POWER ELECTRONIC DEVICES & SWITCH

( EDP-2)

Dr. Tarmizi, ST.,M.Sc

JTEK Unsyiah
2021
❑ Introduction
➢ Power semiconductor devices are the basis for power electronics systems. Power
electronics system, a power semiconductor device is used as a switch either in the ON
or OFF state.
➢ Power semiconductor devices dibuat dari
bahan (atom) silicon (Si), Silicon Carbide
(SiC) dan Gallium Nitride (GaN).

Materials Property Si SiC-4H GaN

Band Gap Eg (eV) 1.1 3.2 3.4
Critical Field 106 V/cm 0.3 3 3.5
Electron Mobility (cm2/V-sec) 1450 900 2000
Electron Saturation Velocity 10 22 25
(106cm/sec)
Thermal Conductivity (Watts/cm2 K) 1.5 5 1.3
❑ Semua device Power Electronic (Power Semiconductor Devices ) seperti seperti yang
telah disebutkan diatas, bekerja sebagai saklar statis (static switch).
Switch ideal Switch tdk ideal (Practical Switches )
❑ Arus switch saat on-state Tidak terbatas Terbatas ( daya terbatas)
❑ Reverse blocking voltage Tidak terbatas Terbatas
❑ Drop tegangan on-state (konduksi) Nol (0 V) Terjadi drop tegangan (rugi2 konduksi)

❑ Resistansi off-state Tidak Terbatas Terbatas (mengalir arus bocor)

❑ Kecepatan operasi Tidak terbatas Terbatas
❑ Kehilangan daya saat on-off state Tidak ada Kehilangan daya (rugi2 switching)
vsw
tsw(on) tcon tsw(off)
isw Vsw(off)
Isw
vsw Pcon
vsw(on) Psw(on) Psw(off)
tf
t
tr
❑ Efficiency vs. Switching Frequency

Efisiensi konverter berkurang dengan meningkatnya frekuensi switching. Pada nilai kritis
tertentu dari frekuensi yang efisiensinya menurun secara drastis.
❑ Dioda Daya

( )
Practical Ideal
ID = Is e VD nVT
−1
VT = Thermal Voltage
Dimana : ID = arus yang melalui dioda
VD = teganan dioada antara anoda-katoda
kT Dimana : q = pengisian elektron : 1.6022x10 −19 C
IS = arus bocor (saturasi mundur), VT = T = temperatur obsolut dalam Kelvin
( 10 −16 − 10 −15 A ) q k = konstanta Boltzman: 1.3806 x10 −23 J / K
n = emision coefficient (1 hingga 2)
❑ Karakteristik Static dioda
1. Forward voltage, VF: The voltage drop across the diode, from terminal A to K, at a
specific current when the diode is forward-biased
2. Breakdown voltage, VB: The maximum reverse voltage across the diode before the
diode starts reverse conduction and gets severe damaged. The point at Vb is also
known as avalanche point.
3. Reverse current IR: The current at a particular reverse voltage. This current is usually
in the range of μA and hardly taken into account in analysis of power electronic
circuits.
4. Conduction resistance RON: The equivalent resistance presented by the diode when
forward-biased and conducting current. The inverse of this resistance is the slope of
the curve in forward region. This characteristic is more relevant in high-voltage devices
in which the semiconductor length is larger
❑ Karakteristik Pemulihan Mundur (Reverse Recovery Characteristics
Karakteristik ini terjadi pada saat turn-off

PLoss

Example of diode switching waveform and loss

dIR / dt
trr = ta + tb I RR = ta 1 1 1
dt QRR  I RR ta + I RR tb = I RR trr
2 2 2
2QRR 2QRR 2QRR
I RR  trr ta = trr 
t rr di dt di dt

PLoss = P con( Tj ) + P turn −off

  V R I 2RM S  
= (V TO(Tj).I F(av) + R D(Tj).I ) +  f sw.
2
F 
  6 dI F dt 
 Contoh data sheet diode pemulihan cepat MUR 220
❑ Jenis Dioda Daya
1.Standard atau kegunaan umum
- trr  25  S
- frekuensi sampai 1 kHz
- rating tegangan 50V s/d 5kV,arus hingga 400A

2.Pemulihan cepat (fast recovery)

- trr  5  S
- frekuensi diatas 1 kHz
- rating tegangan 50V s/d 3kV, arus hingga 100A

3. Scottky
- t rr lebih tinggi dari dioda pemulihan cepat
- rating tegangan hingga 100V, arus 1 s/d 400A
 ❑ Bentuk kemasan dioda (diode Diodes' Packaging)

Aixal
Axial-Through-Hole & Surface Mount (SMD

Lebih lanjut tentang diode baca buku: [Muhammad H.Rashid. (2014). Power
Electronic Circuit, Divice and Application, Third Edition. Ha: 59-102
❑ Mosfet Daya
▪ n-Channel depletion-type MOSFET

Bias

Transfer characteristics for an n-channel depletion-type MOSFET.

▪ n-Channel enhancement-type MOSFET.

Bias

Transfer characteristics for an n-channel enhancement-type MOSFET

 Saturation Region
ID ID
+-VGS -VGS Active Region

Symbols MOSFETs depletion-type :

(a) n-channel and (b) p-channel

ID
+VGS -VGS

Symbols MOSFETs enhancement-type : 1. MOSFET yang di operasikan sebagai Penguat bekerja pada daerah
(a) n-channel and (b) p-channel active
2. MOSFET yang di operasikan sebagai Switch bekerja pada daerah
saturation
Mosfet yang digunakan dalam PE dioperasi sebagai switch (discrete ), mosfet jenis ini sering
disebut dengan Mosfet daya dan ditambah dioda body.

MOSFET n-channel
internal body diode
Implementation of a fast
body diode

MOSFET daya adalah perangkat daya yang paling banyak digunakan untuk switchin, Keuntungan
dengan BJT yang tidak memerlukan aliran arus drive yang terus menerus, kecepatan switching yang
lebih tinggi, kehilangan daya switching yang lebih rendah, resistansi yang lebih rendah, dan
kerentanan yang berkurang terhadap termal
❑ Kharakteristik Swtiching dari Mosfet

Switching model of MOSFETs

❑ Rugi-rugi pada Mosfet
Kehilangan daya daya pada Mosfet terjadi pada : kondisi konduksi (on-stae), switching
dan daya gate

1) Kehilangan daya pada kondisi konduksi diakibatkan oleh resistansi RDS(On) :

PCon = 0 ( RDSon .iD2 ( t ) ) dt = RDSon .I rms

1 T 2

T
Pcon = losses konduksi
RDson = mosfet resistansi
iD = Arus drain mosfet yang mengalir ke beban.
2) Kehilang daya saat switching pada tsw(on) dan tsw(off) adalah

 tsw( on ) + tsw( off )  ( CGD + CDS )VSW2 f SW

Psw = Vsw I sw   f sw +
 2  2
Psw = switching loss (W);
Vsw = switching voltage (V);
Isw = switching current (A);
fsw = switching frequency (kHz);
tsw(on) = switch turn-on time (s); dan
tsw(off) = switch turn-off time (s).
CGD = Kapasitansi gerbang- salir
CDS = Kapasitansi salir-sumber
1) Kehilangan daya pada gate drive

Where : Qg represents the total gate charge,

VCC is the driving voltage and
fs is the switching frequency

❑Total Kehilang daya pada Mosfet adalah

IC Driver Circuit

Plosses = PCON + PSW + PG

 • CONTOH DATA SHEET MOSFET

Lebih lanjut tentang Mosfet baca buku: [Muhammad H.Rashid. (2014). Power
Electronic Circuit, Divice and Application, Third Edition. Ha: 158-229
❑ IGBT

Basic structure of a vertical IGBT.

Static characteristics of an N-channel IGBT.

1. IGBT kombinasi keuntungan BJTs dan Mosfet. Keuntungan mosfet

impedasi masukan tinggi, Lossis kondisi on rendah dibandingkan BJTs,
sedangkan keuntungan BJTs impedasi keluaran dan daya keluaran
tinggi. l
2. IGBT mempunyai frekuensi switching yang rendah dibandingkan
Symbol for an N-channel type IGBT. Mosfet, namum lebih baik dari BJTs.
3. Banyak digunakan pada konverter frekuensi menengah dan daya
tinggi seperti pada Inverter.
❑ Kharakteristik Swtiching IGBT

Turn-off switching
characteristics of the IGBT
Pada IGBT resistansi On menyebabkan drop tegangan dioda forward bias (VF), losses
konduksi pada IGBT

1 T Uon(t) = tagangan on-sate drop (VF)

Pcon =  uon ( t )i( t )dt
T 0 i(t) = arus beban.

Contoh data sheet IGBT

❑ Thyristor

Anode voltage and current waveforms during forced

commutation
(a) semiconductor structure,
(b) circuit symbol

Voltage–current characteristic
❑ POWER MODULES
Power Modules adalah seperangkat semikonduktor daya yang terhubung dalam sebuah topologi
khusus. Topologi yang paling popular rangkain satu fasa, tiga fasa atau sub-rangkaian untuk
penyerarah dan inverter. Madul ada juga yang dihubungkan seri atau parallel untuk meningkat
kemapuan tegangan dan arus.

Diode and SCR modules: (a) two power diodes, (b) power diode and SCR, (c) two SCRs, (d) antiparallel
connection of two SCRs (BCT), (e) diode rectifer, (f) controlled rectifer for dc motor control.
Example High-Power SCRs (Thyristors)
Power MOSFET modules: (a) dual switch, (b) six switch,
(c) quad switch with diode rectifer, (d) four-transistor switch.
IGBT modules: (a) dual switch, (b) quad switch,
(c) six switch.
Lebih lanjut tentang Mosfet baca buku: [Muhammad H.Rashid. (2014). Power
Electronic Circuit, Divice and Application, Third Edition. Ha: 467-526