Adı ve Soyadı: Utku Çakmak 28/10/2021

Öğrenci Numarası: 19248002

Deney Grubu 2

DENEY 4
Ön Bilgi

Transistör Çalışma Bölgeleri

Transistörlerde üç tane çalışma bölgesi bulunmaktadır. Bunlar:

1. Aktif (Forward-Active) Bölge

2. Doyum (Saturasyon) Bölgesi
3. Kesim (Cut-off) Bölgesi
Aşağıdaki örnek şekilde bir transistörün çalışma bölgelerinin tamamı görülmektedir.

Aktif Bölge
Transistörü normal bağladığımız zaman örneğin, NPN bir transistörün kollektörü pozitif,
emitörü kollektöre göre negatif ve beyzi emitöre göre pozitif olduğu zaman aktif bölgede
çalışır. Aktif bölgede kollektör akımı IC, kollektör geriliminden bağımsızdır. Kollektör voltajı
VCC değiştirilirse IC akımı değişmez. IC akımı IB akımına bağlı olarak değişir. VCE voltajı
VCC voltajının yarısı civarında yada VCC den küçük, 1-2 volttan büyüktür.

Doyum (Saturation) Bölgesi

Emitör ve Kollektör voltajları birbirine çok yaklaştığında (burada bazen CB arası düz bayasta
olabilir) transistör doyum bölgesine geçer. Doyum bölgesinde IC akımı artık en büyük değere
ulaşmıştır. IB tarafından kontrol edilemez hale gelir. VCE voltajı çok küçülür. Transistör hızla
ısınarak bozulabilir. Bu nedenle transistörler özellikle doyum bölgesinde uzun süre
çalıştırılmamalıdır.
Transistör, maksimum base akımı IB geçecek şekilde beslenir. Bu da maksimum kollektör
akımı IC ve minimum kollektör-base gerilimi VCE oluşmasına neden olur.

• VBE > 0.7V

• Transistör açık durumdadır.
• Devreden akan kollektör akımı IC, maksimumdur. (VCC / RL = IC)
• VCE = 0 (ideal doyum)
• VOUT = VCE = 0
• Transistör KAPALI ANAHTAR olarak çalışır.

Transistör, ideal koşullarda kesim bölgesinde iken sonsuz direnç değerinde olduğu için
kollektör akımı IC = 0 ’dır. Doyum bölgesinde ise sıfır direnç değerinde olup
maksimum IC akımını geçirmektedir. Ancak, gerçek durumda kesim bölgesinde küçük bir
sızma akımı ve doyum bölgesinde küçük bir direnç değeri bulundurmaktadır. Bu nedenle,
doyum durumunda ideal doyum olarak belirttiğimiz VCE = 0 değeri yerine VCE = 0.2V gibi bir
değere sahip olur. VCE’nin doyumdaki voltajı transistörün datasheetinden öğrenilir ve tasarım
buna göre yapılır. Transistör anahtarlama için her ne kadar kusursuz olmasa da pratikte
oldukça kullanışlıdır
Kesim (Cut-Off) Bölgesi
Beyz ve Emitör arası ters bayaslandığı zaman yada Beyz ve Emitör arası voltaj transistörün
VBE açma voltajına eşit yada küçük olduğu zaman transistör artık kesim bölgesindedir. Bu
durumda VCC voltajı ne olursa olsun IC akımı akmaz. VCE voltajı VCC voltajına eşit olur. Kesim
bölgesindeki transistörün elektronik devrelerde uygulaması vardır.

• VBE< 0.7 V. Farklı transistörlerde VBE açılma gerilim değeri değişebilir.

• Yeterli giriş gerilimi sağlanamadığı için base akımı IB sıfırdır.
• Transistör açık durumda olduğu için kollektör akımı IC sıfırdır.
• VOUT = VCE = VCC, kollektör-emiter gerilimi VCE, kesim bölgesinde maksimumdur.
• Transistör AÇIK ANAHTAR olarak çalışır.

β’nın Isı Duyarlılığı

Baz direncine sabit bir gerilim uygulamak yerine, burada baza β değerine bağımlı olarak değişen
kollektör gerilim uygulanmaktadır. Burada geri-besleme devreye girer. β sıcaklığa bağlı olarak değişen
bir parametre olduğundan, bu devrede sıcaklık artınca buna bağlı olarak β artacak ve daha fazla
kollektör akımının geçmesine neden olacaktır. Fakat kollektör akımı artar artmaz, VCE gerilimi
azalacaktır. (Çünkü RC üzerinde düşen gerilim artacaktır.) VCE geriliminin azalması demek baz
direncini süren gerilimin de azalması demektir.
Deney Simülasyon Sonuçları

Deney 1

Deney 2
Deney 3
Deney Sonuçları

TABLO 1
ŞEKİL 1 ŞEKİL 3 ŞEKİL 4
PARAMETRELER

Ölçülen Ölçülen Ölçülen

Hesaplanan

Hesaplanan

Hesaplanan
Sıcaklığında

Sıcaklığında

Sıcaklığında
Isıttıktan

Isıttıktan

Isıttıktan
Sonra

Sonra

Sonra
Oda

Oda

Oda
VC 7,01 V 6,931 V 7V 6,946 V 7V 7V 6,448 V 7V
7V

VBE 0,7 V 0,844 V 0,7 V 0,7 V 0,843 V 0,7 V

0,7 V 841 mV 0,7 V

IB 77,13uA 76,45u 77.297 82,45uA 81,75u 83,6uA 82,82uA 81,03 uA 82,82

A uA A uA

IC 14,89mA 14,75m 14,89m 14,83mA 14,70m 15,95m 14,89mA 14,59 mA 15,01

A A A A mA

β = IC/IB 193,05 192,93 192,63 179,97 179,81 190,79 179,78 180,05 181,2
65 3
R1 185,2kΩ 185,2k 185 kΩ 19,5 kΩ 19,5kΩ 19kΩ 11,872 11,872 11,5k
Ω kΩ kΩ Ω

Sonuçlar ve Yorumlar:
Bu deneyde transistörün ısıya maruz kaldığı zaman ne sonuçlar verdiğini
gözlemledik. Deney ön çalışmasında BJT nin çalışma bölgelerini tekrar ettik. Sonra
kutuplaşma ve çalışma noktalarını inceleyerek BJT nin çalışma mantığını anlamış
olduk. Aynı şekilde β nın da ısıya maruz kaldığı zaman ne gibi değişikliklere uğradığını
gözlemlemiş olduk. Aşağıdaki şekilde de ısı arttıkça β grafiğinin de orantılı artmadığı
gözlemleniyor.
Grafikte yazdığımız sonuçların bazılarının oda sıcaklığındaki β dan düşük oldunu
bazılarının ise yüksek olduğunu gözlemlemiş olduk.
Potansiyometrenin üzerine düşen gerilimi 7 V olarak ayarlamaya çalışırken fazla çevirmem
sonucu fazla akım geçti ve bunun sonucunda potansiyometrenin kaldıramayacağı kadar güç
üzerinden geçtiği için potansiyometreyi yaktım. Tekrar denediğimde is sonuçlara ulaştım.

Referanslar

http://eee.ktu.edu.tr/labs/elektronik/elektronik1/transist%C3%B6r%20karakteristikleri.
pdf

https://diyot.net/transistorlerin-calisma-bolgeleri/

https://www.ktu.edu.tr/dosyalar/eee_5c822.pdf

http://hilmi.trakya.edu.tr/ders_notlari/yl/NpN_PnP_Transistorler.pdf