Scribd Logo
Upload

Welcome to Scribd!

  • Lucrarea 4 Img

    Uploaded by

    the still
    3 views17 pages

    Copyright

    © © All Rights Reserved

    Available Formats

    PDF or read online from Scribd

    Did you find this document useful?

    Is this content inappropriate?

    Report this Document

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as PDF or read online from Scribd
    Flag for inappropriate content
    Download as pdf
    3 views17 pages

    Lucrarea 4 Img

    Uploaded by

    the still

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as PDF or read online from Scribd
    Flag for inappropriate content
    Download as pdf
    of 17
    Luerarea 4 COMANDA TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE 1, Introducere ‘Tranzistorul bipolar (BJT — Bipoiar Junction Transistor) este un dispocitiv semiconductor bine cunoscut deseris pe larg in majoritatea tratatelor de fizica semiconductoarelor sau de electronic’. Toate tranzistoarele bipolare sunt dispozitive controlate in curent. Curentul de ‘comand numit si curent de bazd (Ip) trebuie mentinut tot timpul pentru @ se pastra starea de conductie a tranzistorului, © anumita valoare a curentului de eomanda impune un anumit curent de forta (curent de colector — Ic) daca cireuitul de sarcina nu-i limiteaza valoarea. Astfel, tranzistorul functioneaza in stare activi unde se ‘comport? ca o rezistentA variabilé. Raportul intre curentul de fortd si curentul de ‘comand poarta denumirea de factor de amplificare in carent: = Ic | Ip. Deoarece in starea activa o mare parte din energia vehiculatl este retinut’ de tranzistor (pierderi mari in conductie) se recomanda ca in convertoare deschiderea tranzistorului sé fie totala, sé se obtind o conductie profunda numita stare de saturatie. Aceasta apare dac& se realizeazi 0 comand in exces prin care curentul de bazi este peste valoarea obfinuta pornind de la valoarea necesara a curentului de colector si de la valoarea factorului de amplificare (1g > I¢ B). Tranzistoare bipolare de putere pot bloee tensiuni inalte gi vehicula curenti relativ mari in condifille unei saturarii profunde (pierderi mici in conductie). Din piieate, ca un tribut a acestor calitati, tranzistoarele bipolare de putere nu pot atinge frecventele de lucru ale celor de mica putere (pierderi mari in comutafie) si nu prezint& un factor ridicat de amplificare ie 515), necesiténd © puters mare de ‘comanda. Suuctura semiconductuwre a Uanzistoaelor bipukue de puters este yor diferita de a tranzistoarelor bipolare de mica putere. Forma structurii, grosimea straurilor si nivelul de impurificare a acestora influenjeaza in mod. direct ccaracteristicile de functionare si parametrii de catalog ai tranzistorului. curent 2. Simbolul si structura semiconductoare ale tranzistorului bipolar de putere ih prezent tranzistoarele bipolare de putere sunt realizate aproape exclusiv cu ajutorul materialelor semiconductoare pe baza de siliciu. Similar cu tranzistoarele ‘Autor: dring. Mihai Albu 2__UT. ,Gheorghe Asachi”’ din Iasi, Facultatea IEEI, Laborator Electronica de Putere bipolare de mica putere acestea pot fi de tip npn sau de tip pnp. De asemenea, simbolur le sunt identice si terminalele au aceeasi denumire. Sunt preferate si au fost dezvoltate in mod deosebit tranzistoarele bipolare de putere npn a cdror structura semiconductoare si simbol sunt prezentate in Fig.4.1 . Ca orice dispozitiv semiconductor controlabil si tranzistorul hipolar de puter: prezinia doua terminale de fort, coleetor (C), emitor (F) si un terminal de comanda numit baz (B). Emitorul este folosit ca terminal comun atat pentru circuitul de fort, cat si pentru circuitul de comand’, fiind declarat, de obicei_masi. O polarizare direct’ a ‘tranzistorului bipolar de tip pm in cireuitul de fortd inceamna (+) pe colestor gi () pe emitor (tex > 0). € (Colector) T CO+ an aa ic tee { cotienty L pile ‘Grosime baz ~ v}! (@) (b) Fig. 4.1. Simbolul (a) si structura semiconductoare (b) a unui tranzistor Dipolar de putere de tip npn Elementul principal care deosebeste structura semiconductoare a unui tranzistor bipolar de putere de a unui tranzistor de micd putere este stratul suplimentar care formeaz regiunea de drift a colectorului. Rolul acestuia este similar cu cel din structura diodei de putere, anume de a bloca tensiuni directe mari prin intermediul jonetiunii care o formeaza cu stratul bazei,jonetiunea, B-C. Din acest metiv stratul rogiunii do drift cate slab impurificat (10% sarsini/em?) gi grosimea lui este relativ mare, in funetie de tensiunea de strpungere pentru care a fost fabricat dispozitivul. Atunci end tranzistorul este polarizat dircet si nu csto comandat (Tq =0), jonetiunea baz’-colector este polarizata invers si sustine toata tensiunea de alimentare. Aceasti blocare este posibili dacd grosimile regiunit de drift si ale stratului bazei sunt suficient de mari pentru ca sarcina spafiald a jonetiunit s& aiba sulicient spatiu de desfsurare, att cat s& ating cantitatea necesara contrabalansitii tensiuniide alimentare. Deschiderea tranzistorului este inijiata prin polarizarea direct& a jonctiunii B-E si amorsarea unui curent de bazé /y care va determina tecerea yolutilor din baz spre Lucrarea 4: Comanda tranzistoarelor bipolare de putere 3 emitor sia electronilor dinspre emitor spre baza. Astfel. in stratul bazei apare o sarcina electricd in exces, formata din purtatori minoritari (electtoni), prin a carei marime se poate controla fenomenului de conductie dintre colector si emitor. Daca tranzistorul bipolar de putere este polarizat direct, aya cum se prezinté in Fig.4.1(a), fluxul de electroni eare pariseste stratul nal emitarului este mult mai mare decat cel care se inchide spre terminalul bazei, Datorita grosimii mici a bazei (mai mic& decdt lungimea de difuzie a clectronilor), a suprafefei mari a colectorulvi si datoriti excesului de electroni marea majoritate a electronilor plecafi din emitor traverseaza stratul ingust al bazei gi difuzzeax’ spre colector. in acect fal apare curentul de colector J. al edrui sens este dat de sigetile din Fig.4.1(b), invers sensului de deplasarea al electronilor. ‘Atunei ednd sareina in exces formati din electroni este prezenta doar in bazi, tranzistonul prezinti o conductie activa prin care poate controla valoarea curentului de colcetor. Printr-o erestere corespunzatoare @ curentului de baz, densitatca sarcinii in exces se extinde si in regiunea de drift determindnd deschiderea totala a trarzistorului, numita stare de saturatie. Saturatia la rindul ei poate fi usoard, la limita dintre conductia activa si conduetia totala (quasi-saturation) sau poate fio saturatie profiunda (hard saturation), Saturatia profunda se obtine peste 0 anumita valoare a curentului de bbaz céind densitatea de sarcina in exces cuprinde toata regiunea de drift a colectorului @) Fig. 4.2. Structuri monolitice de putere eu tranzstoare bipolare: (@) dublu Darlington; (6) tiplu Darlington. {i scopul reducerii puterii de comanda, din anii °70 au inceput sa fle realizate module compacte care contin doua sau tre. tranzistoare de putere, coneetate in montaj Darlington, S-au obtinut, in acest fel, structuri monolitice de tip Darlington (MD Monolitie Darlington) al caror factor de amplificare in curent este mai ridicat deoarece confine ca termen principal un produs al factorilor de amplificare ai tranzistorelor componente. in Fig.4.2 sunt prezentate schemele echivalente ale unei structuri monolitice dublu Darlington si ale unei structuri triplu Darlington. ‘Autor: dring. Mihai Albu 4 UCT. ,Gheorghe Asachi” din lasi, Facultatea IEEI, Laborator Electronica de Putere 3. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar de putere in urma optimizrii structurii trazistorului bipolar de putere a rezultat un Aispozitiv care nu prevints eapacitate de locare inversi. Aceasti trisituri este 0 consecinia a nivelului ridicat de dopare din straturile bazei determin’ tensiuni reduse de strSpungere invers& pentru jonetiunea B-E, in jur de 20V. Este o valoare de care trebuie tinut cont atanci cdnd va fi aleasi tensiumea negativa de blocare pentru cirouitals de comands ale :ranzistoarelor. Toturi, lipea unei eapacitSt de blocare inversi nu este un dezavantaj major pentru tranzistoarele bipolare de putere deoarece acestea sunt utilizate, de obieei, cu diode in antiparalel care exclud posibilitatea aparitiei unor tensiuni inverse pe tranzistor. Drea de fe] pS 5, ae : ‘ston seni) Foe * Fos “ ae Ke Zona va Swapungee Caractersia de condueie deal Ing Ins blocre diets BY er @ ©) Fig. 4.3 (a) Caracteristicile u-ireale pentru un tranzistor bipolar de patere; (b) Caractersticile wf idealizate st aria de tunctionare sigura (S04). hi Fig.4.3(a) sunt prezentate carseteristicile statice tensiune-curent aferente unui trarzistor bipolar pentru diferite valori ale parametrului de comand’ Jp. Daca tranzistonul are cireuitul bazi-emitor deschis acesta este blocat si curentul ée colector poate fi considerat zero (Ic = 0) pentru orice tensiune colector-emitor mai mica deeat tensiunee de strpungere direct’ BV cr (Collector-Emitter Breakdown Voltage). ih momentul in care este comandat bazi cu un curent oarecare Ly 05U, 5 ‘4 9) Relatia (1.20) pune in evidenta faotul cd la iesirea convertorului prezentat se objine o tensiune a carei valoare medie (componenta continua) este in functie de Titimea impulsurilor de amplitudine (J, Acest praceden de modificare a ten: continue poarti denumirea de modificarea latimii impulsurilor (MILI) sau madificarea duratei impulsurilar (MDM. De multe ori in literanra romana de specialitete este utilizata si denumirea de comanda PWM (Pulse Width Modulation), termen consacrat in literatura englezi de specialitate. Sunt sarcini de e.c. care nu accepté o alimentare sub forma unui tren de impulsuri, chiar daci acestea prezint& © compon inui doriti, in asemenea situatii, in functie de natura receptorului, sunt utilizate filtre de curent sau filtre de tensiune. in cazul prezentat inductanta sarcinii Z joac& rolul unui filtru care netezeste forma de und’ a curentului asa cum se prezinti in Fig.4.4(b). Daca, de exemplu, sarcina este un motor de c.c. intereseaza in primul rnd ca forma curentului prin indus si fie cit mai neted’ deoarece curenttl este responsabil de generarea cuplului electromagnetic. in acest caz se va utiliza un filtru inductiv (inductan(& de filtrare) lagat in corie cn motor] Rack frecventa da camutatia a eonvertaial acta ridieatS, filtrare eficientd a curentului poate fi objinut’ doar cu inductanta proprie a motorult mand’ pentru tranzistoar izate cincuite de coumanda referite ratura engleza de specialitate cu titulatura de driver, notiune care a patruns si in satura romana. Lucrarea 4: Comanda tranzistoarelor bipolare de putere 9 Funcfiile pe care trebuie sa le indeplineasca circuitele de comand pentru tranzistoure sunt partial aseminatoare cu circuitele de comanda pe gril ale tiristoare’or si sunt urmatoarele: + Funetia de comunicare si separare_galvanicd ~ prin care se ai multe lini de comunicatie, cu sau fara separare galvanica, intre driver gi struetura de c control, ierarhic superioard. O prima linie este dedicat recepfionarii semnalelor logice de comanda pentru deschiderea gi blocarea dispozitivului de putere. De obicei, aceste semnale sunt aplicate unor intrari trigerabile penta a le reface dack au fost aiectate de perturbatii, Pot fi linii de comunicatie si pentru alte semnale de intrare cum ar fi semnale de RESET. START/STOP etc., dar gi pentru semnale de reactie prin care se comunicd in exterior diferite situatii sau stiri ale sistemului electronic de putere din aria de responsabilitate a circuitului. + Functia de adaptare a semmalului de comand la cerintele tranzistorului de putere. Prin aceasta functie circuitul de comandi realizea7a o eonversie a ‘unui semnal logic de comanda intr-un semnal de curent sau tensiune avind parametrii necesari deschiderii_ sau blocrii tranzistorului. Daca tranzistorul de putere este unu. de tip bipolar, pentru deschidere trebuie si injectoze in baz’ un curent de o anumiti valoare gi form’. Pentru blocare se recomanda polarizarea invers a jonetiunii B-E in scopul accelerarii proceselor de blocare. Daei tranzistorul de putere este unul cu gril MOS cu canal de tip 1 (MOSFET, IGBT etc.) semnalul logic de comanda este transformat intr-un semnal de tensiune cu o amplitudine pozitiva pentru deschidere gi o amplitudine nezativa pentru blocare, + Funetii de protectie — prin care se asigur& protectia la aparitia unor situa anormale cum ar fi: supracurenfi prin tranzistor, scaderea tensiunii de alimentare a circuitului de comanda, disparitia tensiunii negative de blocare, cresterea temperaturii dispozitivului peste o limita admisibilé ete in cazul in care este sesizati una sau mai multe din perturbafiile de mai sus tranzistorul este blocat si se transmite un semnal de atenjionare cu separare galvanica structurii de comanda ierarhic superioare. ©) Structuri de comandi in bazii a tranzistoarelor bipolare de putere Conform celor precizate anterior, tranzistoarole bipolare de putere gi chiar structurile monolitice de tip Darlington recesita 0 putere de comanda relativ mare datoritd factorului mie de amplificare in curent. Aceasti putere trebuie vekiculati de circuitele de comanda ale tranzistoarelor. motiv pentru care drivere-ele nu pot fi realizate exclusiv cu integrate specializate. Astfel, circuitele de comand’ vor contine etaje finale capabile s& suporte curenti de ordinul amperilor sau chiar de ordinul zecilor dz amperi. in Fig.4.5 sunt prezentate dou variante de asemenea etaje la care ‘Autor: dring. Mihai Albu de Putere 10___U.T. ,Gheorghe Asachi” din Iasi, Facultatea IEEI, Laborator Electroni tranzistoarele de micd sau medie putere ce sustin curentii de baz au fost reprezentate simbolic prin comutatoarele Kyy $1 Key in Fig.4.5(a) este prezentata o structura de comanda_simpla ce nu utilizeaza 0 tensiune negativ’ de blocare. Accelerarea blocirii tranzistorului este asiguratf de rezistents Ryo, legata intre ba7i si emitor (mas), care permite amorsarea unni eurent de recombinare ixqyp determinat de sarcina care a participat Ia conductie. Marimea rezistentei Ry rezulté in urma unui compromis. Pentru o blocare cit mai tapid& este preferati o rezistenti ct mai mic. Pe de alti parte, o rezistent& mic’ va deturna spre ‘mask un progent ridicat din ourentul Jy, furnizat de cura Up, pontr decchidersa tranzistorului. Astfel, pentru a obfine un ctrent Jnjon suficient trebuie marit foarte mult (4.10) T Enc fa) (b) Fig. 4.5 Structuri de comanda in baz a tranzistoarelor bipolare de putere: (a) fra tensiune negative de blocare: (b) cu tensiune negativa de dlocare. Curentul absorbit de la sursi /p, este impus de valoarea necesara a curentulut de baz ipjn) pentru a satura tranzistorul si de valoarea aleas a rezistentei de blocare Rowen v I=L Tan 2A ap Reon B Valoarea tensiunii Usizon poate fi obtinuta de pe caracteristica Uren) = fUsian) a jonctiunii B-E, furnizaté de foile de catalog ale tranzistorului bipolar de putere. Analizind relatia (4.10) se constati c& in conditiile unui curent Zs, impus, 0 alternativi In sefideren puterii de comand, pe durnta conduetiei tranzistorului, const in micgocarea pe cat posibil a tensiunii Us,. in practicd se utilizeaz’ pentru aceasta tensiune valori cuprinse in intervalul (7=10)V. Rezistenta de baz Ryo arc relul de a limita curentul Jy, la valoarca determinat cu ajutorul relatiei (4.11), Dus’ ce a fost aleasi tensiunea Us, rezistenta Royoy se calculeaza cu relatia: Lucrarea 4: Comanda tranzistoarelor bipolare de putere u Gp. Us eion Rovon = (4.12) Tas Deoarece tensiunea jonctiunii B-E este mic (Uszjon < IV), puterile disipate la nivehul acestei jonetiuni si pe rezistenia Rog sunt, Ia rindul lor, miei, In consecinti, o mare pare din puterea de comand’ este preluati de rezistenta Ryan care trebuie s8 fie una de putere, uneori de ordinul zecilor de wati Condensatorul C, in paralel cu rezisten{a Ryo» S& numesle condensator de accelerare si are rolul de a grabi procesele de intrare in conductie a tranzistorului prin injectarea unui curent de vir? in baz. Varful de curent apare imediat dupa inchiderea elementului de comutatie K.,, deoarece cepacitatea C, este gasita descarcata. Astfel, ccurentul Jy, ocoleste rezistenta Ryj»» find limitat la inceput doar de rezistenfa interna a sursei si de rezistenta dinamic& a jonctiunii B-E. Dupd un mic interval de timp ‘condensatorul se neared pana ce tensiunea de lt bomele sale atinge exact valoarea cAderii de tensiunii de pe rezistenta Rijn, in tegim stabilizat de functionare, Dupa acest moment tot curentul Js, va strabate numai rezistenta Rijn ih Fig.4.5(b) este prezentat o structuri de comanda in bazii care utilizeazi o- tensiune negativa de blocare Uy. Aceasta polarizeaza invers jonetiunea B-E prin intermediul elementului de comutatie Ky, imediat ce a fost intrerupt curentil lng, de ctre K, Astfel, rezulti un curent de recombinare {yoy mai mare in comparatie cu etajul prezentat in Fig.4.S(a), iar tranzistorul bipolar de putere este blocat mai rapid. Se poate aprecia ci etajul din Fig.4.5(b) este o variants imbunatafitd a celui din FigA.5(a). Rezistenta Rryoy poate | ii dacd nu se doreste un control al vitezei de blocare in scopul limitarii supratensiunilor de comutatie. Deoarece jonctiunea B-E rezulti din procesul de fabricatic cu o tensiune de strapungere inversi ‘coboratd, este indicat ca tensiunea de blocare Us. si nu fie mai mare de (710). Asa cum s-a evidentiat in paragraful (3), prin cresterea curentului de baz peste o anumita valoare, tranzistorul trece in starea de saturajie profunda. Nu este o stare de conductie dorita deoarece sunt acumulaji purtitori de sarcind in exces care prelungese nejustificat regimul dinamic de blocare. Din acest motiv schemele de ‘comand trebuie sa fie capabile si menfin? o stare de saturatie usoara a dispozitivului. Dacd valoarea curentului de colector in regim stabilizat este mereu aceeasi, o saturatie optima a tranzistorului se objine prin alegerea corecti a valorii curentului de bazi Inyo. Totusi, tn structurile convertoarelor, curentul de colector depinde in mod direct de curentul de sarcina care poate fi considerat o variabild aleatoare. Pentru a avea 0 comanda acoperitoare in orice situatie, curentul Iggy Se poate alege in funetie de ccurentul maxim de sarcina sau in functie de curentul maxim de colector Icy, acceptat de catalog. Solutia sufera datorité faptului c& la sareini mai miei tranzistonul intra in starea de saturatie profunda, in scopul obiinerii unei comanzi adaptive, in functie de ccurentul de colector, sunt utilizate diode antisaturafie (D,;) in etajul final al circuitelor de comanda — vezi Fig.4.6. ‘Autor: dring. Mihai Albu de Putere 12__U.T. Gheorghe Asachi” din Iasi, Facultatea IEEL, Laborator Electroni . t “Uh Row . Ka T | us one - Us. Raw To Dae Fig. 4.6 Etaj final pentru comande tranzistoarelor bipolare de putere ‘cu dioda antisaturatie (D.,) Dioda antisaturatie permite devierea unei parti din curentul de bazi fun ‘atunci cand tranzistorul are tendinta de a intra in starea de saturatie profunds. Pentru a implementa tehnic fenomenul se introduc mai multe diode Dy, in serie, pe ramura curentulti Iron» ast inedt, intr-o stare de saturatie usoar’ a tranzistorului, e&derea de tensiune de pe ramura bazei si fie imediat sub valoarea efderii de tensiame de pe ramura diodei antisaturatie: p+ Uncen

    You might also like