Professional Documents
Culture Documents
ôn cuối kỳ vlbd
ôn cuối kỳ vlbd
ôn cuối kỳ vlbd
2. Định nghĩa của chuyển tiếp PN loại bước (step), loại biến đổi đều (graded)
**Loại bước:
+ Cấu tạo: khuếch tán cạn hoặc cấy ion NL thấp.
+ Phân bố tạp chất: xấp xỉ bằng sự chuyển đột ngột nồng độ pha tạp giữa n và p.
**Loại p+n:
+ Nồng độ tạp chất bên N (ND) >> nồng độ tạp chất bên P (NA)
+ Miền nghèo hầu như nằm bên P (vì WP/WN = ND/NA >> 1 → WP >> WN).
### Loại pn+ tương tự
**Loại biến đổi đều:
+ Cấu tạo: khuếch tán sâu hoặc cấy ion NL cao.
+ Sự phân bố tạp chất: thay đổi tuyến tính qua chỗ chuyển tiếp p-n
### Vd:
𝑉𝐴
**Tổng quát: 𝑊 = 𝑊0 . √1 −
𝑉𝑏𝑖
2𝜀𝑆 .𝑉𝑏𝑖 1 1
+ Không phân cực: 𝑊 = 𝑊0 = √ .( + )
𝑞 𝑁𝐴 𝑁𝐷
𝑉𝐹
+ Phân cực thuận: 𝑊 = 𝑊0 . √1 − **VA = VF > 0
𝑉𝑏𝑖
𝑉𝑅
+ Phân cực ngược: 𝑊 = 𝑊0 . √1 + **VA = -VR < 0
𝑉𝑏𝑖
**Áp ngược VR tăng → Cdep giảm và ngược lại → ứng dụng chế tạo diode biến dung.
• Các mô hình diode: (chưa kể đến vùng đánh thủng)
εS Cj0
Cj = .A = .A
V V
W0 √1 − A √1 − A
Vbi Vbi
2𝜀𝑆 .𝑉𝑏𝑖 1 1 εS
**Không phân cực: 𝑊 = 𝑊0 = √ .( + ) → Cj0 =
𝑞 𝑁𝐴 𝑁𝐷 W0
### Các V cộng trừ nhau như quy tắc chèn điểm của vecto
**Với: NXY X: bán dẫn N → D **Theo thứ tự (nhìn bảng để hiểu hơn)
Bán dẫn P → A
Y: E, B, C
4. Biểu thức phụ thuộc giữa 𝛾𝑒 và các tham số khác:
**Với: + DP: hệ số khuếch tán của hạn dẫn thiểu số tại E
+ Dn: hệ số khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại B
+ Lp: chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại E
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 +𝐼𝐵 (1)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 𝛼𝐼𝐸 (2)
𝐼𝑆 : dòng bão hòa
### 2 CT cơ bản, nếu quên thì thế (2) vào (1) sẽ tìm đc quan hệ α & β
**Dòng điện rỉ (rò): xét trong npn
+ ICBO: dòng từ C đến B khi E hở mạch
+ ICEO: dòng từ C đến E khi B hở mạch
+ Nhiệt độ tăng → dòng rĩ tăng
**Với:
+ npn Si: VON = 0.7 V, VBESat = 0.7 – 0.8V, VCESat = 0.2V
◼ Rin >>
◼ Rout << (≈0)
• Các đặc tuyến I –V:
1. Hình minh họa
**Nhiệt độ tăng → đặc tuyến vào/truyền đạt VBE giảm, đặc tuyến ra IC tăng.
• Điện áp Early VA
+ Giá trị điện áp tại điểm nằm trên trục hoành mà mọi đường cong IC theo VCE (ở phần
khuếch đại) đều đi qua điểm này.
+ Khi đó dòng IC:
• Transistor Schottky:
• Mô hình tín hiệu nhỏ của BJT (tần số trung bình)
1. Xác định điểm hoạt động DC (với β cho trước) và có dòng thu DC IC
2. Tính các tham số tín hiệu nhỏ của BJT:
𝐼𝐶
**Hỗ dẫn: 𝑔𝑚 = ;
𝑉𝑇
𝛽 𝑉𝑇 𝛼
**Các điện trở; 𝑟𝜋 = ; 𝑟𝑒 = =
𝑔𝑚 𝐼𝐸 𝑔𝑚
𝑉𝑜𝑢𝑡
**Độ lợi áp AC: 𝐴𝑉 =
𝑉𝑖𝑛
**Tổng trở vào (mắc CE) hoặc truyền đạt thuận: ℎ𝑖𝑒 = 𝑟𝜋
**Truyền đạt ngược (mắc CE): ℎ𝑟𝑒 ≈ 0
1
**Điện dẫn ra (mắc CE): ℎ𝑜𝑒 =
𝑟𝑜
ℎ𝑓𝑒 1
**Hỗ dẫn: 𝑔𝑚 = =
ℎ𝑖𝑒 𝑟𝑒′
𝑖𝑐
**Chú ý: ℎ𝑓𝑒 ≡ 𝛽𝑎𝑐 = ### ở tần số thấp và trung bình: 𝛽𝑎𝑐 ≈ 𝛽𝑑𝑐 = 𝛽
𝑖𝑏
𝐼𝐶
ℎ𝐹𝐸 ≡ 𝛽𝑑𝑐 =
𝐼𝐵
• Gương dòng điện:
❖ Chương 7: MOSFET
• Tổng quát
1. Cấu tạo:
+ Có cách li giữa cổng và kêng dẫn bằng lớp cách điện
+ Thành phần cơ bản: kim loại, lớp cách điện SiO2, bán dẫn
2. Nguyên tắc hoạt động:
+ Dòng hạt dẫn từ nguồn điện máng được điều khiển bằng điện áp cổng hay điện trường cổng.
+ Điện trường này làm cảm ứng điện tích trong bán dẫn ở giao tiếp bán dẫn-oxide.
• Cấu trúc
• Mô tả định tính hoạt động của N-EMOS
**Với + VTN: điện áp tới ngưỡng của MOSFET kênh N
𝑊
+ : tỉ số hình dạng của MOSFET
𝐿
+ 𝐶𝑜𝑥 : điện dung lớp cách điện trên 1 đơn vị diện tích
◼ VDS ≈ nghẹt: ID đạt đến giá trị bão hòa IDSat → VDS là VDSSat
◼ VDS > VDSSat: + ID không tăng nữa, miền bão hòa
+ Khi VDS tăng → điểm nghẽn di chuyển về phía cực nguồn
**Miền tắt và miền tuyến tính: khóa điện tử
**Miền bão hòa: phần tử khuếch đại tín hiệu, hoặc nguồn dòng.
• Một số đặc tính không lý tưởng của MOSFET (Xét N-EMOS ở miền bão hòa)
1. Điều chế chiều dài kênh dẫn:
+ VDS tăng → điểm nghẹt dịch chuyển về nguồn → chiều dài kệnh dẫn hiệu dụng nhỏ hơn →
ID tăng → khi đó pt có dạng
2. Hiệu ứng thân: VSB tăng → VTN tăng → ảnh hưởng đặc tuyến I –V
3. Ảnh hưởng của nhiệt độ: t0 tăng → VTN , độ linh động giảm → ID giảm
4. Sự bão hòa vận tốc: kích thước transistor giảm, độ dày làm oxide mỏng hơn → vận tốc điện tử
bão hòa → pt dòng
1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ( ) (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )𝛼 **Với α từ 1 → 2 (tùy công nghệ)
2 𝐿
• Mô hình tín hiệu nhỏ của N –EMOS (kho N –EMOS làm việc ở miền bão hòa và
**Ứng dụng của MOSFET: khóa analog; điện trở điều khiển bằng áp, nguồn dòng; phần tử
khuếch đại tín hiệu trong mạch khuếch đại
**Các cách mắc CS, CD, CG:
• Mô hình tín hiệu lớn của N-EMOS (dùng để phân tích tổng quát hay tính điển tĩnh)
• Tóm tắt quan hệ dòng –áp của MOSFET