物 理 化 学 学 报

Acta Phys. -Chim. Sin. 2022, 38 (1), 2101013 (1 of 16)

[Review] doi: 10.3866/PKU.WHXB202101013 www.whxb.pku.edu.cn

Recent Progress on Thermal Conduction of Graphene

Houfu Song 1, Feiyu Kang 1,2,3,*

1 Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI), Tsinghua University, Shenzhen 518055, Guangdong Province, China.
2 Tsinghua Shenzhen International Graduate School, and Guangdong Provincial Key Laboratory of Thermal Management
Engineering & Materials, Shenzhen 518055, Guangdong Province, China.
3 Shenzhen Geim Graphene Research Center, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen

518055, Guangdong Province, China

Abstract: With the irreversible trend of miniaturization and the pursuit of a high power
density in electronic devices, heat dissipation has become crucial for designing next-
generation electronic products. Graphene, which has the highest thermal conductivity
among all discovered solid materials, has attracted attention from both academia and
the industry. As a two-dimensional material with atom-scale thickness, graphene is
suitable for investigating the phonon transport behavior at reduced dimensions. The
mass production technique of graphene makes it a promising material for thermal
management in consumer electronics, information technology, medical devices, and
new energy automobiles. In this review, we summarize the recent progress on the
thermal conduction of graphene. In the first part, we introduce the thermal conductivity
measurement methods for graphene, including the optothermal Raman method,
suspended-pad method, and time-domain thermoreflectance (TDTR) method. The thermal measurement of graphene with
high accuracy is key to understanding the heat transfer mechanism of graphene; however, it is still a significant challenge.
Despite the development of measurement methods, the thermal measurement of suspended single-layer graphene is
limited by the graphene transfer technique, estimation of the thermal contact resistance, sensitivity to the in-plane thermal
conductivity in the thermal model, and other factors. In the second part, we discuss the theoretical study of the thermal
conductivity of graphene via first principle calculations and molecular dynamics simulation. The “selection rule” of phonon
scattering explains the thickness-dependent thermal conductivity of few-layer graphene, and the understanding of the
contribution of phonon modes to the thermal conductivity of graphene has been updated recently by taking multiple-phonon
scattering into consideration. The size effect on the thermal conductivity of graphene is discussed in this section for a better
understanding of the phonon transport behavior of graphene. In the third part, we conclude with the thermal management
applications of graphene, including a highly thermally conductive graphene film, graphene fiber, and graphene-enhanced
thermal interface materials. For graphene films, which are the pioneering thermal management applications in industrial
use, we focus on the challenge of fabricating highly thermally conductive graphene films with large thicknesses and
propose possible technical methods. For graphene-enhanced thermal interface materials, we summarize the main factors
affecting the thermal properties and discuss the tradeoff between the high thermal conductivity of graphene flakes and the
dispersibility of graphene in the polymer matrix. It was demonstrated that a 3D thermal conductive network is essential for
efficient heat dissipation in graphene-based composites. Finally, a summary of opportunities and challenges in the thermal
study of graphene is presented at the end of the review. Research on the thermal properties of graphene has made
immense progress since the discovery of the thermal conductivity of graphene more than a decade ago, and will continue
in order to address the urgent requirements of thermal management.

Key Words: Graphene; Thermal conductivity; Phonon; Thermal interface material; Suspended pad; Size effect

Received: January 7, 2021; Revised: February 4, 2021; Accepted: February 8, 2021; Published online: February 25, 2021.
*
Corresponding author. Email: fykang@sz.tsinghua.edu.cn.
The project was supported by the Science and Technology Planning Project of Guangdong Province, China, and Shenzhen Geim Graphene Research Center.
广东省科技计划项目(2020B1212060015)及深圳盖姆石墨烯研究中心资助
© Editorial office of Acta Physico-Chimica Sinica
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石墨烯导热研究进展
宋厚甫 1，康飞宇 1,2,3,*
1 清华大学，清华-伯克利深圳学院，广东 深圳 518055
2 清华大学深圳国际研究生院，广东省热管理工程与材料重点实验室，广东 深圳 518055
3 清华大学深圳国际研究生院，深圳盖姆石墨烯研究中心，广东 深圳 518055

摘要：石墨烯具有目前已知材料中最高的热导率，在电子器件、信息技术、国防军工等领域具有良好的应用前景。石墨烯导
热的理论和实验研究具有重要意义，在最近十年间取得了长足的发展。本文综述了石墨烯本征热导率的研究进展及应用现
状。首先介绍应用于石墨烯热导率测量的微纳尺度传热技术，包括拉曼光谱法、悬空热桥法和时域热反射法。然后展示了石
墨烯热导率的理论研究成果，并总结了石墨烯本征热导率的影响因素。随后介绍石墨烯在导热材料中的应用，包括高导热石
墨烯膜、石墨烯纤维及石墨烯在热界面材料中的应用。最后对石墨烯导热研究的成果进行总结，提出目前石墨烯热传导研究
中存在的机遇与挑战，并展望未来可能的发展方向。

关键词：石墨烯；热导率；声子；热界面材料；悬空热桥法；尺寸效应
中图分类号：O649

1 引言 墨烯填充的热界面复合材料热导率比聚合物产生
石墨烯是具有单原子层厚度的二维材料，因为 数倍提高，并且填料比低于传统导热填料11。石墨
其独特的电学、光学、力学、热学性能而备受关 烯无论作为自支撑导热膜，还是作为热界面材料
注 1–5。相对于电学性质的研究，石墨烯的热学性质 的导热填料，都将在下一代电子元件散热应用中
研究起步较晚。2008年，Balandin课题组6用拉曼光 发挥重要价值12。
谱法第一次测量了单层石墨烯的热导率，观察发现 本文综述了石墨烯热导率的测量方法、石墨烯
石墨烯热导率最高可达5300 W·m−1·K−1，高于石墨 热导率的研究结果以及石墨烯导热的应用。首先介
块体和金刚石，是已知材料中热导率的最高值，吸 绍石墨烯的三种测量方法：拉曼光谱法、悬空热桥
引了研究者的广泛关注。随着理论研究的深入和测 法和时域热反射法。然后介绍石墨烯热导率的测量
量技术的进步，研究发现单层石墨烯具有高于石墨 结果，包括其热导率的尺寸依赖、厚度依赖以及通
块体的热导率与其特殊的声子散射机制有关，成为 过缺陷、晶粒大小等热导率调控方法。随后介绍石
验证和发展声子导热理论的重要研究对象7,8。 墨烯导热的应用，主要包括高导热石墨烯膜、石墨
对石墨烯热导率的研究很快对石墨烯在导热 烯纤维及石墨烯导热填料在热界面材料中的应用。
领域的应用有所启发。随着石墨烯大规模制备技 最后对石墨烯导热研究的发展进行展望。
术的发展，基于氧化石墨烯方法制备的高导热石
墨烯膜热导率可达~2000 W·m−1·K−1 9。高导热石墨 2 石墨烯热导率的测量方法
烯膜的热导率与工业应用的高质量石墨化聚酰亚 由于石墨烯的厚度为纳米尺度，商用的测量
胺膜相当，且具有更低成本和更好的厚度可控性10。 设备(激光闪光法、平板热源法等)无法准确测量
另一方面，石墨烯作为二维导热填料，易于在高分 其热导率，需要采用微纳尺度热测量方法。常见
子基体中构建三维导热网络，在热界面材料中具 的微纳尺度传热测量技术包括拉曼光谱法、悬空
有良好应用前景。通过提高石墨烯在高分子基体 热桥法、3ω法、时域热反射法等几种6,13–15。下面
中的分散性、构建三维石墨烯导热网络等方法，石 将重点介绍适用于石墨烯的热导率测量方法。
2.1 拉曼光谱法
康飞宇，1962年出生。获香港科技大学博 单层石墨烯热导率是研究者最感兴趣的话
士学位；现任清华大学深圳国际研究生院 题。2008年，Balandin课题组6最早用拉曼光谱法测
副院长，清华大学教授、博士生导师。主 量了单层石墨烯的热导率。单层石墨烯由高定向
要研究方向为新型碳材料的制备、表征和 热解石墨(HOPG)经过机械剥离法得到，悬空于刻
应用，特别是石墨、石墨烯及其在锂离子 有沟槽的SiNx/SiO2基底上，悬空长度为3 μm。测
电池与其它储能器件中的应用。 量时，选用拉曼光谱仪中波长为488 nm的激光同
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时作为热源和探测器，光斑大小为0.5–1 μm。激光 量中，石墨烯被制备成宽度为1.5–3.2 μm，长度为

对石墨烯产生加热作用导致石墨烯温度升高，而 9.5–12.5 μm的条带，覆盖在厚度为300 nm的SiO2
石墨烯拉曼光谱的G峰和2D峰随温度产生线性偏 悬臂上，两端连接在四个Au/Cr电极上作为温度
移，从而可以得到石墨烯的升温。利用热量在平面 计，测量得到SiO2 衬底上的单层石墨烯热导率为
内径向扩散的傅里叶传热方程，可以得到石墨烯 600 W·m−1·K−1。SiO2衬底上石墨烯热导率低于悬
的平面方向内热导率。通过这一方法，测得石墨烯 空石墨烯热导率及石墨热导率，是因为ZA声子和
热导率测量结果为5300 ± 480 W·m−1·K−1，是已知 衬底间存在较强的声子散射。
材料中热导率的最高值。 悬空热桥法的挑战在于如何将石墨烯悬空于
拉曼光谱法第一次实现了单层石墨烯热导率 微器件上，避免转移过程中出现石墨烯脱落、破碎
的测量，但是其测量过程中存在较大的误差，导致 的 问 题 。 Li 课 题 组 24 通 过 聚 甲 基 丙 烯 酸 甲 酯
不同测量结果存在差异：材料热导率由傅里叶传 (PMMA)保护转移法首先实现了少层石墨烯热导
热方程计算得到，其中材料的吸收热量Q和升温 率的测量：首先将机械剥离法得到的少层石墨烯
ΔT两个参数都难以准确测量。首先，测量过程中 转移到SiO2/Si衬底上，然后旋涂PMMA作为保护
采用了石墨块体的光吸收6%作为吸热计算的依 层，用KOH溶液刻蚀SiO2并将PMMA/石墨烯转移
据，与单层石墨烯在550 nm的光吸收率2.3%存在 至悬空热桥微器件上，再利用PMMA作为电子束
较大差异，导致测量结果可能被高估一倍左右16。 光刻的掩膜版，通过O2等离子体将石墨烯刻蚀成
其次，升温ΔT通过石墨烯拉曼光谱G峰和2D峰的 指定大小的矩形进行测量。Shi课题组 25利用异丙
红移或反斯托克斯/斯托克斯峰强比计算得到，两 醇提高了石墨烯的转移效率，测量了悬空双层石
者随温度变化率较小，需要较高的升温(ΔT ~ 50 K)， 墨烯的热导率。Xu等26进一步改良了实验工艺，通
导致难以准确测量特定温度下的热导率。 过“先转移，后制备悬空器件”的方法实现了单层
基于拉曼光谱法，研究者不断改进测量技术， 石墨烯热导率的测量：首先将化学气相沉积(CVD)
降低实验误差。在早期测量中由于石墨烯下方的 生长的单层石墨烯转移到SiNx 衬底上，再利用电
SiNx基底热导率较低，约为5 W·m−1·K−1，在传热模 子束光刻和O2 等离子体将石墨烯刻蚀成长度和宽
型中将SiNx视为热沉存在一定误差。后来，Cai等17 度已知的条带，然后沉积Cr/Au在石墨烯两端作为
通 过 在 带 孔 的 SiNx/SiO2 薄 膜 表 面 蒸 镀 Au 的 方 电极，最后用KOH溶液刻蚀使其悬空。这一方法
式，提高了石墨烯的接触热导，满足了热沉的边界 的优势在于避免了PMMA造成污染，但是对操作
条件，同时用功率计实时测量了石墨烯的吸收功 和工艺都提出了很高的要求。
率。同时，由于石墨烯覆盖在SiNx/SiO2薄膜上有孔 悬空热桥法也被应用于h-BN 27,28、MoS2 29,30、
和无孔的区域，可以分别测量悬空石墨烯和支撑 黑磷 31 等二维材料热导率的测量。基于悬空热桥
石墨烯的热导率。张兴课题组18使用双波长闪光拉 法，李保文课题组 32 进一步发展了电子束自加热
曼方法，引入两束脉冲激光，周期性地加热样品并 法，利用电子束照射样品产生加热，消除通电加热
改变加热光与探测光的时间差，这样做可以将加 体系中界面热阻造成的误差。
热光和探测光的拉曼信号分开，为准确测量样品 2.3 时域热反射法
温度提供了新思路。在后续的研究中，拉曼光谱法 时域热反射法(Time-domain thermoreflectance，
也被应用于h-BN 19、MoS2 20,21、WS2 22等二维材料 TDTR) 是 一 种 以 飞 秒 激 光 为 基 础 的 泵 浦 - 探 测
热导率的测量。 (pump-probe)技术，由Cahill课题组15于2004年基于
2.2 悬空热桥法 瞬态热反射方法提出，常用来测量材料的热导率
悬空热桥法是利用微纳加工方法制备微器件 和界面热导。在时域热反射法测量中，一束脉冲飞
并测量纳米材料一维热输运的常用方法，多用于 秒激光被偏振分束镜分为泵浦光和探测光，泵浦
纳米线、纳米带、纳米管热导率的测量23。微器件 光对待测材料进行加热，探测光测量材料表面温
由两个SiNx 薄膜组成，每个SiNx 薄膜连接在6个 度的变化。泵浦光和探测光之间的光程差通过位
SiNx悬臂上，并且沉积有Pt电极用作温度计，两个 移台精确控制，并在每一个不同光程差的位置进
薄膜分别作为加热器(Heater)和传感器(Sensor)，样 行采样，得到材料表面温度随时间变化的曲线，这
品悬空加载薄膜上，电极通电后加热样品，通过电 一曲线与材料的热性质有关。通过Feldman多层传
极电阻的变化测量样品的升温，从而计算热导率。 热模型进行拟合，得到材料的热导率33。实际测量
Seol等 8最早将这一方法应用在石墨烯热导率的测 中通常在材料表面沉积一层金属作为传热层
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(transducer)，利用金属反射率(R)随温度(T)的变化 传热的敏感度，利用beam offset方法测量了HOPG

关系(dR/dT)，通过探测金属反射率的变化检测材 热导率。Rodin等 39 将频域热反射(FDTR)与beam
料表面温度变化34。 offset的方法结合起来，同时准确测量了HOPG的
时域热反射方法的优点在于能够同时测量材 纵向和横向热导率。Chen课题组40发展了无传热层
料沿c轴和平面方向的热导率，并且能够得到不同 (transducer less)的二维材料热导率测量方法，这种
平均自由程声子对于热导率的贡献。Zhang等 35利 方法既可以采取FDTR频域扫描的测量方式，也可
用这一方法同时测量了石墨烯沿ab平面和c轴方 以与beam-offset方法结合，提高对平面方向热导率
向的热导率，发现石墨烯沿c轴方向的声子平均自 测量的准确度。这些测量方法为薄层材料热导率
由程在常温下可达100–200 nm，远高于分子动力 测量提供了可能的技术路径，即通过对待测样品
学预测的结果。测量不同厚度的石墨烯(d = 24–410 的物 理结构设计 (transducerless)和传热模 型设计
nm)表现出c轴方向热导率随厚度增加而增加的 (调控光斑尺寸与测量频率)，选择性地增加对平面
现象，常温下的热导率为0.5–6 W·m−1·K−1，并且 方向热导率的敏感度，使得即便在样品很薄、热流
随 着 厚 度 增 加 而 趋 近 于 石 墨 块 体 的 c轴 热 导 率 穿透的情况下，多引入的未知数在传热模型内具
(8 W·m−1·K−1) 36。这一现象反映出，在常温下石墨 有较小的敏感度，从而实现少层/单层石墨烯平面
烯c轴方向热导率是由声子-声子散射主导，为探讨 方向热导率的测量。
石墨烯的传热机理提供了实验支撑。时域热反射 时域热反射法也被应用于黑磷41,42、MoS2 43、
方法的局限在于难以测量厚度较小的样品，这是 WSe2 44等二维材料热导率的测量。基于时域热反
因为当热流在穿透样品后到达基底，需要将基底 射方法发展出频域热反射(FDTR)、two-tint、时间
与样品之间的界面热阻、基底的热导率作为未知 分辨磁光克尔效应(TR-MOKE)等测量方法以提高
数在传热模型中进行拟合，造成误差较大。对于块 测量准确度45–47。
体石墨，时域热反射方法测量平面方向热导率为 以上主要总结了石墨烯热导率的常用微纳尺
1900 ± 100 W·m−1·K−1，与Klemens的预测结果 37一 度测量技术，包括拉曼光谱法、悬空热桥法和时域
致。对于厚度为194 nm的薄层石墨，测量热导率为 热反射法，不同方法的主要测量结果汇总于表1。
1930 ± 1400 W·m−1·K−1，误差明显增大35。Feser等38 值得注意的是，部分悬空热桥法测量的热导率显
通过调控光斑尺寸改变传热模型对石墨平面方向 著偏低，是由于PMMA污染抑制了石墨烯声子散

表1 石墨烯热导率测量主要研究结果
Table 1 A summary of measurement result on graphene thermal conductivity.
Sample Thermal conductivity (W·m−1·K−1) Measurement method Preparation method

Suspended

Single-layer graphene 6 5300 ± 480 Raman Mechanical exfoliation

Single-layer graphene 17 2500 + 1100/−1050 Raman CVD

2-layer graphene 25 620 ± 80 Suspended-pad Mechanical exfoliation

Single-layer graphene 26 1689 ± 100 Suspended-pad CVD

Supported

Single-layer graphene 8 579 ± 34 Suspended-pad Mechanical exfoliation, SiO2 substrate

Single-layer graphene 16 630 Raman Mechanical exfoliation, SiO2 substrate

Single-layer graphene 17 370 + 650/−320 Raman CVD, Au/SiNx substrate

3-layer graphene 24 327 Suspended-pad Mechanical exfoliation, SiNx substrate

Bulk

Multi-layer graphene 35 1930 ± 1400 TDTR Mechanical exfoliation, thickness 194 nm

HOPG 38 1800 TDTR Bulk

HOPG 39 1861 ± 744 TDTR Bulk

HOPG 40 1843 TDTR Bulk

Graphene film 48 1100 Laser flash Reduced graphene oxide

Graphene film 10 1940 Laser flash Reduced graphene oxide

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射25。当样品厚度在微米尺度时，可通过激光闪光 的振动困难。而且ZA声子的色散关系是~ω2，在q →
法进行测量，这种方法常用于块体石墨和湿化学 0时声速迅速减小为0，因而对石墨烯热导率几乎
方法制备的石墨烯薄膜，对于经过热处理还原和 不产生贡献 53–55。后来，Lindsay等 7通过对玻尔兹
石墨化的石墨烯薄膜，激光闪光法测量热导率在 曼方程进行数值求解发现，由于单层石墨烯的二
1100–1940 W·m−1·K−1 10,48，热导率的差别主要来自 维材料特性，三声子散射中与ZA声子关联的过程
石墨烯薄膜的制备工艺。受限于篇幅，我们将四种 受到抑制，这一规则被称为“选择定则(Selection
测量方法的示意图及主要原理汇总于图1，关于 rule)”。基于这一原因，ZA声子散射的相空间减小
微纳尺度 热 测量的详 细 总结可参 考 相应综述 文 了60%；同时，考虑到ZA声子的数量较多，ZA声
章 49–51。 子 实 际成 为了 单 层石 墨烯 中 热导 贡献 最 大的 一
支，占比约为70% 56。
3 石墨烯热导率的研究进展 随着计算方法的进步，研究者对石墨烯中声
石墨烯的热传导主要由声子贡献。和金刚石 子传导的理解逐步加深。Ruan课题组57在考虑四声
类似，石墨烯在平面方向由强化学键C―C键构成， 子散射的条件下计算了单层石墨烯的热导率，由
并且由于碳原子较轻，具有极高的声速，从而在平 于ZA声子数量多，导致由ZA声子参与的四声子散
面 方 向 具 有 和 金 刚 石 相 当 的 热 导 率 (~2000 射过程多，通过求解玻尔兹曼输运方程(BTE)发
W·m−1·K−1) 52。关于石墨烯热传导的主要声子贡献 现，ZA声子对于单层石墨烯热导率的贡献实际约
来源，学界的认知随着研究的更新而发生变化。最 为30%。Cao等 58通过分子动力学计算发现，考虑
早，人们预期石墨烯传热主要由纵向声学支(LA) 高阶声子散射时ZA声子对石墨烯热导率的贡献将
和横向声学支(TA)贡献，这两支声子的振动平面 降低。另外，第一性原理计算表明石墨烯中存在水
都是沿石墨的ab平面方向。这样的预期是合理的， 动力学热输运和第二声现象59，以及实验测量和分
因为另一支横向声学支(ZA)声子的振动平面垂直 子动力学计算中发现石墨烯存在的热整流现象60，
于ab平面，而石墨烯作为单原子层材料，垂直平面 都使得石墨烯的声子输运研究不断更新。下面针

图1 常见热测量方法示意图 49
Fig. 1 Scheme of setups for different thermal measurements 49.
(a) Optothermal Raman method. (b) Suspended-pad method. (c) Time-domain thermoreflectance (TDTR) method, where blue and orange lines

represent pump and probe laser beams, respectively. (d) Laser flash method, where the left and right parts illustrate measurements of in-plane and

cross-plane thermal conductivities. Adapted with permission from Ref. 49, Copyright 2018, Elsevier.
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对理想的单层石墨烯单晶材料讨论其热导率的依 一致，在原子层数超过4层之后，石墨烯热导率接
赖关系。 近块体石墨(图2c)。而对于放置在基底上的支撑石
3.1 石墨烯热导率的厚度依赖 墨烯和上下均有基底的夹层石墨烯(Encased)，热
石墨烯作为单原子层材料，表现出不同于石 导率随层数变化没有明显规律，这主要是因为ZA
墨块体的声子学特征。很自然地产生一个问题，随 声子与基底相互作用，对热导率的贡献低于悬空
着石墨烯的原子层数增加，石墨烯会以何种形式、 石墨烯，而ZA声子与基底相互作用的强度随原子
在何种厚度表现出接近石墨块体的热学性质。前 层数增加而变化，导致热导率随层数变化表现出
文Lindsay等7的工作从计算角度给出了解释，在多 不同规律(不变或增大) 62。研究石墨烯本征热导率
层石墨烯和石墨中，三声子散射与原子间力常数 仍需对少层及单层石墨烯热导率进行测量，对样
的关系不同于单层石墨烯，导致选择定则不再适 品制备和实验测量都具有很大挑战。
用，ZA声子的散射变大，热导率下降。这一趋势 3.2 石墨烯热导率的横向尺寸依赖
可以从图2a中明显观察到，当石墨烯的厚度从单 1
由傅里叶传热定律，材料热导率 κ = Cv vl ，
原子变为双原子层时，ZA声子贡献的热导率大幅 3
下降，石墨烯整体热导率降低。随着原子层数目增 其中Cv为材料体积比热容，v为声子群速度，l为声
加，热导率持续下降。对于原子层数在5层及以上 子平均自由程。对于给定的温度，热容与声速均为
的石墨烯，其热导率已十分接近石墨块体。这一趋 定值，因而材料热导率主要由声子平均自由程决
势也与Ghosh等61对悬空石墨烯热导率的测量结果 定。通常情况下，块体材料在三个维度上的尺寸都

图2 石墨烯热导率的尺寸效应 56,63
Fig. 2 The impact of length and thickness on graphene thermal conductivity 56,63.
(a) Calculated thermal conductivity for few-layer graphene vs layer number N for N = 1–5 (black circles). Also shown are the per-branch

contributions for ZA (red triangles), TA (green squares), and LA (blue diamonds) branches. The corresponding calculated graphite values are

shown by the horizontal lines. (b) Calculated thermal conductivity for graphene (N = 1, solid black curve), bilayer graphene (N = 2, dashed red curve), and

4-layer graphene (N = 4, dotted blue curve) as a function of sample length L for T = 300 K. On this scale, the N = 3 and N = 5 curves cannot be

distinguished from that for N = 4. Thermal conductivity of graphene as a function of (c) sample length and (d) thickness. Adapted with

permission from Ref. 56, Copyright 2011, American Physical Society and Ref. 63, Copyright 2018, American Physical Society.
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远大于声子平均自由程，声子为扩散输运，声子平
均自由程主要由声子-声子散射确定，是材料固有
的性质，表现出热导率与横向尺寸无关。但是对于
石墨烯而言，由于制备待测样品的长度在微米级，
与平面内声子平均自由程相当，存在弹道输运现
象，表现出石墨烯的热导率与横向尺寸存在依赖
关系。
石墨烯平面方向声子平均自由程可通过计算
得到。Nika等 54 通过第一性原理计算分别对LA和
TA声子求得Gruneisen参数，得到石墨烯平面方向
声子平均自由程在10 μm左右，即石墨烯尺寸小于
10 μm时会表现出明显的热导率随尺寸增加而增
加现象(图2b)。后续计算表明，在考虑三声子过程
和声子-边界散射角度的情况下，石墨烯热导率在
横向尺寸L小于30 μm时遵循log(L)增加的规律，在
横向尺寸为30 μm左右时达到最大值，并随横向尺
寸增加而下降64。
检验计算结果需要对不同尺寸的单层石墨烯
进行热导率测量，这对实验操作的精细度提出了
极高要求。Xu等 26 利用悬空热桥法测量了不同长
度(300–9 μm)的单层石墨烯热导率，观察到其热导
率随长度增加而单调增加。测量结果与分子动力
学预测的热导率随长度以log(L)趋势增加的结果
相符，证明了石墨烯作为二维材料的热性质(图
2d)。但是作者也没有排除另外两种可能：(1)低频
声子随尺寸增加而被激发，对传热贡献较大54；(2)
石墨烯尺寸增加改变三声子散射的相空间，影响
选择定则7。由于石墨烯作为二维材料的特性，以
及声子平均自由程较大、热导率较高，仍然需要进
一步的理论和实验探究以深入挖掘石墨烯热导率
随横向尺寸变化的物理原因。
在实际应用的单晶及多晶石墨烯材料中，热
导率的影响因素还包括晶粒尺寸65、缺陷66、同位
素67、化学修饰等68，相关研究及综述已有报道51。
4 石墨烯导热的应用
上一节中介绍了石墨烯具有本征的高热导
率，从理论计算和实验测量中均得到了验证。上述
实验测量中，研究者往往采用机械剥离法和CVD
法制备石墨烯，这两种方法制备的样品具有质量
高、可控性强的特点，适用于研究石墨烯的本征性
质。但是，由于机械剥离法和CVD法制备石墨烯具
有产量低、制备周期长、难以规模化等特点，不适
用于石墨烯的宏量制备。相对应地，通过还原氧化
石墨烯、电化学剥离等湿化学方法可以大批量制
备石墨烯片，石墨烯片通过片层间的化学键作用
可形成石墨烯膜、石墨烯纤维、石墨烯宏观体等三
维结构，从而可实际应用于导热场景。
4.1 高导热石墨烯膜的应用
石墨烯薄膜可用作电子元件中的散热器，散
热器通常贴合在易发热的电子元件表面，将热源
产生的热量均匀分散。散热器通常由高热导率的
材料制成，常见散热器有铜片、铝片、石墨片等。
其中热导率最高、散热效果最好的是由聚酰亚胺
薄膜经石墨化工艺得到的人工石墨导热膜，平面
方向热导率可达700–1950 W·m−1·K−1，厚度为10–
100 μm，具有良好的导热效果，在过去很长一段
时间内都是导热膜的最理想选择。在此背景之下，
研究高导热石墨烯膜有两个重要意义，其一，是由
于人工石墨膜成本较高，且高质量聚酰亚胺薄膜
制备困难，业界希望高导热石墨烯膜能够作为替
代方案。其二，是由于电子产品散热需求不断增
加，新的散热方案不仅要求导热膜具有较高的热
导率，也要求导热膜具有一定厚度，以提高平面方
向的导热通量。在人工石墨膜中，由于聚酰亚胺分
子取向度的原因，石墨化聚酰亚胺导热膜只有在
厚度较小时才具有较高的热导率69。而石墨烯导热
膜则易于做成厚度较大的导热膜(~100 μm)，在新
型电子器件热管理系统中具有良好的应用前景。因
此，石墨烯导热膜的研究也主要沿着两个方向，其
一，是提高石墨烯导热膜的面内方向热导率，以接
近或超过人工石墨膜的水平。其二，是提高石墨烯
导热膜的厚度，扩大导热通量，同时保持良好的热
传导性能。以下将从这两方面分别讨论。
4.1.1 提高石墨烯膜热导率的关键技术
高导热石墨烯薄膜的常见制备方法是还原氧
化石墨烯。首先通过Hummers法得到氧化石墨烯
(GO，graphene oxide)分散液，然后通过自然干燥、
真空抽滤、电喷雾等方法得到自支撑的氧化石墨
烯薄膜，并通过化学还原、热处理等方法得到还原
氧化石墨烯(rGO)薄膜，最后通过高温石墨化提高
结晶度，得到高导热石墨烯薄膜70–72。
影响高导热石墨烯膜热导率最重要的因素是
组装成膜的石墨烯片的热导率，主要由氧化石墨
烯的还原工艺决定。由于氧化石墨烯分散液的制
备通常在强酸条件下进行，破坏石墨烯的平面结
构，同时引入了环氧官能团，造成声子散射增加。
氧化石墨烯的还原工艺对还原产物的结构、性能
影响较大，因而需要选择合适的还原工艺制备石
墨烯导热膜 73。氧化石墨烯膜在1000 °C热处理后
可以除去环氧、羟基、羰基等环氧官能团71，但是
石墨烯晶格缺陷的修复仍需更高温度74。Shen等48
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通过自然蒸干的方式制备了氧化石墨烯薄膜，并 升不再显著(图3)。
通过2000 °C热处理的方式对氧化石墨烯薄膜进行 影响高导热石墨烯膜热导率的第二个因素是
石墨化，C/O原子比由石墨烯薄膜的2.9提高到石 石墨烯的片层尺寸。前文Xu等26的工作表明，单层
墨化后的73.1，X射线衍射(XRD)图谱上石墨烯薄 石墨烯的导热声子平均自由程可达~10 μm量级，
膜11.1°峰完全消失，26.5°的峰宽缩窄，对应石墨 选择大尺寸的石墨烯片层有利于减少声子与材料
(002)方向上原子层间距为0.33 nm，测量热导率为 边界的散射，提高热导率。Kumar等77用片层大小
1100 W·m−1·K−1，热导率优于由膨胀石墨制备的石 超过80 μm的石墨片作为原材料，经Hummers法制
墨导热片 75 。Xin等 76 用电喷雾方法制备大尺寸氧 备得到平均片层大小约30 μm的氧化石墨烯分散
化石墨烯薄膜并在2200 °C下高温还原，得到热导 液，并通过真空抽滤得到氧化石墨烯薄膜，经过
率为1283 W·m−1·K−1的石墨烯导热膜，通过SEM截 57%的HI处理还原后得到石墨烯膜，测量得到强度
面图观察发现具有紧密的片层排列结构，且具有 达到77 MPa，热导率超过1390 W·m−1·K−1。Peng等10
较好的柔性。通过拉曼光谱、XPS和XRD表征可以 用平均片层尺寸108 μm的GO制备了氧化石墨烯
看出，2200 °C为氧化石墨烯还原的最适宜温度， 薄膜，并通过3000 °C热处理还原，得到热导率高
当还原温度更高时，石墨烯的电导率和热导率提 达1940 W·m−1·K−1的石墨烯薄膜。

图3 高导热石墨烯膜的制备与表征 76
Fig. 3 The preparation and characterization of highly thermal conductive graphene film 76.
(a) Graphene film roll with 4.5-inch width (i) made by electrospray deposition integrated with a roll-to-roll process. (b) Cross-sectional SEM image of pristine

graphene film made by electrospray deposition showing a layer-by-layer assembly. (f) image of pristine graphene film, graphene film annealed at 1800 °C

(middle) and 2200 °C (right). (d–e) Electrical and thermal properties of freestanding graphene films: (d) Graphene film without thermal annealing

and (e) annealed graphene film. The increased density is caused by mechanical press resulting in a more film compact structure. (c–e), Defect recovery,

removal of functional groups and improvement of crystallinity of freestanding graphene film by high temperature annealing: (c) Raman spectra, (d) XPS and

(e) XRD patterns of the as‐made graphene films and high temperature annealed graphene films. The magnified (by 5 times) O 1s peak has been shown in (d)

on the right top of each XPS spectrum. The XRD pattern of pure graphite is included in (e) for comparison.

Adapted with permission from Ref. 76, Copyright 2014, John Wiley and Sons.
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除了通过还原氧化石墨烯薄膜，石墨烯膜还 于铜、铝及薄层石墨烯导热膜(图4)。目前制备百
可通过石墨烯分散液的方法制备。Teng等78利用球 微米厚度高导热石墨烯薄膜的研究相对较少，除
磨方法将石墨块体剥离成石墨烯片层，并得到浓 了溶胀粘接的方法之外，还可以通过电加热、金属
度 为 2.6 mg·mL−1 的 石 墨 烯 的 N- 甲 基 吡 咯 烷 酮 离子键合等方法实现氧化石墨烯薄膜的搭接 82,83，
(NMP)分散液。再通过抽滤、烘干、2850 °C热处 有望为制备百微米厚度高导热石墨烯膜提供新思
理 得 到 石 墨 烯 薄 膜 ， 测 量 热 导 率 为 1529 路。石墨烯导热膜的部分研究成果总结于表2中。
W·m−1·K−1。一般认为，由石墨烯分散液制备石墨 4.2 高导热石墨烯纤维的应用
烯 薄 膜的 最大 优 势在 于保 留 了石 墨烯 的 平面 结 高导热石墨烯纤维是一种新型碳质纤维，通
构，使得薄膜具有比较高的本征热导率。这一优势 过石墨烯分散液经过湿法纺丝的方法有序组装而
从理论上讲具有合理性，但是仔细分析便可发现 成。其主要优势在于同时具备良好的力学、电学和
并非绝对：由于制备石墨烯分散液往往需要施加 热学性能84–87，并且可以通过湿法纺丝的方法大量
强机械力(研磨、球磨等)，石墨烯分散液中的片层 制备，易于实现规模化，与纺织工艺结合，可达到
尺寸通常较小(小于1 μm)；而且由于缺少含氧官能 千米级的产量88。
团，石墨烯片层间的相互作用较弱，存在着优劣势 石墨烯纤维与石墨烯薄膜的原材料相似，通
相互抵消的可能性，所以在实际应用前仍需要经 常 为 氧化 石墨 烯 分散 液或 官 能化 的石 墨 烯分 散
过石墨化过程。我们认为，这一方法的优势在于易 液，因而其热导率的主要影响因素也具有共同之
规模化、生产效率高。由于不存在片层相互作用， 处，石墨烯的片层大小和石墨烯片层间的界面强
石墨烯分散液抽滤成膜速度较快(~几小时)，易于 度有重要作用。值得注意的是，Xin等 89的研究发
连续抽滤；对比氧化石墨烯抽滤成膜，通常需要几 现，组装石墨烯纤维时使用两种不同片层大小的
天方可得到几十微米厚度的薄膜。同时，由于制备 石墨烯分散液进行级配具有最好的物理性能。他
石墨烯分散液可由机械研磨完成，易于实现规模 们将大片层(横向尺寸~23 μm)与小片层(横向尺寸
化、标准化，因而具有良好的工业应用前景79。 ~0.8 μm)的石墨烯分散液混合纺丝，热处理后得到
4.1.2 提高石墨烯膜厚度的关键技术 了热导率高达1290 W·m−1·K−1的石墨烯纤维，导热
制备较厚的石墨烯导热膜也是研究者关心的 性能优于单一组分制备的石墨烯纤维。大片层石
课题。理论上讲，增加石墨烯膜的厚度只需刮涂较 墨烯为长平均自由程声子提供了传热空间，小片
厚的氧化石墨烯薄膜即可。但实际操作中存在如 层石墨烯在大片层石墨烯之间起到键合作用，提
下问题：(1)刮涂厚膜的成膜质量不高。由于氧化 高了石墨烯片层之间的界面致密度，从而提升了
石墨烯分散液的浓度较低(低于10% (w))，除氧化 石墨烯纤维热导率。
石墨烯外其余部分均为水，需要长时间蒸发。氧化 4.3 石墨烯在热界面材料中的应用
石墨烯片层与水分子以氢键相互作用，蒸发时水 石墨烯作为高导热材料，可作为导热填料应
分子逸出，使得氧化石墨烯片层之间通过氢键形 用于热界面材料(Thermal interface material，TIM)
成交联，在表面形成一层“奶皮”状的薄膜10。这 中。热界面材料是应用于芯片封装中的一种材料，
层 薄 膜使 氧化 石 墨烯 分散 液 内部 的水 分 蒸发 减 主要作用是填充芯片中的空气间隙，起到给芯片
慢，且导致氧化石墨烯片层取向不一致，降低成膜 提供力学支撑、电磁屏蔽、辅助散热的作用。传统
质量。(2)难以通过一步法得到厚膜。由于氧化石 的热界面材料使用的是填充有陶瓷 90,91、金属 92、
墨烯分散液浓度较低，无论刮涂、旋涂还是喷雾等 碳材料93,94等作为导热填料的树脂基复合材料，利
方法都无法一次制备厚度为~100 μm的氧化石墨 用高分子材料的力学性能提供保护，通过添加导
烯薄膜。Luo等80研究发现，氧化石墨烯薄膜在蒸 热填料提高散热能力。由于树脂的热导率非常低
干成形后仍然可以在去离子水浸润的情况下相互 (小于0.5 W·m−1·K−1)，并且商用的导热填料热导率
粘接，出现这种现象是因为氧化石墨烯片层在水 也较低(氧化铝热导率~35 W·m−1·K−1)，整体热界面
的作用下通过氢键彼此连接，使得氧化石墨烯薄 材料的热导率多为1–10 W·m−1·K−1之间95。研究者
膜可以像纸一样进行粘贴起来。Zhang等 81利用类 尝试将高导热的石墨烯作为导热填料，提高热界
似的方法将制备好的氧化石墨烯薄膜在水中溶胀 面材料的导热能力96–98。以下重点介绍石墨烯增强
并逐层粘贴，经过干燥、热压、石墨化、冷压之后， 树脂基复合材料的热导率的主要影响因素。
得到厚度为200 μm的超厚石墨烯薄膜，热导率为 4.3.1 分散性
1224 W·m−1·K−1，通过红外摄像机实测散热效果优 石墨烯片层作为填料，在基体中的分散性对
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图4 百微米厚度石墨烯导热膜的制备、表征与热性能测试 81
Fig. 4 The preparation, characterization and thermal feature of graphene film with a thickness of over 100 μm 81.
(a) Schematic of the fabrication process of the ultrathick GF and photographs at each step. Scale bar from top to bottom: 4, 1, 1, 1, 1, 1 cm. (b–e) A series of

thick films pasted with different layers, including 6 layers (b), 12 layers (c), 16 layers (d) and 24 layers (e). (f) Mechanism diagram of the fusion between the

two nano-thick films. (g) TEM image of the cross section of an individual 30 nm nano-thick GF. (h, i) TEM images of the pasted 60 nm nano-thick GF,

revealing the robust coalescence of the two 30 nm thick films at the contact interface. (j) Infrared thermal image of GFs and metallic foils. The right three

samples have a thickness of 200 μm, attached vertically on a constant temperature heat source. (k) Temperature of the graphite bulk versus time when it was

heated by 24-layer PGF, 16-layer PGF, 12-layer PGF, 6-layer PGF and single thin PGF. Adapted with permission from Ref. 81, Copyright 2020, Elsevier.

表2 石墨烯导热膜主要研究成果
Table 2 A summary of study on thermal conductive graphene paper.
Material Thermal conductivity/(W·m−1·K−1) Preparation method

Doctor-blade, 3000 °C annealing reduction

GO 9 2025
+3000 °C second annealing reduction

GO 10 1940 Casting, 3000 °C annealing reduction

GO 48 1100 Evaporation, 2000 °C annealing reduction

GO 76 1283–1434 Electro-spray deposition，2850 °C annealing reduction

GO 77 1390 Vacuum filtration, HI reduction

Graphene 78 1529 Ball milling，2850 °C annealing reduction

Doctor-blade, film paste

GO 81 1224
Hot pressing + 2800 °C annealing reduction

复合材料的导热性能有至关重要的影响。传统 分散性。常见的制备方法包括基于氧化石墨烯分
的 热界面材料中，导热填料在基体中的分散性良 散液和石墨烯分散液两种工艺路径。对于氧化石
好，填充比例可以高达90% (w)，即便导热填料为 墨烯分散液，由于氧化石墨烯中存在大量羟基、羧
球形结构，也可以形成完整的导热网络，而导热 基等基团，与极性溶剂相溶性较好，可以制备较高
网络的形 成 对 于 复 合 材 料 导 热 性 能 的 提 升 至 关 浓度的分散液(~30 mg·mL−1)，提高在树脂基体中
重要 99,100。石墨烯作为片层状材料，在树脂基体中 的填充量 101。这种方法的主要挑战在于需要对氧
必须相互搭接，方可形成有效导热网络。为了实现 化石墨烯进行还原以提高热导率。对于石墨烯分
这一目标，要求石墨烯在树脂基体中具有良好的 散液，由于保留了石墨烯的平面结构而具有相对
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较高的高热导率，但是由于官能化程度较低，石墨
烯与树脂基体界面为范德华力搭接，存在分散性不
佳的问题102,103。
提高分散性的一种方法是对石墨烯进行化学
键修饰，通过化学反应给石墨烯引入特定基团，使
石墨烯与高分子基体形成化学键，提高分散性。
Guo等 104利用NH2-POSS与水合肼与氧化石墨烯共
同作用，在氧化石墨烯表面接枝氨基并进行还原，
得到化学修饰的石墨烯。将此种化学修饰石墨烯与
聚酰亚胺基体混合，得到热导率为1.05 W·m−1·K−1
的复合材料，固含量为5% (w)，比聚酰亚胺热导率
高4倍。Zhang等105通过硅烷偶联剂ATBN在膨胀石
墨表面引入氨基，提高了石墨烯与环氧树脂基体
的键合强度，同时增强了环氧树脂固化的力学性
能，得到热导率为3.8 W·m−1·K−1的石墨烯增强复合
材料，比环氧树脂热导率高出19倍。这种方法的主
要优势在于形成石墨烯与小分子之间的化学键，提
高石墨烯与树脂基体间的界面强度。主要问题在
于化学反应过程通常会引入缺陷，使得石墨烯自
身的热导率下降。Shen等 106研究发现化学键改性
的效果与石墨烯片层大小有关：当石墨烯片层尺
寸小于临界尺寸(通常为微米级)时，化学键改性对
热导率提升起主要作用；当石墨烯片层尺寸大于
临界尺寸时，热导率主要由石墨烯自身决定。
提高分散性的另一种方法是对石墨烯进行非
化学键修饰，这种方法主要利用石墨烯与小分子
之间形成π−π键共轭，并利用小分子上的其他基团
与高分子基体形成相互作用。形成共轭π键并不需
要破坏石墨烯的C―C键，从而减少了化学反应过
程中缺陷的产生。Teng等 107利用含芘结构的高分
子Py-PGMA对石墨烯在丙酮分散液中进行非化学
键修饰，起到“桥梁”的作用：一方面芘结构与石
墨烯形成共轭π键，另一方面PGMA中的环氧结构
与 环 氧树 脂基 体 在加 热与 固 化剂 作用 下 进行 偶
联，提高了石墨烯在环氧树脂基体中的分散度，得
到了热导率为1.9 W·m−1·K−1的环氧树脂复合材料。
另外还可以通过机械方法提高石墨烯与树脂
基体间的界面强度，包括使用强力超声方法提高
分散度、真空抽滤混合、热压等108–110。总结来看，
提高分散度往往意味着在保留石墨烯本征的高热
导率与提高石墨烯和高分子基体的界面热导间做
出权衡，如何定量分析两个因素对复合材料热导
率的影响将是值得研究者关注的问题111,112。
4.3.2 三维导热网络
石墨烯在树脂基体中形成导热网络是提高热
界面材料热导率的重要条件。相比于传统热界面
材料中填充球形氧化铝，石墨烯因为其二维材料
的特性，比表面积大，更容易形成导热网络，因而
在相同填料比的条件下更具优势。由于石墨烯片
层具有较大的宽厚比，自发形成三维导热网络并
不容易。
一种方法是利用模板法通过CVD生长得到三
维结构的石墨烯泡沫。这种方法以具有孔结构的材
料为模板，通过CVD方法在表面沉积得到石墨烯，
再通过刻蚀剂去除模板，得到石墨烯泡沫 113–115。
Shi课题组116及首先测量了CVD法生长的石墨烯泡
沫的热导率，发现其热导率为1.7 W·m−1·K−1，而石
墨烯固含量仅为0.45% (volume fraction，x)。后来，
该课题组将石蜡灌封进石墨烯泡沫形成复合材料
(图5a，b)，测量得到其热导率为3.2 W·m−1·K−1，比
石蜡自身的热导率提高了18倍，并且石墨烯的填充
比仅为1.23 (x) 11。后续工作中，Kholmanov等117在
石墨烯泡沫中通过CVD法原位生长碳纳米管，在
泡沫孔结构中形成导热网络(图5c，d)，将丁四醇灌
封后形成导热复合材料，热导率为4.1 W·m−1·K−1，
比无碳纳米管填充的石墨烯泡沫-丁四醇复合材料
热导率提高了1.8倍(图5d，e)。考虑到CVD法制备
的石墨烯以少层石墨烯为主，这一方法在建立三维
导热结构的最大程度减少了石墨烯的填充比，适用
于超轻、超薄的精细结构导热应用。
另一种方法是利用石墨烯片层自组装形成水
凝胶，再通过冷冻干燥、冰模板法等方法形成三维
的石墨烯宏观结构118–120。水凝胶中石墨烯的含量
可低至2.6% (w)，其余部分均由水组成，因而由水
凝胶形成的石墨烯三维结构可以有效降低石墨烯
固含量121。Wong课题组122利用定向凝固的方法用
大尺寸的氧化石墨烯液晶制备了氧化石墨烯三维
结构，石墨烯片层受过冷度的影响形成纵向排列
为主的定向结构。通过高温还原后灌封环氧树脂，
得到复合材料的热导率为2.1 W·m−1·K−1，比环氧
树脂自身热导率提升超过12倍，并且填充比低至
0.92% (x)。这种方法实际上是以石墨烯气凝胶为骨
架，填充聚合物形成复合材料。其优势在于石墨烯
气凝胶的制备工艺与调控手段已经很成熟，且比起
CVD方法 生长 的石 墨烯泡 沫更 易实现 规模 化制
备。不足之处在于需要经过还原反应得到石墨烯，
而氧化石墨烯制备过程中的缺陷不易完全修复。
石墨烯填充的高导热聚合材料主要工作汇总
于表3。从以上工作可以看出，通过气相沉积方法
和 湿 化学 方法 均 可得 到三 维 石墨 烯导 热 宏观 结
构，浸渍聚合物后可以得到高导热的三维石墨烯
网络增强复合材料。其主要优势是用较低的填充
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图5 石墨烯泡沫作为三维导热网络的高导热聚合物基复合材料 11,117
Fig. 5 Using graphene foam as 3D thermal conductive network for polymer-based composite 11,117.
(a) SEM image of UGF before wax filling. (b) SEM of UGF-wax composite. (c) SEM image of UGF-CNT hybrid structure. (d) SEM image of UGF-

CNT/erythritol composites. (e) thermal diffusivity, and (f) thermal conductivity of erythritol, UGF/erythritol, and UGF-CNT/erythritol, containing additional

data for powdered UGF/erythritol, powdered UGF-CNT/erythritol, and UGF-NBCNT/erythritol composites. Adapted with permission from Refs. 11, 117,

Copyright 2014, Royal Society of Chemistry and Ref. 90, Copyright 2015, American Chemical Society.

表3 石墨烯填充高导热复合材料主要研究成果
Table 3 A summary of highly thermal conductive composite with graphene filler.
Fillers Loading Thermal conductivity/(W·m−1·K−1) Method
96
rGO 25% (x) 6.4 Mixing
97
rGO 20% (w) 5.8 Silane functionalized
Graphene 98 10% (x) 5.1 Sodium cholate functionalized
[polyimide] NH2-functionalized, in situ
rGO 104 5% (w) 1.1
polymerization
105
Expanded graphite 25% (w) 3.8 Silane functionalized
rGO 107 4% (w) 1.9 Pyrene derivatives functionalized
Graphene + CNT 108 20% (x) + 20% (x) 6.3 GNP, multi-walled carbon nanotube
110
GO 10% (w) 0.2 Hot pressed
11
Graphene 3D network 1.23% (x) 3.2 [Wax] CVD grown, annealed
Graphene + CNT 3D network 117 15.8% (x) (in total) 4.1 [Erythritol] CVD grown, annealed

x: volume fraction; w: mass fraction.

量即可形成导热网络，而主要挑战在于石墨烯宏 墨烯导热的研究取得了长足的发展。本文总结了
观结构要具有一定的强度，否则在与聚合物复合 石墨烯热导率的测量方法，重点介绍了拉曼光谱
过程中容易出现碎裂123。比起传统的混料过程，制 法、悬空热桥法和时域热反射法。探讨了石墨烯热
备石墨烯泡沫与石墨烯气凝胶工艺相对复杂，如 导率的影响因素，并介绍了石墨烯在导热器件中
何实现工业生产中的实际应用仍需在工艺路线上 的应用。在石墨烯导热研究方兴未艾的同时，我们
继续创新。 注意到理论研究、实验测量和实际应用中仍然存
在挑战。
5 总结与展望 首先，是石墨烯高导热的声子学解释。2010年
自从单层石墨烯热导率被实验测得以来，石 Lindsay提出ZA声子是单层石墨烯中热导率贡献
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最大的声子模，这一理论成功解释了单层石墨烯 213. doi: 10.1126/science.1184014

热导率高于石墨块体。而当考虑四声子散射时，ZA (9) Akbari, A.; Cunning, B. V.; Joshi, S. R.; Wang, C. H.; Camacho-

模声子的贡献又低于LA、TA。如何理解单原子层 Mojica, D. C.; Chatterjee, S.; Modepalli, V.; Cahoon, C.; Bielawski,

中的ZA声子振动、如何预测高阶声子散射对石墨 C. W.; Bakharev, P.; et al. Matter 2020, 2, 1198.

烯热导的贡献，仍需要深入的理论计算提供支持。 doi: 10.1016/j.matt.2020.02.014
其次，是准确测量石墨烯热导率的长度依赖 (10) Peng, L.; Xu, Z.; Liu, Z.; Guo, Y.; Li, P.; Gao, C. Adv. Mater. 2017,
和厚度依赖。随着测量技术进步，拉曼光谱法和悬 29, 1700589. doi: 10.1002/adma.201700589
空热桥法能够准确测量单层石墨烯的热导率。但 (11) Ji, H.; Sellan, D. P.; Pettes, M. T.; Kong, X.; Ji, J.; Shi, L.; Ruoff, R.
是如何实现指定厚度石墨烯的转移、如何实现大 S. Energy Environ. Sci. 2014, 7, 1185. doi: 10.1039/c3ee42573h
尺度悬空石墨烯样品的放置，仍具有一定的技术 (12) Chen, Z. L.; Gao, P.; Liu, Z. F. Acta Phys. -Chim. Sin. 2020, 36,
挑战。这一部分研究是最难、最有意义也最令人感 1907004. [陈召龙, 高鹏, 刘忠范. 物理化学学报, 2020, 36,
兴趣的，预期未来微纳尺度传热测量方法将继续 1907004.] doi: 10.3866/PKU.WHXB201907004
进步，对理论预测的结果进行验证。
(13) Shi, L.; Li, D.; Yu, C.; Jang, W.; Kim, D.; Yao, Z.; Kim, P.;
最后，是石墨烯导热应用的工艺因素。目前，
Majumdar, A. J. Heat Transf. 2003, 125, 881.
石墨烯导热膜的热学性能和力学性能已经与石墨
doi: 10.1115/1.1597619
化聚酰亚胺膜相当，并在特定领域实现了商业应
(14) Cahill, D. G.; Katiyar, M.; Abelson, J. R. Phys. Rev. B 1994, 50,
用。而在这一课题中，高导热石墨烯材料的制备与
6077. doi: 10.1103/physrevb.50.6077
技术工艺密切相关。如何实现石墨烯片层高热导
(15) Cahill, D. G. Rev. Sci. Instrum. 2004, 75, 5119.
率与石墨烯片层紧密搭接的双目标优化，如何低
doi: 10.1063/1.1819431
成本大规模地构建石墨烯三维导热网络，要回答
(16) Faugeras, C.; Faugeras, B.; Orlita, M.; Potemski, M.; Nair, R. R.;
这些问题仍需对石墨烯制备工艺进行深入摸索与
Geim, A. ACS Nano 2010, 4, 1889. doi: 10.1021/nn9016229
不断改良。随着石墨烯导热研究在理论计算和实
(17) Cai, W.; Moore, A. L.; Zhu, Y.; Li, X.; Chen, S.; Shi, L.; Ruoff, R. S.
验测量的不断深入，我们相信，高导热石墨烯材料
将在电子器件、能源存储、生物医学、国防军工等 Nano Lett. 2010, 10, 1645. doi: 10.1021/nl9041966

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