Лабораторна робота №3.

Транзистор у ключовому режимі.

1. Мета і зміст роботи
Мета роботи. Дослідити роботу транзистора в ключовому режимі
Зміст роботи. В роботі вимірюють нормальний BN та інверсний B I ко-
ефіцієнти передачі бази в режимі великого сигналу, напругу U КЕ НАС між ко-
лектором та емітером в режимі насичення , а також досліджують процес пе-
ремикання транзистора, вимірюють тривалість переднього та заднього фрон-
тів імпульсу колекторного струму, час розосередження носіїв в колекторі, ба-
зі, досліджують залежність цих величин від глибини насичення.
1. Теоретичний матеріал
Загальні відомості про ключовий режим роботи БТ
В РЕА часто виникає необхідність використання каскадів, котрі пропус-
кають сигнал або його не пропускають. Такі каскади називають ключовими.
Вони будуються на БТ, які працюють в режимі перемикання.
Ключовий режим БТ передбачає два стани: відкритий – закритий,
увімкнуто – вимкнуто. У цьому режимі БТ працюють у цифрових та імпу-
льсних пристроях: тригерах, мультивібраторах, регістрах, лічильниках, у ци-
фрових ІМС.
Каскад, у якому БТ працює в ключовому режимі, називають транзисто-
рним ключем. У ньому БТ підключається зі спільним емітером (СЕ), спіль-
ною базою (СБ), спільним колектором (СК). Найчастіше всього в якості клю-
ча використовується схема зі спільним емітером, тому що для керування та-
ким каскадом не потрібне потужне джерело керування.
У ключовому каскаді БТ може знаходитись у режимі відсічки (РВ), ко-
ли обидва переходи зворотно зміщені, опір емітер-колектор великий, струм
не тече і на БП падає напруга джерела живлення, в режимі насичення (РН),
коли протікає найбільший струм, опір емітер-колектор малий, на БП падає
мала напруга (0,1…05 В), і короткочасно – в активному режимі (АР).
Стаціонарні режими роботи транзисторного ключа
Транзисторний ключ виконує операцію замикання та розмикання елект-
ричного кола. При цьому транзистор переводиться з закритого стану у відк-
ритий (або навпаки) вхідною напругою, що подається на емітерний перехід.
У закритому стані транзистор має великий опір. Цей режим називають
режимом відсічки.
У відкритому стані транзистор має малий опір. Цей режим називають
режимом насичення.
 Таким чином, для того, щоб перемикати електричний ланцюг, транзис-
тор потрібно переводити з режиму відсічки в режим насичення і навпаки.
Найпростіша схема ключа на транзисторі зі СЕ наведена на рис. 9.1.

Рис. 1.1. Схема транзисторного ключа

Вхідним (керуючим) колом є коло бази, в якому діє джерело керуючої

напруги. Вихідним колом є коло колектора з джерелом живлення ЕК і опором
навантаження Rн.
У цій схемі транзистор перемикається за допомогою вхідних прямокут-
них імпульсів. Таке керування застосовується рідко.
Найчастіше використовується схема з напругою зміщення, яка забезпе-
чує початковий стан „відкрито” або „закрито”. Це показано на прикладі клю-
ча, виконаного на p-n-p транзисторі (рис.1.2).

Рис.1.2. Схеми ключів зі зміщенням:

а – початковий стан „закрито”; б – початковий стан „відкрито”

На рис.1.2 прийняті такі позначення: ЕКЕ – джерело колекторного жив-

лення; Езм – джерело зміщення; Uвх – вхідна напруга; Rн – опір навантаження.
Резистори R1 і R2 запобігають взаємному шунтуванню джерел Uвх і Езм.
Їх опори вибирають значно більшими, ніж прямий опір ЕП (у стані „відкри-
то”) і внутрішні опори джерел Uвх і Езм.
 Робота транзисторного ключа
Розглянемо схему транзисторного ключа на БТ (рис.1.2). В коло бази
транзистора включено джерело імпульсних сигналів – генератор прямокут-
них імпульсов uГ з внутрішнім опором RГ. В колі колектора включене наван-
таження RК і тому напруга колекторі uКЭ = EК - iКRК. Обмежимо розгляд ро-
боти схеми випадком ввімкнення в коло бази генератора струму, тобто вва-
жаємо, що внутрішній опір генератора RГ значно більше вхідного опору відк-
ритого транзистора і, відповідно іБ=uг/Rг. Часові діаграми, що відображають
процеси, які відбуваються в схемі, представлені на рис.1.4.
До моменту часу t0 uГ = EГ ОБР та струми iБ и iК відсутні (тепловими
струмами в колі колектора нехтуємо). Цей вихідний стан ілюструє точка А
(рис.9.3). Вона знаходиться на перетині навантажувальної лінії з вихідною
характеристикою, знятою при iБ=0 (транзистор знаходиться в режимі відсіч-
ки).

Рис.1.3. Робочі точки БТ в ключовому режимі

 Рис.1.4. Часові діаграми роботи в ключовому режимі

В момент часу t0 включається напруга uГ ПР і колі бази виникає струм іБ-

пряме=uг/Rг (рис.1.4,б). При цьому струм колектора iК виникає з затримкою  З
(рис.1.4,г). Час затримки tЗ визначається виникає тому, що колекторний
струм може з’явитися тільки після того, як електрони, що переходять з еміте-
ра в базу, досягнуть колекторного переходу. Це стане можливим, коли напру-
га на емітерному переході, по мірі заряду бар’єрних ємкостей , досягне поро-
гової величини U*, і він відкриється. Цей інтервал tЗ малий, і ним часто нех-
тують. В інтервалі часу t2 - t1 =  ф, що називається часом фронту, колектор-
ний струм росте за експоненціальним законом і досягає значення ІК-
НАСЕК/RK. Збільшення колекторного струмe визначається збільшенням пря-
мої напруги на емітерному переході (заряджає ємкість CЕ) і збільшенням кі-
лькості електронів, які переходять з емітера в базу і далі в колектор ( заряд
електронів в базі QБ зростає – рис.1.4,в). Рабоча точка (рис.1.3) переміщуєть-
ся вверх по навантажувальні лінії (транзистор знаходиться в активному ре-
жимі).
В залежності від величини ІБПРЯМ кінцеве положення РТ може бути або
в активному режимі, або в режимі насичення. Практичний інтерес представ-
ляє випадок, коли робоча точка глибоко заходить в режим насичення. Та-
ким чином, напруга uГ має бути такою за величиною, щоб забезпечити IБ ПР >
IБ min. ( IБ min=ІБнас – мінімальне значення струму бази, при якому транзистор
переходить в режим насичення). Закрити такий транзистор можна лише виві-
вши надлишковий заряд через активний режим. Надлишковий заряд Qнадл
складається з суми зарядів колектора в режимі насичення QКнас бази в режи-
мі насичення QБнас за мінусом заряду бази в активному режимі QБактив
(рис.1.5). Qнадл  QКнас  QБнас  QБактив .

Рис.1.5.Розподіл носії заряду в БТ

I БПР
Величину S  називають глибиною насичення. Час фронту  ф
I Кнас
залежить, як наголошувалося вище, від часу заряду ємкості CЕ, а також від
часу розряду ємкості CК, оскільки по мірі зростання i К напруга uКЕ зменшу-
ється (рис.9.4 д). Крім того, на величину часу  ф впливає величина IБПР,
оскільки від величини базового струму залежить швидкість заряду ємкості
CЕ. Залежність струму колектора в інтервалі  ф від часу апроксимують вира-
зом:
t
iK (t )  I КПР (1  exp ),
 OE
*

де IК ПР = h21ЭIБ ПР – величина струму колектора, яка відповідає струму

бази IБ ПР в статичному режимі ( фізично струм IК ПР може бути досягнутий,
якщо транзистор не переходить в режим насичення IБ ПР < IБ min);  ое* – пос-
тійна часу наростання струму колектора в схемі СЕ з врахуванням перезаря-
ду ємкості CК .
Тривалість фронту  ф дорівнює:
S
 ф   ое
*
ln
S 1
Звідси витікає, що  ф   ое , оскільки фронт закінчується під час перехо-
*

ду транзистора в режим насичення. Тривалість фронту зменшується при збі-

льшенні IБПР . У подальші після t2 моменти часу струм колектора iК і напруга
uКЕ залишаються постійними, проте заряд в базі транзистора QБ продовжує
наростати (рис.1.4,в) за рахунок інжекції електронів через відкриті емітерний
і колекторний переходи (транзистор працює в режимі насичення і струми ви-
значаються зовнішніми по відношенню до транзистора елементами схеми).
Розглянемо тепер процеси, що відбуваються в схемі після перемикання
напруги генератора на uОБР (момент часу t3,(рис.1.4,а), В інтервалі часу t3 - t4,
званому часом розсмоктування  рас, відбувається розсмоктування накопиче-
ного в базі заряду електронів, заряд зменшується внаслідок рекомбінації і ві-
дходу електронів в зовнішнє коло, що супроводиться появою струму I БОБР
(рис.1.4,б). Транзистор насичений, колекторний перехід залишається в відк-
EK
ритому стані і в колі колектора тече струм iK   I КНАС .
RK
Струм бази IБОБР також визначається зовнішнім колом. У момент часу
t4 заряд в базі QБ зменшується до значення QБАКТ і колекторний перехід за-
кривається (транзистор переходить в активний режим роботи). У інтервалі
часу t4 - t5, званому часом зрізу  с , відбувається подальше розсмоктування
заряду QБ, розряджається СЕ, заряджається ємкість СК, робоча точка перемі-
щується з положення в положення А (рис.9.3). Транзистор переходить в ре-
жим відсічки (обидва переходи закриті), струм колектора i К і струм бази IБ ОБР
зменшуються до нуля, а напруга uКЭ виростає до величини EК.
Величини  рас та  с можуть бути знайдені з виразів, справедливих при
IБзвор >>IБmin:
 I Бпрям
 РАС   n ln( 1  )
I Бзв ор
1
 С   0*E ln( 1  )
n1
де:  n - час життя електронів в базі в режимі насичення; n1 
I Бзв ор
.
I Бм ін
Звідси витікає, що для зменшення часу розсмоктування необхідно зме-
ншувати час життя неосновних носіїв  n (електронів) в базі (для цього стру-
ктури імпульсних транзисторів легують золотом). Крім того, можна зменшу-
вати IБПР (хоча при цьому збільшуватиметься час фронту  ф) і збільшувати
IБОБР. Величини  з,  ф,  рас,  с для імпульсних транзисторів приводяться в
довідковій літературі.

2. Схема вимірювань (на фізичному макеті)

Рис 2.1. Схема вимірювання імпульсних характеристик транзистора

На рис.2.1 приведена схема вимірювання нормального BN та інверсного

B I коефіцієнтів передачі струму бази, вимірювання напруги між колектором
та емітером в режимі насичення U КЕ НАС , і дослідження процесу перемикан-
ня. При вимірюванні BN і B I всі зовнішні прилади мають бути від’єднанні.
При вимірюванні BN перемикачі S1 , S 3 , S 4 знаходяться в положенні 1,
S5 - в положенні 2.
Для вимірювання залишкової напруги U КЕ НАС між колектором та еміте-
ром в режимі насичення, в коло колектора вмикають резистор навантаження
R3 перемиканням S5 в положення 1.
 Напруга U КЕ НАС вимірюється зовнішнім мілівольтметром постійного
струму між гніздами Х4 і Х5.
При дослідженні режиму перемикання транзистора зовнішній міліволь-
тметр від’єднується, а до макету під’єднують генератор імпульсів і осцилог-
раф. Під’єднуючи вхід Y осцилографа почергово до гнізд Х1, Х3, Х4 можна
дослідити форму імпульсу напруги відповідно імпульсного генератора, бази і
колектора.

3.Завдання
1. Зібрати схему вимірювання нормального коефіцієнта BN передачі
струму бази. Поставити перемикачі S1 , S 3 , S 4 в положення 1, перемикач
S 5 - в положення 2 (рис. 3.1).
2. Виміряти коефіцієнт BN , врахувавши співвідношення:
I K  I КБ 0
ВN  .
I Б  I КБ 0
Струм бази встановити рівним 25 мкА резистором R1.1 за показанням
мікроамперметра 2. Резистором R2.2 встановити напругу на колекторі U КЕ =
5 B за показанням вольтметра 6. Величину струму колектора I К виміряти мі-
ліамперметром 5. Значення I КБ0 для заданої напруги U КБ = 5 В взяти
I КБ0 =10 мкА.
3. Зібрати схему вимірювання інверсного коефіцієнта струму бази B I .
Для цього перемикач S 4 перевести в положення 2.
І  І ЕБ 0
4.Виміряти Bi , врахувавши співвідношення: ВІ  К
І Б  І ЕБ 0
Встановити резистором R1.1 струм бази I Б = 100 мкА за показанням мі-
кроамперметра 2. Резистором R2.2 встановити напругу U КЕ = 5 B, за пока-
занням вольтметра 6. Величину струму колектора I К виміряти міліамперме-
тром 5.
Значення I ЕБ0 для заданої напруги U ЕБ = 5 В, взяти I ЕБ0 = 5 мкА.
5. Зібрати схему вимірювання залишкової напруги між колектором і емі-
тером для нормального ввімкнення транзистора в режимі насичення. Пере-
микачі S1 , S 3 , S 4 , S 5 в положенні 1.
6. Виміряти залишкову напругу U КЕ НАС в режимі I Б = 100 мкА, I К = 2
мА. Струм бази I Б регулюється резистором R1.1 за показанням мікроампер-
метра 2, струм колектора I К  резистором R2.2 за показанням міліампермет-
ра 5. Напругу U КЕ НАС виміряти зовнішнім мілівольтметром між гніздами X4,
X5.
7. Зібрати схему дослідження процесу перемикання транзистора в нор-
мальному ввімкненні. Перемикачі S1 , S 4 , S 5 поставити в положення 1, S 3 в
положення 2.
8. Дослідити режим перемикання. Осцилограми замалювати. Глибину
насичення встановити S = 0; 1; 5.

4. Методичні вказівки
Процес перемикання досліджується в двох режимах.
Перший режим - струм бази транзистора в початковому стані дорівнює
нулю. (Резистор R1.1 в крайньому лівому положенні).
Другий режим - транзистор знаходиться в стані відсічки, ІБ = - I КБ0 .
В обох режимах досліджують форму імпульсу струму колектора в зале-
жності від глибини насичення транзистора. Глибиною насичення називають
І  І Б .НАС
величину S  Б ,
І Б .НАС
де I Б струм бази в режимі насичення більший ніж I Б НАС .
I Б НАС  мінімальний струм бази, за якого транзистор переходить в ре-
І К.НАС
жим насичення і який дорівнює І Б.НАС  .
ВN
Встановити полярність вихідних імпульсів генератора імпульсів негати-
вною (для ввімкнення транзистора pnp). Тривалість імпульсів 10 мкс. Ос-
цилограф ввімкнути в коло зовнішньої синхронізації. Виконати вимірювання
в двох режимах:
а) струм бази транзистора в початковому стані дорівнює нулю. Для цьо-
го резистор R1.1 вивести в крайнє ліве положення. Вхід Y осцилографа
під’єднати до гнізда Х4 (замість мілівольтметра). Змінюючи амплітуду імпу-
льсів генератора, отримати зображення імпульсу струму колектора на екрані
осцилографа для глибини насичення S = 0. Збільшивши амплітуду імпульсів
генератора в 2 і 6 разів, отримати зображення імпульсів колекторного струму
для глибини насичення S = 1 та S = 5 відповідно. Замалювати всі три осцило-
грами на одній координатній системі.
б) струм бази транзистора в початковому стані дорівнює I Б = I КБ0 , що
відповідає режиму глибокої відсічки транзистора. Для цього резистором R1.1
за вольтметром 1 встановлюється зворотна напруга U БЕ = 5 В. Повторити ви-
мірювання які оговорені в п. а).
 При проведенні імпульсних вимірювань підтримувати резистором R2.2
напругу живлення колектора 5 В за вольтметром 6.
На рис.4.2 приведені приблизний вигляд осцилограм базового і колекто-
рного струмів транзистора в режимі перемикання.

Рис.4.2. Осцилограми струмів транзистора в режимах перемикання

5. Оброблення результатів вимірювань

За отриманими осцилограмами струму колектора необхідно:
1. Побудувати графік залежності тривалості переднього фронту імпульса
струму колектора t ЗР від глибини насичення S t ЗР = f(S), для обох режимів.
Значення t ЗР взяти з осцилограми струму колектора.
2. Побудувати графік залежності часу розосередження t Р від глибини
насичення S t Р = f(S), для обох режимів. Значення t Р взяти з осцилограм
струму колектора.
3.Визначити тривалість заднього фронту імпульсу струму колектора tС
при S = 1 для обох режимів.
6. Виконання роботи на віртуальному макеті
1. Зібрати схему вимірювання коефіцієнта BN передачі струму бази
(рис. 6.1). Виставити наступні номінали елементів:
1. Джерела напруги V1 та V2 ─ 12В.
2. Потенціометри R1 та R5 ─ 2.2 кОм.
3. Резистори R2, R3 ─ 43 кОм та R4 ─ 1 кОм.
Транзистор можна вибрати будь-який, наприклад той що використову-
вали в попередній роботі (наприклад 2N4403).
 Рис. 6.1 Схема для вимірювання нормального коефіцієнта BN.
I K  I KБ 0
BN  (3.1)
I Б  I KБ 0
Струм бази встановити рівним 25 мкА потенціометром R1 за показанням ам-
перметра U1. Потенціометром R2 встановити напругу на колекторі UКЕ=5В за
показанням вольтметра U4. Величину струму колектора виміряти ампермет-
ром U3. Значення IКБ0 для заданої напруги UКБ =5 зміняти IКБ0=10мкА.
Після вимірювань отримаємо BN= 27.
2. Зібрати схему вимірювання інверсного коефіцієнта BІ передачі струму бази
( Рис. 6.2).

Рис. 6.2 Схема для вимірювання інверсного коефіцієнта BI.

I K  I EБ 0
BI  (3.2)
I Б  I EБ 0
Струм бази встановити рівним 100 мкА потенціометром R1 за показанням
амперметра U1. Потенціометром R2 встановити напругу на колекторі UЕК=5В
за показанням вольтметра U4. Величину струму колектора виміряти ампер-
метром U3. Значення IЕБ0 для заданої напруги UЕБ =5 зміняти IЕБ0=5мкА. Піс-
ля вимірювань отримаємо BІ= 0,037.
3. Зібрати схему вимірювання залишкової напруги між колектором і емітером
для нормального ввімкнення транзистора в режимі насичення (рис.6.3). Для
цього, замкнути ключ J6.
 Рис.6.3 Схема для вимірювання залишкової напруги.

4. Виміряти залишкову напругу UKE НАС в режимі IБ = 100 мкА, IК = 2мА.

Струм бази регулюється потенціометром R1 за показанням амперметра U1,
струм колектора ─ потенціометром R2 за показанням амперметра U3. Напру-
гу UKE НАС виміряти вольтметром U6. UKE НАС = 0.155 В.
5. Зібрати схему дослідження процесу перемикання транзистора у нормаль-
ному ввімкненні (рис.6.4) .

Рис.6.4 Схема для дослідження процесу перемикання.

Додаємо у схему генератор прямокутних імпульсів та осцилограф (рис.6.5).

 Рис.6.5 Розташування генератора прямокутних імпульсів та осцилографа.

Встановлюємо потрібні нам параметри подвійним кліком лівою клавішею

миші по генератору рис.6.6.

Рис.6.6 Потрібні нам параметри генератора.

6. Досліджуємо процес перемикання у першому режимі. Для цього струм ба-

зи колектора в початковому стані дорівнює 0. Змінюючи амплітуду імпульсів
генератора, отримати зображення імпульса струму колектора на екрані осци-
лографа для глибини насичення S = 0. Збільшивши амплітуду імпульсів гене-
ратора в 2 і в 6 разів, отримати зображення імпульсів колекторного струму
для глибини насичення S = 1 та S = 5 відповідно.
7. Повторити п.6 для випадку коли транзистор знаходиться у глибокому стані
відсічки. Для цього встановити потенціометром R1 за вольтметром U1 зворо-
тну напругу UБЕ = 5В. При проведенні імпульсних вимірювань, підтримувати
потенціометром R5 напругу живлення колектора рівною 5В.
8. Осцилограми колекторного струму колектора.
Перший режим:

Рис.6.7 Колекторний струм для S = 0.

Рис.6.8 Колекторний струм для S = 1.

 Рис.6.9 Колекторний струм для S = 5.

Другий режим:

Рис.6.10 Колекторний струм для S = 1

 .

Рис.6.11 Колекторний струм для S = 5.

8. Побудувати графіки залежності t ЗР  f (S ), t р  f (S ) .

6. Зміст звіту
2. Схема досліджень.
3. Прямий та інверсний коефіцієнти передачі струму бази BN , B I .
4. Залишкова напруга між колектором і емітером U КЕ НАС , в режимі наси-
чення.
5. Всі отримані осцилограми струму колектора.
6. Графіки залежності t ЗР  f (S ), t р  f (S ) .
7. Значення tC  f (S ) для двох режимів при S = 1, S = 5.
8. Висновки.
7. Контрольні запитання
1. Основні режими роботи транзистора: активній (нормальний та інверс-
ний), відсічки, насичення.
2. Що таке глибина насичення транзистора?
3. Що таке час вмикання і вимикання транзистора?
4. Що таке залишкова напруга транзистора?
5. Як визначається коефіцієнт передачі струму бази в режимі великого
сигналу?
6. Що таке надлишковий заряд в транзисторі?
 7. Процеси виведення зарядів з бази, колектора.
8. Що таке швидкодія інвертора?

Список рекомендованої літератури

1. Елементна база радіоелектронної апаратури: В 4 ч. Ч. 3. Багатоперехідні
структури [Електронний ресурс]: навч. посіб. для студ. спеціальності
172 «Телекомунікації та радіотехніка» / КПІ ім. Ігоря Сікорського; уклад.:
В.О.Піддубний, І.О.Товкач. – Електронні текстові дані (1 файл: 3,09
Мбайт). – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2021. – 134 с. URL
https://ela.kpi.ua/bitstream/123456789/41348/1/EBRA_3.pdf