Professional Documents
Culture Documents
Dap Ung Tan So Cao Cua Mach Khuech Dai Ghep RC
Dap Ung Tan So Cao Cua Mach Khuech Dai Ghep RC
B rbb’ B’ Cb’c C
ib' iC
1 iLSC
Cb’e rb'e hfeib'
ii hoe RL = 0
Trang 15
E E
Hình 2.2: Mô hình hybrid – pi dùng để tính f
Ta có độ lợi dòng ngắn mạch:
ic
sẽ suy giảm 3dB tại tần số:
i i v 0
ce
1 1
f (vì C be Cbc ) (2.2)
2rbe (Cbe Cbc ) 2rbe Cbe
Do đó f là tần số ngắn mạch 3dB.
Giới hạn tần số trên của transistor đôi khi được định nghĩa theo f T có độ lợi dòng điện CE
bằng 1. Độ lợi dòng điện ngắn mạch của bộ khuếch đại lý tưởng như H2.2 sau:
ic h fe
ii j (2.3)
1
Độ lợi sẽ bằng 1 khi:
f f T f h fe2 1 f h fe (2.4)
Tần số fT được gọi là tích số độ lợi khổ tần của bộ khuếch đại.
Kiểu mẫu transistor ở tần số cao trong cách mắc cực base chung như sau:
E C
ii ie rb 'e
Cb’e h fe hfbie Cb’c
Hình 2.3
B B
Độ lợi dòng điện ngắn mạch:
i h fb
A i sc
i c v 0 j (2.5)
cb 1
h fe
Và băng thông 3dB của bộ khuếch đại là f, từ (2.5) ta có:
f f h fe (2.6)
So sánh (2.4) và (2.6) ta có: f f T . Kết quả này không chính xác vì các mạch CB ở trên
không có giá trị ở fT.
Tần số cắt có thể xác định bằng:
f (1 )f T (1 )h fe f (2.7)
có giá trị từ 0.2 đến 1, tiêu biểu là 0.4
Để dễ dàng mạch tương đương thứ nhất ở trên bài toán này có thể tính điện áp v b’e hơn là
dòng ib’ chảy qua rb’e. Nguồn dòng điện ngõ ra hfeib’ có thể chuyển thành dòng điện kiểm soát
bằng điện áp:
Trang 16
v
h fe i b h fe be g m v be (2.8)
rbe
h I EQ 1
và g m fe 40I EQ ôûT 300 o K; g m (2.9)
rbe 0.025 h ib
Để tiện dùng ký hiệu cho BJT, FET, TUBE ta dùng ký hiệu gm.
rbb' Cb’c
B B’ C
+ + +
vbe Cb’e vb’e rb'e vce
gmvb’e
E- - E -
Hình 2.4: Mô hình tương đương hybrid – pi với áp được điều khiển bởi dòng
Tóm tắt các phần tử mạch tương đương PI:
rbb 10 ñeán50
h fe
rbe
40I EQ
I EQ
gm 40I EQ
0.025
hoe tỉ lệ với IEQ
f fe 40I EQ g m
C be
T rbe T T
C bc tæleä v cb vôùip 1 2 ñeán1 3
p
(Cb’c thường được nhà sản xuất cho dưới ký hiệu là Cob điện dung ngõ ra của các mắc CB)
Thí dụ: Đặc tính của transistor 2N3647 được nhà sản xuất cho ở: I CQ = 150mA; VCE = 1V
như sau: fT = 350MHz; hoe = 10-4mho; hfe = 150; Cob = 4pF. Từ các thông số này, tính toán các
tham số của mạch tương đương ở tần số cao nếu transistor hoạt động ở ICQ = 300mA.
Giải:
h fe VCC
150
rbe 12.5
40I EQ 40 300 10 3
Rc C
rbb’ không được cho, Rchúng ta giả sử bằng
c2 10
2
g m 40 0.3 12mho
Cc1 iL
h oe 2 10 4 mho
gm 12 RL
ii C be ri R 5450pF
T 21 350 10R6 Ce
e
Cb’c = Cob = 4pF Hình 2.5a
2.1.2 Bộ khuếch đại cực phát chung ở tần số cao – điện dung Miller:
B rbb’ B’ Cb’c C
+
ib’ iL
gmvb'e
ii ri Rb rb’e vb'e Rc
Cb’e
-
E Trang 17
Để đơn giản ta đặt Rb = Rb//rbb’ và RL = RL//Rc. Mạch có thể xem như loại khuếch đại hồi
tiếp sai lệch dòng điện Cb’c được thay thế bằng Rf.
B rbb’ B’ Cb’c C
ib’ +
iL
ii Rb rb’e vb'e gmvb'e
Cb’e RL
-
Hình 2.5c ’
E sau:
Dùng kỹ thuật hồi tiếp, ta có mạch tương đương mới như
B’ C
+ +
Cb’c jCb’cvb’e RL
i'i Rb’e Cb’e v Cb’c vL
v’L b’e gmvb’e
- -
Hình E
R b 2.6a
Với: i i i i ii vì R b rbb (2.10a)
R b rbb
Và Rb’e = rb’e // (Rb +rbb’) (2.10b)
Chúng ta giả sử rằng:
1 1
R L // RL RL (2.11a)
C bc Cb 'c
C bc g m (bỏ nguồn dòng jCb’cvb’e) (2.11b)
Mạch sẽ đưa về dạng tương đương đơn giản như sau:
B’ C
+ +
C iL
b’c
i'i Rb’e Cb’e vb’e RL VL
v’L gmvb'e
- -
E
Hình 2.6b
Trang 18
Độ lợi vòng:
vL v L v be jR be C be
T g m R L (2.12)
vL ii 0
v be vL 1 j R
be ( C
be C )
bc
A isc
i sc
i scE v be C M 1
g mgRm bRe L Cb 'c -
(2.15)
i i v be i i 1 jR be (C be C bc )
Hình 2.7: Mạch tương đương Norton
Mạch tương đương Thevenin có thể vẽ từ mạch Hình 2.6a và 2.6b kết hợp với các phương
trình (2.13a), (2.14b) vàR(2.15)
b’e để cho H2.7. Mạch tương đương đơn giản hơn có thể từ hình vẽ
2.6b dùng hiệu hiệu ứng Miller (2.13d) B’ để có H2.8. Từ đây có thể tính độ lợi dòng + điện và trở
+
kháng nhập. gmvb'e
i'i C C vb'e RL vL
rb'e b'e M
Rb + rbb’
- - Trang 19
gmRb'e 6dB/octave
L h
1
h
Rb 'e Cb 'e 1 g m RL Cb 'c
Hình 2.9: Đáp ứng tần số của mạch CE
Trang 20
Thí dụ: Một bộ khuếch đại có các tham số: ri = 10K; Cb’c = 2pF; Rb = 2K; Cb’e = 200pF; rbb’
= 25; gm = 0.5mho; RL = 200; rb’e = 150. Tìm độ lợi dãy giữa và tần số 3dB – fh.
Giải: VCC
ri Cc1→∞
Cc2→∞
Rb +
vi
Re RL ve
VBB
-
Hình 2.11a
+ vb’e -
ri Cb’e
B rbb’ B’ E
rb’e +
Rb Cb’c Re RL
vi gmvb’e ve
-
C
Zi Z’i Zo
Trong hầu hết các mạch phát theo, độ lợi điện áp đều mong muốn bằng 1 do đó r i được
Hình 2.11b: Mạch tương đương ở tần số cao
chọn rất bé, Rb được chọn rất lớn để tiện tính toán ta xem như vô hạn. Trở kháng nhập và xuất
ở tần số giữa, độ lợi ở tần số giữa là:
Trang 21
Zim = hie +(hfe + 1)R’e hfeR’e (2.19a)
R’e = Re // RL
r h ie ri rbb rbe
Z om i (2.19b)
h fe 1 h fe 1
v
A vm e 1 (2.19c)
vi
Mạch tương đương trên ta thấy rằng Zi có 1 cực và zero. Ở các tần số rất cao
1
treân , Zi rbb’ nhỏ hơn so với dãy giữa nhiều.
rbb C bc
Trở kháng ra:
rbe R i 1 sC be (rbe // R i )
Zo (2.22)
h fe 1 s s
1 1
T i
Với R’i = ri + rbb’ (2.23a)
1
Và i (2.23b)
R i C bc
Trang 22
Nếu R’i nhỏ hơn rb’e nhiều, zero ở (2.22) xảy ra ở tần số cao hơn nhưng nhỏ hơn i. Ở
tần số này trở kháng ngõ ra bắt đầu tăng cao hơn giá trị ở dãy giữa. Ở các tần số cao hơn các
cực ở mẫu số của (2.22) và trở kháng giảm.
Độ lợi điện áp:
v v
A v e b
v b v i
ve
Ta tính bằng cách viết phương trình nút ở điểm nút Emitter:
v b
v be v
g m v be e (2.24a)
Z be R e
rbe
Z be
Với s
1
Vì vb’e = vb’ – ve, (2.24b)
(2.24a) có thể viết:
1 ve
v b v e g m (2.24c)
Z be R e
1
gm
Z be
Và ve vb vb (2.25a)
1 1
gm
Re Z be
1
vì R e (2.25b)
g m
Chú thích: Độ lợi điện áp từ B’ đến E xấp xỉ bằng 1, và độc lập đối với tần số. Độ lợi điện
v b
áp có thể xác định từ mạch ngõ vào và tương đương của hình vẽ trên. Ở tần số thấp hơn
vi
, trở kháng của C’ lớn hơn trở kháng R’. Do đó C’ có thể bỏ qua.
v b 1 1
vôùis j j
v i 1 sC bc R i s (2.26a)
1
i
Giả sử rằng R’i << rb’e + hfeR’e. Cho s = j = j
v 1
b 1
vi
2
(2.26b)
1
i
Ở tần số cao hơn , trở kháng của C’ nhỏ hơn (r b’e + hfeR’e) do đó hình vẽ trên có thể đơn
giản thành H2.13. Mạch tương đương đơn giản phát theo tần số cao:
rb 'e h fe 1 R'e 10
6dB/octave
4
Không xác định
Đường
thực tế
6dB/octave
rbb' = 30 , Mrad/s
=5 1
3300
1
Trang 24
s
1
rbe Ri 1 sC be (rbe // Ri) (100 100)(1 s 10 50)
9
2 10 7
Và Z o 2
h fe 1 s s s s s
2
Zo ,
100 6dB/octave
50
10 Đường thực tế
2
, Mrad/s
1 = 10 20 100 1000 10,000
Hình 2.15: Trở kháng ra của mạch EF
Độ lợi điện áp: Xấp xỉ bằng 1 ở theo (2.25a) và (2.26b). Để xác định tần số 3dB ta
dùng (2.26c):
1 s 100 10 10 12
Av
1 s (200)(10 10 12 ) (100)(10 10 12 ) s 2 100 10 10 12 100 10 10 12
s
9 1 9
1 10 s 10
9 18 2
1 3 10 s 10 s s s
1 9
1 9
0.38 10 2.62 10
Av = 380 Mrad/s
1 6dB/octave
0.707
0.38
0.1 , Mrad/s
10 100 440 1000 2620
2.1.4 Dao động ở tầnHình 2.16: Độ lợi áp của mạch EF
số cao:
Trong thực tế, các mạch phát theo trở nên bất ổn và sinh ra dao động ở tần số cao. Do các
điện dung dây nối sai lệch từ emitter xuống đất dài với trở kháng nội của nguồn cung cấp, làm
cho độ lợi dòng lớn hơn 1. Tính bất ổn có thể loại trừ bằng cách tăng r i cho đến khi ngừng dao
động. Điều này lại bất lợi là tăng trở kháng nhập và giảm độ lợi. Giải pháp khác, thêm vào
cảm kháng có Q thấp nối tiếp với ri. Trở kháng này được chọn để trở kháng của nó trong dãy
tần số được chọn có thể bỏ qua, trong khi ở tại tần số dao động nó lại có 1 giá trị trở kháng
cao. Hiệu quả sẽ làm tăng giá trị ri ở tần số cao.
Trang 25
2.2 FET Ở TẦN SỐ CAO:
ri G Cgd D
+ +
ri D
vi vgs Cgs gmvgs rds Rd vd
S Rd - -
vi S
Hình 2.17b: Mạch tương đương ở tần số cao
Hình
Ở tần số cao, các 2.17a
điện dung ở các mối nối trong FET là C gs và Cgd. Từ kết quả phân cực
ngược mối nối diode, điện dung Cgs và Cgd có thể tương tự như Cb’c.
C gs ~ - Vgs
1 2
Do đó Vgs 0 (2.27a)
C gd ~ - Vgd
1 2
Vgd 0 (2.27b)
Vì v gd v gs do đó: Cgd << Cgs (2.27c)
Tiêu biểu: Cgs có giá trị khoảng 50pF ở các FET tần số thấp, nhỏ hơn 5pF ở các FET cao
tần. Tụ hồi tiếp Cgd thường nhỏ hơn 5pF và ở các IGFET cao tần thì nhỏ hơn 0.5pF.
1
h
ri C gs C M Trang 26
Hình 2.19: Đáp ứng biên tần của mạch khuếch đại CS
Thí dụ: Bộ khuếch đại FET như H2.17 có các giá trị sau:
Rd = 10K; rds = 15K; gm = 310-3mho; Cgs = 50pF; Cgd = 5pF
Tìm ri để đảm bảo băng thông ít nhất là 100KHz
Giải:
Từ (2.29b) ta có:
1 1
ri
2f h (C gs C M ) 2(10 )(50 10 5 10 12 (1 3 10 3 6 10 3 ))
5 12
Độ lợi điện áp khi ri = 0: Xét bộ khuếch đại dùng FET như H2.17a, với r i = 0, mạch tương
đương có vẽ như hình 2.20b ở trên và đơn giản là hình 2.20c.
Cgd
+ +
vi gmvgs rds//Rd vd g m jC gd vi Cgd rds//Rd vd
- -
Hình 2.20a Hình 2.20b
Nếu ta có: vgs = vi.
A v d g m jC gd
v rds // R d
vi 1 jC ds rds // R d
jC gd
1
gm (2.30)
g m rds // R d
1 jC ds rds // R d
Với g m rds // R d >> 1 (2.31)
Độ lợi điện áp được vẽ ở hình 2.21.
Av
g m rds // Rd
1
gm
1 C gd
h Trang 27
C gd rds // Rd
Hình 2.21: Độ lợi áp của mạch khuếch đại dùng FET
Chú ý: nếu Rd vô hạn, băng thông 3dB của bộ khuếch đại cực nguồn chung sẽ bị giới hạn
bởi điện trở rds và tụ điện Cgd.
2.2.2 Đáp ứng tần số cao của mạch nguồn theo: (Source Follower)
ri G Cgs S
ri D +
G i i’0
S + vi Cgd gmvgs rds Rs vs
vi
vs -
Rs D
- Z’i Z’o
C gs
C'
ri G 1 g m rds // Rs
vi Cgd rds//Rs
Zi D Z’i
Hình 2.23a: Mạch tính Zi
ri G ri G
C gs
vi Cgd 1 g m rds // Rs Cgd rds//Rs
vi
Zi D Zi D
Hình 2.23b: Khi << gm/Cgs Hình 2.23c: Khi >> gm/Cgs
Từ Hình 2.23a trở kháng nhập gồm có Cgd song song với mạch nối tiếp RC.
Giả sử: g m (rds // R d ) 1 (2.33a)
Trang 28
2
g
Zi (rds // R d ) m (rds // R d ) 2
2 2
Ta có: (2.33b)
C
gs
gm
Tụ C’ có trở kháng cao hơn điện trở (rds // R d ) miễn là:
C ds
Trong dãy tần số này, mạch tương đương có thể vẽ đơn giản như H2.23b. Đối với các tần
gm
số thỏa mạch tương đương trở thành H2.23c. Ta có:
C ds C gs
C'
1 g m rds // Rs
1
1 Zi
1 jC(rds // R s )
Zi (2.34) 6dB/octave
jC gd 1 1 1
1
j(rds // R s ) C C gd
Trở kháng ra:
Từ H2.22b ta có:
v 1 1 j(C gd C gs )ri
Zo s
i o v 0 g m jC gs
1 jri C gd
(2.35a)
i 1 1
gm 1 1 1
C ' rds // Rs C ' C r // R
Nếu ri = 0, các tiệm cận của Zo tương đương gd ds s
với 1/gm đến tần số 1: Hình 2.24a: Đặc tính Zin theo tần số
g
1 m (2.35b) Zo
C gs
6dB/octave
1
Và sẽ giảm ở mức 6dB/octave
gm
Độ lợi điện áp: ri = 0
v v vg
Av s s (2.36)
vi vg vi gm
1
C gs
Hình 2.24b: Trở kháng ra
vs Av
được tính trực tiếp từ hình 2.24b bằng 6dB/octave
vg
1
cách dùng KCL:
(gmvgs + i)(rds // Rs) = vs (2.37a)
i
Với v gs v g v s (2.37b)
jC gs 1 (Mrad/s)
Thay vào (2.37a) ta có: h 100
ri C gd
jC gs
1 Hình 2.24c: Độ lợi áp
vs g m (rds // R s ) gm 1
(2.37c)
v g 1 g m (rds // R s ) (rds // R s )
1 jC gs 1 g ( r // R )
m ds s
Trang 29
vg gm
được tính từ H2.23 ở các tần số thấp hơn .
vi C gs
vg 1
Ta có: vi C gs (2.38a)
1 jri C gd
1 g m (rds // R s )
gm
Ở các tần số cao hơn dùng hình vẽ 2.23c ta có:
C gs
vg 1 ri // rds // R s
(2.38b)
vi ri 1 jC gd (ri // rds // R s )
vg
Nếu ri 0, 1 không phụ thuộc vào tần số.
vi
Thí dụ: Một mạch nguồn theo FET, có các thông số sau đây:
Cgs = 6pF; Cgd = 2pF; rds = 70K; gm = 310-3mho. Nếu Rs = 10K và ri = 5K, vẽ độ lợi điện
áp theo tần số và xác định tần số 3dB.
Giải:
Độ lợi điện áp là:
v v vg
Av s s
vi vg vi
Từ (2.37c) ta suy ra:
vs
1
vg
vg
Để xác định , ta xét các tần số nhỏ hơn:
vi
gm 3 10 3
12
5 10 8 rad / s
C gs 6 10
Dùng (2.38a) và ta chú ý rằng:
C gs
C gd
1 g m (rds // R s )
vg 1 1
Av
v i 1 jri C gd 1 j 10 8
Vậy tần số 3dB là:
gm
h = 100106rad/s <
C gs
Xem hình vẽ độ lợi điện áp ở H2.24c.
Trang 30
Giữa các tầng, khi ghép lại có sự tương tác, do đó phép tính phức tạp hơn đơn tầng rất
nhiều. Phương pháp tính toán, bắt đầu từ tầng cuối cùng, sau đó đi dần tới mạch vào, nhờ đó ta
có được các trở kháng Miller.
VC C
Rc2 Cc 3→∞
Rc1
Cc 2→∞
Cc 1→∞ iL
Rb1 Rb2
RL
ii ri VBB Re1 VBB Re2
Ce1→∞ Ce1→∞
Để tính toán độ lợi dòng điện A i = iL/ii, giả sử bỏ qua rbb’, dùng các kết quả của phần 2.1.2
để xác định điện dung Miller của tầng thứ hai. Ta được H2.26.
Tuy nhiên mạch vẫn còn phức tạp, để đơn giản ta thay:
R 2 R c1 // R b 2 // rbe (2.39)
C 2 C be C bc 1 g m R L // R c 2 (2.40)
với C M C bc 1 g m R L // R c 2
R 1 ri // R b1 // rbe . (2.41)
Ta được mạch đơn giản như hình 2.27:
A C
B’1 b’c B’2
+ + iL
ii R1 Cb’e vb’1 gmvb'1 R2 C2 vb’2 Rc2 RL
gmvb'2
- -
Trang 31
A’
Hình 2.27: Mạch rút gọn đơn giản hơn
Để đơn giản hơn ta xác định trở kháng Miller nhìn vào các cực AA’.
1 1
YAA sC bc
Z AA 1 C2 (2.42)
sC bc g m R 2 g m C bc
ZAA’ Cb’c
Công thức trên chứng tỏ rằng ZAA’ gồm có 1 tụ Cb’c
song song với mạch RC nối tiếp như H2.28. gmR2Cb’c
Kết quả cuối cùng ta được mạch tương đương như H2.29.
Hình 2.28
iL
+ gmR2Cb’c +
gmvb'1 vb’2 gmvb'2
ii R1 vb’1 Cb’e Cb’c C2 R2 C2 Rc2 RL
- g m Cb 'c -
Hình 2.29: Mạch tương đương cho hai tầng khuếch đại CE
1 2
C C bc
với q be (2.45b)
C1
Thí dụ: Tìm độ lợi và băng thông của mạch Hình 2.25a nếu:
Trang 32
rb’e = 100, rbb’ = 0
Cb’e = 100pF, Cb’c = 1pF
Rc1 = Rc2 = Rb1 = Rb2 = ri = 2K
RL = 100, hfe = 100.
Giải: Độ lợi dãy giữa có thể tính từ (2.43a) bằng cách cho s = j = 0.
g2 R
A im m c 2 R 1 R 2 g m rbe h fe2 10 4
2
R c2 R L
Để xác định tần số 3dB, ta phải tính 1, 2, và q.
C M C bc 1 g m rbe h fe C bc 100pF
1 1 1 1
1 2
R 2 C 2 rbe (C be C M ) 100 (10 10 ) 2 10 8
10 10
Rd Rd
Cc1→∞
Cc1→∞ +
ri
Rg RL vL
vi Rg
-
Trang 33
Từ mạch tương đương và đồng nhất trên với trường hợp BJT, ta có tần số 3dB được chọn ở
(2.45) với:
R 1 ri // R g (2.46a)
R 2 R d // rds // R g (2.46b)
C1 C gs C gd 1 g m (R d // rds // R g ) (2.46c)
C 2 C gs C gd 1 g m (R d // rds // R L ) (2.46d)
2.5.1 Tích số độ lợi khổ tần của mạch khuếch đại đơn tầng:
Định nghĩa: Tích số độ lợi khổ tần GBW:
GBW A im f h (2.47)
Đối với tầng khuếch đại CE lý tưởng đơn tầng, (R L 0) độ lợi dãy giữa xấp xỉ bằng hfe và
tần số 3dB cao là f :
h fe gm
GBW f h fe f T (2.48)
2rbe C be 2C be
Nhà sản xuất thường cho biết giá trị của fT và được dùng để ước lượng GBW cho
transistor. Sự phỏng định này là giới hạn trên, giá trị thật sự sẽ giảm do điện dung Miller đã bỏ
qua khi đến (2.48).
Để ước lượng chính xác, xét (2.18):
g R 1 gm
GBW m be (2.49)
2 R be (C be C M ) 2(C be C M )
So sánh (2.48) và (2.49) ta thấy CM làm giảm GBW
Thí dụ 1: Tìm GBW của bộ khuếch đại sau, với các giá trị được cho như sau: r i = 1K; Cb’c
= 2pF; Rc = Rb’e = 100; Cb’e = 100pF; Cb’c = 1pF; hfe = 100.
Giải:
B’
+
ic
ii ri rb'e vb'e Rc
gmvb'e
Rc -
ii ri E Cb’e + CM
Từ (2.49) ta có:
gm
GBW 0.8GHz
2(C be C M )
Trang 34
gm 1010
Với: fT 1.6GHz
2C be 2
Tích số độ lợi khổ tần của FET:
Từ (2.29) ta tính được:
1
GBWFET g m rds // R d (2.50)
2ri (C gs C M )
Công thức trên thường dùng để chuẩn hoá bằng cách giả sử rằng:
gm
ri rds // R d GBWFET (2.51)
2(C gs C M )
Thí dụ 2: Tìm GBW của bộ khuếch đại dùng JFET có thông số: g m = 310-3mho; Cgs =
6pF; Cgd = 2pF; Rd = 10K; rds = 70K.
Giải:
CM = Cgd[1 + gm(rds // Rd)] = 10-12(1 + 3 70/8) = 54pF
gm 3 10 3
GBW 8MHz
2(C gs C M ) 2(6 54)10 12
So sánh với thí dụ trước ta thấy transistor có GBW cao hơn nhiều do g m rất lớn trong
transistor.
Thí dụ 3: Một IGFET có thông số: gm = 2.510-3mho; Cgs = 6pF; Cgd = 0.6pF; Rd = 10K; rds
= 60K. Tìm GBW.
Giải:
CM = Cgd[1 + gm(rds // Rd)] = 0.6 10-12(1 + 2 2.5 60/7) = 14pF
Từ (2.51) ta có:
gm
GBW 20MHz
2(C gs C M )
Nhận xét: GBW của IGFET cao hơn so với JFET nhưng vẫn nhỏ hơn BJT.
VC C
2.5.2 Tích số độ lợi khổ tần của mạch khuếch đại đa tầng:
2.4.2
gmvb'1 gmvb'N
ii rb’e RL
Cb’e Cb’e Cb’e
Trang 35
1 1 1 s
1 1 1 1
1
A im g m R be
n
Độ lợi dãy giữa: (2.54)
Tần số 3dB được tính bằng cách cho A i A im 2
n 2
2
1 h 21 2 (2.55)
1
h f h
Giải ra ta có: 21 n 1 (2.56)
1 f 1
Ta lập bảng, với fh là tần số 3dB:
Nhận xét: Băng thông 3dB suy giảm chậm kể từ tầng thứ 2 trở đi.
Thí dụ 1: Tìm độ lợi dãy giữa và băng thông của bộ khuếch đại 2 tầng. Dùng tính toán ở
trên, so sánh với giá trị tính được khi thêm vào hiệu ứng Miller.
Giải:
Ở thí dụ trong mục 2.3 ta có: Aim = 104. Dùng (2.52b) ta có:
1
R be rbe // R c // R b rbe 100 f h 15.9MHz
2(100)(100)(10 12 )
Từ bảng trên, cho n = 2, fh = (0.64)(15.9MHz) = 10MHz. So với mục 2.4 của cách tính
trên, fh = 4.5MHz khi thêm vào hiệu ứng Miller. Chú ý rằng: Tích số GBW bao gồm điện
dung Miller là: (104)(4.5106) = 4.5GHz. Trong khi thiết kế, các đặc tính gồm độ lợi dãy
giữa, tần số 3dB – fh và transistor loại nào là các dữ liệu để chúng ta dựa vào đó mà định các
chế độ làm việc và tần số cần thiết để thỏa mãn yêu cầu.
Thí dụ 2: Thiết kế bộ khuếch đại có độ lợi dãy giữa là 5000, tần số 3dB là 200KHz.
Transistor có hfe = 100; fT = 10MHz và Cb’c = 10pF.
Trang 36
Giải: Dùng GBW = fT và Aim = hfe cho mỗi tầng. Do đó để có bộ khuếch đại có A im = 5000
ta cần ít nhất là 2 tầng khuếch đại. Giả sử 2 tầng giống nhau, độ lợi dãy giữa cho mỗi tầng là:
5000 71
fT 10 7
Giả sử: GBW f T f h 140KHz
A im 71
Cho n = 2 ,ứng với 2 tầng, từ bảng trên ta có:
Fh < (0.64)(140)(103) = 90KHz
Nhận xét: với 2 tầng giống nhau, không đủ cung cấp độ lợi cần thiết và dải thông đồng
thời. Ta dùng 3 tầng, khi độ lợi dãy giữa của mỗi tầng là:
10 7
3
5000 17; f h 590KHz
17
Tra bảng với n = 3 fh < 0.51590103 = 300KHz. Do đó nếu điện dung Miller không
làm giảm số này xuống dưới giá trị 200KHz cần thiết thì bộ khuếch đại có 3 tầng có thể sử
dụng được.
Bước kế tiếp, ta ước lượng điện dung Miller. Dùng (2.49) để ước tính GBW cho mỗi tầng.
Ta giả sử dòng điện tĩnh IEQ = 2mA (tuỳ định) để rb’e và Cb’e có thể ước tính được, suy ra rb’e =
1200, gm = 0.08 mho và:
h fe 100
C be 1300pF
2rbe f T 2 1200 10 7
Từ (2.49) GBW cho mỗi tầng là:
gm 0.08
A im f h
2(C gs C M ) 2[(10 13) (1 0.8R be ) 10 11 ]
10
Với Rb’e = Rb // Rc // rb’e là điện trở liên tầng, do đó g mRb’e là độ lợi dãy giữa cho mỗi tầng
mà ta tính bằng 17 Rb’e = 17/0.8 = 210
0.08
GBW 17f h 8.6MHz
2[(10 13) (18 10 11 )]
10
Trang 37