Câu 1.

các bước chế tạo plảnar

 Oxy hóa:
 SiO2 có chức năng như chất cách điện trong 1 số cấu trúc dụng cụ hoặc như
rào chắn sự khuếch tán hay cấy trong chế tạo dụng cụ.
 Có 2 phương pháp tăng trưởng SiO2:
 oxy hóa khô: tạo lớp oxide mỏng
 oxy hóa ướt: tạo lớp oxide dày hơn (vì tăng trưởng nhanh)
 Quang khắc: sử dụng bức xạ quang học để tạo hình ảnh mặt nạ trên wafer Si
với các cản quang, định nghĩa dạng hình học của lớp SiO2.
 Khuếch tán hoặc cấy ion:
 Khuếch tán: tạp chất đi vào bán dẫn do khuếch tán từ nguồn tạp chất.
 Cấy ion: gia tốc những ion tạp chất đến mức năng lượng cao và cấy các ion
vào bán dẫn.
 Kim loại hóa: Các màng mỏng kim loại có thể được tạo nên bằng lắng đọng
hơi vật lý và lắng đọng hơi hóa học (chemical vapor deposition = CVD), nhằm
tạo nên các tiếp xúc Ohm và các kết nối.
2. Sự tạo thành miền nghèo và các tham số của miền nghèo
 Ảnh hưởng của miền nghèo dưới tác động của điều kiện ngoài
3.
(điện áp, ánh sáng, nhiệt độ, …)
4.
5. Đánh thủng chuyển tiếp pn