5 半導體與光電材料 1112 2021

材料化學-半導體與光電材料
任課教師: 劉如熹 (臺灣大學化學系)
材料化學-半導體與光電材料 1/131
第一代半導體材料
Simple representation of silicon atoms bonded

in a crystal (left). The dotted area are covalent or
shared electron bonds. The electronic structure
of a single Si atom is shown conceptually on the
right. The four outermost electrons are the valence
Electrons that participate in the covalent bonds.
Silicon Based Materials
Electron (-) and hole
(+) pair generation
represented by a
broken bond in the
crystal. Both carriers
are mobile and can
carry currents in
devices.
The Molecular Orbital Model (MO)
– Molecular orbitals have many of the same

characteristics as atomic orbitals
– Two of the most important are :

(1) they can hold two electrons with opposite
spins and
(2) the square of the molecular orbital wave
function indicates the electron probability
e.g. The combination of hydrogen 1s atomic orbitals to form
molecular orbitals
於分子中只有分子軌域可以 ∵兩個分子軌域間的
被電子占據，表示氫原子之電子恰分布兩原子核
1s原子軌域不再存在，因為的中心線 (即核間軸)
氫分子將有新的軌域生成
‧ MO1 之能階比 H 原子之 1s orbital 還低，而MO2
則比單一氫原子的 1s 軌域高
(a) => 電子填入氫分子之MO1orbital (較氫原

子之能階低)，有利於分子之形成，即有利於
bonding (鍵結) → 電子為兩原子核共享
(b) => 當電子分布在較高MO2能階時，則稱為

antibonding (反鍵結) → 電子偏向原子各自獨
立
※ Bonding molecular orbital :
Lower in energy than the atomic orbitals of which it

is composed. Electrons in this type of orbital favor
the molecule; that is , they will favor bonding.
※ Antibonding molecular orbital :
Higher in energy than the atomic orbitals of

which it is composed . Electrons in this type of
orbital will favor the separated atoms.
A molecular orbital energy – level diagram for the H2 molecule
Molecular electron configuration for H2 = s1s2
物體如何導電—Band Theory
電子未填滿
e- e- 能帶
E = = (Energy Band)
(能階) e- e -
e- e-
電子填滿
1H 2H 3H NH
金屬、半導體、絕緣體的導電模式
金屬半導體絕緣體
e-
e-
e-
e- Phonon
聲子
不需給予能量需給予能量0.5~3 eV 需給予能量≧6 eV
(無能階差) (能階差0.5~3 eV) (能階差≧6 eV)
導電性佳導電性一般或不良導電性不良或不導電
Simple representation of silicon atoms bonded
in a crystal (left). The dotted area are covalent or
shared electron bonds. The electronic structure
of a single Si atom is shown conceptually on the
right. The four outermost electrons are the valence
Electrons that participate in the covalent bonds.
Silicon Based Materials
Electron (-) and hole (+)
pair generation
represented by a
broken bond in the
crystal. Both carriers
are mobile and can
carry currents in
devices.
Intrinsic semiconductors
× Band structure of Semiconductor (Si)

× Empty band→conduction band
× ×
σ*band
Si1 Si2
1
2
σband
3s23p2 sp3 Valence band →full
4個價電子 hybridization
Simple band and bond
digram representations of
pure silicon. Bonded
electrons lie at energy
levels below Ev, free
electrons are above Ec.
The process of intrinsic
carrier generation is
illustrated in each model.
在絕對零度時，材料內電子的最高能量即為費米能階，當溫
度高於絕對零度時，費米能階為所有能階中，被電子占據機
率等於0.5的能階。
Fermi level position in an undoped (left), N-type (center), and
P-type (right) semiconductor.
The dots represent free electrons, the open circles represent
mobile holes.
Extrinsic semiconductors
Materials whose conductivity is controlled

by the addition of dopants
P-型摻雜物
doping
Group III Si
V
(10-2 atom %)
N-型摻雜物
⊙p-type semiconductor
e.g. Ga-doped Si
Ga:4s24p1
3個價電子
× 少一個電子
形成hole (電洞)
× × Positive; p-type
‧Using band theory, it is found that the energy level associated with each single-
electron Ga-Si bond does not form part of the valence band of silicon
It forms a discrete level or atomic orbital just above the top of the valence band
This level is known as an acceptor level because it is capable of accepting an
electron.
Conduction band (CB)

‧電子可以有足夠的熱能被激發至
acceptor level。
1.1eV acceptor levels
‧若鎵原子的濃度小，acceptor levels是
Ef 0.1eV discrete（分立）的，因此acceptor level
+ e- e- e- e- e- e- 上的電子不可能對導電作貢獻。
Valence band (VB) ‧帶正電荷電洞(positive holes)可運動
 Ga-doped Si為p-type semiconductor
majority carrier
⊙n-type semiconductor
(As-doped Si)
As:4s24p3 CB
Ef 0.1eV donor levels
5個價電子 e- e- e-e-e-e-
額外電子佔有導
× one extra electron 1.1eV
電帶底下約0.1eV處
× × 的donor level
× × VB
PN接面工作的情形
(1) 未加偏壓
接面兩端的電子與電洞雖互有
擴散，但其作用相互抵消，
| I |＝0。
空乏區域：沒有自由電子和電
洞，有正、負離子。
障壁電壓：P區（負離子）與
N區（正離子）所形成之電位，
鍺約為0.2~0.3V，矽約為
0.6~0.7V。
(2) 逆向偏壓
逆向偏壓：P接負電壓，N
接正電壓。
影響：空乏區寬度變寬，
障壁電勢增加。
逆向飽和電流Is：逆向偏壓
所存在的電流。
(3) 順向偏壓
順向偏壓：P接正電壓，N接
負電壓。
影響：空乏區寬度變窄，障壁
電勢減少。
順向電流ID：隨順向偏壓的增
加而加大。
摻雜的方法- 1.擴散
• 擴散是一種最常見的物理現象
• 由於分子熱運動的驅動，物質會由濃度高的地方
向濃度低的地方擴散
• 通常以二氧化矽層當作是擴散的遮蔽層(diffusion mask)
• 使用擴散爐管“Diffusion Furnace”進行摻雜製程
Diagram to show vacancy diffusion in a semiconductor.
Diagram to show interstitial diffusion in a semiconductor.
Two-step Process for Producing a
Junction at Desired Depth
Two-step process for producing a junction

at the desired depth. The predeposition step
introduces a controlled number of impurity
atoms, while the drive-in step thermally
diffuses the dopant to the desired junction
depth.
• In the past 40 years, the preferred method is “pre-

deposition” and drive-in to the desired depth.
擴散摻雜製程順序
擴散製程的程序:
1. 先沉積一層二氧化矽層，作為遮蔽層
2. 沉積一層含有摻雜物的氧化層，如B2O3或P2O5
3. 覆蓋層氧化 (Cap oxidation)
–防止摻雜物擴散至氣相(gas phase)中
4. 驅入(Drive-in)
擴散摻雜製程的限制與應用
• 擴散是一種等向過程(isotropic process)，因此摻雜物原子
都會或多或少地擴散到遮蔽氧化層的邊緣下方(在遮蔽氧
化層下方產生橫向擴散)
• 擴散製程無法單獨地控制摻雜物的濃度和接面深度
使用離子佈植法可改善此現象!
摻雜的方法- 2.離子佈植法
• 所謂離子佈植法，是先將摻質離子化 (ionized) 後，自一游離氣體中萃取
出，並藉由加速器加速，控制其能量與路徑，將這些離子化的摻質，
(如: P+及BF2+)直接打入基板或薄膜內，來進行摻質的預置(pre-deposition)
• 可以獨立且精確控制摻質在晶片裡的分布(藉由離子加速的能量)及摻質
的濃度 (藉由離子束電流的大小及佈植時間來控制)
Dose = (J/q)  t，J :離子束電流密度; q: 單價離子電荷量;t : 佈植時間
• 為一非等向性的(Anisotropic)摻質濃度分佈(dopant profile)
• 容易實施重摻質元素如磷及砷的高濃度摻雜
• 可使用一般光阻作為植入罩幕
• 均勻性及重複性佳，是目前半導體製程應用最廣之摻雜技術
離子佈植與擴散製程的比較
Comparison of thermal diffusion and ion implantation for selectively

introducing impurities into the surface region of a semiconductor
wafer. Impurity concentration C varies with depth x.
Energy dependence of depths Profiles
for boron implantation
Dose dependence of depths Profiles
for boron implantation
The heavier is the ion, the shorter is its
penetration range at the same energy.
二極體的V-I特性曲線
順向偏壓
為一非線性特性
逆向偏壓
1. 順向偏壓
 VD = 0  I D = 0
 VD > V（障壁電勢）
k  I D迅速的上升（指數型）
(2)公式：I = IS (e ηvT
 1)
I：二極體的電流
I：二極體逆向飽和電流（鍺
S = μA，矽 = nA）
e：自然對數的底數（e = 2.718 ）
V：二極體兩端所加的電壓
η：實驗常數（鍺質 = 1，矽質 = 2）
k：波茲曼常數（Boltzman's constant）=1.38 10-23焦耳／K

kT （1.38 10-23）T T 275K+27 oC
VT = = = V= =26mV，或者
q 1.6 10-19 11600 11600
273K+22o C 295K
VT = = =25mV
11600 11600
2.逆向偏壓及崩潰區
(1)逆向飽和電流I：由少數載子組成
S
　（矽約為數個nA，鍺約為數個μA）。
(2)若將逆向偏壓增加到某一數值時，電流急
速增加，二極體將處於逆向崩潰狀態。
累增效應：碰撞引起。
逆向崩潰狀態
稽納效應：強電場引起。
(3)崩潰電壓V：鍺二極體約在
Z  50 ~ 40V之間，
　矽二極體則大於  250V。
金-氧-半導(Metal-Oxide-Semiconductor; MOS)電晶體
水閘門
MOS電晶體
閘極
(Gate)
水流
電流通道
水源 (Current) (Channel)
排水口
水路
源極汲極
(Source) (Drain)
NMOS 元件
基本結構
VG VD
VG
金屬匣極
氧化層 VD
接地
n+ n+
p-Si
源極汲極
NMOSFET
(Field Effect Transistor;
FET)
場效電晶體
正電荷
VG = 0 電子流 VG > V T > 0 VD > 0
VD
“金屬匣極
+++++++
SiO 2 SiO 2 -------
n+ n+ n+ n+
p-Si p-Si
源極汲極源極汲極
沒有電流負電荷
PMOSFET
(Field Effect Transistor;
FET)
場效電晶體
負電荷
VG < V T < 0
VG = 0 VD 電洞電流 VD > 0
金屬匣極
SiO 2 -------
SiO 2 +++++++
p+ p+ p+ p+
n-Si n-Si
源極汲極源極汲極
沒有電流正電荷
金氧半場效電晶體 (Field Effect Transistor; FET)
半導體製程動畫模擬
完成
第二層金屬可連至IC腳座
閘極金屬連線
源極汲極
N型井生長
光罩
N型雜質
N型井
P型晶片
氧化層及閘極生長氧氣
多晶矽閘極
氧化層
源極及汲極作用區生長
P型雜質
場氧化層
HF(氫氟酸)
氧氣
金屬接觸點
第一層金屬層
絕緣氧化層
VIA接點
第二金屬層
玻璃保護層
完成
第二層金屬可連至IC腳座
閘極金屬連線
源極汲極
為何半導體材料要選擇矽?
• 半導體工業約在1950年開始發展, 以鍺材料為主, 但1960年
代後矽就取代了鍺的地位.
• 矽(Si)可從地殼中最豐富的元素(SiO2)純化提煉.
• 熱製程中容易生成SiO2, 為一強且穩定的介電層.
• 矽的氧化物不溶於水.
• 矽擁有較大的能隙, 能承受較高溫度及較大雜質摻雜範圍.
• 矽的崩潰電壓比較高.
• 何謂積體電路(IC)
• IC=Integrated Circuit
• 為很多電路元件積集在一起, 產生某些電性的功能.
• IC就像是印刷電路板(PCB)的濃縮版.
• 依照IC積集度多寡, 可分為:
• SSI: Small Scale Integration (<100)

• MSI: Medium Scale Integration (100~1000)
• LSI: Large Scale Integration (>1000)
• VLSI: Very Large Scale Integration (>100,000)
• ULSI: Ultra Large Scale Integration (>10000,000)
IC 的尺度---
積體電路晶片的積體化層級
積體化層級縮寫晶片內的元件數目
小型積體電路(Small Scale Integration) SSI 2 ~ 50
中型積體電路(Medium Scale Integration) MSI 50 ~ 5,000
大型積體電路(Large Scale Integration) LSI 5,000 ~ 100,000
極大型積體電路(Very Large Scale Integration) VLSI 100,000 ~ 10,000,000
超大型積體電路(Ultra Large Scale Integration) ULSI 10,000,000 ~ 1,000,000,000
特大型積體電路(Super Large Scale Integration) SLSI 超過 1,000,000,000
IC積集度的演進
1.0E+10
1.0E+09
1.0E+08
1.0E+07
積極度(元件/IC)
1.0E+06
1.0E+05
1.0E+04
1.0E+03
1.0E+02
1.0E+01
1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005
西元
晶片尺寸與晶圓尺寸的相對性展示
晶片
或晶
以0.35微米技術製造的粒
晶粒 300 mm
以0.25微米技術
200 mm
以0.18微米
技術
150 mm
IC 的發展史
 1947年聖誕前夕, AT&T 的 Bell 實驗室的 John Bardeen 及 Walter Brattain 展示第一個由鍺所製成的

點接觸式電晶體. 當電流訊號施加於鍺晶體接點, 輸出功率會大於輸入功率. 並於1948年公諸於世.
 1949年 William Shockley 發表雙載子電晶體運作理論. 並預測接面式雙載子電晶體(BJT)將出現.
 1950年第一個單晶鍺電晶體生產, 並取代電子產品中的真空管.
 1952年Gordon Teal發表第一個單晶矽電晶體.
 1955年 Shockley 在舊金山南方成立 Shockley Semiconductor Lab. 帶動矽谷的成立.
 1956年 Shockley, Bardeen, Brattain 共同獲頒諾貝爾物理獎.
 1957年, Gordon Moore 和 Robert Noyce 離開 Shockley 公司, 成立 Fairchild Semiconductor 公司.
 1958年積體電路時代來臨 (整個五O年代為分離式IC元件的天下).
 1966年, Gordon 和 Robert 離開 Fairchild 並創立 Intel (濃縮Integrated electronics).
第一個電晶體, 貝爾實驗室, 1947
Ge crystal
第一個電晶體的發明者
威廉•肖克萊，約翰•巴定和華特•布萊登
Shockly, Bardeen, and Brattain invented transistor (1947)
1958年德州儀器的傑克、克畢製造出的第一個
積體電路晶片(棒)
1961年矽晶圓上製出的
第一個積體電路
Fairchild Semiconductor International

摩爾定律
• 1964年哥登‧摩爾(英特爾公司的共同創始人
之一)
• 價格不變之下，電腦晶片上的元件數目，幾
乎每12個月就增加一倍
• 1980年代減緩至每18個月
• 到目前仍屬正確，預期可以維持到2010年
摩爾定律(英特爾版本)
Transistors
Pentium III
10M
80486
Pentium
1M
80386
100K
8086 80286
10K
4040 8080
1K
1975 1980 1985 1990 1995 2000
IC 製造流程
初始晶片
(primary wafer)
PR PR
Initial ox Initial ox Ini ox Ini ox
Si substrate Si substrate Si sub Si sub
Thin film module

Diff module PHOTO module ETCH module
Diff, PHOTO, ETCH, T/F
Chip Cutting IC cross section

Wafer Sorting WAT
Bonding Packaging Final Test

IC 製造流程
土地 IC 設計師製程整合工程師
擴散工程師
薄膜工程師
IC 成品完成之晶片黃光工程師
蝕刻工程師
1997年NEC 製造最小的電晶體
上匣極
下匣極
介電質
源極汲極
n+ n+
超淺接面
P型晶片
小於0.014 微米匣極的寬度 NEC Corporation
IC 幾何上的限制
原子的大小
IC 元件的限制
• 原子大小：數個埃( Å )
• 形成一個元件需要一些原子
• 一般最後的限制在100 Å 或 0.01 微米或10奈米
• 大概30 個矽原子
第二代半導體材料
Indirect band Gap: Si
Direct band Gap: GaAs
電子
Light-Emitting Diode (LED)

發光二極體電洞
發光二極體
• Principle:
– Pn junction diode made from direct bandgap, in which EHP (electron hole
pair) recombination occurs
– h ~Eg
– Active region: Recombination primarily occurs within the depletion region
and within a volume extending over the diffusion length Le of the electrons
in the p-sideresult of minority carrier injection: injection
electroluminescence
– LED spontaneous emmision emitted photons are in random direction
– P-side has to be narrow such that emitted photons can escape the device
• Device Structure
– Epitaxially growing doped semiconductor layers on a suitable substrate (GaAs,
GaP)
• The substrate is a mechanical support for the pn junction device
• Most recombination takes place in the p-side and there emit photons
• Substrate thickness and structure decide the reflection from the air- substrate
interface, like (a)
– Crystal defects: caused from the mismatch between epitaxial layer and substrate
crystal
• These defects form recombination centers and cause radiationless EHP
(electron hole pair) recombination
• Example: AlGaAs/GaAs for red emission
• Deigns of LED depends on the total internal refection (TIR)
發光二極體材料 (III-V)
• Visible spectrum emitted by direct bandgap semiconductor: III-V

ternary alloys
– Green to organge: GaAs1-yPy
• y < 0.45, GaAs1-yPy is direct bandgap semiconductor
– Emitted wavelength from 630 nm (y = 0.45) to 870 nm (y = 0)
• y > 0.45, GaAs1-yPy is indirect bandgap semiconductor, EHP (electron hole pair)
recombination occur at recombination centers
– Doped N substitute for P atoms will induce an electron traps, En, capturing
electron and attracting hole to recombine and emit a photo (b)
– The efficiency is less than direct bandgap semiconductor
– Used in green, yellow and orange LEDs
– Blue LED
• GaN (Eg=3.4eV):direct bandgap
– InGaN (Eg=2.7eV)/GaN
• SiC: indirect bandgap
– Al doped SiC: Al as acceptor (C)
• ZnSe is the best, but is II-VI alloys
– Red and infrared:
• Direct bandgap Al1-xGaxAs for x < 0.43
– Emitted wavelength from 640nm to 870 nm
• Direct bandgap In0.49Al0.17Ga0.34P to In0.49Al0.058Ga0.452P
– Can be lattice-matched to GaAs
– Wavelength 870 nm (GaAs) to 3.5 um (InAs)
• In1-xGaxAs1-yPy span 870 nm to 3.5 um spectrum, including optical communication
wavelength 1.3 and 1.55 um
• External efficiency (external)
– The efficiency of conversion of electrical energy into an emitted external optical energy
Pout optical
external  100%
IV
InGaN/GaN Blue LED
P-Electrode
P-(Mg)-GaN Layer
N-(Si)InGaN Layer
N-Electrode
N-(Si)-GaN Layer
GaN Buffer Layer

Sapphire Substrate
The Nobel Prize in Physics 2014
Nobel Prize in Physics 2014
Isamu Akasaki Hiroshi Amano Shuji Nakamura

赤崎勇天野浩中村修二
Colors Perceived
Color impression Wavelength (nm)
Red 630-780
Orange 600-630
Yellow 565-600
Green 500-565
Blue 435-500
Violet 380-435
10 000 K Color Appearance
=
Color temperature
Kelvin (K)
0°C = 273 K
1000 K
sky
10 000 K
Light of the North
Sun in the Zenith

Natural light
6000 K
Daylight
In the afternoon
5000 K
Sunlight
Twilight
2000 K
Sunset
Mercury
4100 K
Neutral white
Ceramic discharge
Artificial lighting
3000 K
“Crisp” warm
White sodium
2500 K
“Cosy” warm
Sodium
1950 K
“Functional” orange
gives indication of:
Color Temperature appearance of light
warm ambience cool ambience
low color temperature high color temperature
Color Temperature
2000 K 3000 K 4000 K
Color Rendering index; Ra (演色性)
Color Temperature & Color Rendering
GaN Blue Chip/YAG for WLEDs
1996
Nichia
(light)
(Phosphor)
What is a phosphor ?
• Converts invisible, external energy to, mostly, visible
light.
• Constitutes of an inorganic host crystal and luminescent
centers randomly distributed in the host crystal.
• Mostly in a powder form. Each particle is a single
crystal with a mean diameter, typically, of 1-10mm.
ZnS:Ag,Cl (Blue) Y2O2S:Eu3+(Red) Spherical Y2O3 grown

ZnS:Cu,Al (Green) by plasma fusion
Important words related to a phosphor
•Phosphor; “light bearer” in Greek
•Phosphorescence; persisting light emission from
a substance after the exciting radiation has ceased.
•Fluorescence; short afterglow following excitation.
•Luminescence; includes both Phosphorescence
and Fluorescence.
Y3Al5O12；Yttrium Aluminum Garnet ( YAG )
Y(X)
X3(A3B2)O12
Al；Tetrahedral(A) Cubic (I a -3 d)
Engrgy transfer
Al；Octahedral(B)
H A A H
H H A H
H
H: Host (Y3Al5O12)
A Activator (Ce3+)
A: H A H H
H H A
A H
Ce3+
5d
4f
LED industry chain in Taiwan
Epistar
Equipment Lextar
Everlight
CYT、WEC、Single
Unity Opto Technology
Well、Fittech、
Lumileds (Shanghai)
Wecon Rapitech
Mitsubishi (Japan)
Merck (Germany)
Substrate Epi-Wafer Packaging Application
SAS、Crystal Epistar、Lextar、Huga 、 LiteOn、Everlight、 IST、Led Light、

Tekcore、GPI、Arima、 Kingbright 、Harvatek、 Chiphope、JE、Color
Wise、TXT、 Bright、Unity、AOT、
Touchtek、HPO、VPEC、 Stars、AKSLEN、Conary
Wafer Works Nan Ya VTERA、Tyntek、 Oasis、Optotech、Bright 、Genhome、Giant
View、Edison、Prolight、 Bright、Laster Tech、
Hightlight、Lumitek
Ligitek
Para Light
Sorting & Module Lead frame
YTEC、MPI、 I-Chiun、 -China glaze

Chroma Kenly、BCC
-Chi Mei
Source：PIDA, 2010/9
白光發光二極體之發展
CCFL LED
http://digiphoto.pixnet.net/blog/post/24444745
Competition of lighting equipments
Competition of lighting
equipments
Color
temperature (K)
2,500~3,000 3,000~10,000 3,000~10,000
Response time ＜100 ms ＜60 ms ＜0.001 ms
Luminescence
Heat Gas cold
Life time ~1,000 h ~ 5,000 h ~50,000 h
Electricity 100 % Saving 50 % Saving 90 %
consumable
Impact Easy broken Easy broken Not easy broken

Disadvantages Electricity consumable、 Mercury contamination、 High price
short life and easy easy broken
broken
Black Pearl-Nikkei
Taiwan LED Lighting Architecture (Nichia,7000sets)
Taipei Municipal Social Education Hall

(LumiLeds, 1W, 25 lm/W) MiramarHotel
TIR
NSC Science Technology Building

(Nichia, 1W, 20 lm/W)
Everlight
Ceiling
(~ 120 W/lamp; 45 LEDs; 3W/LED)
Taipei 2017 Universiade
8/19-30/2017
Opening Ceremony of International Horticultural Exhibition, Beijing
(4/28/2019)
Celebrating the 150th anniversary of Mendelev's periodic table in 2019
1869
12/4/2019@ Taipei 101
Published books
Ru-Shi Liu Xiao-Jun Wang
National Taiwan Univeristy Georgia Southern University
台灣大學化學系．材料化學實驗室
Materials Chemistry Laboratory
Department of Chemistry
National Taiwan University
第三代半導體材料
半導體材料的代際之分
1. 第一代半導體材料主要是指矽（Si）、鍺（Ge）的元素半導體材料。第一代半導體材料，
尤其是矽，在半導體器件的發展和應用中牢牢占據著統治地位，是大規模集成電路、模擬IC
、傳感器等器件的材料基礎，矽的加工技術是摩爾定律得以實現的基石。矽基晶片在電腦、
手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發展的新能源、矽太陽能產業中都得到了極為
廣泛的應用，致使產業外的很多人一提到半導體以為指的就是矽。
2. 第二代半導體材料主要是指砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等的化合物半導體材料，此
外還包含三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP，還有一些固溶體半導體如Ge-Si、GaAs-
GaP，玻璃半導體（又稱非晶態半導體）如非晶矽、玻璃態氧化物半導體，有機半導體如酞
菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
3. 第三代半導體材料是指以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）為代表的寬禁
帶半導體材料。在應用方面，根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電
力電子器件、雷射器和探測器、以及其他四個領域，每個領域產業成熟度各不相同。在前沿
研究領域，寬禁帶半導體還處於實驗室研發階段。
iCanX Talks (壓電電子學、壓電光電子學與
第三代半導體) (王中林教授) (5/21/2021)
 第三代半導體介紹
台灣大學化學系．材料化學實驗室
Materials Chemistry Laboratory
Department of Chemistry
National Taiwan University
第四代半導體材料
(Fourth-generation Semiconductor Materials)
一、半導體材料的代際之分
1. 第一代半導體材料主要是指矽（Si）、鍺（Ge）的元素半導體材料。第一代半導體材料，
尤其是矽，在半導體器件的發展和應用中牢牢占據著統治地位，是大規模集成電路、模擬IC
、傳感器等器件的材料基礎，矽的加工技術是摩爾定律得以實現的基石。矽基晶片在電腦、
手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發展的新能源、矽太陽能產業中都得到了極為
廣泛的應用，致使產業外的很多人一提到半導體以為指的就是矽。
2. 第二代半導體材料主要是指砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等的化合物半導體材料，此
外還包含三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP，還有一些固溶體半導體如Ge-Si、GaAs-
GaP，玻璃半導體（又稱非晶態半導體）如非晶矽、玻璃態氧化物半導體，有機半導體如酞
菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
3. 第三代半導體材料是指以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）為代表的寬禁
帶半導體材料。在應用方面，根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電
力電子器件、雷射器和探測器、以及其他四個領域，每個領域產業成熟度各不相同。在前沿
研究領域，寬禁帶半導體還處於實驗室研發階段。
4. 第四代半導體材料主要是以金剛石（C）、氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AlN）為代表的超寬
禁帶（UWBG）半導體材料，禁帶寬度超過4eV，以及以銻化物（GaSb、InSb）為代表的超窄
禁帶（UNBG）半導體材料。在應用方面，超寬禁帶材料會與第三代材料有交疊，主要在功率
器件領域有更突出的特性優勢；而超窄禁帶材料，由於易激發、遷移率高，主要用於探測器
、雷射器等器件的應用。
需要強調的是，實際上四個代際的半導體材料並不是後面的要取代前面，而是對矽材料形成
了重要補充。
氧化鎵材料的特性
氧化鎵是金屬鎵的氧化物，同時也是一種半導體化合物。其結晶形態截至目前已確認
有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β相最穩定。
圖：β相氧化鎵晶體結構
第四代半導體氧化鎵的機遇與挑戰
以碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體受到廣泛
的關注，人們對SiC在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫
、高壓場合，以及GaN在快充領域的應用前景寄予厚望，學術
界、投資界和產業界都認可其將發揮傳統矽器件無法實現的
作用。
然而，SiC 和 GaN 並不是終點，近年來日本對氧化鎵(Ga2O3
，後簡稱GaO，與GaN對照)的研究屢次取得進展，使這種第
四代半導體的代表材料走入了人們的視野，憑藉其比 SiC 和
GaN 更寬的禁帶、耐高壓、大功率等更優的特性，以及極低
的製造成本，在功率應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年
關於氧化鎵的研究又熱了起來。
本文由進化半導體材料有限公司供稿
原文網址：https://kknews.cc/finance/6rgygol.html

5 半導體與光電材料 1112 2021

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like

5 半導體與光電材料 1112 2021

Uploaded by

Document Information

Original Description:

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

5 半導體與光電材料 1112 2021

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

材料化學-半導體與光電材料

任課教師: 劉如熹 (臺灣大學化學系)

Simple representation of silicon atoms bonded

– Molecular orbitals have many of the same

– Two of the most important are :

(a) => 電子填入氫分子之MO1orbital (較氫原

(b) => 當電子分布在較高MO2能階時，則稱為

Lower in energy than the atomic orbitals of which it

※ Antibonding molecular orbital :

Higher in energy than the atomic orbitals of

Molecular electron configuration for H2 = s1s2

× Band structure of Semiconductor (Si)

Materials whose conductivity is controlled

Conduction band (CB)

Diagram to show interstitial diffusion in a semiconductor.

Two-step process for producing a junction

• In the past 40 years, the preferred method is “pre-

Comparison of thermal diffusion and ion implantation for selectively

k：波茲曼常數（Boltzman's constant）=1.38 10-23焦耳／K

• SSI: Small Scale Integration (<100)

中型積體電路(Medium Scale Integration) MSI 50 ~ 5,000

大型積體電路(Large Scale Integration) LSI 5,000 ~ 100,000

極大型積體電路(Very Large Scale Integration) VLSI 100,000 ~ 10,000,000

超大型積體電路(Ultra Large Scale Integration) ULSI 10,000,000 ~ 1,000,000,000

特大型積體電路(Super Large Scale Integration) SLSI 超過 1,000,000,000

 1947年聖誕前夕, AT&T 的 Bell 實驗室的 John Bardeen 及 Walter Brattain 展示第一個由鍺所製成的

 1949年 William Shockley 發表雙載子電晶體運作理論. 並預測接面式雙載子電晶體(BJT)將出現.

 1955年 Shockley 在舊金山南方成立 Shockley Semiconductor Lab. 帶動矽谷的成立.

 1956年 Shockley, Bardeen, Brattain 共同獲頒諾貝爾物理獎.

 1966年, Gordon 和 Robert 離開 Fairchild 並創立 Intel (濃縮Integrated electronics).

Fairchild Semiconductor International

Initial ox Initial ox Ini ox Ini ox

Si substrate Si substrate Si sub Si sub

Thin film module

Chip Cutting IC cross section

Bonding Packaging Final Test

小於0.014 微米 匣極的寬度 NEC Corporation

Light-Emitting Diode (LED)

• Visible spectrum emitted by direct bandgap semiconductor: III-V

GaN Buffer Layer

Isamu Akasaki Hiroshi Amano Shuji Nakamura

Color impression Wavelength (nm)

Sun in the Zenith

warm ambience cool ambience

low color temperature high color temperature

2000 K 3000 K 4000 K

ZnS:Ag,Cl (Blue) Y2O2S:Eu3+(Red) Spherical Y2O3 grown

SAS、Crystal Epistar、Lextar、Huga 、 LiteOn、Everlight、 IST、Led Light、

Sorting & Module Lead frame

YTEC、MPI、 I-Chiun、 -China glaze

Impact Easy broken Easy broken Not easy broken

Taipei Municipal Social Education Hall

NSC Science Technology Building

(~ 120 W/lamp; 45 LEDs; 3W/LED)

12/4/2019@ Taipei 101

You might also like

小於0.014 微米匣極的寬度 NEC Corporation