蘇炯武修訂

2017.9.20
本次報告標題：透明導電氧化物
作者姓名：李沅熹
聯絡Email: yuanhsilee0528@gmail.com

一、 文獻查考

透明導電氧化物(Transparent Conductive
Oxide, 簡稱TCO)薄膜既是金屬氧化物，又是
半導體薄膜材料，也屬於光學材料。透明導電
薄膜的種類有很多，但氧化物薄膜占主導地位

透明導電氧化物薄膜一般為多晶膜，主要包括
In，Sb，Zn和Cd的氧化物及其複合多元氧化
物薄膜材料。SnO2基和In2O3基薄膜開始出現
於20世紀50年代，而ZnO基薄膜則興起於20世 圖一 、氧化鋅之結構圖
紀80年代。目前研究較多的是SnO2：F
(FTO), In2O3：Sn (ITO)和ZnO：Al (ZAO)。

隨著應用領域的不斷擴大，對透明導電薄膜的
物理性質和化學性質提出了更高的要求。因此
必須不斷改進TCO薄膜的製備方法，而且努力
的方向應體現完善薄膜性能、降低反應溫度、 圖二、常見TCO的應用
提高控制精度、降低制備成本和適應集成化等
趨勢。對不同的薄膜材料、不同的襯底和不同
的應用目的，研究有針對性的製備方法，發展
低溫製備技術、柔性襯底製備方法以及低成本
製造技術,使製造技術的適應性更好，薄膜的應
用領域更廣，器件的製造成本更低。

其中，ZnO具有幾個優點：(1)鋅的資源豐富，
價格遠低於銦，而且沒有毒性。(2)結晶溫度低
可以在200℃左右形成結晶膜。(3)低電阻，
AZO(Al-doped ZnO)和GZO(Ga-doped ZnO)
都能達到2×10-4 Ω-cm程度的電阻率。(4)高穿透
率，在相同的膜厚下，ZnO的穿透率高於
ITO。(5) ZnO的抗還原性佳，很適合用於薄膜
圖三圖四、TCO導電的原理
矽太陽電池的透明電極。

二、 教師專業簡述
1.化學氣相沉積(CVD):是一種用來產生純
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 度高、效能好的固態材料的化學技術。半 脈衝雷射蒸鍍：
導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的
CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或 雷射光束與物質作用的過程 當具有高功率密
多種不同的前趨物下，在基底表面發生化 度的雷射脈衝入射於物質時，物 質較內層的
學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜 部分不會受到影響，但在物質的表面會因吸收
微製程大都使用CVD技術來沉積不同形式 光子而產生膨脹、分 解、蒸發而產生輝光電
的材料，包括單晶、多晶、非晶及磊晶材 漿團(Plume)，此電漿團會以物質表面的法向
料。這些材料有矽、碳纖維、碳奈米纖維 量噴出。
奈米線、奈米碳管、SiO2、矽鍺、鎢、矽
電漿形成與等溫擴散過程 被蒸發的靶材繼續
碳、氮化矽、氮氧化矽及各種不同的高介
吸收光子的能量而形成高溫的 電漿
電係數等材料。
(Plasma)，電漿中包含:離子、原子、分子以及
電子等。我們把它看作是 高溫高壓的氣體，
2.物理氣相沈積法（PVD）: 物理氣相沉積
可在真空中擴散，並且在物質與雷射脈衝作用
法是利用高溫熱源將原料加熱至高溫，使
的期間，電漿會 不斷地在物質表面生成，而
之氣化或形成等離子體，然後在基體上冷
形成等溫擴散的過程。
卻凝聚成各種形態的材料（如單晶、薄膜
絕熱擴散過程和薄膜形成 當脈衝雷射作用結
晶粒等）。所用的高溫熱源包括電阻、電
束前，電漿的擴散是處於絕熱的狀態，溫度很
弧、高頻電場或等離子體等。PVD可衍伸
快地呈指數遞 減，此為絕熱括散的過程。帶
出下列三種方法，真空蒸鍍法、陰極濺射
有粒子的電漿呈絕熱擴散出去，當粒子撞擊到
法以及離子鍍膜法。
基板，表面會失去動能而吸附於基板表面，最
後重新堆疊鍵結形成薄膜。
三、 實驗（理論）操作過程簡述

濺鍍原理：

鍍膜靶材(target)接陰極，基材(substrate)接陽

極，將腔體(chamber)抽至較高的真空環境，
隨後通入工作氣體當作入射離 子源。當兩極
間外加一直(交)流電壓，則在陽極和陰極間會
有輝光放電現象產生，電漿中的正離子被陰極
靶材的負電壓所吸引，同時受陰極暗區 電位
降的因素加速前進，正離子在具有高能量後，
會集體轟擊陰極靶材的 表面，並將離子動量
圖五、脈衝雷射沉積系統之示意圖
傳遞給靶材原子。其中，入射到陰極的正離子
所具 有動能的百分之九十將以熱的形式傳遞
到陰極靶材，使得陰極靶材溫度升 高。靶原
子在獲得動量後而逸出靶面，並進入電漿區利
用擴散等方式，最 後沉積附著於基材上。 四、 如何進行相關實驗（模擬）簡述

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透明導電膜沉積步驟 1400°C持溫 8 小時燒結，在不同摻雜量 之陶
瓷靶材，燒結後相對密度及收縮率之 關係如
1.將不同比例之陶瓷靶材裝置於 RF 濺鍍機上 下表，相對密度中以 GZO-A 3-3% 達到最緻
-6
以背景壓力為 6×10 torr， 轉速 20rpm，Ar 密性，主要原因在三元摻雜上元 素半徑不同
氣體流量為 10sccm，最後 以沉積時間 60 2+ 3+
(Zn 離子半徑為 0.74Å、Ga 離子半徑為
分鐘探討不同摻雜之比例 與薄膜性質之影響 3+
0.62Å、Al 離子半徑為 0.57Å)，GZO-A3-
3+ 3+ 2+
3wt%中， Al 剛好填補 Ga 與 Zn 之間的
空隙。在緻密化中摻雜 Al2O3 若超過固溶量會
2.光學 玻璃基板清洗：
在燒結時析出微小 之 ZnAl2O4 結晶相出現在
使用光學玻璃做基板，先將玻璃置於丙酮中以
晶界處或孔隙， 而這反而成為晶界與孔隙在
超音波震盪，取出再以去 離子水洗淨，並且
燒結時移動的 阻礙，導致 AZO6wt%相對密
再置於去離子水中以超 音波震盪後，取出使 3+ 2+
度及收縮率 較低。其中由於 Ga 與 Zn 之
用空壓氣槍噴至乾淨 為止，即完成玻璃清洗 3+
離子半徑與 Al 更為相近，相對來說相對密度
步驟。
及收縮率都比較高。
3.霍爾電性量測：本研究電性量測以霍爾效應
來測量薄膜電阻率，載子濃度與遷移率，探討
不同 摻雜量對於電性之影響。

4.討論:陶瓷靶材性質分析分散劑對於粉末之
Zeta Probe 分析

針對陶瓷靶材粉末分散性進行討論。以四種分
散劑不同劑量(1wt%、3wt%、5wt%)比例添加
同時以沉降試驗與使用 Zeta Probe 進行分析 圖七、摻雜量比例對燒結之相對密度收縮率
沉降試驗靜置三週 後，發現到 PMAA
Mw:9,500 與 PMAA Mw:4000~60001wt%沉
降速度最慢。

圖六、PMAA Mw:9,500 之 Zeta Potential

圖 五、 心得與感想
透過此次演講，對於TCO(Transparent
以傳統陶瓷製程，升溫速率在 1000°C 前以
Conductive O xide
)這個名詞有了初步的認
3°C/min 並在以升溫速率 1°C/min 到 達
識，了解到了ZNO這個化合物對於未來的

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 半導體或是光電研究領域有了初步的認識

離子濺鍍以前就有聽過了，但實在不清楚
它對於科技發展的重要性，此次上網搜尋
資料時也順勢了解其原理，也認知到它為
高科技產業中不可或缺的一環。

儘管對於透明導電膜沉積的形成過程不是
到非常透徹，但至少有個初步認識，對於
未來即將可能碰到的領域有個基礎！

六、 參考資料（以下為虛擬舉例，至少2
筆）

https://mip.ord.ntu.edu.tw/upload/products/2
0150428164957.pdf

http://rportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500
.12235/98461/2/003902.pdf

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