1

MỤC LỤC

MỤC LỤC..................................................................................................................................................2
A.VẼ HỌ ĐẶC TUYẾN RA IC = f(UCE) BẰNG OXILO...................................................................3
A.1. Cơ sở lý thuyết.............................................................................................................................3
A.2. Các thiết bị cần dùng thí nghiệm.................................................................................................4
A.3. Các bước tiến hành thí nghiệm....................................................................................................5
A.4. Báo cáo kết quả............................................................................................................................7
B. ĐO CÁC THAM SỐ TÍN HIỆU NHỎ TRONG SƠ ĐỒ TƯƠNG ĐƯƠNG VẬT LÝ , re, rc
CỦA BJT...............................................................................................................................................10
B.1. Cơ sở lý thuyết...........................................................................................................................10
B.2. Các thiết bị cần dùng thí nghiệm...............................................................................................10
B.3. Các bước tiến hành thí nghiệm..................................................................................................11
B.4. Báo cáo thí nghiệm....................................................................................................................12
TÀI LIỆU THAM KHẢO.....................................................................................................................17

2
 BÀI 3. ĐO HỌ ĐẶC TUYẾN RA CỦA BJT BẰNG OXILO

A. VẼ HỌ ĐẶC TUYẾN RA IC = f(UCE) BẰNG OXILO

A.1. Cơ sở lý thuyết
- Tranzito tiếp giáp lưỡng cực là một linh kiện bán dẫn gồm có 3 miền bán dẫn P,N được
xếp xen kẽ với nhau viết tắt là BJT (Bipolar Junction Transistor). Tùy theo trình tự sắp
xếp các miền bán dẫn P,N mà có 2 loại Tranzito tiếp giáp lưỡng cực: Tranzito PNP,
Tranzito NPN .
- Ký hiệu và hình ảnh của Tranzito:
C
IE

IB
B

IC
E
a) Ký hiệu, các dòng điện và điện áp b) Ký hiệu của Tranzito
của Tranzito NPN PNP
Hình 3-1: Ký hiệu cả Tranzito NPN và PNP

Hình 3-2: Sơ đồ chân của một vài loại Tranzito NPN và PNP
Với Tranzito ngược hay thuận đều có các họ đặc tuyến vào/ra tùy thuộc vào cách mắc
mạch của Tranzito (có 3 dạng mắc mạch cơ bản của Tranzito: Mắc kiểu Emitơ chung –
EC, mắc kiểu bazơ chung – BC, mắc kiểu Colectơ chung – CC,)
Ví dụ: Tranzito mắc kiểu EC thì có:

3
a) Họ đặc tuyến vào Ib = f(UBE) UCE=const

I B(µA)
UCE3
UCE2
UCE1
UCE3 < UCE2 < UCE1

0
UBE(v)
Hình 3-3: Đặc tuyến vào của BJT ( loại Si )

b) Họ đặc tuyến ra IC = f (UCE) IB =const

I C(mA)
IB4  IB3  IB2  IB1 IB0

IB4 IB3 IB2

IB1
IB0

0
UCE(v)
Hình 3-4: Đặc tuyến ra của
BJT

A.2. Các thiết bị cần dùng thí nghiệm

- Oxilo 2 kênh
- Đồng hồ vạn năng
- Pannel thí nghiệm
- Các linh kiện điện tử để lắp mạch: Tranzito NPN C2383; điện trở 0,1KΩ, 0,56KΩ,
10KΩ, 100KΩ.

A.3. Các bước tiến hành thí nghiệm

 Chuẩn thiết bị trước khi đo:
- Bật công tắc Power của Oxilo
- Mắc đầu đo kênh CH1 và CH2 vào điểm CAL có ghi giá trị chuẩn (1Vpp hoặc 2Vpp
tùy theo Oxilo) trên Oxilo.
- Điều chỉnh chiết áp Calib (nút chuẩn độ lớn tín hiệu) sao cho giá trị đo được trên màn
hình đúng bằng giá trị mà điểm CAL đã ghi.
 Các bước tiến hành bài thí nghiệm
Bước 1:
- Mắc mạch như sơ đồ hình dưới đây (hình 3-5 ):
oscilloscope

D R1 18V~
R
0,1K
Rc 0,56K
100K
CH1 (Y) CH2 (X)
100K C
S ARBB
C2383
100K 10K E
1 2
+
+ 5V

Hình 3-5: Mạch đo đặc tuyến ra

Bước 2:
- Kết nối các kênh đo của Oxilo như sơ đồ trên
Công tắc S ở chế độ hở mạch (điểm 1)
c) Vặn núm điều chỉnh cường độ sáng Intensity của Oxilo về cực tiểu (vặn hết cỡ về
phía trái để tránh hỏng đèn hình)
Bước 3: Thiết lập chế độ quét của Oxilo ở chế độ XY (bằng cách ấn nút ở vị trí XY).
Tăng dần độ sáng vừa phải (vặn từ từ chiết áp Intensity theo chiều kim đồng hồ). Khi đó
trên mà hình Oxilo chỉ còn một điểm sáng, điều chỉnh điểm sáng về gốc tọa độ (ở giữa
màn hình)
Bước 4: Bật công tắc nguồn S (đưa về vị trí 2) từ pannel thí nghiệm.
 Khi đó trên màn hình của Oxilo hiển thị dạng tín hiệu như hình 3-6 trên (nhận được
trên màn hình Oxilo).
Bước 5: Vẽ lại dạng đặc tuyến vừa đo được và tính Ic1
Đo dòng tĩnh IB bằng cách đo URB trong 3 trường hợp (khi đó gỡ bỏ nguồn ~18V) và dùng
đồng hồ vạn năng để đo UAB.
UAB
IB 
RB

Trên màn hình Oxilo hiển thị dạng đặc tuyến khi thay đổi với giá trị R=100KΩ
Đo dòng IB1
Bước 6: Mắc thêm điện trở có giá trị 100K song song với điện trở R

Đo dòng IB2. Tương tự mắc thêm điện trở có giá trị 100K nữa sẽ đo được dòng IB3
Bước 7: Quan sát và vẽ lại dạng đặc tuyến vừa đo được (ứng với R=100K//100K)

Bước 8: Tiếp tục mắc thêm điện trở có giá trị 100K song song với 2 điện trở R.
Đo dòng IB3
Bước 9: Quan sát và vẽ lại dạng đặc tuyến vừa đo được
(ứng với R=100K//100K//100K) Ic (mA)
R = 100KΩ//100KΩ//100KΩ Ib3= const CH1

R = 100KΩ//100KΩ Ib2= const

R = 100KΩ Ib1= const

U(V)
+ 0 CH2

Hình 3-6: Đặc tuyến ra của BJT ứng với 3 mức dòng Ib
A.4. Báo cáo kết quả.

Mạch mô phỏng trên NI Multisim

Mạch đo đặc tuyến ra

a) Vẽ dạng đặc tuyến đo được (dòng Ic) ứng với 3 giá trị điện trở R (tức ứng với 03 giá
trị của Ib) trên cùng một đồ thị.
 100k Ω 100k Ω //100k Ω 100k Ω //100k Ω // 100k Ω

Hình 3-7: Kết quả đo được từ thực nghiệm

Tính các giá trị dòng Ic đo được khi thay đổi giá trị R?

U CD 9.34
IC1 = R = 560 = 16.67 mA.
c

U CD 14.1
IC2 = R = 560 = 25.18 mA.
c

U CD 15.1
IC1 = R = 560 = 26.96 mA.
c

b) Nhận xét đặc tuyến vừa đo được và so sánh với lý thuyết?

Đặc tuyến đo được có hình dạng giống với lý thuyết.
c) Tính các dòng IB thông qua các ở các bước 5, 6, 7, 8
U AB 1 0.389
IB1 = R = 10000 = 38.9 μA.
B

U AB 2 0.71
IB2 = R = 10000 = 71 μA.
B

U AB 3 0.982
IB3 = R = 10000 = 98.2 μA.
B

d) Xác định dòng điện IB một chiều ứng với 3 trường hợp đo UBE khi thay đổi giá trị điện
trở R theo công thức sau:

5V  U BE
I 
R  RB
B

Với 3 trường hợp như trên, tính các dòng IB thông qua các UBE đã đo (so sánh với dòng
IB đo được như ở các bước 5, 6, 7, 8)
5−U BE 1 5−0.7
IB1 = R+ R = 100 k +10 k = 39 μA.
B

5−U BE 2 5−0.7
IB2 = R+ R = 50 k +10 k = 71.67 μA.
B

5−U BE 3 5−0.7
IB3 = R+ R = 100 k +10 k = 99.23 μA.
B
3

Lưu ý: Dòng IB1 tính tương ứng với khi điện trở R=100KΩ
Dòng IB2 tính tương ứng với khi 2 điện trở R=100KΩ mắc song song
Dòng IB3 tính tương ứng với khi 3 điện trở R=100KΩ mắc song song
B. ĐO CÁC THAM SỐ TÍN HIỆU NHỎ TRONG SƠ ĐỒ TƯƠNG ĐƯƠNG
VẬT LÝ , re, rc CỦA BJT
B.1. Cơ sở lý thuyết
- Các tham số tín hiệu của Tranzito phụ thuộc vào mô hình tương đương (mô hình tham
số H, Z, Y và mô hình tương đương vật lý). Các tham số còn phụ thuộc vào cách mắc
(BC, EC, CC) sẽ có các ký hiệu và giá trị khác nhau. Thông thường người ta đo ở tần
số thấp và trung bình hay sử dụng mô hình tham số H và mô hình tương đương vật lý

(mô hình tham số re – xem trong giáo trình Cấu kiện Điện tử)
- Trong bài thí nghiệm này sẽ đo các tham số của Tranzito theo mô hình tương đương
vật lý mắc theo mạch EC bao gồm một số thông số quan trọng sau:
ac : Hệ số khuếch đại dòng điện tín hiệu xoay chiều
ac 
dIc UCE= const
dIb

re là điện trở tiếp xúc Emitơ ( nếu coi Ie  Ic) ta sẽ có :

re 
dUbe UCE= const
dIc

re có thể đo thông qua điện trở vào của Tranzito mắc theo Emitơ chung theo công thức:
Rv  βacre re
Rv
 ac

Với
Rv  UCE= const
dUbe
dIb

rc là điện trở tiếp xúc Colector (hay còn gọi là điện trở ra trong sơ đồ tương đương)
dUc
rc  IB= const
dIc

B.2. Các thiết bị cần dùng thí nghiệm

- Oxilo 2 kênh
- Máy phát tín hiệu
- Pannel thí nghiệm
- Các linh kiện điện tử để mắc mạch: Tranzito NPN C2383; điện trở 0,1KΩ, 0,56KΩ
10KΩ, 100KΩ và tụ điện 10F.
B.3. Các bước tiến hành thí nghiệm
- Mắc mạch điện như sơ đồ hình 3-8 dưới đây:
R1 oscilloscope
D
+12V 0,1K

Rc0,56K
CH1 Y CH2 X
C
C A RB B
+
C2383
10K E
10F

M R2
100K
Đầu đo
Máy phát
tín hiệu+5V

Hình 3-8: Mạch đo các tham số , re, rc của Tranzito mắc theo sơ đồ EC

a) Đo βac, re:

- Đặt đầu ra của máy phát tín hiệu tại điểm M.

- Bật công tắc nguồn của Pannel thí nghiệm, máy phát tín hiệu và Oxilo.
- Thiết lập Oxilo ở chế độ quét bình thường và điều chỉnh tín hiệu Ura từ máy phát tín
hiệu (điểm M) có biên độ đỉnh - đỉnh (Upp=0,5V) để tần số f = 10KHz. Bật chuyển
mạch chế độ đo của kênh CH1 về vị trí GND sau đó điều chỉnh tia sáng trùng với đường
kẻ ngang trên Oxilo phía cuối màn hình, (kênh CH2 cũng làm tươngtwj như vậy) sau đó
bật chuyển mạch về chế độ đo của Oxilo kênh đo CH1 và CH2 ở vị trí đo DC. CH2
dùng để đo điện áp vào tại điểm A. Dùng đầu đo CH1 để đo lần lượt tại các điểm B, C,
D ta sẽ có dạng UB~, UC~, UD~, (tính giá trị điện áp xoay chiều đỉnh - đỉnh). Các tham số
được tính theo công thức sau:
iC ~ UC ~  UD ~ UA~ UB~ UC ~ UD ~ UA~ UB~
  :
 :
iB ~ RC R 560 10.000
B

U BE ~
R  UB ~  UB ~ 10000
V 
RB
 iB ~ UA~  U UA~  U
B~ B~

Tính Rv
re
 ac

b) Đo rc:
- Chuyển đầu ra của máy phát tín hiệu đến điểm D. Đặt giá trị tín hiệu ra máy phát
có giá trị đỉnh đỉnh từ 2 ÷ 4V/10KHz như hình 3-9 dưới đây:

R1 oscilloscope
D
+12V 0,1K

Rc0.56K
CH1 Y CH2 X
C
Rb C2383
E
10K

: Máy phát M R2
100K
tín hiệu
+5V

Hình 3-9: Mạch đo các tham số , re, rc của Tranzito mắc theo sơ đồ EC

- Đo UD~ , UC~ tính giá trị đỉnh đỉnh (Để tính được rc theo mạch mắc trên, cần đảm bảo

rc » Rc . Trong mạch Emitơ chung thì rc thường có giá trị từ 40KΩ ÷ 50KΩ , trong khi
trong mạch chọn Rc = 0,56KΩ , như vậy là phù hợp điều kiện đặt ra) và rc được tính là:
UD ~
r  UD ~  U 560
C  D~
RC
iC ~ UD ~  U UD ~  U
C~ C~

B.4. Báo cáo thí nghiệm

- Đo và vẽ dạng tín hiệu U(vào) và tại các điểm: A, B, C, D
Đo βac, re: Vpp = 0.5V, f = 10 kHz
Hình 3-10: Tín hiệu tại điểm A

Hình 3-11: Tín hiệu tại điểm B

 Hình 3-12: Tín hiệu tại điểm C

Hình 3-13: Tín hiệu tại điểm D

Đo rc: Vpp = 4V, f = 10 kHz

Hình 3-14: Tín hiệu tại điểm C

Hình 3-15: Tín hiệu tại điểm D

 - Tính các giá trị: ac, re, rc.
Mạch hình 3-9:
- UA~ = 498.53 mV
- UB~ = 31.92 mV
- UC~ = 7.17 V
- UD~ = 1.09 V
i c U C −U D U A −U B
β ac = = : ≈ 234
iB RC RB
U BE U B x RB
Rv = i = U −U ≈ 684.08 Ω
B A B

Rv
re ≈ β = 2.92Ω
ac
UD U D x RC
rc = = ≈ 100.39 Ω
iC U C −U D