離子佈植機台與製程介紹

廖苑辰 工程師
2021年6月14日
TSRI佈植注意事項

*佈植站點: 委託代工(無自行操作)

*必填參數: 1.離子源(Source)
2.能量(Energy) 2
3.劑量(Dose)
TSRI佈植機台簡介-中電流離子佈植機

E-500(S06)

B11+、BF2 49+、P31+、As75+
Doping
Species Ar40+、N2 28+、F19+、C12+
、Si28+

Energy
10~200 keV
Range

Dose
1E12~5E15(ion/cm-2)
Range

Wafer Handler Singal Wafer

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 TSRI佈植機台應用

*中電流離子佈植的應用(E500):
深介面的井區佈植(200keV) 、低劑量(LDD佈植)
離子束電流值:1~1.5mA

*高電流離子佈植的應用(i-Star):的應用:
淺介面(5~9keV) 、高劑量(S/D佈植)
離子束電流值:10~15mA

E500 i-Star

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半導體摻雜簡介

透過兩種方法進行半導體摻雜：
• 擴散
• 離子佈植

兩者都是透過摻入摻雜物來改變晶體的導電率。

離子佈植是㇐種添加製程，利用高能量帶電離子束佈
植的形式將摻雜物原子強行摻入半導體中。

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半導體摻雜-擴散

• 可以透過摻入摻雜物來改變晶體的導電率。
• 擴散過程㇐般需要以下幾個過程。
• 三道程序：預沉積、氧化作用和摻雜物驅入都是高溫過程，通常在
高溫爐中進行。

圖片出處:半導體製程技術導論(第三版)
作者： 蕭宏
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出版社：全華圖書
半導體摻雜-離子佈植(優點)
• 離子佈植可以獨立控制1.摻雜濃度和2.接面深度(圖㇐)，摻雜物濃度
可以透過離子束電流和佈植的時間組合控制，接面深透過離子的能
量控制。
• 離子佈植是㇐個室溫過程，厚的3.光阻層(圖二)就可阻擋高能量摻雜
物離子。
• 4.非等向性佈植(圖三)

PR

(圖二)

(圖三)
(圖㇐)
圖片出處:半導體製程技術導論(第三版)
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作者： 蕭宏
出版社：全華圖書
離子佈植與擴散比較

離子佈植 擴散

獨立控制摻雜濃度和接面深 無法獨立控制摻雜濃度和接面深
度 度
低溫，光阻做遮蔽層 高溫，硬遮蔽層

非等向性擴散 等向性擴散

單晶片製程 批量製程

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離子佈植的工作環境

*工作環境
高真空&低溫

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 離子佈植的氣體管線示意圖

不同於㇐般鋼瓶中常見的高壓氣
體儲存方式，ATMI之SDS氣瓶
系統，藉由呈圓盤狀碳塊、填充
於氣瓶內部的BrightBlack 奈米
孔隙碳材，得以吸附氣體分子。
SDS氣瓶系統內部的氣體儲存環
*大宗氣體鋼瓶 境為負壓(sub-atmospheric，
BF3、AsH3 、PH3 低於週遭大氣壓力)。應用這個新
科技得以確實消除危害性氣體意
外洩漏的危險性。 10
 佈植機硬體:
• Ion source (氣體櫃 、離子源頭、擷取器 )
• Beamline(分析磁鐵、加速器)
• Endstation(晶片傳送系統 、 Faraday Cup)

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作者： 蕭宏
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佈植機硬體:氣體櫃

Gas species
(BF3/AsH3/PH3)

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 佈植機硬體:離子源頭
• 目的:產生離子
• 熱鎢絲發出熱電子
• 電子與氣源體分子碰撞解離和離子化

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作者： 蕭宏
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 佈植機硬體:擷取器
 目的:將離子從離子源內的電漿中抽出
 萃取電極將離子從離子源內的電漿中抽出加速到大約40keV左右的能量。
 必須有足夠的能量才能透過質譜儀磁場選擇出正確的離子

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 佈植機硬體:分析磁鐵
• 目的:篩選出離子的種類
R
螺旋轉動半徑只與帶電粒子的荷質比有關

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 佈植機硬體:後段加速器

• 後段加速
• 目的:增加 (有時減少) 離子能量，使離子能到 達所要的接面深度。
• 離子能量則由後段加速電極的電位控制。

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 佈植機硬體:晶圓處理器

• 晶圓處理器
– 晶圓處理器最重要的作用是在整個晶圓表面形成均勻的離子佈植。
• 掃描離子束方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子佈植。

Varian: E-500

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 佈植機硬體:法拉第杯
• 射線阻擋器(Beam Stop)
– 目的:偵測離子束的電流大小。
– 射線阻擋器也可以充當離子束電流、離子束能量和離子束形狀測量的離
子束檢測器。

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 佈植機:補充資料(通道效應)
• 如果㇐個離子以正確的佈植角度進入通道，它只要具有很少的能量就可以
行進很⾧的距離，如下圖所示。
• 避免通到效應:
1.晶片tilt:7˚,twist:22˚
2.屏蔽氧化層(Screen oxide)

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作者： 蕭宏
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佈植機:補充資料(品質監控)

• 佈植品質監控
• 四點探針
• 二次離子質譜儀

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佈植機:補充資料(品質監控)

– 四點探針法
• 透過在兩個探針之間施加定量的電流並測量另外兩個探針之間的電
壓差，薄片電阻便能計算出來。
• 在熱退火過程後進行

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佈植機:補充資料(退火)
• 熱退火
基板的晶體結構會完全被破壞而變成非晶態。
在熱退火過程中的晶體復原及摻雜物的活化情況。

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佈植機:補充資料(品質監控)

– 二次離子質譜儀(SIMS)
• (Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS)
• 經由帶有能量的入射離子轟擊材料而產生二次離子，二次離子經加
速後進入二次離子質譜分析,並將離子按不同質量分開，而達到成份
分析的目的。
• 二次離子強度經過轉換可得到元素的濃度，而離子轟擊時間，可轉
換成雜質分佈深度。
1e21
B
B
1 2 B
B
1e20
3 B
B
4
Conc, atom/cm3
1e19

1e18
6

1e17

1e16
0 100 200 300 400 500
Depth, nm
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佈植機:補充資料(佈植深度參考)

*佈植深度參考表路徑:TSRI首頁→製程服務→新竹儀器設備列表→設備編號(S06) →
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技術資料
佈植機:補充資料(佈植深度參考)

*濃度(Con.)

= 劑量(Dose)/深度(Dep.)
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