ÔN THI CUỐI KÌ VẬT LÝ CHẤT RẮN HK201

TS. Nguyễn Thị Mỹ Anh – TS. Vũ Anh Quang

PHẦN LÍ THUYẾT
1. Liệt kê 14 mạng Bravais của 7 hệ tinh thể. Sắp xếp thứ tự các kiểu tinh thể theo bậc đối xứng giảm
dần (nêu đặc tính hệ tinh thể, các tham số mạng).
P: Ô mạng nguyên thủy (1 phần tử)
I: Ô mạng tâm khối (2 phần tử)
C: Ô mạng tâm đáy (2 phần tử)
F: Ô mạng tâm mặt (4 phần tử)

Kiểu mạng Trục đối

Hệ tinh thể Ô mạng Bravais Đặc điểm tham số mạng
Bravais xứng

Ba nghiêng P L1 a≠b≠c α ≠ β≠ γ

Một nghiêng P, C L2 a≠b≠c α =β=γ ≠ 900

Trực thoi P, C, I, F 3L2 a≠b≠c α =β=γ =900

Ba phương P L3 a=b=c α =β=γ ≠ 900

Bốn phương P, I L4 a=b ≠ c α =β=γ =900

α =β=900
Sáu phương P L6 a=b ≠ c
γ =120 0

Lập phương P, I, F 4L3 a=b=c α =β=γ =900

2. Phân biệt ô nguyên tố và ô đơn vị trong 14 kiểu mạng Bravais. Những ô mạng Bravais nào là ô
nguyên tố, những ô nào là ô đơn vị.

Ô đơn vị Ô nguyên tố
 Ô đơn vị là ô được xác dịnh từ 3 vector đơn vị a1, a2, a3.  Ô nguyên tố là ô được xác định từ 3 vector nguyên tố
 Thể tích ô đơn vị: V =⃗a1 ⃗a2∗⃗
a 3. a1, a2, a3.
 Ô đơn vị có thể chứa nhiều hơn một nút.  Ô nguyên tố chỉ chứa 1 nút mạng.

 Những ô mạng Bravais là ô đơn vị: ô nguyên thủy của 7 hệ

 Những ô mạng Bravais là ô nguyên tố: các ô còn lại
(Câu trả lời chưa được xác thực)
3. Các kiểu xếp chặt trong tinh thể? Tính hệ số xếp chặt trong các kiểu tinh thể. Cho ví dụ. Vẽ hình.
a. Các kiểu xếp chặt trong tinh thể: gồm 2 kiểu (lục giác xếp chặt và lập phương tâm mặt)
 Lớp thứ nhất:
- Mỗi quả cầu được bao quanh bởi 6 quả cầu khác→ vị trí A
- Có 6 vị trí hõm vào của lớp thứ nhất thuộc hai loại B và C
 Lớp thứ hai:
- Có thể đặt các quả cầu lớp thứ 2 vào vị trí B hay C sao cho mỗi quả cầu lớp thứ 2 tiếp xúc với 3 quả cầu
của lớp thứ nhất
- Giả sử lớp thứ hai chiếm vị trí B
 Lớp thứ 3: có 2 cách xếp
- Cách 1: Đặt các quả cầu lên vị trí A, rồi lớp tiếp theo là B và cứ thế tạo thành các lớp liên tiếp
ABABAB…→ Cấu trúc lục giác xếp chặt (có ô mạng Bravais lục giác loại P).
- Cách 2: Đặt các quả cầu lên vị trí C, rồi lớp tiếp theo là A và cứ thế tạo thành các lớp liên tiếp
ABCABC…→Cấu trúc lập phương tâm mặt (mặt xếp chặt là (111)).

b. Tính hệ số xếp chặt trong các kiểu tinh thể. Cho ví dụ. Vẽ hình
 Tính hệ số lắp đầy không gian cấu trúc tinh thể lập phương tâm mặt FCC
 Giải:
- Gọi
f là hệ số lắp đầy
V là phần thể tích các phần tử chiếm chỗ trong không gian
V0 là phần thể tích của ô cơ sở
V
f=
V0
- Vẽ hình

1 1
- Số phần tử thuộc ô mạng cơ sở FCC: n=6 . +8. =4
2 8
4r
- Tương quan r và a: a √ 2=4 r → a=
√2
4 π r3
- Vậy: f =
V
=
4.( ) 3
= 74.05%
V0 4r 2
( )√2
4. Phân biệt mạng tinh thể thực và mạng đảo. Cho ví dụ về sự sắp xếp tinh thể thực trong không gian
đảo (hình dạng tinh thể thực trong không gian đảo).

Mạng đảo là một khái niệm sử dụng trong tinh thể học và vật lý chất rắn. Nếu mạng
thuận là khung của không gian vị trí (thể hiện bức tranh tĩnh của tinh thể) thì mạng
đảo là khung của không gian chuyển động (thể hiện bức tranh động của tinh thể,
VD: chuyển động của tia X trong tinh thể, dao động của nguyên tử trong tinh thể,
chuyển động của electron trong tinh thể …).
• Khái niệm mạng đảo xuất phát từ triển khai Fourier của hàm có tính tuần hoàn.
Cấu trúc tinh thể có tính tuần hoàn dẫn đến các chuyển động trong tinh thể cũng có
tính tuần hoàn.
• Mạng đảo cũng là mạng Bravais, mạng đảo của một mạng đảo của một mạng
Barvais chính là mạng Bravais nguyên thủy bạn đầu (mạng thuận).
• Mạng đảo là phép dựng hình thuần túy hình học nhằm đơn giản hóa bài toán nhiễu
xạ các sóng trên mạng tinh thể: Khi khảo sát cấu trúc của tinh thể bằng phương
pháp nhiễu xạ các tia (X, electron, …) thì bức tranh thu được là ảnh của chùm tia
bị tinh thể làm nhiễu xạ (không phải là vị trí các nguyên tử). Bức tranh này là mạng
đảo của tinh thể, từ đó suy ra mạng thuận (cấu trúc của tinh thể).

VD: Ảnh nhiễu xạ tia X của Zn-Mg-Ho quasicrystal (là hình ảnh mạng đảo của quasicrystal chứ không phải mạng
thuận)
5. Biểu thức liên hệ giữa không gian thực và không gian đảo.
6. Phân biệt các loại liên kết trong chất rắn. Cho ví dụ. So sánh năng lượng liên kết của các loại liên kết. Cho ví dụ
cụ thể.

Van der Waals Ion Đồng hóa trị Kim loại

-Liên hết yếu giữa các -Các nguyên tử trao đổi -Liên kết giữa các -Các e hóa trị được giải
nguyên tử trung hòa do điện tích hóa trị với nhau nguyên tử bằng cách phóng khỏi nguyên tử
sự thăng giáng trong để tạo thành các ion + ,- góp chung e hóa trị . và có thể di chuyển tự
phân bố điện tích của bằng lực hút tĩnh điện Các nguyên tử trung do trong tinh thể, các
các nguyên tử của các ion trái dấu hòa có sự phân bố e ion dương được nằm ở
-Mức năng lượng : -Mức năng lượng: chùm nhau lên một vị trí nút mạng
Từ 0,02-0,2eV/nguyên Elk=4;5-7,36eV/nguyên phần --Mức năng lượng:
tử tử -Mức năng lưọng 1eV/nguyên tử
tương đương với
năng lượng lk ion

7. Phần dao động mạng cung cấp cho các bạn kiến thức, thông tin gì? Ứng dụng của phần dao động trong phân tích
cấu trúc vật liệu như thế nào? Những máy phân tích phổ nào được ứng dụng từ phần kiến thức cơ bản về dao động
mạng.
Biết được :
+Điều kiện để chuyển mạng 3 chiều thành 1 chiều
Các nút giống nhau cách đều nhau (cùng 1 loại nguyên tử)
Dao động theo 1 phương
Dao động cùng pha
+Biết được hệ thức tán sắc dao động : ………ct
+Biết được dao động của mạng tinh thể, nhánh âm nhánh quang vùng cấm
 +Biết được nguyên nhân xuất hiện 2 nhánh dao động
+Biết được dao động của mạng tinh thể 3 chiều : khi trong ô có n nguyên tử thì có 3n nhánh dao động trong
3n nhánh dao động có 3 nhánh âm và 3n-3 nhánh quang
+Biết được lý thuyết vầ phonon

Cổ điển: xem các nguyên tử dao động điều hòa quanh các vị trí cân bằng với cùng tần số. Do vậy, nhiệt dung
không phụ thuộc nhiệt độ và bằng 3R=6 cal/(mol. độ).
- Chỉ đúng ở nhiệt độ phòng và cao hơn.
- Không giải thích được Cp ở vùng nhiệt độ thấp.
• Thuyết lượng tử của Einstein: đưa vào yếu tố lượng tử, giải thích được sự giảm Cp ở vùng nhiệt độ thấp
nhưng không nhanh bằng thực nghiệm.
• Thuyết Debye: yếu tố lượng tử + dao động đàn hồi của toàn bộ tinh thể. Tại vùng nhiệt độ thấp Cp tỷ lệ với
T3 phù hợp với thực nghiệm.

-những máy phân tích phổ

8. CV ? Hàm mật độ trạng thái (các kiểu dao động của phonon) Dp(). Các mô hình (lý thuyết) tìm CV?

9. Công thức độ dẫn nhiệt, hệ số dẫn nhiệt. Biện luận.

10. Mô hình electron tự do. Xây dựng công thức tính năng lượng Fermi (năng lượng cao nhất của electron ứng với
T=0 K). Nêu ý nghĩa và vẽ hàm phân bố Fermi.
-Mô hình e tự do :
+Kim loại gồm các ion dương nặng nằm ở các nút mạng
+Các e hóa trị tách khỏi nguyên tử và chuyển động tự do trong kim loại tạo thành khí điện tử tự do
-Công thức
1
f ( E )= E− EF
kT
e +1
-Ý nghĩa và vẽ hàm phân bố Fermi
Chí các e gần mức Fermi mới tham gia vào quá trình trao đổi nhiệt

Hàm

11. Trình bày các hạn chế của Thuyết Drude và giải thích vì sao Thuyết Drude vẫn được chấp nhận trong lịch sử phát
triển của lí thuyết kim loại?
-Các tinh thể kim loại tinh khiết λ lớn hơn nhiều kích thước Ḁ
 -Nhiệt dung của khí điện tử tự do theo lý thuyết rất lớn so với thực nghiệm
-Thuyết Drude vẫn chấp nhận trong lịch sử phát triển vì giá trị L theo công thức này tương đối phù hợp với
thực nghiệm
3 kβ 2
L= ∗( )
2 e
12. Viết biểu thức tính độ dẫn điện và số Lorentz theo lí thuyết Sommerfeld.

-Tính độ dẫn điện :

n e2 τF
σ= (τF thời gian bay tự do trung bình của điện tử ở gần mức Fermi)
m
-Số Lorent

k π 2 kβ 2
= ∗( )
στ 3 e
-Phù hợp với kim loại ở nhiệt độ từ 0C-100C

-Ở nhiệt độ thấp : L giảm

Nguyên nhân là do có sự sai khác về thời gian hồi phục τ giữa quá trình nhiệt và điện

13. Phân biệt kim loại, chất bán dẫn và chất điện môi dựa vào cấu trúc vùng năng lượng của chúng, vẽ hình minh họa.
-Kim loại : Chất có cùng hóa trị chỉ đầy 1 phần ( kim loại kiềm ) hya đã đầy hoàn toàn nhưng có 1 phần trùng
với vùng nằm ở trên (kim loại kiềm thổ )
-Chất bán dẫn và chất điện môi :
+Chất có vùng hóa trị chứa đầy electron vá trên đó là vùng cấm năng lượng có độ rộng bằng Eg
+Ở nhiệt độ 0K, chất này hoàn toàn không dẫn điện vì năng lượng mà electron thu được trong điện trường
ngoài và dao động nhiệt không đủ để vượt qua vùng cấm
+Nếu Eg khá lớn và ở nhiệt độ không quá cao thì số e nhảy được lên vùng trên không đáng kể và chất như vậy
trên thực tế là một chất không dẫn điện
+Thường qui ước: Chất có cấu trấu vùng và Eg>=3eV là chất cách điện
+Nếu Eg<3eV khi nhiệt độ không quá thấp thì số electron chuyển động đủ năng lượng để vượt qua vùng cấm
khá nhiều => chất bán dẫn

E
E
Eg Eg Ecf
Ec
E
v v
14. Nêu ý nghĩa của thời gian bay tự do của điện tử và từ đó giải thích vì sao độ dẫn điện nói chung không phụ thuộc
vào từ trường ngoài?
+ τ có thứ nguyên của thời gian đặc trưng cho tốc độ thiết lập cân bằng của hệ
 + τ có thể coi là thời gian trung bình giữa 2 lần va chạm vao2 điện tử hay thời gian tự do trung bình của điện
tử
+ τ phụ thuộc vào vận tốc chuyển động tự do (nhiệt) V τ của điện tử, V τ càng lớn thì τ càng nhỏ
+ τ không phụ thuộc vào vận tốc cuốn của điện tử tức là không phụ thuộc vào dein65 trường ngoài do đó độ
dẫn điện nói chung không phụ thuộc vào điện trường ngoài
+ τ càng nhỏ thì hệ nhiễu loạn trở lại cân bằng càng nhanh
+ τ bằng thời gian mà sau đó Vd giảm đi e=2,718 lần, được gọi là thời gian phục hồi
+ Bằng thục nghiệm ta đo được σ dựa vào định luật Ohm) => τ xấp xỉ 10^-14 ÷ 10^-15
15. Viết biểu thức liên hệ giữa năng lượng và khối lượng hiệu dụng của lỗ trống. Vẽ hình minh họa cho hai trường
hợp lỗ trống nặng và lỗ trống nhẹ.
ℏ 2
E (k )= ¿ ∗k
2m
Hình minh họa cho 2 trường hợp lỗ trống nặng và lỗ trống nhẹ :

Chú ý: Sinh viên chỉ được phép mang tài liệu dưới dạng 1 tờ giấy A4 viết tay, mọi hình thức khác hoặc bản
photo đều không được mang vào phòng thi.

Phần Bài Tập, các em ôn tập theo 2 files đính kèm:

1. Bài tập cấu trúc

2. Bài tập phần 2

Chương 4:TÍNH CHẤT NHIỆT CỦA CHẤT RẮN

1. Nhiệt dung của chất rắn

 Nhiệt là năng lượng chuyển từ vật này sang vật khác khi chúng có t 0 khác nhau. Nhiệt được chuyển vào làm
thay đổi nội năng (động năng + thế năng) của nó.
 Theo định luật I của nhiệt động lực học:
 dQ = dU – dW = dU - pdV
 dQ : nhiệt năng
 dU : nội năng
 dW : công
 Khái niệm : Nhiệt dung là lượng nhiệt truyền cho vật để nâng nhiệt độ của vật lên 1 độ.

 Ở nhiệt độ phòng (3000K): giá trị nhiệt dung của hầu hết các chất ko đổi 3R = 3NkB = 6 Cal/(mol.độ)

 Ở nhiệt độ thấp nhiệt dung giảm và tiến đến C v = 0 khi T = 0

 Chất điện môi CV ~ T2
 Kim loại CV ~ T
 Khi T tăng : CV tăng dần đến giá trị ko đổi 3R = 3NkB = 6 cal/mol.độ
 Chất điện môi C ~ T3

 Kim loại C ~ T với =10-4cal/mol.độ

2. Nhiệt dung đằng tích của mạng tinh thể

 Theo lý thuyết nhiệt dung cổ điển thì các nguyên tử trong vật rắn thực hiện các dao động điều hòa theo các
phương bất kỳ. Tuy nhiên ta có thể xem chúng dao động theo 3 phương độc lập nhau. Do đó mỗi bậc tự do
của nguyên tử ứng với 1 dao động điều hòa. Vậy vật rắn có N nguyên tử được xem như là một hệ có 3N dao
động tử điều hòa cổ điển độc lập nhau và có cùng tần số w. Năng lượng trung bình của một dao động tử là :
1 2 1 2 2
E = 2 m v + 2 mω x

 Năng lượng trung bình của 1 dao động tử khi cân bằng nhiệt ( Theo phân bố Boltzman )
∞ −E
kT
∬ E.e dv . dx
0
<E > = ∞ −E
kT
∬e dv . dx
0

 Năng lượng của hệ N hạt (3N dao động tử điều hòa) : U = 3NkT

 Nhiệt dung đẳng tích

 Nhiệt dung đẳng tích của 1 mol: Cv = 3NAk = 3R = 6 cal/mol.độ

 Lí thuyết cổ điển phù hợp với thực nghiệm ở nhiệt độ cao, không phù hợp ở nhiệt độ thấp.

3. Lí thuyết Einstein
 Theo Einstein, tính chất nhiệt của mạng tinh thể chứa N nguyên tử dao động có thể giải thích như tính
chất nhiệt của 3N dao động tử điều hòa một chiều độc lập có cùng tần số. Năng lượng của mỗi dao động tử

En = nhv ( n là số nguyên ).
hν
 Năng lượng trung bình của một dao động tử là:
¿ E>¿ hν
kT
e −1
hv
 Năng lượng trung bình của hệ gồm 3N dao động tử U= 3N. hv
kT
e −1
 Ở nhiệt độ cao kT >> h ν  x<<1 :
hν
 e kT −1 ≈
hν
kT
 U= 3NkT đúng theo thuyết cổ điển ( Định luật Dulông – Petit ).

- Ở nhiệt độ thấp kT << h →x >> 1 :

−hv
hv kT
<E>= hv
≈ hv . e
kT
e −1

hν 2
−hν
∂U
→ U=3 N < E>→ C V =
∂T ( ) V
=3 Nk ( )
kT
.e kT

θE 2 −θT E

 Nhiệt độ Einstein¿ ¿ ) =>C V =3 Nk

T ( )
e .

 Lý thuyết einstein cho phép giải thích C v ko đổi ở t0 cao, ở t0 thấp Cv giảm khi t0 giảm nhưng giảm nhanh hơn
kết quả thực nghiệm.
 Cv giảm theo nhiệt độ theo hàm e mũ. Trong lúc đó các kết quả thực nghiệm lại cho thấy rằng trong miền
nhiệt độ thấp CV tỉ lệ với lũy thừa bậc 3 của nhiệt độ.
 Nhược điểm: nguyên nhân của sự không phù hợp thực nghiệm của lý thuyết Einstein là việc cho rằng các dao
động tử trong vật rắn là độc lập và có cùng tần số.

4. Lí thuyết Debye
 Chất rắn gồm các dao động tử, một dao động tử không biểu thị dao động của từng gốc nguyên tử như mẫu
Einstein mà biểu thị cho dao động chuẩn toàn tinh thể.
 Tinh thể có N nguyên tử thì có 3N dao động chuẩn, N dao động dọc và 2N dao động ngang.
 hv
 Năng lượng trung bình của một dao động tử với tần số v là: <E >= h
v

kT
e −1
3N
h vi
 Năng lượng của mạng tinh thể chất rắn : U = ∑ i=1
h vi
kT
e −1
 Tinh thể là 1 môi trường tán sắc. Tinh thể lập phương cạnh L.

 Hệ thức tán sắc

2π
ω 0=v 0 √ n x 2+ n y 2 +n z2
L

2π
- Vecto sóng q =
λ

- Xét trong không gian q : các giá trị được phép của q xác định vị trí các nút của mạng Ô nguyên tố
dạng lập phương cạnh.
3 3

2π 2π 8v
- Thể tích ô mạng : L -> ( )=
L V

 V : Thể tích của tích thể , V = L3.

4 3
- Các điểm có cùng 1 giá trị q thuộc cùng 1 mặt cầu r = q, Thể tích mặt cầu: 3 π q

- Số các giá trị được phép của q bằng số dao động tử có số sóng từ 0 - > q : q=

2π 3 N (q)
L √
3

4π

3 N (q)
Hệ thức tán sắc : w = voq = vo. 2 π 3
-
L √ V 2π v 3
4π
4π 3
- Số các dao động tử có tần số v từ 0 -> v : N (q) = 2 v =V 3 v
6π 0 3 v0 ( )
- Số dao động tử có giá trị q trong khoảng q -> q + dq :
dN (q ) q2
g (q) = =V (1)
dq 2 π2
dN ( v) 4π
- Số dao động tử có v trong khoảng v -> v + dv : g (v) = =V 3 v 2(2)
dv v0

 (1) và (2) : hàm mật độ trạng thái ( mật độ mode dao động ).
- Nhiệt dung riêng của tinh thể ở nhiệt độ cao: Cv = 3Nk => Kết quả này phù hợp với định luật Dulong-
Petit.
 3
T
- Nhiệt dung riêng của tinh thể ở nhiệt độ thấp: C V =234 Nk ( )
θD

 Theo lý thuyết Debye, khi t0 của tinh thể T -> 0 thì nhiệt dung của tinh thể do dao động mạng C V -> 0 theo
định luật lũy thừa 3 của nhiệt độ. Lý thuyết nhiệt dung Debye hoàn toàn phù hợp với thực nghiệm ở
miền t0 thấp và t0 cao.

5. Lí thuyết Phonon về nhiệt dung

 Ánh sáng có tính lưỡng tính sóng – hạt.

 Tính chất sóng đặc trưng bởi bước sóng

 Tính chất hạt đặc trưng bởi năng lượng photon

 Sự lượng tử hóa sóng ánh sáng là photon
 Tương tự sự lượng tử hóa của sóng đàn hồi trong tinh thể là phonon có năng lượng và xung lượng.
 Photon có thể tồn tại trong chân ko nhưng phonon chỉ có trong các môi trường có thể truyền sóng đàn hồi
(photon: hạt thực, phonon: chuẩn hạt).
 Năng lượng trung bình của một dao động tử trong tinh thể :

hv
< EV> = h
v

kT
= < n > hv
e −1

1
 <n>= v
h số phonon có năng lượng trung bình h v
kT
e −1
 T0 xác định => số phonon xác định

hv ∂U
 Ở nhiệt độ cao : x = ≪1 C V = =const
kT ∂T
3
T
 Ở nhiệt độ thấp:C V 234 Nk ( )
θD
 Lt Phonon phù hợp với thực nghiệm ở cả t 0 thấp và cao ( phù hợp với kết quả thực nghiệm ).

 Tóm lại
 Tinh thể chất rắn có thể coi là một hộp chứa khí phonon có số phonon thay đổi theo nhiệt độ chất rắn.
 Phonon và photon đều tuân theo phân bố Bose-einstein và được gọi là các hạt Boson. Cả 4 thuyết đều không
giải thích được cơ chế dẫn nhiệt của Kim Loại.

6. Sự dẫn nhiệt và nở nhiệt của chất rắn

a. Sự dẫn nhiệt
 Trong các vật rắn điện môi quá trình dẫn nhiệt chủ yếu là do các phonon
 Thuyết động học chất khí, hệ số dẫn nhiệt trong chất khí :
1
k= C <v > λ
3 V
 Cv là đơn vị nhiệt dung của một đơn vị thể tích khí
 <v> vận tốc tb của các phân tử khí

 quãng đường tự do tb của các hạt của các phonon qua 2 quá trình: Tán xạ hình học và tán
xạ phonon-phonon
const
 Ở nhiệt độ cao T >> , C V =const , K =
T
 k giảm khi nhiệt độ tăng, phù hợp định tính với kết quả thực nghiệm.

 Ở nhiệt độ thấp T << , K = const

 Thực tế K tiếp tục tăng khi hạ nhiệt độ, do khi nhiệt độ giảm thì biên độ dao động giảm, quãng đường tb của
các phonon tăng cho đến khi quãng đường tự do tb bị hạn chế bởi tán xạ hình học trên các nút mạng tinh
thể.

b. Sự nở nhiệt
 Coi mạng tinh thể như một mạng các dao động tử dao động ĐH
 t0 tăng -> biên độ dao động tăng -> khoảng cách giữa các nguyên tử tăng -> nở nhiệt
 Hệ số nở nhiệt : α ~ Cv
 Ở nhiệt độ cao : Cv = const -> α = const => ko phụ thuộc vào t0
 Ở nhiệt độ thấp : Cv ~ T3 -> α ~ T3
Bảng tóm tắt :

Cổ điển Einstein Debye Phonon

- 1 hạt  3 dđ - 1 chất rắn có N hạt có - Giải thích cho chất - Nhìn tinh thể như
3N dđ điều hòa độc lập điện môi. chiếc hộp chứa khí
 N hạt  N dđ
có cùng tần số μ. phonon có số phonon
- Chỉ giải thích được cho - Chât rắn gồm các dđ
thay đổi theo nhiệt độ.
t0 phòng. - Tính NL theo tần số dđ. điện tử : 1 dđ tử hiển
( 3000K) thị dđ cho từng - Phonon và photon đều
hμ
- Phù hợp với t0 cao. θE =
k
: Nđ nguyên tử như E mà tuân theo phân bố Base
∂U biểu thị cho dđ chuẩn Einstein được coi là hạt
Cv = = 3NK Einstein
∂T ( loại dao động ) của Bozon.
= 3NAk = 3k = 6 θE
θE 2 T toàn mạng tinh thể.
cal/mol.độ
Cv = 3Nk. ( )T
.c - Phonon NLMT
→
-Tinh thể có N nguyển
chuyển động.
- Chưa phù hợp đo ở tử có 3N dđ chuẩn : N
nhiệt độ thấp Cv giảm quá dọc, 2N ngang. - Phonon là giả hạt
nhanh so với thực ( đầy đủ tính chất như
- Tinh thể là một môi
nghiệm. photon ).
trường tán sắc:
- Phonon là sự lượng tử
2π
-Nhược điểm: nguyên ω = qv, q = hóa sóng.
λ
nhân của sự không phù
- t0 tăng  Nồng độ
hợp thực nghiệm của lý - Điều kiện biên tuần
phonon tăng ( số lượng /
thuyết Einstein là việc hoàn : Ở nđ xét quá
số loại dao động tăng ).
cho rằng các dao động tử phức tạp nhưng cách
tính cuối cùng - Phù hợp với thực
trong vật rắn là độc lập
nghiệm ở t0 cao và thấp
và có cùng tần số 4 4 4
9Nπ k T
u=
15 h3 μ3max  LT Phonon và Debye
gần như là 1, do cách
h μ❑max
θ D= : nđ nhìn khác nhau. ( Thuyết
k
Debye nhìn dđ 3N,
Debye
Thuyết Phonon nhìn số

12 N π 4 k T 3 Phonon ).
Cv =
5 θD ( )
- Phù hợp với thực
nghiệm ở t0 cao và thấp
 Cả 4 thuyết đều không giải thích được cơ chế dẫn nhiệt của Kim loại.
 Chương 5: KHÍ ĐIỆN TỬ TỰ DO TRONG KIM LOẠI
I. Lý thuyết cổ điển về khí điện tử của Drude
- Mô hình Drude – Lorentz:

 Kim loại gồm các ion dương nặng nằm ở các nút mạng.
 Electron hóa trị tách chuyển động tự do trong kim loại tạo thành khí điện tử tự do.
- Theo Drude các electron dẫn điện trong kim loại như các hạt cổ điển chuyển động tự do trong “hộp tinh
thể”.

- Theo thuyết động học phân tử:

 Các điện tử luôn bị va chạm khi chuyển động

 Sự va chạm tuân theo định luật Newton
 Thời gian bay tự do trung bìnhτ không phụ thuộc vào vị trí và vận tốc
 Khi va chạm xảy ra tức thời làm vận tốc của điện tử thay đổi đột ngột => cơ chế chính làm các điện tử
cân bằng nhiệt với môi trường xung quanh hoặc trở lại trạng thái cân bằng khi thôi tác dụng ngoại lực

Không có điện trường Có điện trường

Các electron chuyển động nhanh và 1. Chuyển động hỗn loạn
thường xuyên thay đổi chiều 2. Chuyển động trung bình có hướng theo
phương của điện trường

 Trong điện trường, e có 2 loại vận tốc VT và Vd

 E thì các điện tử tự do trong kim loại chịu tác dụng của lực điện trường
Đặt lên vật dẫn điện 1 điện trường ⃗
cđ có hướng với vận tốc trung bình Vd (vận tốc cuốn)
 Dòng điện có mật độ tuân theo định luật Ohm ⃗j = σ ⃗
E ¿ độ dẫn điện riêng của vật dẫn)
 F e =−e ⃗
Lực điện trường tác dụng lên điện tử⃗ E
 Trong quá trình chuyển động các điện tử luôn bị tán xạ trên mạng tinh thể
−1
F ms=
⃗ m ⃗v
τ

- Nếu coi các điện tử tự do trong kim loại như khí điện tử => khí tự do (Vận tốc nhiệt) V T được tính theo công

1 3
thức: mV T = kT
2 2

- Ý nghĩa của τ

 Đặc trưng cho tốc độ thiết lập cân bằng của hệ

 Là thời gian trung bình giữa 2 lần va chạm (thời gian tự do trung bình) của điện tử
 Phụ thuộc vào vận tốc chuyển động tự do (nhiệt)V T của điện tử, VT càng lớn thìτ càng nhỏ
  Không phụ thuộc vào vận tốc cuốn V d của điện tử. Do đó độ dẫn điện σ nói chung ko phụ thuộc vào điện
trường ngoài
 τ càng nhỏ thì hệ nhiễu loạn trở lại cân bằng càng nhanh
 τ = thời gian mà sau đó Vd giảm đi e = 2,718 lần, được gọi là thời gian hồi phục
 Bằng thực nghiệm ta đo được σ (dựa vào định luật Ohm) → τ ≈ 10−14 ÷ 10−15 s

- Quãng đường bay tự do tb của điện tử λ

λ=V T . τ

 Trong đó: VT≈ 107 (cm/s); τ ≈ 10−14 ÷ 10−15 s=¿ λ 10 Å

- Ở nhiệt độ thấp

 Các tinh thể kim loại tinh khiết λ lớn hơn nhiều kích thước Å .
 Nếu coi tán xạ chính của e- là do mạng tinh thể thì λ angstrom .

 Không phù hợp với kết quả thực nghiệm  Mô hình Drude chưa phù hợp với thực nghiệm.

- Ở nhiệt độ cao:

1
 Thực nghiệm:σ
t
−3
 Theo lý thuyết cổ điển, ở nhiệt độ cao: σ T 2

 Thuyết cổ điển không phù hợp với thực nghiệm

Kim loại Độ dẫn điện ( Ω. m)−1

Bạc
6,8.107
Đồng
6,0.107
Vàng
4,3.107
Nhôm
3,8.107
Sắt
1,0.107
Đồng thau (70Cu-
1,6.107
30Zn)
0,94.107
Bạch kim
0,2.107
Thép không gỉ

 Sự dẫn điện của khí điện tử

 Điện tử trong kim loại vừa là hạt tải điện vừa là hạt tải nhiệt.
K
 Công thức liên hệ giữa hệ số dẫn điện và hệ số dẫn nhiệt: =¿
σ
 2
3 kB
Trong đó L = const = số Lorentz, L= ( )
2 e

 Giá trị thực của hằng số Lorentz (đơn vị: 10−8W.Ω / K 2)

Kim loại 273K 373K

Cu 2,23 2,33
Mo 2,61 2,79
Pd 2,59 2,74
Ag 2,31 2,37
Sn 2,52 2,49
Pt 2,51 2,60
Bi 3,31 2,89
 Nhận xét

- Thuyết Derude được chấp nhận trong lịch sử phát triển của lý thuyết kim loại

- Cv lấy từ kết quả của thuyết cổ điển (đã ko phù hợp với thực nghiệm) => kết quả trùng hợp của L là ngẫu
nhiên

- Quãng đường tự do trung bình λ theo thuyết rất nhỏ so với thực nghiệm.

- Nhiệt dung riêng của khí điện tử tự do theo thuyết rất lớn so với thực nghiệm.

 Cần lý thuyết mới để khắc phục.

II. Lý thuyết về khí điện tử tự do của Sommerfeld

 Mô hình của Sommerfeld:

- Các điện tử tự do trong kim loại tạo nên khí điện tử chuyển động tự do trong kim loại.

- Các điện tử tuân theo phân bố Fermi-Dirac

 Điện tử coi như chuyển động tự do trong một hố thế có bề rộng bằng kích thước tinh thể.
+ Theo thuyết của Sommerfeld, chỉ các electron gần mức Fermi mới tham gia vào quá trình trao đổi nhiệt.

1
f ( E )=
E−E F
exp +1
kT

 Thuyết Pauli
 Trong chất rắn các điện tử được phân bố theo mức năng lượng từ thấp đến cao
 Ở 0oK, mức năng lượng cao nhất có điện tử chiếm là mức Fermi E F
 Vecto sóng ứng với mức Fermi là kF
 Mặt có cùng năng lượng EF gọi là mặt Fermi
 4
πk 3
 Số trạng thái trong mặt cầu này là 3 F

¿¿

III. Áp dụng lý thuyết Sommerfeld

1. Nhiệt dung của khí điện tử

- Theo lý thuyết của Sommerfeld chỉ các điện tử ở gần mức Fermi mới tham gia vào quá trình trao đổi nhiệt

- Ở nhiệt độ T, do chuyển động nhiệt, 1 số điện tử ở dưới mức Fermi có thể nhảy lên mức đó và làm thay đổi
sự phân bố trạng thái của chúng

- S điện tử là: Δ n=2 g ( EF ) . f ( E ) . Δ E

3 T
- Năng lượng khí điện tử thu được ΔU =Δ n. k B .T = 2 NkBT ( T )
E

Δ U 3 NkB π 2 N A k 2B Z
- Nhiệt dungC= ΔT
=
TF
T =γ T với γ = 2 E
F

2. Sự dẫn nhiệt và dẫn điện của khí điện tử

1
- Tính hệ số dẫn nhiệt theo thuyết động học chất khí K= CV λ
3

- Ở nhiệt độ phòng, các kl sạch thường có độ dẫn nhiệt lớn hơn các chất điện môi từ 10 ÷ 100 lần

 Điện tử đóng vai trò trội hơn so với phonon

 Tính độ dẫn điện

- Mật độ dòng điện ⃗j =−e ∫ v ( E ) g ( E ) f E . dE=σ ⃗

E

n e2 τ F
- Độ dẫn điệnσ =
m

π2
- Tính số Lorentz :k /σ T =
3
.¿

- Phù hợp với nhiều kim loại trong khoảng 0 oC -> 100oC

- Ở nhiệt độ thấp (T<<θ D): L giảm

- Nguyên nhân là do có sự sai khác về tg hồi phục τ giữa quá trình nhiệt và điện
Kim loại k/σT (10−8WΩ/ K 2
)
Cu 2,23
Ag 2,31
Au 2,35
Zn 2,31
Cd 2,42
Sn 2,52
Mo 2,61
Pb 2,47
Pt 2,51