Tương tác của sóng điện từ với chất rắn :

 Tia X
 Töû ngoaïi ñeán hoàng ngoaïi
 Soùng cm
Kế hoạch học môn : Kỹ thuật phân tích vật liệu rắn

Nội dung Người trình bày

Giới thiệu chung về nội dung môn học Lê Khắc Bình

Bổ sung một số kiến thức Lê Khắc Bình
Nhiễu xạ tia X trên mạng tinh thể : Cơ sở lý thuyết của Lê Khắc Bình
phương pháp và các cách bố trí thực nghiệm
Phương pháp Laue : thực nghiệm và cách đoán nhận ảnh Seminar
nhiễu xạ .
Phương pháp Debye-Scherrer : thực nghiệm và cách đoán Seminar
nhận ảnh nhiễu xạ .
Bổ sung phần nhiễu xạ tia X. Giới thiệu chung về Phổ học Lê Khắc Bình
biến điệu + bổ sung kiến thức về tính chất quang và phổ
quang học .
Môn học : Kỹ thuật phân tích vật liệu rắn

Nội dung Người trình bày

Nguyên tắc chung và thực nghiệm của các phương pháp biến Seminar
điệu các phổ quang học.
Biến điệu các phổ quang học theo bước sóng và theo nhiệt độ : Seminar
cơ sở của phương pháp và thực nghiệm
Biến điệu các phổ quang học theo điện trường và bằng chùm
sáng : cơ sở của phương pháp và thực nghiệm Seminar
Bổ sung và tổng kết phương pháp biến điệu
Ellipsometry
Nguyên tử trong từ trường ngoài ( mô-men từ, năng lượng ) Leâ Khaéc Bình
Cộng hưởng thuận từ electron ( EPR) : cơ sở lý thuyết và
phương pháp thực nghiệm. Seminar
Ôn tập
Thi Seminar
 Tài liệu tham khảo môn
Kỹ thuật phân tích vật liệu rắn
1. Charles Kittel . Introduction to Solid State Physics . Seventh Edition
Chương 2 : Reciprocal Lattice
Chương 14 : Diamagnetism and Paramagnetism
Chương 16 : Magnetic Resonance .

2. Lê Công Dưỡng . Kỹ thuật phân tích cấu trúc bằng tia Rontghen
Chương I : Kỹ thuật Rontghen .
Chương II : Phân tích cấu trúc đơn tinh thể .
Chương III : Phân tích cấu trúc đa tinh thể .

3. Lê khắc Bình . Ứng dụng phổ học biến điệu để nghiên cứu tính chất
quang của Chất rắn. Bài giảng ở lớp học Quang học và Quang phổ. Nha Trang
2000.
 Tài liệu tham khảo môn : Kỹ thuật phân tích vật liệu rắn
4. Lê Khắc Bình . Xác định các hằng số quang và độ dày của màng mỏng
bằng phương pháp quang. Bài giảng ở lớp học Quang học và Quang phổ. Nha
Trang 2001.
5. W. Orton . Electron Paramagnetic Resonance .
Chương I : Introduction.
6. Semiconductors and Semimetals. Vol 9 : Modulation Techniques.
Edited by R. K. Willardson and Albert C. Beer. Academic Press . New-York . London . 1972.

Chương 1. Electroreflectance
Chương 3. Electroabsorption
Chương 4. Thermal and Wavelength Modulation Spectroscopy
Chương 6. Electric-Field Effects on the Dielectric Function of
Semiconductors and Insulators.
7. Harland G. Tompkins . William A. McGahan . Spectroscopic
Ellipsometry and Reflectometry : A User’s Guide. John Wiley & Sons
Inc.,1999.
 Mở đầu
Nhiễu xạ tia X là một kỹ thuật mạnh để đồng nhất
các vật thể kết tinh.
Phương pháp này còn cho các thông tin khác như
* Kích thước của hạt trong vật liệu đa tinh thể

* Mức độ định hướng ưu tiên của các hạt

Bài giảng này gồm 4 phần chính :

 Tinh thể chất rắn
 Tia X
 Sự nhiễu xạ tia X bởi tinh thể chất rắn
 Các phương pháp nhiễu xạ
 Cấu trúc tinh thể
 Mạng đảo
Cấu trúc tinh thể
Tinh thể là sự sắp xếp tuần hoàn trong không gian của
các nguyên tử hoặc phân tử

Tinh thể = Mạng tinh thể + Cơ sở

 Mạng tinh thể

  
a1 , a2 , a3 - vectơ tịnh tiến cơ sở
có thể chọn tùy ý
   
Tn  n1a1  n2a2  n3a3
vectơ tịnh tiến của mạng tinh thể
 Mạng tinh thể
   
Tn  n1a1  n2a2  n3a3
  
Tùy cách chọn a1 ,a2 , a3
n1 , n2 và n3 có thể là số nguyên hoặc số phân

 Tất cả n1 , n2 và n3 đều là số nguyên :

  
các vectơ a1 ,a2- ,vectơ
a3 tịnh tiến nguyên tố

 Chỉ một trong các số n1 , n2 và n3 không phải số nguyên :

các vectơ  - vectơ
 tịnh tiến đơn vị
a1 ,a2 , a3
 Ô nguyên tố và ô đơn vị
Ô nguyên tố được tạothành
 từ  các vectơ nguyên
tố a1 ,a2 , a3
  
Ô đơn vị từ các vectơ đơn vị a1 ,a2 , a3

 Ô nguyên tố chỉ chứa một nút mạng.

 Ô nguyên tố có thể có các dạng hình học khác nhau nhưng luôn
có thể tích nhỏ nhất và bằng nhau.
 Sự đối xứng của mạng tinh thể

Yếu tố đối xứng : phép biến đổi không gian làm cho mạng
tinh thể trùng lại với chính nó.

 Đối xứng tịnh tiến

 Các trục quay C1 , C2 , C3 , C4 và C6.
 Mặt phẳng phản xạ gương m.
 Tâm đảo I .
Mỗi hệ tinh thể có một tập tối thiểu
của các yếu tố đối xứng

Hệ tinh thể Số yếu tố đối xứng tối thiểu

Tam tà C1 ( không )
Đơn tà C2 hoặc ( C2 + I )
Trực thoi 3 trục C2 hoặc ( C2 + I )
Ba phương C3 hoặc ( C3 + I )
Bốn phương C4 hoặc ( C4 + I )
Sáu phương C6 hoặc ( C6 + I )
Lập phương 4 trục C3
Các mạng tinh thể cơ bản . Mạng Bravais

Chỉ cần 4 tập a1 và a2 khác nhau từ đó tạo thành

5 ô Bravais có thể dùng để lấp đầy không gian
của mạng tinh thể 2 chiều.

Chỉ cần 7 tập a1, a2 và a3 khác nhau từ đó tạo

thành 14 ô Bravais có thể dùng để lấp đầy không
gian của mạng tinh thể 3 chiều.
 Mạng tinh thể hai chiều
Mạng Đặc điểm của ô

Mạng nghiêng a1  a2 ; g  90o

Mạng lục giác a1 = a2 ; g = 120o
Mạng vuông a1 = a2 ; g = 90o
Mạng chữ nhật a1  a2 ; g = 90o
Mạng chữ nhật tâm mặt a1  a2 ; g = 90o
 7 tập a1 và a2 14 ô Bravais
Hệ tam tà a1  a2  a3 ;


Hệ đơn tà a 1  a 2  a3 ;
 =  = 90o  

Hệ trực thoi a 1  a 2  a3 ;
 =  =  = 90o

Hệ ba phương a1 = a 2 = a3 ;
 =  =  < 120o,90o

Hệ bốn phương a1 = a 2  a3 ;
 =  = 90o ;  = 120o

Hệ sáu phương a 1 = a 2  a3 ;
 =  =  = 90o

Hệ lập phương a 1 = a 2 = a3 ;
 =  =  = 90o
 Ô nguyên tố Wigner-Seitz

Ô Wigner-Seitz của
mạng lập phương I
Cách vẽ ô Wigner-Seitz

CƠ SỞ VẬT LÝ CHẤT RẮN

Chỉ số Miller
* nút : hkl
* chiều : [hkl]
* mặt : (hkl)

Một họ mặt song song và cách đều nhau được biểu thị bằng
các chỉ số Miller như nhau.
Khoảng cách dhkl giữa họ mặt (hkl) cho các hệ tinh thể
 Khoảng cách giữa các mặt ( hkl )

Họ mặt có chỉ số Miller càng nhỏ có khoảng cách giữa hai mặt kế
nhau càng lớn và có mật độ các nút mạng càng lớn
 Tinh theå = Maïng Bravais + cô sôû

ClCs
000 & ½½½

ClNa
000 & ½00

Kim cương
000 & ¼¼¼
 Lục giác xếp chặt

 
  
 
  

 
  
 
Mạng Bravais : lục giác P
Cơ sở : gồm 2 nguyên tử như nhau ở ( 0,0,0 ) và ( 2/3,1/3,1/2 )
Hệ số lấp đầy ( bởi các quả cầu ) : 0,74 .
Tỷ số a3/a1 = ( c / a ) = 1,633
Số phối trí : k = 12.
Hằng số mạng của một số tinh thể
Mạng đảo : Cách vẽ

[120] [210]

a2

(120) b2 [100] d010

b1

a1
(210)

M = 1 hoặc 2.
Cách vẽ mạng đảohể
 
a3
Hệ thức giữa các vectơ
của mạng thuận và mạng

đảo a2

a1

1 A

d 001 V

M = 1 hoặc 2.
 Mạng đảo
Để đi đến một nút của mạng 
đảo hk0 ( điểm này thể hiện
Ghk0
cho sự định hướng và
khoảng cách giữa các mặt
của các mặt (hk0) ta phải đi [120] [210]

h đơn vị dọc theo trục b1 và

k đơn vị dọc theo trục b2.
a2

Vectơ mạng đảo nối gốc với

b2 [100]
(120)
điểm hk0 b1

a1
(210)

   Các nút của mạng đảo

|G
Ghk0 | 
= hM
b /dkb2 được xác định bởi
hk0 1 hk0
vectơ :
   
Mở rộng cho mạng ba chiều , Ghkl  hb1  kb2  l b3
 Mạng thuận và mạng đảo
Từ mạng thuận có thể suy ra mạng đảo bằng
 cách vẽ hình học
 toán học

a3 b3

 
 
  
 
 
  3/a
 a2   b2
 
  
 a  2
2
a
a1
a b1

Mạng thuận : LP F Mạng đảo : LP I

Mạng đảo 3 chiều
 Vài tính chất của mạng đảo
 Một nút trên mạng đảo biểu thị cho một họ mặt và khoảng
cách giữa hai mặt kế nhau.

 Ghklhướng từ gốc tọa độ đến điểm hkl của mạng đảo vuông góc
với họ mặt (hkl) của tinh thể
 Ghkl = M / dhkl
 
 ai .bj  M ij Maïng thuaän Maïng ñaûo

LP P LP P
LP I LP F
LP F LP I
LG P LG P
 Mạng thuận F

a1=0.5*[1 1 0] a2=0.5*[0 1 1] a3=0.5*[1 0 1]

 Mạng thuận LP I

MATLAB 6.5.lnk

a1= 0.5*[1 1 -1] a2= 0.5*[-1 1 1] mangdaoI.m

a3= 0.5*[1 -1 1]
Mỗi cấu trúc tinh thể có 2 mạng tương ứng với
nó :
 mạngtinh thể được biểu diễn bằng các
vectơ a1 , a2 , a3
  
ø mạng đảo bởi các vectơ b1 , b2 , b3
Hai mạng này liên hợp với nhau và có cùng đối
xứng điểm nhưng , nói chung, có nhóm không
gian khác nhau.
• Chúng tôi đã dịch được một số chương
của một số khóa học thuộc chương trình
học liệu mở của hai trường đại học nổi
tiếng thế giới MIT và Yale.
• Chi tiết xin xem tại:
• http://mientayvn.com/OCW/MIT/Vat_li.html
• http://mientayvn.com/OCW/YALE/Ki_thuat_y_sinh.html