► ÔN VLBD CUỐI KÌ ◄

❖ Chương 4: Chuyển tiếp PN

• Chuyển tiếp PN
1. Kể tên 4 bước chính trong quá trình planar để chế tạo chuyển tiếp PN. Tác dụng
của lớp SiO2 là gì?
 ** Theo thứ tự là:
1. Oxy hóa
2. Quang khắc
3. Khuếch tán hay cấy ion
4. Kim loại hóa
** Lớp SiO2 được dùng làm lớp cách điện trong một số cấu trúc dụng cụ hoặc làm
các rào chắn sự khuếch tán và cấy trong chế tạo dụng cụ.

2. Định nghĩa của chuyển tiếp PN loại bước (step), loại biến đổi đều (graded)
 **Loại bước:
+ Cấu tạo: khuếch tán cạn hoặc cấy ion NL thấp.
+ Phân bố tạp chất: xấp xỉ bằng sự chuyển đột ngột nồng độ pha tạp giữa n và p.
**Loại p+n:
+ Nồng độ tạp chất bên N (ND) >> nồng độ tạp chất bên P (NA)
+ Miền nghèo hầu như nằm bên P (vì WP/WN = ND/NA >> 1 → WP >> WN).
### Loại pn+ tương tự
**Loại biến đổi đều:
+ Cấu tạo: khuếch tán sâu hoặc cấy ion NL cao.
+ Sự phân bố tạp chất: thay đổi tuyến tính qua chỗ chuyển tiếp p-n

3. Sự tạo thành chuyển tiếp p-n.

 **Sự tạo thành: Tại lớp chuyển tiếpp p-n
+ Electron: khuếch tán từ n → p Khi e liên kết lỗ → 1 cặp e-lỗ biến mất
+ Lỗ: từ p→ n → hình thành lớp nghèo
**Miền nghèo:
+ Không có hoặc có rất ít hạt tải điện.
+ Điện trở rất lớn
+ Về phía n: có Donor tích điện +
+ Về phía p: có Acceptor tích điện –
**Dòng điện:
+ Thuận: p sang n
+ Nghịch: n sang p
**Dòng điện trôi: ngược chiều với dòng khuếch tán
• Chuyển tiếp PN chưa có phân cực (với chuyển tiếp bước) (chuyển tiếp PN ở điều kiện cân
bằng).
1. Sự hình thành miền nghèo-chuyển động của hạt dẫn?
### Xem phần trên
2. Miền nghèo, miền trung hòa?

Miền trung hòa Miền trung hòa

3. Rào thế (thế nội khuếch tán)?

 **Định nghĩa: là HĐT giữa miền trung hòa bên P và bên N ở cân bằng nhiệt.
**Công thức:

𝑘𝑇 𝑁𝐴 𝑁𝐷 𝑛ồ𝑛𝑔 độ ℎạ𝑡 𝑑ẫ𝑛 đ𝑎 𝑠ố 𝑏ê𝑛 𝑛à𝑦

𝑉𝑏𝑖 = 𝑙𝑛 ( )=𝑉𝑇 . 𝑙𝑛 ( )
𝑞 𝑛𝑖 2 𝑛ồ𝑛𝑔 độ ℎạ𝑡 𝑑ẫ𝑛 𝑡ℎ𝑖ể𝑢 𝑠ố 𝑏ê𝑛 𝑘𝑖𝑎

### Vd:

(đ𝑎 𝑠ố 𝑏ê𝑛 𝑃) 𝑝𝑝0 (đ𝑎 𝑠ố 𝑏ê𝑛 𝑁) 𝑛𝑛0

𝑉𝑏𝑖 = 𝑉𝑇 . 𝑙𝑛 {(𝑡ℎ𝑖ể𝑢 } = 𝑉𝑇 . 𝑙𝑛 {(𝑡ℎ𝑖ể𝑢 }
𝑠ố 𝑏ê𝑛 𝑁) 𝑝𝑛0 𝑠ố 𝑏ê𝑛 𝑃) 𝑛𝑝0

4. Miền điện tích không gian (miền nghèo)


**Với:
+ W: bề rộng miền nghèo
+ WP,WN: bền rộng miền nghèo bên P,
bên N.
+ Em: điện trường cực đại tại giao tiếp PN

+ 𝜀𝑆 : hằng số điện môi của bán dẫn

 5. Nhận biết sự phân cực ở chuyển tiếp?
 **Công thức:
𝑉𝐴 = 𝑉𝑃 − 𝑉𝑁 **Với: + VP: điện thế ở đầu anot (tại P)
+ VN: điện thế ở đầu catot (tại N)
**Nhận biết:
+ <0: phân cực ngược → bề rộng miền nghèo lớn → R lớn
+ =0: không phân cực
+ >0: phân cực thuận → bề rộng miền nghèo nhỏ → R nhỏ

• Chuyển tiếp PN phân cực thuận

1. **Định nghĩa: Vp > VN → VA > 0
**Khi phân cực thuận tăng → miền nghèo giảm → điện trở giảm
2. **Công thức bề rộng miền nghèo: (dưới)
3. **Dòng điện thuận:
𝑉𝐴
⁄
𝐼𝐹 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 − 1)
**Với: IS : dòng điện bão hòa ngược . t0 tăng → IS tăng

• Chuyển tiếp PN ở phân cực ngược

1. **Định nghĩa: VP < VN → VA < 0
**Khi phân cực ngược tăng → miền nghèo tăng → điện trở tăng
2. **Công thức bế rộng miền nghèo: (dưới)

• Công thức bề rộng miền nghèo (nhớ)

𝑉𝐴
 **Tổng quát: 𝑊 = 𝑊0 . √1 −
𝑉𝑏𝑖

2𝜀𝑆 .𝑉𝑏𝑖 1 1
+ Không phân cực: 𝑊 = 𝑊0 = √ .( + )
𝑞 𝑁𝐴 𝑁𝐷

𝑉𝐹
+ Phân cực thuận: 𝑊 = 𝑊0 . √1 − **VA = VF > 0
𝑉𝑏𝑖

𝑉𝑅
+ Phân cực ngược: 𝑊 = 𝑊0 . √1 + **VA = -VR < 0
𝑉𝑏𝑖

• Dòng điện sinh tái hợp

1. **Phân cực thuận thấp (điện áp thấp, ni nhỏ) → dòng tái hợp thắng thế
**Phân cực thuận cao hơn (điện áp lớn) → dòng khuếch tán thắng thế
**Pt khi có sinh tái hợp:
 𝑉𝐴
⁄ƞ𝑉
𝐼𝐹 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇 − 1)
**Với: ƞ là hệ số lí tưởng (hệ số phát xạ) có giá trị từ 1 → 2 (tùy vật liệu)

 **Độ dốc khác nhau do ƞ ảnh hưởng

** ƞ càng nhỏ → độ dốc càng lớn

• Điện trở vật liệu khối RS

 **Công thức dòng điện khi có RS:
(𝑉𝐴 −𝐼𝐹 .𝑅𝑆 )
⁄ƞ𝑉
𝐼𝐹 = 𝐼𝑆 {𝑒 𝑇 − 1}
**Tác động của RS đến đặc tuyến I-V: RS càng nhỏ → độ dốc càng lớn

• Điện dung miền nghèo của chuyển tiếp PN

**Định nghĩa:
+ Xét chuyển tiếp PN với phân cực ngược (VA = –VR < 0) → hình thành điện dung miền nghèo.
+ Điện dung miền nghèo trên một đơn vị diện tích mặt cắt ngang Cdep:
𝜀𝑆 2𝜀𝑆 (𝑉𝑏𝑖 +𝑉𝑅 ) 1 1
𝐶𝑑𝑒𝑝 = =√ .( + )
𝑊 𝑞 𝑁𝐴 𝑁𝐷

**Áp ngược VR tăng → Cdep giảm và ngược lại → ứng dụng chế tạo diode biến dung.
• Các mô hình diode: (chưa kể đến vùng đánh thủng)

**Phân cực thuận:

+ VD = 0
+ ID phụ thuộc mạch ngoài
**Phân cực ngược: VD < 0

**VAK ≥ VON → VD = VON , ID phụ thuộc mạch ngoài

**VAK < VON → ID = 0

** VAK ≥ VON → VD = rd.ID + VON

**VAK < VON → ID = 0
• Mô hình diode tín hiệu nhỏ với tần số thấp

• Các cấp điện trờ:

𝑉𝐷 𝑉𝑄
1. Điện trở tĩnh RD (điện trở DC): 𝑅𝐷 = =
𝐼𝐷 𝐼𝑄 Dien dung khuech tan
Cd=Idq*T/Vt
2. Điện trở động rD hay rd (điện trở AC):

3. Điện trở AC trung bình (nội dung k hỏi)

• Điện dung chuyển tiếp PN

εS Cj0
Cj = .A = .A
V V
W0 √1 − A √1 − A
Vbi Vbi
2𝜀𝑆 .𝑉𝑏𝑖 1 1 εS
**Không phân cực: 𝑊 = 𝑊0 = √ .( + ) → Cj0 =
𝑞 𝑁𝐴 𝑁𝐷 W0

**Với phân cực ngược: 𝑉𝐴 = −𝑉𝑅 < 0

**Phân cực thuận: 𝑉𝐴 = −𝑉𝐹 > 0
### Công thức tính W i chang phần trên (ghi lại thôi)

• Các loại diode khác

1. Diode chỉnh lưu (diode chuyển tiếp PN thông thường)
+ Chỉ cho dòng điện đi theo 1 chiều từ P sang N (từ anot sang catot)
 + Thường có điện áp đánh thủng lớn.
2. Diode ổn áp (Zener)
+ Sử dụng hiệu ứng đánh thủng (ở phân cực ngược) đường hầm (Zener) và/hoặc hiệu ứng đánh
thủng thác lũ.
+ Ảnh hưởng của nhiệt độ: t0 tăng → VT tăng → I giảm
3. Diode biến dung
+ Xét phân cực ngược: 𝑉𝐴 = −𝑉𝑅 < 0
Cj0
Cj = .A
V
√1 + R
Vbi
**VR tăng → Cj giảm
4. Diode Schottky
+ Cấu tạo: tạo từ chuyển tiếp M-S (kim loại – bán dẫn) có tính chỉnh lưu
**Ví dụ: platinum – bán dẫn loại N
+ Có rào thế nhỏ ~0,3V
+ Hoạt động tắt / dẫn ở tốc độ chuyển mạch cao
+ Đặc tuyến I –V giống diode thường.

• Các ứng dụng của diode

1. Mạch chỉnh lưu: bán kỳ, toàn sóng, chỉnh lưu.
2. Mạch lọc sóng gợn bằng tụ.
3. Mạch xén: diode thường, Zener
4. Mạch ổn áp: Zener.

❖ Chương 5: BJT (TRANSISTOR chuyển tiếp lưỡng cực)

• Khái quát
1. Định nghĩa:
+ B=Bipolar: lưỡng cực có hạt dẫn e và lỗ trong dòng điện chính
+ J=Junction: có chuyển tiếp PN
+ T=Transistor
2. Cấu tạo:
+ 3 miền đc pha tạp chất riêng: miền phát (E), miền nền (B), miền thu (C)
+ 2 chuyển tiếp PN:
**Giữa B và E → JE (EBJ)
**Giữa B và C → JC (CBJ)
+ Nồng độ tạp chất ở các miền khác nhau: ở E > B > C
+ Bề rộng của miền nền nhỏ so với chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số (WB nhỏ).
+ Mũi tên ở cực E: cho biết chiều dòng điện và loại BJT
 3. Phân loại: gồm 2 loại pnp và npn

### Các V cộng trừ nhau như quy tắc chèn điểm của vecto

• Các hệ số trong BJT:

1. Hệ số vận chuyển miền nền B (hệ số truyền đạt miền nền):
𝐼𝐶
𝐵= **Với: + IC: dòng e đến miền thu
𝐼𝐸𝑛

+ IEn: dòng e xuất phát từ E

2. Hiệu suất phát 𝛾𝑒 :
𝐼 𝐼𝐸𝑛
𝛾𝑒 = 𝐸𝑛 = **Với: + IEn: dòng e xuất phát từ E
𝐼𝐸𝑛 +𝐼𝐸𝑝 𝐼𝐸
𝐼𝐸 = 𝐼𝐸𝑛 +𝐼𝐸𝑝 + IEp: dòng lỗ 1 phần từ IEn qua IC
**Để có hiệu năng cao:
𝐼𝐸𝑛
+ e phát từ E lớn → 𝛾𝑒 = tiến gấn đến 1 do 𝐼𝐸𝑛 ≫ 𝐼𝐸𝑝
𝐼𝐸𝑛 +𝐼𝐸𝑝
+ B tiến gần đến 1.
3. Quy ước các nồng độ tạp:
BJT E B C
npn NDE NAB NDC
pnp NAE NDB NAC

**Với: NXY X: bán dẫn N → D **Theo thứ tự (nhìn bảng để hiểu hơn)
Bán dẫn P → A
Y: E, B, C
 4. Biểu thức phụ thuộc giữa 𝛾𝑒 và các tham số khác:
**Với: + DP: hệ số khuếch tán của hạn dẫn thiểu số tại E
+ Dn: hệ số khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại B
+ Lp: chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại E

5. Biểu thức phụ thuộc giữa B và các tham số khác:

**Với: + 𝑊𝐵𝑛 = 𝑊𝐵 : bề rộng miền nền phần trung hòa
+ 𝐿𝐵 = 𝐿𝑛 : chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số
tại B

6. Độ lợi dòng điện:

𝐼𝐶
+ Cực nền chung: 𝛼 = 𝐵. 𝛾𝑒 =
𝐼𝐸
𝐼𝐶 𝛼
+ Cực phát chung: 𝛽 = =
𝐼𝐵 1−𝛼
** 𝛽 cao tần: tốc độ tái hợp thấp ở miền nền và thời gian chuyển tiếp ngắn ở miền nền.
𝐼 (𝑑ò𝑛𝑔 𝐷𝐶)
** 𝛽 DC: 𝛽= 𝐶
𝐼𝐵 (𝑑ò𝑛𝑔 𝐷𝐶)
∆𝐼 (𝑠ự 𝑡ℎ𝑎𝑦 đổ𝑖 𝐼𝐶 𝑑𝑜 𝑡í𝑛 ℎ𝑖ệ𝑢 𝐴𝐶)
** 𝛽 AC: 𝛽= 𝐶
∆𝐼𝐵 (𝑠ự 𝑡ℎ𝑎𝑦 đổ𝑖 𝐼𝐵 𝑑𝑜 𝑡í𝑛 ℎ𝑖ệ𝑢 𝐴𝐶)
** 𝛽 phụ thuộc IC và nhiệt độ
7.

• Các dòng điện trong BJT (ở chế độ tích cực thuận)

Loại Dòng điện thu IC Dòng điện phát IE Dòng điện nền IB
npn 𝑉𝐵𝐸
⁄𝑉 𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 . 𝐸 𝑇 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 =
𝛼 𝛽
pnp 𝑉𝐸𝐵
⁄𝑉 𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 .𝐸 𝑇 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 =
𝛼 𝛼
**Với cả 2 loại (CT chung)

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 +𝐼𝐵 (1)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 𝛼𝐼𝐸 (2)
𝐼𝑆 : dòng bão hòa
### 2 CT cơ bản, nếu quên thì thế (2) vào (1) sẽ tìm đc quan hệ α & β
 **Dòng điện rỉ (rò): xét trong npn
+ ICBO: dòng từ C đến B khi E hở mạch
+ ICEO: dòng từ C đến E khi B hở mạch
+ Nhiệt độ tăng → dòng rĩ tăng

+ Cấu hình CB: 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 +𝐼𝐶𝐵𝑂

+ Cấu hình CE: 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 +𝐼𝐶𝐸𝑂
𝐼𝐶𝐵𝑂
**Với: 𝐼𝐶𝐸𝑂 =
1−𝛼

• Các chế độ làm việc

1. Xét sự phân cực của dòng và áp:
**npn: IE ứng với VBE , IC ứng với VBC (phải ghi đúng chiều, không đc đổi thứ tự chiều)
+ V > 0 → phân cực thuận
+ V< 0 → phân cực ngược
**pnp: IE ứng với VEB , IC ứng với VCB (phải ghi đúng chiều, không đc đổi thứ tự chiều)
+ V > 0 → phân cực thuận
+ V< 0 → phân cực ngược
### Các V cộng trừ nhau như quy tắc chèn điểm của vecto (dùng giải BT)
2. Chế độ làm việc của npn

**Với:
 + npn Si: VON = 0.7 V, VBESat = 0.7 – 0.8V, VCESat = 0.2V

### pnp đổi VBE → VEB , VCE → VEC

+ 𝛽𝑅 : β ở chế độ tích cực ngược

3. Mô hình tín hiệu ở các chế độ làm việc (npn)

• Các cấu hình mắc BJT

**Mắc B chung (CB)
+ Thường dùng cho mạch khuếch đại cao tần
+ IC ≈ IE

**Mắc E chung (CE)

+ Mạch khuếch đại

+ Khóa điện tử (do dòng điều khiển IB << IC)

**Mắc C chung (CC)

+ Mạch phối hợp trở kháng

◼ Rin >>
◼ Rout << (≈0)
 • Các đặc tuyến I –V:
1. Hình minh họa

2. Ảnh hưởng của nhiệt độ

**Nhiệt độ tăng → đặc tuyến vào/truyền đạt VBE giảm, đặc tuyến ra IC tăng.

• Điều chế miền nền

+ Xét BJT npn phân cực tích cực thuận (khuếch đại): VCE tăng → bề rộng hiệu dụng miền nền giản →
IC tăng
➔ Bề rộng miền nền thay đổi khi thay đổi VCE

• Điện áp Early VA
+ Giá trị điện áp tại điểm nằm trên trục hoành mà mọi đường cong IC theo VCE (ở phần
khuếch đại) đều đi qua điểm này.
 + Khi đó dòng IC:

• Điện áp đánh thủng:

• Khóa điện tử dùng BJT:

+ Khóa mở: BJT tắt (OFF)
+ Khóa đóng: BJT bão hòa (ON)
+ Do điện tích chứa tại JC khi bão hòa nên giảm tốc độ chuyển mạch của BJT khi chuyển từ bão hòa
sang tắt.

• Transistor Schottky:
• Mô hình tín hiệu nhỏ của BJT (tần số trung bình)

**Các bước phân tích mạch BJT tín hiệu nhỏ:

1. Xác định điểm hoạt động DC (với β cho trước) và có dòng thu DC IC
2. Tính các tham số tín hiệu nhỏ của BJT:
𝐼𝐶
**Hỗ dẫn: 𝑔𝑚 = ;
𝑉𝑇
𝛽 𝑉𝑇 𝛼
**Các điện trở; 𝑟𝜋 = ; 𝑟𝑒 = =
𝑔𝑚 𝐼𝐸 𝑔𝑚
𝑉𝑜𝑢𝑡
**Độ lợi áp AC: 𝐴𝑉 =
𝑉𝑖𝑛

3. Khử các nguồn DC bằng cách:

+ Nguồn áp → ngắn mạch
+ Nguồn dòng → hở mạch
4. Thay thế BJT bằng 1 trong các mô hình tín hiệu nhỏ
5. Phân tích mạch có được để xác định các đại lượng theo yêu cầu
+ Ví dụ: mạch trước đó có độ
• Mô hình tần số cao của BJT ở chế độ tích cực: (𝐶𝜋 = 𝐶𝐵𝐸 ; 𝐶𝜇 = 𝐶𝐵𝐶 )

• Mô hình tham số h (các tham số h cho BJT cấu hình CE)

**Độ lợi dòng AC (mắc CE): ℎ𝑓𝑒 ≡ 𝛽𝑎𝑐 = 𝑔𝑚 ℎ𝑖𝑒

**Tổng trở vào (mắc CE) hoặc truyền đạt thuận: ℎ𝑖𝑒 = 𝑟𝜋
**Truyền đạt ngược (mắc CE): ℎ𝑟𝑒 ≈ 0
1
**Điện dẫn ra (mắc CE): ℎ𝑜𝑒 =
𝑟𝑜
ℎ𝑓𝑒 1
**Hỗ dẫn: 𝑔𝑚 = =
ℎ𝑖𝑒 𝑟𝑒′
𝑖𝑐
**Chú ý: ℎ𝑓𝑒 ≡ 𝛽𝑎𝑐 = ### ở tần số thấp và trung bình: 𝛽𝑎𝑐 ≈ 𝛽𝑑𝑐 = 𝛽
𝑖𝑏
𝐼𝐶
ℎ𝐹𝐸 ≡ 𝛽𝑑𝑐 =
𝐼𝐵
• Gương dòng điện:

❖ Chương 7: MOSFET
• Tổng quát
1. Cấu tạo:
+ Có cách li giữa cổng và kêng dẫn bằng lớp cách điện
+ Thành phần cơ bản: kim loại, lớp cách điện SiO2, bán dẫn
2. Nguyên tắc hoạt động:
+ Dòng hạt dẫn từ nguồn điện máng được điều khiển bằng điện áp cổng hay điện trường cổng.
+ Điện trường này làm cảm ứng điện tích trong bán dẫn ở giao tiếp bán dẫn-oxide.

• Cấu trúc
• Mô tả định tính hoạt động của N-EMOS
**Với + VTN: điện áp tới ngưỡng của MOSFET kênh N
𝑊
+ : tỉ số hình dạng của MOSFET
𝐿

+ 𝜇𝑛 : độ linh động điện tử

+ 𝐶𝑜𝑥 : điện dung lớp cách điện trên 1 đơn vị diện tích

1. Các chế độ hoạt động:

+ VGS < VTN : ID = 0 → tắt, không có kênh dẫn, không dòng điện
+ VGS > VTN : có lớp đảo ngược
◼ Miền tuyến tính (Triode/Ohm): 0 < VDS < VDSSat = VGS – VTN
2
𝑊 𝑉𝐷𝑆
**Công thức: 𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ( ) {(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 ). 𝑉𝐷𝑆 − }
𝐿 2

**Nếu |𝑉𝐷𝑆 | ≪ 2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )

𝑊
→ 𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ( ) (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 ). 𝑉𝐷𝑆
𝐿

◼ Miền bão hòa (miền tích cực): VDS ≥ VDSSat

+ VDS tăng → ID ≈ const
+ VDS = VDSSat  ID = IDSat = ID
**Công thức: 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ( ) (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2
2 𝐿
 ◼ VDS ≈ 0: ID tăng theo VDS
◼ VDS nhỏ > 0: ID tăng theo VDS, tốc độ tăng bị giảm
**Công thức:

◼ VDS ≈ nghẹt: ID đạt đến giá trị bão hòa IDSat → VDS là VDSSat
◼ VDS > VDSSat: + ID không tăng nữa, miền bão hòa
+ Khi VDS tăng → điểm nghẽn di chuyển về phía cực nguồn
 **Miền tắt và miền tuyến tính: khóa điện tử
**Miền bão hòa: phần tử khuếch đại tín hiệu, hoặc nguồn dòng.

• Các chế độ phân cực cho tụ MOS trong N-EMOS

1. Tích lũy lỗ: phân cực âm giữa kim loại – bán dẫn → tại giao tiếp giữa bán dẫn và cách điện có
tích lũy lỗ
2. Nghèo: phân cực dương giữa kim loại – bán dẫn → giao tiếp giữa bán dẫn và cách điện bị lỗ
đẩy xuống → nghèo
3. Đảo ngược: phân cực dương + giá trị đủ lớn → hình thành kênh N trong bán dẫn P

• Cấu trúc N-EMOS

**Bản cực dẫn điện: thường dùng Polysilicon

**Chất cách điện: SiO2
**Để tối thiểu hóa dòng điện giữa miền thân và miền S/D → nối miền thân vs cực nguồn
• Sự tạo thành kênh dẫn trong N-EMOS

• Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của N-EMOS

• Một số đặc tính không lý tưởng của MOSFET (Xét N-EMOS ở miền bão hòa)
1. Điều chế chiều dài kênh dẫn:
+ VDS tăng → điểm nghẹt dịch chuyển về nguồn → chiều dài kệnh dẫn hiệu dụng nhỏ hơn →
ID tăng → khi đó pt có dạng

2. Hiệu ứng thân: VSB tăng → VTN tăng → ảnh hưởng đặc tuyến I –V
 3. Ảnh hưởng của nhiệt độ: t0 tăng → VTN , độ linh động giảm → ID giảm
4. Sự bão hòa vận tốc: kích thước transistor giảm, độ dày làm oxide mỏng hơn → vận tốc điện tử
bão hòa → pt dòng
1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ( ) (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )𝛼 **Với α từ 1 → 2 (tùy công nghệ)
2 𝐿

• Mô hình tín hiệu nhỏ của N –EMOS (kho N –EMOS làm việc ở miền bão hòa và

|𝑣𝑔𝑠 | < 0.2. ( 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )

**Ứng dụng của MOSFET: khóa analog; điện trở điều khiển bằng áp, nguồn dòng; phần tử
khuếch đại tín hiệu trong mạch khuếch đại
**Các cách mắc CS, CD, CG:
• Mô hình tín hiệu lớn của N-EMOS (dùng để phân tích tổng quát hay tính điển tĩnh)
• Tóm tắt quan hệ dòng –áp của MOSFET