔ ﻟﻠﻤﻨﻄﻘﺔ ‪ n‬و اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ و اﻟﺬي ﯾﻜﻮن ﻋﻨﺪه ﺟﮭﺪ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ‪ p‬ﺳﺎﻟﺒﺎ‬

‫ﺑﺎﻟﻨﺴﺒﺔ ﻟﻠﻤﻨﻄﻘﺔ ‪ n‬ﻛﻤﺎ ھﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ )‪(٤-١‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٤-١‬ﻃﺮق ﺗﻮﺻﯿﻞ اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ ‪Forward Bias‬‬

‫ﻋﻨﺪ ﺗﻮﺻﯿﻞ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪ p-n‬ﺑﺒﻄﺎرﯾﺔ ﺑﺤﯿﺚ ﯾﻜﻮن اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ p‬ﻟﻠﺜﻨﺎﺋﻲ ﻣﺘﺼﻞ‬

‫ﺑﺎﻟﻘﻄﺐ اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻟﻠﺒﻄﺎرﯾﺔ واﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬ﻟﻠﺜﻨﺎﺋﻲ ﻣﺘﺼﻞ ﺑﺎﻟﻘﻄﺐ اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻟﻠﺒﻄﺎرﯾﺔ ﻛﻤﺎ ھﻮ‬

‫ﻣﻮﺿﺢ ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ ) ‪ (٥-١‬ﻓﺎن اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ ﯾﻜﻮن ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻧﺤﯿﺎز أﻣﺎﻣﻲ وھﻰ اﻟﺤﺎﻟﺔ اﻟﺘﻲ ﺗﺴﻤﺢ‬

‫ﻟﻠﺜﻨﺎﺋﻲ ﺑﺘﻮﺻﯿﻞ اﻟﺘﯿﺎر‪ .‬ﻓﻲ ھﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ ﺗﺘﻨﺎﻓﺮ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬ﻣﻊ اﻟﻘﻄﺐ‬

‫اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻟﻠﺒﻄﺎرﯾﺔ وﺗﻨﺪﻓﻊ ﻟﻌﺒﻮر اﻟﻮﺻﻠﺔ إﻟﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ p‬ﺑﯿﻨﻤﺎ اﻟﻔﺠﻮات ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪p‬‬

‫ﺗﺘﻨﺎﻓﺮ ﻣﻊ اﻟﻘﻄﺐ اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻟﻠﺒﻄﺎرﯾﺔ وﺗﻨﺪﻓﻊ ﻟﻌﺒﻮر اﻟﻮﺻﻠﺔ إﻟﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬وﻧﺘﯿﺠﺔ ﻟﺬﻟﻚ‬

‫ﯾﻘﻞ ﻋﺪد اﻻﯾﻮﻧﺎت اﻟﻤﻮﺟﺒﺔ ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬ﻣﻦ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ) ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻋﺰل أو ﻣﻨﻄﻘﺔ‬

‫ﻣﺘﻌﺎدﻟﺔ ( وﯾﻘﻞ ﻋﺪد اﻻﯾﻮﻧﺎت اﻟﺴﺎﻟﺒﺔ ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ p‬ﻣﻦ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف وﺗﻀﯿﻖ‬

‫ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ﻋﻨﺪ زﯾﺎدة ﻗﯿﻤﺔ ﺟﮭﺪ اﻟﺒﻄﺎرﯾﺔ ﻋﻦ ﻗﯿﻤﺔ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﺤﺎﺋﻞ ﻓﺎن ﻋﺮض‬

‫ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ﯾﻘﻞ إﻟﻲ اﻟﺤﺪ اﻟﺬي ﯾﺴﻤﺢ ﺑﺎﺳﺘﻤﺮار ﺳﺮﯾﺎن اﻟﺘﯿﺎر ﺑﯿﻦ ﻗﻄﺒﻲ اﻟﻤﺼﺪر‬

‫ﻋﺒﺮ اﻟﻮﺻﻠﺔ‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٥-١‬ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻧﺤﯿﺎز أﻣﺎﻣﻲ‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ ‪Reverse Bias‬‬

‫ﻋﻨﺪ ﺗﻮﺻﯿﻞ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪ p-n‬ﺑﺒﻄﺎرﯾﺔ ﻛﻤﺎ ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ )‪ (٦-١‬ﺑﺤﯿﺚ ﯾﻜﻮن اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪p‬‬

‫ﻟﻠﺜﻨﺎﺋﻲ ﻣﺘﺼﻞ ﺑﺎﻟﻘﻄﺐ اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻟﻠﺒﻄﺎرﯾﺔ واﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬ﻟﻠﺜﻨﺎﺋﻲ ﻣﺘﺼﻞ ﺑﺎﻟﻘﻄﺐ اﻟﻤﻮﺟﺐ‬

‫ﻟﻠﺒﻄﺎرﯾﺔ ‪ ،‬ﻓﺎن اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ ﯾﻜﻮن ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻧﺤﯿﺎز ﻋﻜﺴﻲ‪ .‬ﻓﻲ ھﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ ﺗﻨﺠﺬب‬

‫اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬إﻟﻲ اﻟﻘﻄﺐ اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻟﻠﺒﻄﺎرﯾﺔ وﺗﺒﺘﻌﺪ ﻋﻦ اﻟﻮﺻﻠﺔ ﺑﯿﻨﻤﺎ‬

‫ﺗﻨﺠﺬب اﻟﻔﺠﻮات ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ p‬إﻟﻲ اﻟﻘﻄﺐ اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻟﻠﺒﻄﺎرﯾﺔ ﻣﺒﺘﻌﺪة أﯾﻀﺎ ﻋﻦ اﻟﻮﺻﻠﺔ‪.‬‬

‫وﺑﺬﻟﻚ ﯾﺰداد ﻋﺪد اﻻﯾﻮﻧﺎت اﻟﻤﻮﺟﺒﺔ ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬ﻣﻦ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف وﻋﺪد‬

‫اﻻﯾﻮﻧﺎت اﻟﺴﺎﻟﺒﺔ ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ p‬ﻣﻦ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ‪ ،‬وﻧﺘﯿﺠﺔ ﻟﺬﻟﻚ ﯾﺰداد ﻋﺮض‬

‫ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف وﺗﺰداد ﺷﺪة اﻟﻤﺠﺎل اﻟﻜﮭﺮﺑﻲ ﺑﮭﺎ‪ .‬وﻧﺘﯿﺠﺔ ﻟﺬﻟﻚ ﺗﻨﺘﻘﻞ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت ﻣﻦ‬

‫اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ p‬إﻟﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬ﻛﻤﺎ ﺗﻨﺘﻘﻞ اﻟﻔﺠﻮات ﻣﻦ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬إﻟﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ .p‬ﻧﺘﯿﺠﺔ‬

‫ﻻﻧﺘﺸﺎر اﻟﺤﺎﻣﻼت اﻷﻗﻠﯿﺔ ﻟﻠﺘﯿﺎر اﻟﻤﺘﻤﺜﻠﺔ ﻓﻲ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ p‬واﻟﻔﺠﻮات ﻣﻦ‬

‫اﻟﺠﺎﻧﺐ ‪ n‬ﻓﺎن ﺗﯿﺎر ﺻﻐﯿﺮ ﺟﺪا ﯾﻤﺮ ﻓﻲ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ ﻣﻦ اﻟﻤﮭﺒﻂ إﻟﻲ اﻟﻤﺼﻌﺪ‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٦-١‬ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮﺻﻠﺔ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻧﺤﯿﺎز ﻋﻜﺴﻲ‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص‬

‫ﯾﻤﻜﻦ دراﺳﺔ ﺧﻮاص اﻟﻮﺻﻠﺔ ﻋﻨﺪ ﺣﺎﻟﺔ وﺟﻮد وﻋﺪم وﺟﻮد ﺟﮭﺪ ﺧﺎرﺟﻲ ﻋﻠﻰ ﻃﺮﻓﯿﮭﺎ‬

‫‪ -١‬ﺑﺪون وﺿﻊ أي ﻗﻮة ﺧﺎرﺟﯿﺔ )ﻛﮭﺮﺑﺎء أو ﺟﮭﺪ( ﺗﻨﺘﻘﻞ ﺑﻌﺾ اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺰاﺋﺪة ﻓﻲ‬

‫اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ‪ n‬إﻟﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ذات اﻟﻔﺠﻮات ‪ p‬وﺗﺸﻜﻞ ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻣﺘﻌﺎدﻟﺔ وﺗﺼﺒﺢ ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ‬

‫ﻋﺎزﻟﺔ‪ .‬ﺗﺴﻤﻰ ھﺬه اﻟﻌﻤﻠﯿﺔ اﻧﺘﺸﺎر ﻧﺎﻗﻼت اﻟﺸﺤﻨﺎت‪ .‬ﺑﺴﺒﺐ ﺳﻤﺎﻛﺔ ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻌﺎزﻟﺔ‬

‫)ﺣﻮاﻟﻲ ﻣﯿﻜﺮون( ﯾﺼﺒﺢ اﻟﺠﮭﺪ ﻏﯿﺮ ﻛﺎف ﻟﻠﺘﻐﻠﺐ ﻋﻠﻰ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻨﻀﻮب ﻓﺘﺘﻮﻗﻒ ﻋﻤﻠﯿﺔ‬

‫اﻻﻧﺘﺸﺎر‪ .‬وﻟﻜﻦ ﻛﻠﻤﺎ ازدادت درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﻛﻠﻤﺎ ازدادت اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻌﺎزﻟﺔ وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ازداد‬

‫اﻟﺤﻘﻞ اﻟﻜﮭﺮﺑﺎﺋﻲ‪ .‬ﯾﻜﻮن ﺟﮭﺪ اﻟﻌﺘﺒﺔ ﻟﮭﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ﺣﻮاﻟﻲ ‪ 0.7 V‬ﻓﻮﻟﺖ ﻓﻲ اﻟﻤﻮاد‬

‫اﻟﻤﺼﻨﻮﻋﺔ ﻣﻦ اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن وﺣﻮاﻟﻲ ‪ 0.3 V‬ﻓﻲ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم‬

‫‪ -٢‬وﺿﻊ ﻗﻮة ﺧﺎرﺟﯿﺔ )ﺟﮭﺪ(‪:‬‬

‫‪ ‬اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ )ﺣﺎﻟﺔ اﻟﻌﺰل( ﻋﻨﺪﻣﺎ ﻧﺴﻠﻂ ﺟﮭﺪ ﻋﻠﻰ اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﺜﻨﺎﺋﯿﺔ ﺑﺤﯿﺚ ﯾﻜﻮن‬

‫اﻟﻘﻄﺐ اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻣﺘﺼﻞ ب ‪ n‬واﻟﻘﻄﺐ اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻣﺘﺼﻞ ب ‪ p‬ﻣﻤﺎ ﯾﺆدي إﻟﻲ ذھﺎب ﺟﺰء‬

‫ﻣﻦ إﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺸﺮﯾﺤﺔ ‪ n‬إﻟﻲ اﻟﻘﻄﺐ اﻟﻤﻮﺟﺐ وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ﺗﻮﺳﻊ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻌﺰل ﺑﯿﻦ ‪ n‬و ‪p‬‬

‫إي ﻣﻨﻊ ﻣﺮور اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻜﮭﺮﺑﺎﺋﻲ وﯾﺘﺸﻜﻞ ﺟﮭﺪ ﯾﺴﻤﻰ ﺟﮭﺪ اﻻﻧﺘﺸﺎر‬

‫‪ ‬اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ )ﺣﺎﻟﺔ اﻟﻨﻘﻞ(ﻋﻨﺪﻣﺎ ﻧﺴﻠﻂ ﺟﮭﺪ ﻋﻠﻰ اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪ p n‬ﺑﺤﯿﺚ ﯾﻜﻮن‬

‫اﻟﻘﻄﺐ اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻣﺘﺼﻞ ب ‪ n‬واﻟﻘﻄﺐ اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻣﺘﺼﻞ ب ‪ p‬ﻣﻤﺎ ﯾﺆدي إﻟﻲ ﻗﺬف‬

‫اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﺑﺴﺮﻋﺔ ﻣﻦ اﻟﺸﺮﯾﺤﺔ ‪ n‬إﻟﻲ اﻟﺸﺮﯾﺤﺔ ‪ P‬وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ﻣﺮور اﻟﺘﯿﺎر ﻣﻦ ‪ p‬إﻟﻲ ‪n‬‬

‫وزوال ﺟﮭﺪ اﻻﻧﺘﺸﺎر‪.‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫‪ ‬ﯾﻮﺿﺢ ﺷﻜﻞ )‪ (٧-١‬ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص اﻻﺳﺘﺎﺗﯿﻜﯿﺔ ﻟﻠﺪاﯾﻮد وﻓﻲ ﻣﻌﻈﻢ اﻟﺘﻄﺒﯿﻘﺎت ﯾﻤﻜﻦ‬

‫اﻋﺘﺒﺎر اﻟﺪاﯾﻮد ﻣﺜﺎﻟﻲ‪ ،‬ﺣﯿﺚ ﻻ ﯾﻮﺟﺪ ﻓﻘﺪ ﻓﻲ اﻟﺠﮭﺪ أﺛﻨﺎء اﻟﺘﻮﺻﯿﻞ اﻷﻣﺎﻣﻲ و ﯾﻜﻮن ﺗﯿﺎر‬

‫اﻟﺘﺴﺮب ﻣﺴﺎوﯾﺎ ﻟﻠﺼﻔﺮ ﻛﻤﺎ ھﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص )‪ b (٧-١‬وﯾﻤﺜﻞ ﻣﻨﺤﻨﻰ‬

‫اﻟﺨﻮاص اﻟﻌﻼﻗﺔ ﺑﯿﻦ ﺗﯿﺎر اﻻﻧﻮد )‪ (IA‬واﻟﺠﮭﺪ اﻟﻤﻮﺟﻮد ﺑﯿﻦ اﻻﻧﻮد و اﻟﻜﺎﺛﻮد )‪(VAk‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٧-١‬ﯾﻮﺿﺢ ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص اﻻﺳﺘﺎﺗﯿﻜﯿﺔ ﻟﻤﻮﺣﺪ اﻟﻘﻮى‬

‫وﯾﻤﺜﻞ ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص ﻟﻠﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﻌﻼﻗﺔ ﺑﯿﻦ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻤﺎر ﺧﻼل اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ وﺑﯿﻦ اﻟﺠﮭﺪ‬

‫اﻟﻤﺴﻠﻂ ﻋﻠﯿﮫ ﺳﻮاء ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ أو اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ‪ .‬وﯾﺒﯿﻦ ﺷﻜﻞ )‪(٨-١‬‬

‫ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص ﻟﺜﻨﺎﺋﻲ ﻣﻦ اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن )‪ (Si‬وأﺧﺮ ﻣﻦ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم )‪.(Ge‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ ( ٨ -١‬ﻣﻨﺤﻰ ﺧﻮاص ﻟﻤﻮﺣﺪ اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن و اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم‬

‫ﯾﻮﺿﺢ ﺷﻜﻞ )‪ (٩-١‬ﻋﺪة أﺷﻜﺎل ﻟﻠﺪاﯾﻮد ذو اﻷﻏﺮاض اﻟﻌﺎﻣﺔ و اﻟﺬي ﯾﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ ﻛﺜﯿﺮ‬

‫ﻣﻦ اﻟﺘﻄﺒﯿﻘﺎت ﺑﻘﺪرات و ﻣﻘﻨﻨﺎت ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ‪.‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٩-١‬ﯾﻮﺿﺢ ﺻﻮر ﻟﺒﻌﺾ أﻧﻮاع اﻟﻤﻮﺣﺪات ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ اﻟﻘﺪرات‬

‫‪ -٢‬اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫ﻣﻘﺪﻣﺔ ‪ -:‬ﯾﻌﺘﺒﺮ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر أﺣﺪ أھﻢ ﻋﻨﺎﺻﺮ أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت اﻟﺘﻲ ﺗﻢ اﻛﺘﺸﺎﻓﮭﺎ ﻓﻲ‬

‫اﻟﻌﺼﺮ اﻟﺤﺪﯾﺚ‪ .‬ﯾﺴﺘﺨﺪم اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﺸﻜﻞ ﻋﺎم ﻓﻲ ﻣﻜﺒﺮات اﻹﺷﺎرات اﻟﻜﮭﺮﺑﺎﺋﯿﺔ‬

‫واﻟﻤﻔﺎﺗﯿﺢ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ اﻟﻤﺨﺘﻠﻔﺔ‪ ،‬وﻗﺪ ﺳﺎﻋﺪت ﻋﺪة ﻋﻮاﻣﻞ ﻣﺜﻞ ﺻﻐﺮ ﺣﺠﻤﮫ وﺳﮭﻮﻟﺔ‬

‫ﺗﺼﻨﯿﻌﮫ‪ ،‬وﻗﻠﺔ ﺗﻜﺎﻟﯿﻔﮫ واﺳﺘﮭﻼﻛﮫ اﻟﻘﻠﯿﻞ ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ اﻟﻜﮭﺮﺑﺎﺋﯿﺔ ﻋﻠﻰ اﻧﺘﺸﺎره ﺑﺸﻜﻞ ﻛﺒﯿﺮ‪.‬‬

‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر )‪ Transistor‬وھﻲ اﺧﺘﺼﺎر ﻟﻜﻠﻤﺘﻲ ‪ Transfer Resistor‬وﺗﻌﻨﻲ‬

‫ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﻨﻘﻞ( وھﻲ ﻧﺒﯿﻄﺔ ﺗﻌﺘﺒﺮ أﺣﺪ أھﻢ ﻣﻜﻮﻧﺎت اﻷدوات اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ اﻟﺤﺪﯾﺜﺔ ﻣﺜﻞ‬

‫اﻟﻜﻤﺒﯿﻮﺗﺮ‪ .‬ھﻮ ﺑﻠﻮرة ﻣﻦ ﻣﺎدة ﺷﺒﮫ ﻣﻮﺻﻞ ﻣﻄﻌﻤﺔ ﻛﺎﻟﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم أو اﻟﺴﯿﻠﯿﻜﻮن ﺗﺤﺘﻮي‬

‫ﻋﻠﻰ ﺑﻠﻮرة رﻗﯿﻘﺔ ﺟﺪا ﺑﺤﯿﺚ ﺗﻜﻮن اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻮﺳﻄﻰ ﻣﻨﮭﺎ ﺷﺒﮫ ﻣﻮﺻﻞ ﻣﻮﺟﺐ أو ﺳﺎﻟﺐ‬

‫وﺗﺴﻤﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺑﯿﻨﻤﺎ اﻟﻤﻨﻄﻘﺘﺎن اﻟﺨﺎرﺟﯿﺘﺎن ﻣﻦ اﻟﻨﻮﻋﯿﺔ اﻟﻤﺨﺎﻟﻔﺔ وﻟﮫ ﻗﺪرة ﻛﺒﯿﺮة ﻋﻠﻰ‬

‫ﺗﻜﺒﯿﺮ اﻹﺷﺎرات اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ‪.‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫وﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺐ وﺻﻠﺘﺎ ‪ N-P‬وﺛﻼﺛﺔ أﻃﺮاف‪ .‬وﯾﺮﺑﻂ ﻃﺮﻓﺎن ﻣﻦ ھﺬه‬

‫اﻷﻃﺮاف ‪ ،‬ﻓﻲ اﻟﺒﺎﻋﺚ واﻟﻤﺠﻤِّﻊ إﻟﻲ داﺋﺮة ﺧﺎرﺟﯿﺔ‪ ،‬ﺑﯿﻨﻤﺎ ﯾﺼﻞ اﻟﻄﺮف اﻟﺜﺎﻟﺚ اﻟﻘﺎﻋﺪة‬

‫ﺑﺪاﺋﺮة داﺧﻠﯿﺔ‪.‬‬

‫ﻟﻜﻦ رﻓﻊ اﻟﺠﮭﺪ ﻋﻠﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻗﻠﯿﻼ ﯾﺆدي إﻟﻲ دﺧﻮل ﻋﺪد ﻛﺒﯿﺮ ﻣﻦ اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت إﻟﻲ‬

‫اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻋﺒﺮ اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﻤﻨﺤﺎزة أﻣﺎﻣﯿﺎ‪ ،‬وﯾﺘﻔﺎوت ھﺬا اﻟﻌﺪد ﺣﺴﺐ ﻗﻮة اﻟﺠﮭﺪ‪ .‬وﻻن ﻣﻨﻄﻘﺔ‬

‫اﻟﻘﺎﻋﺪة رﻗﯿﻘﺔ ﺟﺪا‪ ،‬ﯾﺴﺘﻄﯿﻊ ﻣﺼﺪر اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ ﻓﻲ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﺨﺎرﺟﯿﺔ ﺟﺬب اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﻋﺒﺮ‬

‫اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﻤﻨﺤﺎزة ﻋﻜﺴﯿﺎ‪.‬‬

‫وﻧﺘﯿﺠﺔ ﻟﺬﻟﻚ ﯾﺴﺮي ﺗﯿﺎر ﻗﻮي ﻋﺒﺮ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﻋﺒﺮ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﺨﺎرﺟﯿﺔ‪ .‬وﺑﮭﺬه اﻟﻄﺮﯾﻘﺔ‬

‫ﯾﻤﻜﻦ اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ ﺳﺮﯾﺎن ﺗﯿﺎر ﻗﻮي ﻋﺒﺮ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﺨﺎرﺟﯿﺔ ﺑﺘﺰوﯾﺪ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺑﺈﺷﺎرة‬

‫ﺻﻐﯿﺮة‪ .‬ﯾﻤﻜﻦ اﺳﺘﺨﺪام اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻛﻤﻔﺘﺎح أو ﻛﻤﻜﺒﺮ ﻟﻠﺠﮭﺪ أو اﻟﺘﯿﺎر أو ﻛﻼھﻤﺎ ﺷﻜﻞ‬

‫)‪ (١٠-١‬ﯾﻮﺿﺢ ﺑﻌﺾ أﺷﻜﺎل اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ اﻟﻘﺪرة‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ ( ١٠-١‬أﺷﻜﺎل ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﺗﻌﺮﯾﻒ آﺧﺮ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ‪ -:‬ھﻮ وﺻﻠﺔ ﺛﻼﺛﯿﺔ ﻣﻦ ﺑﻠﻮرة اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم أو اﻟﺴﯿﻠﯿﻜﻮن‬

‫ﺗﺤﺘﻮي ﻋﻠﻰ ﺑﻠﻮرة رﻗﯿﻘﺔ ﺟﺪا ﻣﻦ اﻟﻨﻮع اﻟﻤﻮﺟﺐ أو اﻟﺴﺎﻟﺐ ﺗﺴﻤﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ Base‬ﺗﻮﺟﺪ‬

‫ﻓﻲ اﻟﻮﺳﻂ‬

‫وﻋﻠﻰ ﺟﺎﻧﺒﯿﮭﺎ ﺑﻠﻮرﺗﺎن ﻣﻦ ﻧﻮع ﻣﺨﺎﻟﻒ ھﻤﺎ اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ Emitter‬واﻟﻤﺠﻤﻊ ‪.Collector‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١١-١‬ﯾﻮﺿﺢ ﺗﺮﻛﯿﺐ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﻦ اﻟﺪاﺧﻞ ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ ( ١١-١‬ﺗﺮﻛﯿﺐ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫ﯾﻮﺟﺪ ھﻨﺎك ﻧﻮﻋﯿﻦ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ‪:‬‬

‫اﻷول ‪ :‬ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ )‪(PNP‬‬

‫اﻟﺜﺎﻧﻲ ‪ :‬ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﺣﯿﺪ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ )‪(NPN‬‬

‫ﺣﯿﺚ اﻋﺘﻤﺪ ﻓﻲ ھﺬا اﻟﺘﺼﻨﯿﻒ ﻋﻠﻰ آﻟﯿﺔ ﻣﺮور اﻟﺘﯿ ﺎر ‪ ,‬ﻓﻔ ﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳ ﺘﻮر ﺛﻨ ﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺒﯿ ﺔ‬

‫ﯾﻌﺘﻤﺪ ﻣﺮور اﻟﺘﯿﺎر ﻋﻠﻰ ﻧﻮﻋﻲ ﺣﺎﻣﻼت اﻟﺸﺤﻨﺔ )إﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت وﻓﺠﻮات( أﻣﺎ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳ ﺘﻮر‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫وﺣﯿﺪ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ ﻓﺈن ﻣﺮور اﻟﺘﯿﺎر ﯾﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ﻧﻮع واﺣﺪ ﻣﻦ ﺣ ﺎﻣﻼت اﻟ ﺸﺤﻨﺔ ) إﻟﻜﺘﺮوﻧ ﺎت‬

‫أو ﻓﺠﻮات (‪ .‬وﺑﻜﻼم آﺧﺮ ﻓﺎن اﻟﻨﻮع اﻷول )ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ( ﯾﻌﻤﻞ ﺑﻔﻌﻞ ﺣﺎﻣﻼت اﻟﺸﺤﻨﺔ‬

‫ﻣﻦ اﻟﻨﻮﻋﯿﻦ اﻷﻛﺜﺮﯾﺔ واﻷﻗﻠﯿ ﺔ ﻣﻌ ﺎً أﻣ ﺎ اﻟﻨ ﻮع اﻟﺜ ﺎﻧﻲ ﻓﺎﻧ ﮫ ﯾﻌﻤ ﻞ ﺑﻔﻌ ﻞ ﺣ ﺎﻣﻼت اﻟ ﺸﺤﻨﺔ‬

‫اﻷﻛﺜﺮﯾ ﺔ ﻓﻘ ﻂ‪ .‬ﯾﻮﺿ ﺢ ﺷ ﻜﻞ )‪ (١٢-١‬اﻟﺮﻣ ﻮز اﻟﻘﯿﺎﺳ ﯿﺔ اﻟﻤ ﺴﺘﺨﺪﻣﺔ ﻓ ﻲ اﻟ ﺪواﺋﺮ‬

‫اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ ﻟﻠﻨﻮﻋﯿﻦ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١٢-١‬اﻟﺮﻣﻮز اﻟﻘﯿﺎﺳﯿﺔ ﻟﻨﻮﻋﻰ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫و ﻛﺬﻟﻚ ﯾﻮﺿﺢ ﺷﻜﻞ )‪ (١٣-١‬اﺗﺠﺎه اﻟﺘﯿﺎر اﻟﺪاﺧﻞ و اﻟﺨﺎرج ﻣﻦ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻟﻜﻞ ﻧﻮع‬

‫ﻣﻦ اﻟﻨﻮﻋﯿﻦ‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١٣-١‬اﺗﺠﺎه اﻟﺘﯿﺎر ﻓﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫اﻟﻌﻤﻞ اﻷﺳﺎﺳﻲ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ) ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص (‬

‫ﯾﻌﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ ﺑﺼﻔﺔ أﺳﺎﺳﯿﺔ ﻛﻤﻜﺒﺮ وﻟﺠﻌﻠﮫ ﯾﻌﻤﻞ ﺑﺸﻜﻞ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻻﺑﺪ‬

‫ﻣﻦ ﻋﻤﻞ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻤﻨﺎﺳﺐ ﻟﻜﻞ ﻣﻦ وﺻﻠﺘﯿﮫ ﺑﺠﮭﺪ ﺗﯿﺎر ﻣﺴﺘﻤﺮ ﺧﺎرﺟﻲ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١٤-١‬ﯾﺒﯿﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻤﻨﺎﺳﺐ ﻟﻜﻞ ﻣﻦ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ‪ n p n‬واﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ‪p n‬‬

‫‪ p‬ﻟﻠﻌﻤﻞ ﺑﺸﻜﻞ ﻓﻌﺎل ﻛﻤﻜﺒﺮ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١٤-١‬ﯾﻮﺿﺢ اﻻﻧﺤﯿﺎز ﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﻮﺻﻠﺔ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ‬

‫ﻣﻦ اﻟﺸﻜﻞ ﻧﻼﺣﻆ أن اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ داﺋﻤﺎ ﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة – اﻟﺒﺎﻋﺚ و اﻻﻧﺤﯿﺎز‬

‫اﻟﻌﻜﺴﻲ ﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة – اﻟﻤﺠﻤﻊ ﻟﻜﻞ ﻣﻦ ﻧﻮﻋﻰ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﻲ وﺿﻊ اﻟﺘﺸﻐﯿﻞ‬

‫ﻛﻤﻜﺒﺮ‪.‬‬

‫وﻟﺘﻮﺿﯿﺢ ﻧﻈﺮﯾﺔ ﻋﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻻﺑﺪ أوﻻ ﻣﻦ اﺳﺘﻌﺮاض ﻣﺎ ﯾﺤﺪث داﺧﻞ‬

‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻋﻠﻰ ﺳﺒﯿﻞ اﻟﻤﺜﺎل ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪ n p n‬ﻋﻨﺪ ﺗﻮﺻﯿﻠﮫ ﻟﻠﻌﻤﻞ ﻛﻤﻜﺒﺮ ‪ ،‬أي‬

‫ﺗﻮﺻﯿﻠﮫ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻧﺤﯿﺎز أﻣﺎﻣﻲ – ﻋﻜﺴﻲ‪ ،‬وﯾﻤﻜﻦ ﺗﻠﺨﯿﺺ اﻟﻌﻤﻞ اﻷﺳﺎﺳﻲ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫ﻓﻲ اﻟﻨﻘﺎط اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ ‪:‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫‪ -١‬اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ ﻣﻦ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ B‬إﻟﻲ اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ E‬ﯾﺠﻌﻞ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف أو‬

‫اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﺣﻠﺔ ﺑﯿﻨﮭﺎ ﺗﻀﯿﻖ‪ .‬واﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ ﻣﻦ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ B‬إﻟﻲ اﻟﻤﺠﻤﻊ ‪C‬‬

‫ﯾﺆدى إﻟﻲ اﺗﺴﺎع ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ﺑﯿﻨﮭﻤﺎ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ھﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ ﺷﻜﻞ ) ‪(١٥-١‬‬

‫‪ -٢‬اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ اﻟﻜﺜﯿﻒ ﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪ n‬ﯾﺆدى إﻟﻲ زﯾﺎدة ﻛﺒﯿﺮة ﻓﻲ ﻋﺪد‬

‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺘﻮﺻﯿﻞ اﻟﺘﻲ ﺗﺴﺘﻄﯿﻊ اﻻﻧﺘﺸﺎر ﺑﺴﮭﻮﻟﺔ ﺧﻼل وﺻﻠﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة –‬

‫اﻟﺒﺎﻋﺚ ذات اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ إﻟﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪ p‬ﺣﯿﺚ ﺗﺼﺒﺢ‬

‫ﺣﺎﻣﻼت اﻟﺸﺤﻨﺔ أﻗﻠﯿﺔ ﻛﻤﺎ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ ﻋﻨﺪﻣﺎ ﯾﻜﻮن ﻓﻲ وﺿﻊ اﻻﻧﺤﯿﺎز‬

‫اﻷﻣﺎﻣﻲ‪.‬‬

‫‪ -٣‬اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ اﻟﺨﻔﯿﻒ ﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺑﺎﻹﺿﺎﻓﺔ إﻟﻲ ﺳﻤﻜﮭﺎ اﻟﻀﯿﻖ‪ ،‬ﯾﺠﻌﻞ ﻋﺪد‬

‫اﻟﻔﺠﻮات ﻓﯿﮭﺎ ﻣﺤﺪود ﺟﺪا‪ ،‬وﻟﮭﺬا ﻧﺴﺒﺔ ﺻﻐﯿﺮة ﻣﻦ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﻜﻠﯿﺔ اﻟﺘﻲ ﺗﻨﺪﻓﻊ‬

‫ﻣﻦ وﺻﻠﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة – اﻟﺒﺎﻋﺚ ﺗﺘﺤﺪ ﻣﻊ اﻟﻔﺠﻮات اﻟﻤﺘﺎﺣﺔ ﻓﻲ اﻟﻘﺎﻋﺪة‪.‬‬

‫‪ -٤‬ھﺬه اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻤﺘﺤﺪة اﻟﻘﻠﯿﻠﺔ ﻧﺴﺒﯿﺎ ﺗﻨﺪﻓﻊ ﺧﺎرج ﻃﺮف ﺗﻮﺻﯿﻞ اﻟﻘﺎﻋﺪة‬

‫ﻛﺎﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت ﺗﻜﺎﻓﺆ واﻟﺘﻲ ﺗﺸﻜﻞ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻟﺼﻐﯿﺮ ﻛﻤﺎ ﻓﻲ ﺷﻜﻞ )‪(١٥-١‬‬

‫‪ -٥‬ﻣﻌﻈﻢ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻤﻨﺪﻓﻌﺔ ﻣﻦ اﻟﺒﺎﻋﺚ إﻟﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻟﻀﯿﻘﺔ وﺧﻔﯿﻔﺔ‬

‫اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ ﻻ ﺗﺘﺤﺪ وﻟﻜﻦ ﺗﻨﺘﺸﺮ إﻟﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ﺑﯿﻦ اﻟﻘﺎﻋﺪة و اﻟﻤﺠﻤﻊ‪.‬‬

‫‪ -٦‬ﻓﻲ ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ﯾﺤﺪث ﻟﮭﺎ اﻧﺠﺬاب ﺑﻔﻌﻞ اﻟﻤﺠﺎل اﻟﻜﮭﺮﺑﻲ اﻟﻤﺘﻜﻮن ﻣﻦ ﻗﻮة‬

‫اﻟﺘﺠﺎذب ﺑﯿﻦ اﻻﯾﻮﻧﺎت اﻟﺴﺎﻟﺒﺔ و اﻟﻤﻮﺟﺒﺔ ﻧﺘﯿﺠﺔ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ ﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة‬

‫و اﻟﻤﺠﻤﻊ‪.‬‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫‪ -٧‬ﺗﺘﺤﺮك اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت ﺧﻼل ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﺠﻤﻊ ﺧﺎرﺟﺔ ﺧﻼل اﻟﻤﺠﻤﻊ إﻟﻲ اﻟﻄﺮف‬

‫اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻟﻤﻨﺒﻊ اﻟﺠﮭﺪ ﻟﻠﻤﺠﻤﻊ ﻣﺸﻜﻠﺔ ﻟﺘﯿﺎر اﻟﻤﺠﻤﻊ ﻛﻤﺎ ﻓﻲ ﺷﻜﻞ )‪(١٥-١‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١٥-١‬ﯾﻮﺿﺢ ﻛﯿﻔﯿﺔ ﻋﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ‬

‫ﯾﺴﺘﺨﺪم اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﻜﺜﺮة اﻵن ﻓﻲ ﻛﺜﯿﺮ ﻣﻦ ﺗﻄﺒﯿﻘﺎت اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ﺣﯿﺚ ﯾﺘﻤﯿﺰ‬

‫ﺑﻘﺪرﺗﮫ ﻋﻠﻰ اﻟﻔﺼﻞ و اﻟﺘﻮﺻﯿﻞ ﻣﻦ ﺧﻼل ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة دون اﻻﺣﺘﯿﺎج إﻟﻲ داﺋﺮة ﺧﺎرﺟﯿﺔ‬

‫ﻣﺴﺎﻋﺪة ﻟﻜﻲ ﯾﻔﺼﻞ اﻟﺘﯿﺎر ‪ .‬وﻣﻊ اﻟﺘﻄﻮر اﻟﺘﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻲ ﻓﻲ ﺻﻨﺎﻋﺔ أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت ‪ ،‬ﺗﻢ‬

‫ﺗﺼﻨﯿﻊ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﻤﻘﻨﻨﺎت ﻋﺎﻟﯿﺔ ﻟﻠﺠﮭﺪ و اﻟﺘﯿﺎر ‪ .‬ﯾﻮﺿﺢ ﺷﻜﻞ )‪ (١٦-١‬ﻣﻨﺤﻨﻰ‬

‫اﻟﺨﻮاص اﻻﺳﺘﺎﺗﯿﻜﯿﺔ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﺷﻜﻞ ) ‪ (١٦-١‬ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮاص ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫ﻋﻨﺪ ﺗﻮﺻﯿﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﺎﻟﺪاﺋﺮة ﻛﻤﺎ ھﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ )‪ ١٧-١‬أ ( ﻧﺤﺼﻞ ﻋﻠﻰ‬

‫ﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮص ﻛﻤﺎ ھﻮ ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ )‪ ١٧-١‬ب( ﺣﯿﺚ ﯾﺘﻢ إدﺧﺎل ﻗﯿﻢ ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻟﺘﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة و‬

‫اﻟﻤﻨﺤﻨﻰ ﯾﻮﺿﺢ ﺷﻜﻞ اﻟﻌﻼﻗﺔ ﺑﯿﻦ ﺟﮭﺪ اﻟﻤﺠﻤﻊ واﻟﺒﺎﻋﺚ و ﺗﯿﺎر اﻟﻤﺠﻤﻊ ﻋﻨﺪ ﻗﯿﻢ ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ‬

‫ﻟﺘﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ) أي ﻣﻦ ﺧﻼل اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ ﻗﯿﻤﺔ اﻟﺠﮭﺪ ‪ VBB‬أو ﻣﻦ ﺧﻼل اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ ﻗﯿﻤﺔ‬

‫اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ ‪(RB‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١٧-١‬اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﺎﻟﺪاﺋﺮة وﻣﻨﺤﻨﻰ اﻟﺨﻮص‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫‪ -٣‬اﻟﻤﻮﺣﺪ اﻟﺴﯿﻠﻜﻮﻧﻰ اﻟﻤﺤﻜﻮم ‪ ) SCR‬اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر (‬

‫ﻣﻘﺪﻣﺔ‪ :‬ﯾﻌﺘﺒﺮ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر أﺣﺪ أھﻢ ﻋﻨﺎﺻﺮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى‪ ،‬إذ ﯾﺴﺘﺨﺪم ﺑﻜﺜﺮة ﻓﻲ‬

‫اﻟﻌﺪﯾﺪ ﻣﻦ دواﺋﺮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى و ﯾﻤﺜﻞ ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ ﺑﻤﻔﺘﺎح أﻣﺎ أن ﯾﻮﺻﻞ ﺗﯿﺎر أو‬

‫ﯾﻔﺼﻞ ﺗﯿﺎر‪ .‬وﯾﻤﻜﻦ اﻋﺘﺒﺎره ﻓﻲ ھﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ ﻣﻔﺘﺎﺣﺎ ﻣﺜﺎﻟﯿﺎ‪ .‬وﻟﻜﻦ ﻓﻲ اﻟﻮاﻗﻊ ھﻨﺎك ﺑﻌﺾ‬

‫اﻟﻘﯿﻮد واﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﺘﻲ ﯾﺠﺐ أن ﺗﺮاﻋﻰ ﻋﻨﺪ اﻟﺘﺸﻐﯿﻞ اﻟﻔﻌﻠﻲ ﻓﻲ اﻟﺪاﺋﺮة‪ .‬ﯾﻮﺟﺪ أﻧﻮاع‬

‫ﻋﺪﯾﺪة ﺷﺎﺋﻌﺔ اﻻﺳﺘﺨﺪام وﻛﻠﮭﺎ ﺗﻮﺻﻞ اﻟﺘﯿﺎر ﻓﻲ اﺗﺠﺎه واﺣﺪ ﻓﻘﻂ‪ .‬ﻛﻤﺎ ﯾﻮﺟﺪ ﺛﺎﯾﺮﺳﺘﻮر‬

‫ﻣﺰدوج اﻻﺗﺠﺎه وﻟﮫ أﻧﻮدان وﺑﻮاﺑﺔ وﯾﻮﺻﻞ ﻓﻲ ﻛﻼ اﻻﺗﺠﺎھﯿﻦ وﯾﻌﺮف ﺑﺎﻻﺳﻢ اﻟﺘﺠﺎري )‬

‫ﺗﺮﯾﺎك( وأﺷﮭﺮ أﻧﻮاع اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر وأﻛﺜﺮھﺎ ﺷﯿﻮﻋﺎ ھﻮ اﻟﻤﻮﺣﺪ اﻟﺴﯿﻠﯿﻜﻮﻧﻰ اﻟﻤﺤﻜﻮم‬

‫‪.SCR‬‬

‫ﺗﺮﻛﯿﺐ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر وﺗﺸﻐﯿﻠﮫ‬

‫ﯾﺘﻜﻮن اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﻣﻦ أرﺑﻊ ﻃﺒﻘﺎت ﻣﻦ ﻧﺒﺎﺋﻂ أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت ﻣﺮﺗﺒﮫ ﻋﻠﻰ ھﯿﺌﺔ ‪p n p‬‬

‫‪ n‬و ﻣﻜﻮﻧﺔ ﺛﻼث وﺻﻼت ھﻲ ‪ J1,J2,J3‬ﻛﻤﺎ ھﻮ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ ﺷﻜﻞ )‪ ١٨-١‬أ(‬

‫وﻟﻠﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﺛﻼﺛﺔ أﻃﺮاف ھﻲ اﻷﻧﻮد و اﻟﻜﺎﺛﻮد و اﻟﺒﻮاﺑﺔ‪ .‬وﯾﻮﺿﺢ ﺷﻜﻞ )‪ ١٨-١‬ب(‬

‫اﻟﺮﻣﺰ اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻟﻠﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر و اﻟﻤﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ‪.‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫)أ(‬ ‫)ب (‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١٨-١‬ﺗﺮﻛﯿﺐ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر و رﻣﺰه اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫ﺧﻮاص اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر‬

‫ﺗﺘﺤﺪد ﺧﺼﺎﺋﺺ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر اﻟﺮﺋﯿﺴﯿﺔ ﺑﺎﻟﻌﻼﻗﺔ ﺑﯿﻦ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﻤﺴﻠﻂ )‪ (VAK‬ﻋﻠﯿﮫ و اﻟﺘﯿﺎر‬

‫اﻟﻤﺎر ﻓﯿﮫ )‪ (IA‬ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺘﻲ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ و اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ وﯾﻮﺿﺢ ﺷﻜﻞ )‪١٩-١‬‬

‫أ( ﺧﺼﺎﺋﺺ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﻋﻨﺪﻣﺎ ﯾﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻟﺒﻮاﺑﺔ ﺻﻔﺮا‪ .‬ﻓﻌﻨﺪﻣﺎ ﯾﻜﻮن اﻟﺠﮭﺪ اﻟﻤﺴﻠﻂ‬

‫ﻣﻮﺟﺐ ) اﻷﻧﻮد ﻣﻮﺟﺐ ﺑﺎﻟﻨﺴﺒﺔ ﻟﻠﻜﺎﺛﻮد ( ﯾﻤﺮ ﺗﯿﺎر ﺻﻐﯿﺮ ﺟﺪا ﯾﺴﻤﻰ ﺗﯿﺎر اﻟﺘﺴﺮب‬

‫اﻷﻣﺎﻣﻲ ‪ .‬وﻋﻨﺪ زﯾﺎدة اﻟﺠﮭﺪ ﺗﺪرﺟﯿﺎ ﻓﺎن اﻟﺘﯿﺎر ﻻ ﯾﻈﮭﺮ زﯾﺎدة ﻣﻠﺤﻮﻇﺔ إﻟﻲ أن ﯾﺼﻞ‬

‫اﻟﺠﮭﺪ إﻟﻲ اﻟﺤﺪ اﻟﺬي ﺗﺒﺪأ ﻓﯿﮫ اﻧﮭﯿﺎرات داﺧﻠﯿﺔ‪ ،‬ﯾﺰداد اﻟﺘﯿﺎر ﺑﻌﺪ ذﻟﻚ ﺑﺴﺮﻋﺔ ‪ ،‬وﯾﺴﻤﻰ‬

‫ﺟﮭﺪ اﻻﻧﮭﯿﺎر اﻷﻣﺎﻣﻲ ‪ VBO‬واﻟﺘﯿﺎر ‪ . IBO‬وﻋﻨﺪﻣﺎ ﯾﺘﻢ اﻻﺷﺘﻌﺎل ) أي ﺗﻮﺻﯿﻞ ﺟﮭﺪ‬

‫ﻣﻮﺟﺐ ﻟﻠﺒﻮاﺑﺔ ( ﯾﺼﺒﺢ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﺗﻮﺻﯿﻞ و ﺗﺼﺒﺢ اﻟﺨﻮاص ﻣﺸﺎﺑﮫ ﻟﺨﻮاص‬

‫اﻟﺪاﯾﻮد اﻟﻤﻨﺤﺎز أﻣﺎﻣﯿﺎ ﻣﻊ ھﺒﻮط اﻟﺠﮭﺪ ﻓﻲ ﺣﺪود ‪ ١‬ﻓﻮﻟﺖ‪ .‬أن اﻟﺤﺎﻟﺔ اﻟﺘﻲ ﺑﻀﻤﻨﮭﺎ‬

‫ﯾﺴﺘﻄﯿﻊ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﺗﺤﻤﻞ اﻟﺠﮭﺪ اﻷﻣﺎﻣﻲ دون أن ﯾﺘﺤﻮل إﻟﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﺗﻮﺻﯿﻞ ﺗﺴﻤﻰ‬

‫ﺑﻤﻨﻄﻘﺔ اﻹﻋﺎﻗﺔ اﻷﻣﺎﻣﯿﺔ‪ .‬ﻋﻨﺪﻣﺎ ﯾﺼﺒﺢ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﻣﻮﺻﻼ ﻓﺎن اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻤﺎر ﯾﺘﺤﺪد‬

‫ﺑﺎﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺨﺎرﺟﯿﺔ اﻟﻤﻮﺻﻠﺔ ﺑﺎﻟﺪاﺋﺮة‪ .‬اذ ﺑﺰﯾﺎدة ھﺬه اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ ﯾﻘﻞ اﻟﺘﯿﺎر إﻟﻲ أن ﯾﺼﻞ‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫إﻟﻲ ﺣﺪ أدﻧﻰ ﯾﺼﺒﺢ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﺑﻌﺪه ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻹﻋﺎﻗﺔ اﻷﻣﺎﻣﯿﺔ وﯾﺴﻤﻰ اﻟﺘﯿﺎر ﻋﻨﺪ ھﺬا‬

‫اﻟﺤﺪ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻤﺎﺳﻚ )‪ . (IH‬وﻋﻨﺪ ﻋﻜﺲ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﻤﺴﻠﻂ ﻋﻠﻰ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﺗﺼﺒﺢ اﻟﺨﻮاص‬

‫ﻣﺸﺎﺑﮭﺔ ﻟﻠﺪاﯾﻮد اﻟﻤﻨﺤﺎز ﻋﻜﺴﯿﺎ‪ .‬وﺑﺰﯾﺎدة اﻟﺠﮭﺪ اﻟﻌﻜﺴﻲ ﯾﺒﻘﻰ اﻟﺘﯿﺎر ﻗﻠﯿﻼ ﺣﺘﻰ ﺟﮭﺪ‬

‫اﻻﻧﮭﯿﺎر ﺣﯿﺚ ﯾﺰداد اﻟﺘﯿﺎر ﺑﺴﺮﻋﺔ ﻛﺒﯿﺮة وﺑﺸﻜﻞ ﺣﺎد ﻣﻊ اﻟﺠﮭﺪ‪ .‬وﺗﺴﻤﻰ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﺘﻲ‬

‫ﺑﻀﻤﻨﮭﺎ ﯾﺴﺘﻄﯿﻊ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﺗﺤﻤﻞ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﻌﻜﺴﻲ دون ﺣﺪوث اﻧﮭﯿﺎر ﺑﻤﻨﻄﻘﺔ اﻹﻋﺎﻗﺔ‬

‫اﻟﻌﻜﺴﯿﺔ‪ .‬ﺑﺘﻮﺻﯿﻞ ﺟﮭﺪ ﻣﻮﺟﺐ ﺑﯿﻦ اﻟﺒﻮاﺑﺔ و اﻟﻜﺎﺛﻮد ﯾﻤﺮ ﺗﯿﺎر ﻣﻮﺟﺐ ﻓﻲ اﻟﺒﻮاﺑﺔ‬

‫وﺗﺼﺒﺢ ﺧﺼﺎﺋﺺ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﻛﺎﻟﻤﻮﺿﺤﺔ ﻓﻲ ﺷﻜﻞ )‪ ١٩-١‬ب ( ﻓﻠﻘﯿﻢ ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻟﺘﯿﺎر‬

‫اﻟﺒﻮاﺑﺔ ﯾﻤﻜﻦ ﻣﻼﺣﻈﺔ أن اﻟﺰﯾﺎدة ﻓﻲ ﺗﯿﺎر اﻟﺒﻮاﺑﺔ ﺗﺰﯾﺪ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻹﻋﺎﻗﺔ وﺗﻘﻠﻞ ﺟﮭﺪ‬

‫اﻟﺘﻮﺻﯿﻞ اﻷﻣﺎﻣﻲ‪ .‬وﻟﻮ زاد ﺗﯿﺎر اﻟﺒﻮاﺑﺔ ﺑﺪرﺟﺔ ﻛﺎﻓﯿﺔ ﻷﺻﺒﺤﺖ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻷﻣﺎﻣﯿﺔ‬

‫ﻣﺸﺎﺑﮭﺔ ﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﺪاﯾﻮد إذ ﺗﺨﺘﻔﻲ ﻓﻲ ھﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻹﻋﺎﻗﺔ اﻷﻣﺎﻣﯿﺔ‪.‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (١٩-١‬ﻣﻨﺤﻨﻰ ﺧﻮاص اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر‬

‫ﻃﺮق إﺷﻌﺎل اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ‪ -:‬ﯾﻮﺟﺪ اﻟﻌﺪﯾﺪ ﻣﻦ ﻃﺮق اﻹﺷﻌﺎل اﻟﺘﻲ ﯾﻤﻜﻦ ﺑﻮاﺳﻄﺘﮭﺎ ﺗﺸﻐﯿﻞ‬

‫اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر وﺟﻌﻠﮫ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻟﺘﻮﺻﯿﻞ‪ ،‬وﻟﻜﻲ ﺗﻨﺠﺢ ﻋﻤﻠﯿﺔ إﺷﻌﺎل أو ﻗﺪح اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﻻﺑﺪ‬

‫أن ﺗﺤﻘﻖ داﺋﺮة اﻹﺷﻌﺎل ﻣﺎ ﯾﻠﻲ ‪:‬‬

‫‪ -‬أن ﺗﻄﺒﻖ ﺑﯿﻦ اﻟﺒﻮاﺑﺔ و اﻟﻜﺎﺛﻮد ﻧﺒﻀﺔ ذات ﻗﯿﻤﺔ ﻛﺎﻓﯿﺔ وزﻣﻦ اﻟﺼﻌﻮد ﻗﺼﯿﺮ‬

‫‪ -‬أن ﺗﻨﺘﺞ إﺷﺎرة ذات ﻋﺮض ﻣﻨﺎﺳﺐ‬

‫‪ -‬أن ﺗﻄﺒﻖ اﻟﻨﺒﻀﺔ ﻋﻠﻰ اﻟﺒﻮاﺑﺔ ﻋﻨﺪﻣﺎ ﯾﻜﻮن اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲ ﻓﻘﻂ‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫دواﺋﺮ اﻹﺷﻌﺎل ﺑﺎﻟﻨﺒﻀﺎت ‪ :‬ﻟﺘﺨﻔﯿﺾ اﻟﻘﺪرة اﻟﻤﻔﻘﻮدة ﻓﻲ ﺑﻮاﺑﺔ اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﺗﺴﺘﻌﻤﻞ ﻧﺒﻀﺔ‬

‫واﺣﺪة أو ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻣﻦ اﻟﻨﺒﻀﺎت ﻹﺷﻌﺎل اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر‪ .‬ھﺬا ﯾﺴﺎﻋﺪ ﻋﻠﻰ دﻗﺔ ﺗﺤﺪﯾﺪ ﻟﺤﻈﺔ‬

‫اﻹﺷﻌﺎل‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﯾﺴﻤﺢ أﯾﻀﺎ ﺑﻌﺰل اﻟﺜﺎﯾﺮﺳﺘﻮر ﻋﻦ داﺋﺮة اﻹﺷﻌﺎل‪.‬‬

‫‪ ٣-١‬اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت‬

‫ﻓﻲ اﻟﻔﺘﺮة اﻟﻤﺎﺿﯿﺔ اﺳﺘﺨﺪﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ﺑﺘﻮﺳﻊ ﻓﻲ أﻏﺮاض ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻣﻨﮭﺎ‬

‫‪ -‬أﺟﮭﺰة اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ ﺻﻨﺎﻋﺎت ﻣﺘﻌﺪدة ﻣﺜﻞ اﻟﺘﻌﺪﯾﻦ – ﺗﺸﻐﯿﻞ وﺗﺸﻜﯿﻞ اﻟﻤﻌﺎدن – اﻟﺘﻜﺮﯾﺮ –‬

‫اﻟﻐﺰل و اﻟﻨﺴﯿﺞ و اﻟﻄﺒﺎﻋﺔ ‪.....‬‬

‫‪ -‬أﺟﮭﺰة اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻟﺘﺸﻐﯿﻞ اﻷﻓﺮان اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪﻣﺔ ﻓﻲ ﺻﻨﺎﻋﺔ اﻟﺤﺪﯾﺪ و اﻟﺼﻠﺐ و‬

‫ﻏﯿﺮھﺎ ﻣﻦ ﺻﻨﺎﻋﺔ اﻟﺘﻌﺪﯾﻦ‬

‫‪ -‬أﺟﮭﺰة اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ ﺳﺮﻋﺔ اﻟﻤﺤﺮﻛﺎت اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ‬

‫‪ -‬اﻟﺤﺎﺳﺒﺎت اﻵﻟﯿﺔ وأﺟﮭﺰة ﺗﺤﻠﯿﻞ اﻟﺒﯿﺎﻧﺎت ‪.....‬‬

‫وﺗﺘﺴﺒﺐ اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮى ﻓﻲ زﯾﺎدة ﻛﺒﯿﺮة ﻓﻲ اﻷﺣﻤﺎل ﻏﯿﺮ اﻟﺨﻄﯿﺔ اﻟﻤﻮﺻﻠﺔ ﻓﻲ‬

‫اﻟﺸﺒﻜﺔ وﻣﻦ ﺧﺼﺎﺋﺺ ھﺬه اﻷﺣﻤﺎل أﻧﮭﺎ ﺗﺴﺘﮭﻠﻚ ﺗﯿﺎرات ﻣﺸﻮھﺔ ﺑﺪرﺟﺔ ﻣﻠﺤﻮﻇﺔ وھﺬا‬

‫اﻟﺘﺸﻮه ﯾﻌﻨﻰ إﺷﺎرة أﺻﻠﯿﺔ )ﻣﻮﺟﮫ ﺟﯿﺒﯿﺔ ( و ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ أﺧﺮى ﻣﻦ اﻟﻤﻮﺟﺎت ذات‬

‫ﺗﺮددات ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻣﻊ اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ وأي ﻣﻮﺟﺎت أﺧﺮى ﻏﯿﺮ اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ ﺗﻜﻮن‬

‫ﺗﻮاﻓﻘﯿﺎت ‪ .‬وھﺬه اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت ﺗﺆدى إﻟﻲ زﯾﺎدة ﻓﻲ اﻟﺘﺤﻤﯿﻞ ﻋﻠﻰ اﻵﻻت اﻟﺪوارة و ﻗﺪ ﺗﺆدى‬

‫)‪(٢٠ -١‬‬ ‫إﻟﻲ ﺳﺨﻮﻧﺔ اﻵﻻت و اﻧﮭﯿﺎر اﻟﻌﺰل اﻟﻜﮭﺮﺑﻲ ﻟﻠﻤﻌﺪات واﻟﻜﺎﺑﻼت وﺷﻜﻞ‬

‫ﯾﻮﺿﺢ ﺻﻮرة ﻟﺒﻌﺾ اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت ﻓﻲ اﻟﺸﺒﻜﺔ اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ‪.‬‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٢٠ -١‬ﺻﻮرة اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت ﻓﻲ اﻟﺸﺒﻜﺔ اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ‬

‫اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت ‪:‬‬

‫ھﻲ ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻣﻦ اﻟﻤﻮﺟﺎت ذات ﻗﯿﻢ و ﺗﺮددات ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻣﻊ اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ و اﻟﺸﻜﻞ‬

‫)‪ (٢١-١‬ﯾﻮﺿﺢ اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ )اﻟﻤﺮﻛﺒﺔ اﻷﺳﺎﺳﯿﺔ( وﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻣﻦ اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت )‬

‫ﻣﺮﻛﺒﺎت اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت ( اﻟﻤﺨﺘﻠﻔﺔ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٢١-١‬ﯾﻮﺿﺢ إﺷﺎرة أﺻﻠﯿﺔ و ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻣﻦ اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت‬

‫اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ ﺗﺮددھﺎ ‪ 50 Hz‬و ﻛﻞ ﺗﻮاﻓﻘﯿﺔ ﻟﮭﺎ ﺗﺮدد ‪ .‬ﺣﯿﺚ أن ﺗﺮدد اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺔ‬

‫اﻟﺜﺎﻧﯿﺔ ھﻮ ﺿﻌﻒ ﺗﺮدد اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ أي ‪ 100 Hz‬و ﺗﺮدد اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺔ اﻟﺜﺎﻟﺜﺔ ھﻮ ﺛﻼﺛﺔ‬
‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫إﺿﻌﺎف ﺗﺮدد اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ أي ﯾﻜﻮن ‪ . 150 Hz‬و ﺷﻜﻞ )‪ (٢٢-١‬ﯾﻮﺿﺢ ﺗﺮدد‬

‫اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ و ﺗﺮدد ﻛﻞ ﺗﻮاﻓﻘﯿﺔ‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (٢٢-١‬ﯾﻮﺿﺢ ﺗﺮدد اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ و ﺗﺮدد ﻛﻞ ﺗﻮاﻓﻘﯿﺔ‬

‫وﻟﻠﺘﺨﻠﺺ ﻣﻦ ھﺬه اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت ﯾﻮﺟﺪ ﻃﺮق ﻛﺜﯿﺮة ﺗﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ اﻟﺸﺒﻜﺎت اﻟﻜﮭﺮﺑﯿﺔ ﻟﻠﻤﺤﺎﻓﻈﺔ‬

‫ﻋﻠﻰ ﺷﻜﻞ اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ و ﺗﺮددھﺎ و ﻣﻦ ھﺬه اﻟﻄﺮق‬

‫‪ -١‬اﺳﺘﺨﺪام ﻣﺤﻮﻻت اﻟﻘﻮى‬

‫‪ -٢‬اﺳﺘﺨﺪام ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻣﺮﺷﺤﺎت‬

‫دﻛﺘﻮر ﻣﮭﻨﺪس ﻋﻼء ﺑﯿﻮﻣﻲ ﻋﺒﺪ اﻟﻌﻈﯿﻢ‬ ‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺎت اﻟﻘﻮي‬

‫‪ -‬اﺳﺘﺨﺪام ﻣﺤﻮﻻت اﻟﻘﻮى‪:‬‬

‫‪ -‬ﻋﻨﺪ اﺳﺘﺨﺪام ﻣﺤﻮﻻت وﺗﻜﻮن ﻣﻦ ﺿﻤﻦ ﻣﻠﻔﺎﺗﮭﺎ ﺗﻮﺻﯿﻠﺔ دﻟﺘﺎ ﻓﺎن اﻹﺷﺎرة اﻟﺪاﺧﻠﺔ ﻋﻠﻰ‬

‫اﻟﻤﺤﻮل إذا ﻛﺎﻧﺖ ﺗﺤﺘﻮى ﻋﻠﻰ ﺗﻮاﻓﻘﯿﺎت‪ .‬ﻓﺈﻧﮭﺎ ﺗﺪور داﺧﻞ ﺗﻮﺻﯿﻠﺔ اﻟﺪﻟﺘﺎ وﺗﺨﺮج‬

‫اﻹﺷﺎرة ﻋﻠﻰ أﻃﺮاف اﻟﻤﻠﻔﺎت ﻟﻠﻤﺤﻮل ﺗﻜﺎد ﺗﻜﻮن ﺧﺎﻟﯿﺔ ﻣﻦ اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺎت أو ﺑﻌﻀﮭﺎ اﻟﻀﺎر‬

‫و ﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ﻻ ﺗﺆﺛﺮ ﻋﻠﻰ اﻟﺸﺒﻜﺔ‪.‬‬

‫‪ -‬اﺳﺘﺨﺪام ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻣﺮﺷﺤﺎت ‪:‬‬

‫وﻣﻦ اﻟﻄﺮق اﻟﻤﺴﺘﺨﺪم ھﻲ داﺋﺮة ﺗﺮﺷﯿﺢ ) ‪ (filter‬ﯾﻘﻮم ﺑﺤﺬف ﺗﺮدد ﻣﻌﯿﻦ ﺑﺤﯿﺚ‬

‫ﺗﻮﺿﻊ ﻓﻲ اﻟﺸﺒﻜﺔ ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻣﺮﺷﺤﺎت ﻛﻞ واﺣﺪ ﯾﺤﺬف ﺗﺮدد ﻣﻌﯿﻦ أي ﯾﻮﺿﻊ ﻣﺮﺷﺢ‬

‫ﻟﺤﺬف اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺔ اﻟﺜﺎﻧﯿﺔ و ﻣﺮﺷﺢ ﻟﺤﺬف اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺔ اﻟﺜﺎﻟﺜﺔ و ﻣﺮﺷﺢ آﺧﺮ ﻟﺤﺬف اﻟﺘﻮاﻓﻘﯿﺔ‬

‫اﻟﺨﺎﻣﺴﺔ وھﻜﺬا‪ .‬ﺣﯿﺚ ﺗﻜﻮن اﻹﺷﺎرة اﻷﺻﻠﯿﺔ ﺑﻌﺪ ھﺬه اﻟﻤﺮﺷﺤﺎت ﻧﻘﯿﺔ ﺗﻤﺎم‪.‬‬