Điểm ĐỀ THI GIỮA KỲ - Ngày thi: 17/03/2017 Chữ ký giám thị

MÔN: VI XỬ LÝ
Thời gian làm bài: 45 phút
Đề thi có 4 trang + 2 trang phụ lục.
Sinh viên làm bài trên đề và KHÔNG được sử dụng tài liệu

Họ và tên: ………………………………………….. MSSV: ………………… Nhóm: ……..…..

Câu 1: (1,5 điểm)

CPU có 16 bit địa chỉ và 8 bit dữ liệu, cho mạch giải mã địa chỉ với IC giải mã 2 sang 4 như hình vẽ

A11 B
Y0
A10 A (LSB) /CS0
Y1
A9
A15
Y2
A14
1G Y3
A13
A12

Lập bảng địa chỉ và xác định vùng địa chỉ của Y0 đến Y3; từ đó xác định vùng địa chỉ và dung lượng của /CS0
A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Vùng địa chỉ (HEX)
/Y0:
/Y1:
/Y2:
/Y3:

…………………………………………………………………………………………...............
…………………………………………………………………………………………...............

Câu 2: (1,0 điểm)

Cho bộ nhớ RAM được tạo thành từ các bộ nhớ IC1, IC2, IC3 như hình vẽ
a. Cho biết dung lượng (kích thước) của bộ nhớ
…………………………………………………………………………………………...............
b. Vai trò của các IC1, IC2 và IC3 trong mạch
…………………………………………………………………………………………...............
…………………………………………………………………………………………...............
…………………………………………………………………………………………...............
…………………………………………………………………………………………...............
…………………………………………………………………………………………...............

Trang 1 / 4
Câu 3: (3,0 điểm)
Điền vào các chỗ trống trong các cột địa chỉ ROM chương trình và số chu kỳ thực hiện của chương trình sau:
Địa chỉ Mã lệnh Số chu kỳ thực hiện
Lệnh 8051
ROM (hex)
ORG 1500H
1500H MAIN: MOV A,#0FH XXXXXXXXX
MOV R1,#32H XXXXXXXXX
LOOP: MOV @R1, A ;(1)
MOV P1, 1 ;(2)
INC R1 XXXXXXXXX
RL A XXXXXXXXX
CJNE A,#78H,LOOP ;(3)
CLR A XXXXXXXXX
END

a. Xác định mã lệnh các lệnh theo số Hex (1), (2), (3) (giải thích ngắn gọn)
…………………………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………………………….
b. Cho biết sự thay đổi của các thanh ghi và ô nhớ liên quan sau mỗi vòng lặp LOOP. Giải thích.
……………………………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………………………..
c. Thời gian thực hiện chương trình trên là bao nhiêu chu kỳ máy. (giải thích ngắn gọn)
……………………………………………………………………………………………..
……………………………………………………………………………………………..

Trang 2 / 4
Câu 4: (1,5 điểm)
a) Viết chương trình con DELAY_1S để tạo thời gian trễ xấp xỉ 1 s.

…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
b) Cho 1 chuỗi dữ liệu là các số 8 bit có dấu bù 2; gồm 1000 số chứa trong RAM ngoài bắt đầu từ địa chỉ
4000H. Hãy viết chương trình lần lượt đọc từng số của chuỗi dữ liệu này để kiểm tra nếu là số dương thì
xuất ra Port 1, còn số âm thì xuất ra Port 2. Biết rằng khi đọc mỗi số thì cách nhau 1s và chương trình kết
thúc khi đã kiểm tra hết chuỗi dữ liệu. Sử dụng chương trình con DELAY_1S mà không cần viết lại nội
dung của chương trình con.

…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
Câu 5: (1,0 điểm) Cho sơ đồ mạch logic sau. Hãy viết chương trình thực hiện mạch này với yêu cầu không được
rút gọn mạch.
P1.0

P1.1 P1.4

P1.2

P1.3

…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………

Trang 3 / 4
 …………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………

Câu 6: (1,5 điểm) Cho 8 công tắc (SW) kết nối với Port 1 của 8051, dữ liệu nhận được từ 4 bit cao của Port 1 là
x và từ 4 bit thấp là y (2 số x và y là số 4 bit không dấu).
a) Viết chương trình tính z = 5x + y và lưu kết quả z vào ô nhớ 31H của RAM nội
b) Viết chương trình chuyển số 8 bit không dấu trong ô nhớ 31H của RAM nội thành số BCD nén (4 bit cao chứa
số hằng chục và 4 bit thấp chưa số hàng đơn vị) và lưu vào ô nhớ 32H của RAM nội.

…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
…………………………………………… ……………………………………………
---- HẾT ----

Trang 4 / 4