ELEKTRONİK DERS NOTU

(DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT’LER)

 BÖLÜM-III
DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT’LER
Giriş:
Transistörlü bir yükseltecin analizi ve tasarımı için dc veya ac tepkisini bilmek gereklidir. Transistörün
dıştan bir enerji kaynağının yardımı olmadan uygulanan ac girişin seviyesini yükselttiğini düşünmek
yanlıştır. Gerçekte, çıkışın yükseltilmiş güç seviyesi uygulanan dc kaynağın enerjisinin aktarılması
sonucudur.

Bir transistörün dc analizinin gerçekleştirilebilmesi için bilinmesi gereken değer ve formüller aşağıda
verilmiştir.
𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉 (3.1)
𝐼𝐸 = 1 + 𝛽 𝐼𝐵 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (3.2)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (3.3)

2
 DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT’LER
Transistörlü yükselteçlerde dc akım ve dc gerilim, uygulanan sinyalin yükseltilmesinde kullanılacak
bölgedeki ‘çalışma noktasını’ oluşturacaktır. Çalışma noktası karakteristik eğride sabit bir nokta olduğu
için bu noktaya hareketsiz (quiescent) nokta denir ve Q ile gösterilir.

Şekil 3.1’de ortak-emitörlü yapıya ait karakteristik eğri

verilmiştir. Bu eğrideki kesikli çizgiler ile ayrılmış
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011)

bölüm aktif bölgeyi diğer kısımlar ise kesim ve doyum

bölgelerini ifade etmektedir.

Aktif Kesim Doyum

BE İleri ön-gerilimli Ters ön-gerilimli İleri ön-gerilimli
CB Ters ön-gerilimli Ters ön-gerilimli İleri ön-gerilimli

Şekil 3.1 Ortak Emitörlü yapıya ait karakteristik eğri 3

 DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT’LER
Kutuplama Devreleri-Sabit Eğilimlemeli Yapı: Şekil 3.2 ile verilen devre en basit dc eğilimleme
devresidir. Devrede npn transistör kullanılmıştır. Bütün akımların yönleri ve gerilim kutuplarının yönü
değiştirilerek pnp transistör için hesaplamalar aynen yapılabilir. DC analizde kapasitörler açık devre
kabul edilerek analiz yapılabilir. Çünkü dc durumda kapasitörün reaktansı sonsuzdur.
I. Yol denklemi
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
I. Yol II. Yol
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

II. Yol denklemi

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

Şekil 3.2 Sabit eğilimlemeli devre Şekil 3.3 devrenin dc eşdeğeri 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 4
 DC EĞİLİMLEME (KUTUPLAMA) BJT’LER
Örnek 3.1: Şekil 3.4 ile verilen sabit eğilimleme devresinde 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉, 𝑅𝐵 = 240𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 2.2𝑘Ω
olduğuna göre; baz (𝐼𝐵 ) ve kollektör (𝐼𝐶 ) akımı ile kollektör-emitör arası gerilimi (𝑉𝐶𝐸 ), Baz gerilimini
(𝑉𝐵 ), kollektör gerilimini (𝑉𝐶 ) ve baz-kollektör gerilimini (𝑉𝐵𝐶 ) bulunuz.

I. Yol denklemi
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
12 − 0.7
𝐼𝐵 = = 𝟒𝟕. 𝟎𝟖𝝁𝑨 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 50 × 47.08𝜇𝐴 = 𝟐. 𝟑𝟓𝒎𝑨
240𝑘Ω
II. Yol denklemi
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 12 − 2.35mA × 2.2𝑘Ω = 𝟔. 𝟖𝟑𝑽

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 𝑉𝐸 = 0 olduğundan;
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 = 𝟔. 𝟖𝟑𝐕
Şekil 3.4 Sabit eğilimlemeli devre 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 = 𝟎. 𝟕𝟎𝑽
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 𝑉𝐵𝐶 = 0.7 − 6.83 = −𝟔. 𝟏𝟑𝑽 5
Yük Hattı Analizi: yük hattı analizinde;
𝐼𝐶 = 0 ise (kesim durumu), 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 0 𝑅𝐶 ⟹ 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 olur.
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 0 ise (doyum durumu), 0 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 ⟹ 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝐶

Yük Hattı Analizi: yük hattı analizinde; Sabit 𝑉𝐶𝐶 ve 𝑅𝐵 değerleri

için 𝑅𝐶 değişimlerine karşılık çalışma noktaları (Şekil 3.6);

Şekil 3.6 Artan bir

𝑅𝐶 seviyesinin yük
hattına etkisi ve Q-
noktaları.
Şekil 3.5 Sabit eğilimlemeli yük hattı
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 6
 Yük Hattı Analizi:

Yük Hattı Analizi: yük hattı analizinde; Farklı 𝐼𝐵 Yük Hattı Analizi: yük hattı analizinde; Farklı 𝑉𝐶𝐶 değerleri
değerleri için yük hattı ve çalışma noktaları (Şekil 3.7); için yük hattı ve çalışma noktaları (Şekil 3.8);

Şekil 3.7 Artan bir 𝐼𝐵 akımının yük hattına etkisi Şekil 3.8 Farklı 𝑉𝐶𝐶 ’nin değerleri için yük hattı ve
ve Q-noktaları. Q-noktaları
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 7
 Emitöründe direnç olan sabit eğilimlemeli yapı: Şekil 3.9’da verilen devrenin çalışmasını analiz
etmek için devrenin baz-emitör ile kollektör-emitör çevresi ayrı ayrı ele alınmalıdır.
I. Yol denklemi (baz-emitör)
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 𝐼𝐸 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵 için
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝛽 + 1 𝐼𝐵 𝑅𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽 + 1 𝑅𝐸

II. Yol denklemi(kollektör-emitör)

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 için

Şekil 3.9 Emitör direnci eklenmiş Sabit eğilimlemeli devre 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011)
8
Örnek 3.2: Şekil 3.10 ile verilen devrede 𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉, 𝑅𝐵 = 430𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 2𝑘Ω, 𝑅𝐸 = 1𝑘Ω olduğuna
göre; 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 ve 𝑉𝐵𝐶 ’yi bulunuz.
I. Yol denklemi
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝛽 + 1 𝐼𝐵 𝑅𝐸 = 0 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽 + 1 𝑅𝐸
20 − 0.7
𝐼𝐵 = = 𝟒𝟎. 𝟏𝝁𝐀
430𝑘Ω + 50 + 1 1𝑘Ω

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 50 × 40.1𝜇𝐴 = 𝟐. 𝟎𝟏𝒎𝑨

II. Yol denklemi(kollektör-emitör)

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸 = 20 − 2.01𝑚𝐴 (2𝑘Ω + 1𝑘Ω)
Şekil 3.10
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011)
𝑉𝐶𝐸 = 𝟏𝟑. 𝟗𝟕𝑽 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
9
Örnek 3.2: Şekil 3.10 ile verilen devrede 𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉, 𝑅𝐵 = 430𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 2𝑘Ω, 𝑅𝐸 = 1𝑘Ω olduğuna
göre; 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 ve 𝑉𝐵𝐶 ’yi bulunuz.
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝐶 = 20 − (2.01𝑚𝐴)(2𝑘Ω)
𝑉𝐶 = 𝟏𝟓. 𝟗𝟖𝑽

𝑉𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐸 = 15.98 − 13.97 = 𝟐. 𝟎𝟏𝑽

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸
𝑉𝐵 = 0.7 + 2.01 = 𝟐. 𝟕𝟏𝑽

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶
Şekil 3.10 𝑉𝐵𝐶 = 2.71 − 15.98 = −𝟏𝟑. 𝟐𝟕𝑽
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 10
Örnek 3.3: Örnek 3.1 ve Örnek 3.2 için 𝛽’nın 50 ve 100 değerleri için eğilimleme gerilimlerini ve
akımlarını hesaplayarak bir tablo oluşturunuz. 𝛽’daki değişim için 𝐼𝐶 ve 𝑉𝐶𝐸 değerlerini karşılaştırınız.
12 − 0.7
Örnek 3.1 𝛽=50 için; 20 − 0.7
𝐼𝐵 = = 𝟒𝟕. 𝟎𝟖𝝁𝑨 𝐼𝐵 = = 𝟒𝟎. 𝟏𝝁𝐀
240𝑘Ω 430𝑘Ω + 50 + 1 1𝑘Ω
𝛽=50 için; Örnek 3.2
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 50 × 40.1𝜇𝐴 = 𝟐. 𝟎𝟏𝒎𝑨
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 50 × 47.08𝜇𝐴 = 𝟐. 𝟑𝟓𝒎𝑨 𝑉𝐶𝐸 = 20 − 2.01𝑚𝐴 2𝑘Ω + 1𝑘Ω = 𝟏𝟑. 𝟗𝟕𝑽
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 12 − 2.35mA × 2.2𝑘Ω = 𝟔. 𝟖𝟑𝑽 𝛽=100 için;
20 − 0.7
𝐼𝐵 = = 𝟑𝟔. 𝟑𝝁𝐀
𝛽=100 için; 430𝑘Ω + 100 + 1 1𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 100 × 36.3𝜇𝐴 = 𝟑. 𝟔𝟑𝒎𝑨
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 100 × 47.08𝜇𝐴 = 𝟒. 𝟕𝟏𝒎𝑨
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 12 − 4.71mA × 2.2𝑘Ω = 𝟏. 𝟔𝟒𝑽 𝑉𝐶𝐸 = 20 − 3.63𝑚𝐴 2𝑘Ω + 1𝑘Ω = 𝟗. 𝟏𝟏𝐕

𝛽 𝐼𝐵 (𝜇𝐴) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝛽 𝐼𝐵 (𝜇𝐴) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉)

50 47.08 2.35 6.83 50 40.1 2.01 13.97
100 47.08 4.71 1.64 100 36.3 3.63 9.11
11
 Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı: Sabit eğilimleme yapısında eğilimleme akımı 𝐼𝐶𝑄 ve gerilimi
𝑉𝐶𝐸𝑄 transistörün akım kazancı 𝛽’nın fonksiyodur. Ancak, özellikle silikon transistörlerde 𝛽 sıcaklığa duyarlı
olduğu için 𝛽’nın gerçek değeri genellikle tam olarak tanımlı değildir. Transistörün akım kazancı 𝛽’ya az
bağımlı, hatta bağımsız bir eğilimleme devresi istenen bir durumdur. Şekil 3.11’de verilen gerilim bölücü
eğilimleme devresi böyle bir devredir. Devrenin analizi yapılacak olursa;

Tam Analiz I
𝐼1 , 𝐼2 , 𝐼𝐵 akımları bulunur. Bilinmeyen sayısı üç olduğu için
çözüm için üç denkleme ihtiyaç vardır.

B 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼1 𝑅1 − 𝐼2 𝑅2 = 0 𝐼𝐸 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵 için
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼1 𝑅1 − 𝑉𝐵𝐸 − 1 + 𝛽 𝐼𝐵 𝑅𝐸 = 0
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 𝐼2 𝑅2 − 𝑉𝐵𝐸 − 1 + 𝛽 𝐼𝐵 𝑅𝐸 = 0

Denklemleri kullanılarak 𝐼𝐵 hesaplanır ve 𝑉𝐶𝐸 ;

Şekil 3.11 Gerilim bölücü eğilimleme yapısı
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 şeklinde yazılır. 12
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011)
 Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam)

Tam Analiz II
B Şekil 3.11’deki devre Şekil 3.12’de gösterildiği gibi yeniden çizilecek
olursa; B noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (𝐸𝑇𝐻 ) ve Thevenin
eşdeğer direnci (𝑅𝑇𝐻 ) bulunarak 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 ve 𝐼𝐸 hesaplanır.

𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝐸𝑇𝐻 =
Şekil 3.12 Gerilim bölücü 𝑅1 + 𝑅2
yapının dc bileşenleri 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1 //𝑅2
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011)

𝐸𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0

𝐼𝐸 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵 için
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑅𝑇𝐻 + 𝛽 + 1 𝑅𝐸 13
Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam)

Yaklaşık Analiz
Şekil 3.12’de verilen devrede B noktasının gerilimi (𝑉𝐵 ) aşağıdaki gibi
hesaplanabilir.
𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝑉𝐵 =
𝑅1 + 𝑅2
B
Eğer 𝛽𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2 koşulu sağlanıyorsa yaklaşık analiz yapılabilir. Bu
durumda 𝑉𝐵 hesaplandıktan sonra 𝑉𝐸 aşağıdaki gibi hesaplanabilir.

𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐸
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶𝑄 ≅ 𝐼𝐸
Şekil 3.12 Gerilim bölücü 𝑅𝐸
yapının dc bileşenleri
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

14
Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam)

Örnek 3.4: Şekil 3.13 ile verilen devrede 𝐼𝐶 akımını ve 𝑉𝐶𝐸 gerilimini bulunuz.

Tam Analiz II B noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (𝐸𝑇𝐻 ) ve Thevenin

eşdeğer direnci (𝑅𝑇𝐻 )

𝑉𝐶𝐶 𝑅2 (22𝑉)(3.9𝑘Ω)
𝐸𝑇𝐻 = = = 𝟐𝑽
𝑅1 + 𝑅2 39𝑘Ω + 3.9𝑘Ω
3.9𝑘Ω (39𝑘Ω)
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1 //𝑅2 𝑅𝑇𝐻 = = 𝟑. 𝟓𝟓𝒌𝛀
39𝑘Ω + 3.9𝑘Ω
B
𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 2 − 0.7
𝐼𝐵 = = = 𝟖. 𝟑𝟖𝝁𝑨
𝑅𝑇𝐻 + 𝛽 + 1 𝑅𝐸 3.55𝑘Ω + 101 1.5𝑘Ω

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 100 8.38𝜇A = 0.84𝑚𝐴

Şekil 3.13 Örnek 3.4 için kullanılan devre
𝑉𝐶𝐸 ≅ 22 − 0.84𝑚𝐴 10𝑘Ω + 1.5𝑘Ω = 𝟏𝟐. 𝟑𝟒𝐕
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 15
Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam)

Örnek 3.4: Şekil 3.13 ile verilen devrede 𝐼𝐶 akımını ve 𝑉𝐶𝐸 gerilimini bulunuz.

Yaklaşık analiz: Yaklaşık analiz için çözüm testi yapılırsa;

𝛽𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2
100 1.5kΩ ≥ (10)(3.9kΩ)
150kΩ ≥ 39kΩ (Yaklaşık çözüm kullanılabilir.)

𝑉𝐶𝐶 𝑅2 (22𝑉)(3.9𝑘Ω)
𝑉𝐵 = = = 𝟐𝑽
B 𝑅1 + 𝑅2 39𝑘Ω + 3.9𝑘Ω

𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 2 − 0.7 = 1.3𝑉

𝑉𝐸 1.3𝑉
𝐼𝐸 = = = 0.867𝑚𝐴
𝑅𝐸 1.5𝑘Ω 𝐼𝐶𝑄 ≅ 𝐼𝐸 = 𝟎. 𝟖𝟔𝟕𝒎𝑨

𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Şekil 3.13 Örnek 3.4 için kullanılan devre
𝑉𝐶𝐸 ≅ 22 − 0.867(10𝑘𝛺 + 1.5𝑘𝛺) = 𝟏𝟐. 𝟎𝟑𝑽
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 16
Gerilim Bölücü Eğilimleme (Kutuplama) Yapısı (Devam)

Örnek 3.5: Örnek 3.4 ile verilen devrede 𝛽 = 50 alınırsa 𝐼𝐶 akımını ve 𝑉𝐶𝐸 gerilimini bulunuz.
Tam Analiz II B noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (𝐸𝑇𝐻 ) ve Thevenin
eşdeğer direnci (𝑅𝑇𝐻 )

𝐸𝑇𝐻 = 𝟐𝑽 𝑅𝑇𝐻 = 𝟑. 𝟓𝟓𝒌𝛀

𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 2 − 0.7

𝐼𝐵 = = = 𝟏𝟔. 𝟐𝟒𝝁𝑨
𝑅𝑇𝐻 + 𝛽 + 1 𝑅𝐸 3.55𝑘Ω + 51 1.5𝑘Ω

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
B
𝛽 = 50
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 50 16.24𝜇A = 𝟎. 𝟖𝟏𝒎𝑨
𝑉𝐶𝐸 ≅ 22 − 0.81𝑚𝐴 10𝑘Ω + 1.5𝑘Ω = 𝟏𝟐. 𝟔𝟗𝐕

𝛽 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝑉𝐶𝐸 (𝑉)

50 0.81 12.69
Şekil 3.13 Örnek 3.5 için kullanılan devre 100 0.84 12.34
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 17
Ortak Kollektörlü Devrelerin Kutuplanması

Önceki bölümlerde gösterilen yapılarda çıkış gerilimi tipik olarak transistörün kollektör terminalinden
alınmıştı. Bu bölümde ise Şekil 3.14’te gösterildiği gibi emitör terminalinden alınmıştır.

I. Yol denklemi
−𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 1 + 𝛽 𝐼𝐵 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 1 + 𝛽 𝑅𝐸

II. Yol denklemi

−𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 = 0

Şekil 3.14 Ortak kollektörlü yapı V𝐶𝐸 = 𝑉𝐸𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸

(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011)

18
Ortak Kollektörlü Devrelerin Kutuplanması

Örnek 3.6: Şekil 3.15 ile verilen devrede 𝐼𝐶 akımını ve 𝑉𝐶𝐸 gerilimini bulunuz.
I. Yol denklemi
−𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 1 + 𝛽 𝐼𝐵 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 1 + 𝛽 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸
𝑅𝐵 + 1 + 𝛽 𝑅𝐸

20 − 0.7
𝐼𝐵 = = 45.73𝜇𝐴
240𝑘Ω + 1 + 90 (2𝑘Ω)

𝐼𝐸 = 1 + 90 47.73𝜇𝐴 = 𝟒. 𝟔𝒎𝑨

Şekil 3.15 Örnek 3.6 için kullanılan devre II. Yol denklemi
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) −𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 = 0

V𝐶𝐸 = 𝑉𝐸𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸

V𝐶𝐸 = 20 − 4.6𝑚𝐴 2𝑘Ω = 𝟏𝟏. 𝟔𝟖𝐕

19
Ortak Bazlı Devrelerin Kutuplanması

Ortak bazlı yapıda diğerlerinden farklı olarak uygulanan sinyal emitör terminaline bağlıdır ve baz
topraktadır. Bu kutuplama yöntemi çok popülerdir çünkü ac durumda düşük giriş empedansı, yüksek
çıkış empedansı ve iyi bir kazancı vardır. Tipik olarak ortak bazlı yapı Şekil 3.16’de verilmiştir. Dikkat
edilirse bu yapıda iki kaynak vardır.

I. Yol denklemi
−𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸

II. Yol denklemi

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 = 0

Şekil 3.16 Ortak bazlı yapı V𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸 − 𝐼𝐸 (𝑅𝐸 +𝑅𝐶 )
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011)

20
Ortak Bazlı Devrelerin Kutuplanması

Örnek 3.7: Şekil 3.17 ile verilen devrede 𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 akımlarını ve 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐶𝐵 gerilimlerini bulunuz.

I. Yol denklemi
−𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 4 − 0.7
𝐼𝐸 = 𝐼𝐸 = = 𝟐. 𝟕𝟓𝒎𝑨
𝑅𝐸 1.2𝑘Ω

𝐼𝐸 2.75𝑚𝐴
1 + 𝛽 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 𝐼𝐵 = = = 𝟒𝟓. 𝟎𝟖𝝁𝑨
1+𝛽 (1 + 60)

II. Yol denklemi

Şekil 3.17 Örnek 3.7 için kullanılan devre V𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸 − 𝐼𝐸 (𝑅𝐸 +𝑅𝐶 )
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) V𝐶𝐸 = 10𝑉 + 4𝑉 − 2.75𝑚𝐴 1.2𝑘Ω + 2.4𝑘Ω = 𝟒. 𝟏𝑽

V𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

V𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝛽𝐼𝐵 𝑅𝐶 = 10V − 60 45.08𝜇𝐴 2.4𝑘Ω = 𝟑. 𝟓𝟏𝐕

21
PNP transistörün kutuplaması

Şekil 3.18 ile verilen devrenin analizi için KGK yazılırsa;

I. Yol denklemi
−𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐶𝐶 = 0
1 + 𝛽 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸

𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 1 + 𝛽 𝑅𝐸

II. Yol denklemi

−𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − (−𝑉𝐶𝐶 ) = 0 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

𝑉𝐶𝐸 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )

Şekil 3.18 PNP transistörün Kutuplaması

(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011)
22
Örnek 3.8: Şekil 3.19 ile verilen devrede 𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 akımlarını ve 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐶𝐵 gerilimlerini bulunuz.

Tam Analiz II B noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (𝐸𝑇𝐻 ) ve

Thevenin eşdeğer direnci (𝑅𝑇𝐻 )

𝑉𝐶𝐶 𝑅2 −18V 10kΩ

𝐸𝑇𝐻 = = = −𝟑. 𝟏𝟔𝑽
𝑅1 + 𝑅2 47𝑘Ω + 10kΩ

𝑅𝑇𝐻 = 47𝑘Ω//10𝑘Ω = 𝟖. 𝟐𝟓𝒌𝛀

IB
8.25k
− −3.16𝑉 + 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = 𝟏𝟕. 𝟒𝝁𝑨
 8.25𝑘Ω + 1 + 120 1.1𝑘Ω
V EB

-3.16V
1.1k 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 120 17.4𝜇A = 𝟐. 𝟎𝟗𝒎𝑨

IE
−𝐼𝐸 𝑅𝐸 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐶 = 0
Şekil 3.19 Örnek 3.8 için kullanılan devre 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐸 (𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 )
(Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011) 𝑉𝐶𝐸 = −18 + 2.09𝑚𝐴 3.5𝑘Ω = −10.69𝑉

23
 Çok Katlı Kuvvetlendiriciler
Örnek 3.9: Şekil 3.20 ile verilen devrede 𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 ve 𝐼𝐶 akımlarını 𝛽1 = 𝛽2 = 100 için bulunuz.
Vcc  20V
B1 noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (𝐸𝑇𝐻 )
ve Thevenin eşdeğer direnci (𝑅𝑇𝐻 )
R3=27.9k RC2=2k C3
v0
IC 2 𝑉𝐶𝐶 𝑅2 20 13.5kΩ
R1=82.4k RC1=8k
𝐵2  𝐸𝑇𝐻1 = = = 𝟐. 𝟖𝟐𝑽
Q2
𝑅1 + 𝑅2 82.4𝑘Ω + 13.5kΩ
I C1
 C2 
𝐵1 𝑅𝑇𝐻1 = 82.4𝑘Ω//13.5𝑘Ω = 𝟏𝟏. 𝟔𝒌𝛀
vi Q1
R4=4.5k RE2=1k
C1 

𝐸𝑇𝐻1 = 𝐼𝐵1 𝑅𝑇𝐻1 + 𝑉𝐵𝐸 + 1 + 𝛽 𝐼𝐵1 𝑅𝐸1

R2=13.5k RE1=2k

𝐸𝑇𝐻1 − 𝑉𝐵𝐸 2.82 − 0.7

𝐼𝐵1 = = ≅ 𝟏𝟎𝝁𝑨
𝑅𝑇𝐻1 + 1 + 100 𝑅𝐸1 11.6𝑘Ω + 1 + 100 2𝑘Ω

𝐼𝐶1 = 𝛽𝐼𝐵1 = 100 10𝜇A = 𝟏𝒎𝑨

Şekil 3.20 Örnek 3.9 için kullanılan kaskat devre
𝐼𝐸1 = 1 + 𝛽 𝐼𝐵1 = 101 10𝜇A = 𝟏. 𝟎𝟏𝒎𝑨

24
 Çok Katlı Kuvvetlendiriciler
Örnek 3.9: Şekil 3.20 ile verilen devrede 𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 ve 𝐼𝐶 akımlarını 𝛽1 = 𝛽2 = 100 için bulunuz. (devam)
Vcc  20V
B2 noktasındaki Thevenin eşdeğer gerilimi (𝐸𝑇𝐻 )
ve Thevenin eşdeğer direnci (𝑅𝑇𝐻 )
R3=27.9k RC2=2k C3
v0
IC 2 𝑉𝐶𝐶 𝑅4 20 4.5kΩ
R1=82.4k RC1=8k
𝐵2  𝐸𝑇𝐻2 = = = 𝟐. 𝟕𝟖𝑽
Q2
𝑅3 + 𝑅4 27.9𝑘Ω + 4.5kΩ
I C1
 C2 
𝐵1 𝑅𝑇𝐻2 = 27.9𝑘Ω//4.5𝑘Ω = 𝟑. 𝟖𝟖𝒌𝛀
vi Q1
R4=4.5k RE2=1k
C1 

𝐸𝑇𝐻2 = 𝐼𝐵2 𝑅𝑇𝐻2 + 𝑉𝐵𝐸 + 1 + 𝛽 𝐼𝐵2 𝑅𝐸2

R2=13.5k RE1=2k

𝐸𝑇𝐻2 − 𝑉𝐵𝐸 2.78 − 0.7

𝐼𝐵2 = = ≅ 𝟐𝟎𝝁𝑨
𝑅𝑇𝐻2 + 1 + 100 𝑅𝐸2 3.88𝑘Ω + 1 + 100 1𝑘Ω

𝐼𝐶2 = 𝛽𝐼𝐵2 = 100 20𝜇A = 𝟐𝒎𝑨

Şekil 3.20 Örnek 3.9 için kullanılan kaskat devre
𝐼𝐸2 = 1 + 𝛽 𝐼𝐵2 = 101 20𝜇A = 𝟐. 𝟎𝟐𝒎𝑨

25
 Çok Katlı Kuvvetlendiriciler
Ödev: Şekil 3.20 ile verilen devrede 𝐼𝐶2 akımını 2mA yapacak R4 direncinin değerini 𝛽1 = 𝛽2 = 250 ve
𝑉𝐵𝐸 = 0.6𝑉 için bulunuz.
Vcc  20V

I1
R5=4.7k
R4

R6=47 C3
R1=10k v0
IC 2
I B2 
Q2
I C1
 
I B1
vi Q1
R7=4.7k
C1 

R2=100

R3=4.7k

Şekil 3.21 Ödev için kullanılan kaskat devre 26

KAYNAKLAR

Pastacı, H. 2015, ELEKTRONİK, Nobel Yayın, 1. Baskı

Boylestad, R. and Nashelsky L. 2011, ELEKTRONİK CİHAZLAR VE DEVRE TEORİSİ, Palme

Yayıncılık, (Onuncu Baskıdan Çeviri), Çevirenler: Adnan Köksal (Ed.), Ahmet Selçuk, Sevda
Özdemir, Şölen KumbayYıldız, Gürhan Bulu.

27