90E32/36

三相电能计量芯片应用笔记 应用笔记
AN-644

目录
1 应用概述 ............................................................................. 3
2 硬件参考电路 ......................................................................... 4
2.1 三相四线 (3P4W) 应用..............................................................4
2.1.1 原理图 ( 电流互感器 (CT)) .................................................... 4
2.1.2 元器件清单 (CT)............................................................. 5
2.1.3 原理图 (Rogowski 线圈 ) ..................................................... 6
2.1.4 元器件清单 (Rogowski 线圈 ) ................................................. 7
2.1.5 电路说明 ................................................................... 7
2.2 三相三线 (3P3W) 应用..............................................................9
2.2.1 原理图 ..................................................................... 9
2.2.2 元器件清单 ................................................................ 10
2.2.3 电路说明 .................................................................. 10
3 接口 ................................................................................ 11
3.1 SPI 接口 .........................................................................11
3.2 DMA 接口 ........................................................................12
4 工作模式 ............................................................................ 13
4.1 正常模式 (Normal Mode) ...........................................................13
4.2 部分测量模式 (Partial Measurement Mode) ...........................................13
4.3 电流检测模式 (Detection Mode) .....................................................13
4.4 空闲模式 (Idle Mode) ..............................................................13
4.5 工作模式的切换和应用 .............................................................14
5 校表 ................................................................................ 16
5.1 校表方法 .........................................................................16
5.2 正常模式下的校表 .................................................................16
5.2.1 测量 / 计量启动命令寄存器 (ConfigStart/CalStart/HarmStart/AdjStart) ............ 17
5.2.2 高频常数设置 (PL_Constant) ................................................ 19
5.2.3 计量模式设置 (MMode0)..................................................... 19
5.2.4 信号增益设置 (MMode1) .................................................... 20
5.2.5 电压 / 电流 / 功率的失调 (Offset) 校准 ......................................... 21
5.2.6 电压 / 电流测量的校准 ...................................................... 22
5.2.7 全波电能计量校准 .......................................................... 23
5.2.8 基波电能计量的校准 ........................................................ 24
5.3 部分测量模式下的校表 .............................................................26
5.3.1 测量模块的设置 (PMConfig) ................................................. 26
5.3.2 采样周期的设置 (PMAvgSamples) ............................................ 26
5.3.3 信号增益的设置 (PMPGA) ................................................... 26
5.3.4 电流失调的校准 ............................................................ 26
5.3.5 电流测量的校准 ............................................................ 27
5.3.6 部分测量功能的特殊应用 .................................................... 28
5.4 电流检测模式下的校表 .............................................................28
5.4.1 电流检测模块的设置 ........................................................ 28

IDT 和 IDT 标识是 IDT 公司的注册商标

1 2011 年 12 月 16 日
 2011 艾迪悌科技有限公司 (IDT) *Notice: The information in this document is subject to change without notice version 1
 三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

5.4.2 电流检测阈值的校准 ........................................................ 29

6 起动电流设置 ........................................................................ 30
7 温度补偿 ............................................................................ 32
7.1 片上温度传感器的设置 .............................................................32
7.2 基于 A/D 采样通道的温度补偿 .......................................................32
7.3 基于参考电压的温度补偿 ...........................................................33
8 谐波分析 ............................................................................ 35

2 2011 年 12 月 16 日
 三相电能计量芯片应用笔记
1 应用概述
本文档介绍了采用 IDT90E32/36 三相电能计量芯片设计三
相电能表的应用。
90E32/36 可用于 0.5S 级或 1 级三相有功电能表和无功电
能表的设计，并可支持三相四线 (3P4W) 或三相三线 (3P3W)
的接线方式，90E36 还可用于谐波表的设计。
芯片采用 3.3V 单一电源供电。在典型的 3P4W 设计中，需
要三个独立的变压器进行供电。交流电源经整流和稳压后输
出 3.3V 到芯片数字电源 DVDD，芯片模拟电源 AVDD 应直接与
DVDD 连接。
芯片内部具有上电复位电路，外部 RESET 引脚可以接一个
10kΩ 电阻到 DVDD 和一个 0.1µF 电容到 GND。芯片具有高稳
定性的片上基准电源，Vref 引脚需要外接 10µF 和 0.1µF 两
个电容。
芯片采用 16.384MHz 频率做为系统工作频率，芯片内建了
晶体振荡电路和 10pF 的匹配电容，应用时只需要在 OSCI 和
OSCO 引脚接一个 16.384MHz 晶体。
90E32 芯片提供三路电压 (V1、V2、V3) 和三路电流 (I1、
I2、I3)的A/D采样，90E36还额外多提供一路电流采样(I4)。
应用概述
AN-644
电流采样中的 I1 和 I3 可以通过设置进行互换，以适应不同
的 PCB 设计。
芯片提供了一个四线的 SPI 接口 (CS，SCLK，SDI，SDO)
与外部 MCU 连接，MCU 可通过 SPI 接口对芯片进行配置和读
写寄存器。90E36 还可支持 Master 模式的 SPI，即 DMA 模式。
在 DMA 模式下，芯片会以高达 1800kbps 的速率将 A/D 的原始
采样数据通过 Master SPI 输出给外部微处理器进行处理。
芯片提供了四个电能脉冲输出引脚：有功电能脉冲 CF1、
无功电能脉冲 CF2( 也可配置成全波视在电能脉冲输出 )、基
波有功电能脉冲 CF3、谐波有功电能脉冲 CF4，可用于芯片电
能计量的校准，同时也可以将脉冲信号连接到 MCU 进行电能
累计。
芯片提供了三个过零信号输出引脚 ZX0、ZX1、ZX2，可设
置不同的电压或电流信号做为过零判断。
芯片提供了 IRQ0、IRQ1、WarnOut 输出引脚，分别输出不
同等级的中断和报警信号。
如无特别说明，本文档所述内容以 3P4W 为默认应用；如
果涉及到 3P3W 或其它应用，会特别注明。
3 2011 年 12 月 16 日
 2
2.1

硬件参考电路
1 2 3 4 5 6 7 8

U1 NEC2501 JP1
UA CF1 1
R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 1
VAP 2
2
240K 240K 240K 240K 240K 240K 240K 3
R10 3
4
1K C3 4
5
硬件参考电路

18nF R1 5
A CON-5 A
三相电能计量芯片应用笔记

510
GND GND
C1 DVDD33
R2
GND
10K U2 NEC2501
UB 0.1uF CF2
R16 R17 R18 R19 R20 R21 R22 VBP C2
2.1.1 原理图 ( 电流互感器 (CT))

240K 240K 240K 240K 240K 240K 240K

R23
三相四线 (3P4W) 应用

1K C6 10uF R11 R12 R13 R14

18nF 10K 10K 10K 10K R15
C4 510
GND GND
DVDD33
C5 0.1uF
SDI
U3 NEC2501
SDO
UC C7 AVDD33 0.1uF CF3
R25 R26 R27 R28 R29 R30 R31 SCLK
VCP
GND CS
240K 240K 240K 240K 240K 240K 240K
R32 0.1uF

48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
1K C8
18nF R24

CS

NC
NC
SDI

VPP
RST
510

SDO
SCLK

DGND
DGND
GND GND

DVDD33
DVDD18
1 36
B AVDD33 DMA DMA B
2 35
AGND NC
IAP 3 34 U4 NEC2501
I1P PM1 PM1
UN IAN 4 33 CF4
I1N PM0 PM0
Voltage Sampling IBP 5 32
I2P TEST GND
IBN 6 31
I2N IRQ1 IRQ1
ICP 7 30
I3P IRQ0 IRQ0
GND ICN 8 29
I3N WarnOut WarnOut R33
INP 9 28 CF4
I4P CF4 CF4
INN 10 27 CF3 510
I4N CF3 CF3
11 26 CF2
Vref CF2 CF2
12 25 CF1 GND
C9 C10 AGND CF1 CF1
10uF 0.1uF

4
V1P
V1N
V2P
V2N
V3P
V3N
NC
OSCI
OSCO
ZX0
ZX1
ZX2
GND
U5

13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
IDT90E36
CF1 R34
ZX2
ZX1 510
D1 CF4
ZX0
IA+ IC+

VAP
VBP
VCP
R35 IAP R36 ICP
X1 R37
1K 1K Connect to MCU CF2
R38 R39 16.384MHz 510
2.4 C11 2.4 C12 D2 CF3
18nF 18nF C13
R40
C 1K R41 R42 C
18nF C14 R43 C15 CF3
1K
18nF 1K 18nF
510
R44 GND C16 R45 GND C17 D3 CF2
IA- 2.4 18nF IC- 2.4 18nF
R46 IAN R47 ICN
GND CF4 R48
1K 1K
510
D4 CF1
GND

IB+ IN+
R49 IBP R50 INP
1K 1K
R51 R52
2.4 C18 2.4 C19
18nF 18nF

R53 GND C20 R54 GND C21

IB- 2.4 18nF IN- 2.4 18nF
R55 IBN R56 INN
1K 1K

D Deleted for none N-line current sampling D

Current Sampling (with CT) Title

IDT Poly Phase Metering AFE 90E36
Reference Design (3P4W with CT)
Size Number Revision
A3
Date: 2011-12-13 Sheet of
File: D:\Work\PPM\AFE.SchDoc Drawn By:
1 2 3 4 5 6 7 8

2011 年 12 月 16 日
AN-644
 三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

2.1.2 元器件清单 (CT)

表 -1 元器件清单 BOM 表格
元器件类型 标号 数量 元器件参数 容差要求
贴片电容 C3 C6 C8 C11 C12 C13 14 18nF ±10% X7R
C14 C15 C16 C17 C18 ( 抗混叠滤波器电容 )
C19 C20 C21
C1 C4 C5 C7 C10 5 0.1µF ±10% X7R
C2 C9 2 10µF ±10% X7R
贴片电阻 R38 R39 R44 R45 R51 8 2.4Ω ±1% 1/8W 25ppm
R52 R53 R54
R1 R15 R24 R33 R34 8 510Ω ±5% 1/8W 100ppm
R37 R42 R48
R10 R23 R32 R35 R36 14 1kΩ ±1% 1/8W 25ppm
R40 R41 R43 R46 R47 ( 抗混叠滤波器电阻 )
R49 R50 R55 R56
R2 R11 R12 R13 R14 5 10kΩ ±5% 1/8W 100ppm
R3~R9，R16~R22， 21 240kΩ ±1% 1/8W 25ppm
R25~R31
发光二极管 D1 D2 D3 D4 4 - -
贴片光耦 U1 U2 U3 U4 4 NEC2501 -
晶振 X1 1 16.384MHz ±20ppm
集成电路 U5 1 90E36 -
连接器 JP1 1 CON-5 -

硬件参考电路 5 2011 年 12 月 16 日
 1 2 3 4 5 6 7 8

硬件参考电路
U1 NEC2501 JP1
UA CF1 1
R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 1
VAP 2
2
240K 240K 240K 240K 240K 240K 240K 3
R10 3
4
1K C3 4
5
18nF R1 5
A CON-5 A
510
三相电能计量芯片应用笔记

GND GND
C1 DVDD33
R2
GND
10K U2 NEC2501
UB 0.1uF CF2
R16 R17 R18 R19 R20 R21 R22 VBP C2
2.1.3 原理图 (Rogowski 线圈 )

240K 240K 240K 240K 240K 240K 240K

R23
1K C6 10uF R11 R12 R13 R14
18nF 10K 10K 10K 10K R15
C4 510
GND GND
DVDD33
C5 0.1uF
SDI
U3 NEC2501
SDO
UC C7 AVDD33 0.1uF CF3
R25 R26 R27 R28 R29 R30 R31 SCLK
VCP
GND CS
240K 240K 240K 240K 240K 240K 240K
R32 0.1uF

48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
1K C8
18nF R24

CS

NC
NC
SDI

VPP
RST
510

SDO
SCLK

DGND
DGND
GND GND

DVDD33
DVDD18
1 36
B AVDD33 DMA DMA B
2 35
AGND NC
IAP 3 34 U4 NEC2501
I1P PM1 PM1
UN IAN 4 33 CF4
I1N PM0 PM0
Voltage Sampling IBP 5 32
I2P TEST GND
IBN 6 31
I2N IRQ1 IRQ1
ICP 7 30
I3P IRQ0 IRQ0
GND ICN 8 29
I3N WarnOut WarnOut R33
INP 9 28 CF4
I4P CF4 CF4
INN 10 27 CF3 510
I4N CF3 CF3
11 26 CF2
Vref CF2 CF2
12 25 CF1 GND
C9 C10 AGND CF1 CF1
10uF 0.1uF

6
V1P
V1N
V2P
V2N
V3P
V3N
NC
OSCI
OSCO
ZX0
ZX1
ZX2
GND
U5

13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
IDT90E36
CF1 R34
ZX2
ZX1 510
D1 CF4
ZX0
IA+ IC+

VAP
VBP
VCP
R38 R35 IAP R39 R36 ICP
X1 R37
1K 1K 1K 1K Connect to MCU CF2
16.384MHz 510
C22 C11 C23 C12 D2 CF3
18nF 18nF 18nF 18nF C13
R40
C 1K R41 R42 C
18nF C14 R43 C15 CF3
1K
18nF 1K 18nF
510
C24 GND C16 C25 GND C17 D3 CF2
IA- 18nF 18nF IC- 18nF 18nF
R44 R46 IAN R45 R47 ICN
GND CF4 R48
1K 1K 1K 1K
510
D4 CF1
GND

IB+ IN+
R51 R49 IBP R52 R50 INP
1K 1K 1K 1K
C26 C18 C27 C19
18nF 18nF 18nF 18nF

C28 GND C20 C29 GND C21

IB- 18nF 18nF IN- 18nF 18nF
R53 R55 IBN R54 R56 INN
1k 1K 1K 1K

D Deleted for none N-line current sampling D

Current Sampling (with Rogowski Coil) Title

IDT Poly Phase Metering AFE 90E36
Reference Design (3P4W with Rogowski Coil)
Size Number Revision
A3
Date: 2011-12-16 Sheet of
File: D:\Work\AFE.SchDoc Drawn By:
1 2 3 4 5 6 7 8

2011 年 12 月 16 日
AN-644
 三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

2.1.4 元器件清单 (Rogowski 线圈 )

表 -2 元器件清单 BOM 表格
元器件类型 标号 数量 元器件参数 容差要求
贴片电容 C3 C6 C8C11 C12 C13 22 18nF ±10% X7R
C14 C15C16 C17 C18 ( 抗混叠滤波器电容 )
C19 C20C21 C22 C23
C24 C25C26 C27 C28
C29
C1 C4 C5 C7 C10 5 0.1µF ±10% X7R
C2 C9 2 10µF ±10% X7R
贴片电阻 R1 R15 R24 R33 R34 8 510Ω ±5% 1/8W 100ppm
R37 R42 R48
R10 R23 R32 R35 R36 22 1kΩ ±1% 1/8W 25ppm
R38 R39 R40 R41 R43 ( 抗混叠滤波器电阻 )
R44 R45 R46 R47 R49
R50 R51 R52 R53 R54
R55 R56
R2 R11 R12 R13 R14 5 10kΩ ±5% 1/8W 100ppm
R3~R9，R16~R22， 21 240kΩ ±1% 1/8W 25ppm
R25~R31
发光二极管 D1 D2 D3 D4 4 - -
贴片光耦 U1 U2 U3 U4 4 NEC2501 -
晶振 X1 1 16.384MHz ±20ppm
集成电路 U5 1 90E36 -
连接器 JP1 1 CON-5 -

2.1.5 电路说明
2.1.1 原理图 ( 电流互感器 (CT)) 为三相四线 (3P4W) 应用的推荐电路。90E36 除了能用电流互感器 (CT) 进行电流采样之
外，还可以采用 Rogowski 线圈进行电流采样，其三相四线 (3P4W) 应用的推荐电路如 2.1.3 原理图 (Rogowski 线圈 ) 所示。
Rogowski 线圈电流采样推荐使用两级滤波，电路其它部分与 CT 的应用电路完全相同。如要采用 Rogowski 线圈进行三相三
线 (3P3W) 的设计，其电路可参考 2.2 三相三线 (3P3W) 应用，并将 CT 采样电路改成 Rogowski 线圈采样电路即可。IDT 推
荐的 Rogowski 线圈型号为：Pulse PA3202NL。
90E32 不具有 N 线电流采样功能，如采用 90E32 进行产品设计，图中 N 线电流采样电路应直接去除，同时芯片第 9 和第 10
引脚请接 GND 处理。90E32 也不具有 DMA 功能，如采用 90E32 进行产品设计，芯片第 36 引脚请接 GND 处理。在采用 90E36 进
行产品设计时，如果不用到 N 线采样或 DMA 功能，相关引脚也请接 GND 处理。芯片 NC 引脚请悬空处理。
三相电压用电阻分压方式采样，电阻分压比建议为 240kΩ x 7 : 1kΩ ；抗混叠滤波器电容建议为 18nF。三相电流和 N 线
电流用 CT 采样，CT 电流比和负载电阻需根据实际量程范围进行选择；电流采样电路的抗混叠滤波器电阻 / 电容建议为 1kΩ/
18nF。
CF1~CF4 引脚具有 8mA 的电流驱动能力，可直接并行驱动 LED 和光耦。其它数字输出引脚具有 3mA 的电流驱动能力，可直
接驱动光耦。

硬件参考电路 7 2011 年 12 月 16 日
三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

应用说明：如何选择 CT 和 CT 负载电阻
已知条件：
90E36 A/D 输入电压范围为 120μVrms ~ 720mVrms
90E36 A/D 输入增益 PGA_GAIN = 1、2、4
假设：
要求设计的电能表电流量程范围为 Imin ~ Imax
CT 的电流输出比为 N : 1
CT 负载电阻为 RCT
则各参数满足以下关系：
PGA_GAIN × RCT × I min
120 µVrms <
N

PGA_GAIN × RCT × I max

< 720mVrms
N

硬件参考电路 8 2011 年 12 月 16 日
 2.2
1 2 3 4 5 6 7 8 2.2.1 原理图

硬件参考电路
U1 NEC2501 JP1
UA CF1 1
R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 1
VAP 2
2
240K 240K 240K 240K 240K 240K 240K 3
R10 3
4
1K C3 4
5
18nF R1 5
A CON-5 A
510
三相电能计量芯片应用笔记

GND GND
C1 DVDD33
R2
GND
10K U2 NEC2501
UB 0.1uF CF2
C2

GND 10uF R11 R12 R13 R14

10K 10K 10K 10K R15
三相三线 (3P3W) 应用

C4 510
GND
DVDD33
C5 0.1uF
SDI
U3 NEC2501
SDO
UC C7 AVDD33 0.1uF CF3
R25 R26 R27 R28 R29 R30 R31 SCLK
VCP
GND CS
240K 240K 240K 240K 240K 240K 240K
R32 0.1uF

48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
1K C8
18nF R24

CS

NC
NC
SDI

VPP
RST
510

SDO
SCLK

DGND
DGND
GND GND

DVDD33
DVDD18
1 36
B AVDD33 DMA DMA B
2 35
AGND NC
IAP 3 34 U4 NEC2501
I1P PM1 PM1
IAN 4 33 CF4
I1N PM0 PM0
Voltage Sampling IBP 5 32
I2P TEST GND
IBN 6 31
I2N IRQ1 IRQ1
ICP 7 30
I3P IRQ0 IRQ0
GND ICN 8 29
I3N WarnOut WarnOut R33
INP 9 28 CF4
I4P CF4 CF4
INN 10 27 CF3 510
I4N CF3 CF3
11 26 CF2
Vref CF2 CF2
12 25 CF1 GND
C9 C10 AGND CF1 CF1
10uF 0.1uF

V1P
V1N
V2P
V2N
V3P
V3N
NC
OSCI
OSCO
ZX0
ZX1
ZX2

9
GND
U5

13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
IDT90E36
CF1 R34
ZX2
ZX1 510
D1 CF4
ZX0
IA+ IC+

VAP
VBP
VCP
R35 IAP R36 ICP
X1 R37
1K 1K Connect to MCU CF2
R38 R39 16.384MHz 510
2.4 C11 2.4 C12 D2 CF3
18nF 18nF C13
R40
C 1K R42 C
18nF R43 C15 CF3
1K 18nF
510
R44 GND C16 R45 GND C17 D3 CF2
IA- 2.4 18nF IC- 2.4 18nF
R46 IAN R47 ICN
GND CF4 R48
1K 1K
510
D4 CF1
GND

D D

Current Sampling (with CT) Title

IDT Poly Phase Metering AFE 90E36
Reference Design (3P3W with CT)
Size Number Revision
A3
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2011 年 12 月 16 日
AN-644
 三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

2.2.2 元器件清单

元器件类型 标号 数量 元器件参数 容差要求

贴片电容 C3 C8 C11 C12 C13 C15 8 18nF ±10% X7R
C16 C17 ( 抗混叠滤波器电容 )
C1 C4 C5 C7 C10 5 0.1µF ±10% X7R
C2 C9 2 10µF ±10% X7R
贴片电阻 R38 R39 R44 R45 4 2.4Ω ±1% 1/8W 25ppm
R1 R15 R24 R33 R34 8 510Ω ±5% 1/8W 100ppm
R37 R42 R48
R10 R32 R35 R36 R40 8 1kΩ ±1% 1/8W 25ppm
R43 R46 R47 ( 抗混叠滤波器电阻 )
R2 R11 R12 R13 R14 5 10kΩ ±5% 1/8W 100ppm
R3~R9，R25~R31 14 240kΩ ±1% 1/8W 25ppm
发光二极管 D1 D2 D3 D4 4 - -
贴片光耦 U1 U2 U3 U4 4 NEC2501 -
晶振 X1 1 16.384MHz ±20ppm
集成电路 U5 1 90E36 -
连接器 JP1 1 CON-5 -

2.2.3 电路说明
此电路是 90E36 三相三线 (3P3W) 应用的推荐电路。
3P3W 应用以 B 相做为系统的参考地，在 3P3W 的系统中 UA 表示为 UAB，UC 表示为 UCB，没有 UB。
3P3W 应用不需要 B 相电压、B 相电流和 N 线电流采样，芯片第 5、6、9、10、15、16 引脚请接 GND 处理。
90E32 不具有 DMA 功能，如采用 90E32 进行产品设计，芯片第 36 引脚请接 GND 处理。90E36 如不使用 DMA 功能，第 36 引
脚也接 GND。芯片 NC 引脚请悬空处理。
3P3W 应用电路的其它部分与 3P4W 类似，可做相同处理。

硬件参考电路 10 2011 年 12 月 16 日
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3 接口
芯片提供了一个四线的 SPI 接口 (CS、SCLK、SDI、SDO)。对于 90E36，该接口可工作于两种模式：slave 模式和 master
(DMA) 模式，工作模式由芯片 DMA_CTRL 引脚控制。而 90E32 只有 slave 模式的 SPI 功能。

3.1 SPI 接口
Slave 模式的 SPI 接口主要用于对芯片寄存器的读 / 写操作。一个完整的 SPI 读 / 写时序为 32bits 长度，由 16bits 地址
位和 16bits 数据位组成。在 SPI 发送的 16bits 地址中，bit0~bit9 对应于寄存器的有效地址 A0~A9，bit10~bit14 是保留位
( 这些位可以为 0，也可以为 1，芯片对此不做判断 )，地址最高位 bit15 是用来表示此次 SPI 操作是读操作还是写操作。

SPI 操作 说明 地址最高位 (bit15)

读 读取芯片寄存器的数据 1
写 将数据写入芯片寄存器 0
SPI 的地址位和数据位传送采用由高到低的顺序，即先送 MSB，最后送 LSB。需要说明的是，芯片的 SPI 读 / 写只支持单地
址操作，不支持连读或连写的操作。
芯片有一个特殊寄存器 LastSPIData [0FH]，记录最近一次 SPI 读 / 写的数据，该寄存器可用作 SPI 读 / 写操作时的数据
校验。当系统处于强干扰场合时，干扰信号可能造成 SPI 通信紊乱，导致 SPI 数据读 / 写错误。在这种情况下，可使用
LastSPIData 来校验 SPI 读 / 写的数据是否正确，加强系统的抗干扰能力。对于读后清的寄存器，如果第一次读的数据和
LastSpiData 反映的数据不同，可通过多次读 LastSpiData 寄存器得到真实值。
LastSPIData 的应用如图 -1 和图 -2 所示：

SPI读数据Buffer

读取LastSPIData

LastSPIData == Buffer ?
Y

Buffer=LastSPIData

读取LastSPIData

LastSPIData == Buffer ?
N
Y

End

图 -1 LastSPIData 的应用 （读寄存器）

接口 11 2011 年 12 月 16 日
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SPI写数据Buffer

读取LastSPIData

N
LastSPIData == Buffer ?

End

图 -2 LastSPIData 的应用 （写寄存器）

3.2 DMA 接口
只有 90E36 具有 DMA 功能，具体请参阅 90E36 Datasheet 的 “SPI / DMA INTERFACE”。

接口 12 2011 年 12 月 16 日
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4 工作模式
芯片有四种工作模式，对应于四种功耗，由 PM1 / PM0 引脚的状态来确定芯片的工作模式。

PM1 PM0 工作模式 功耗

1 1 正常模式 高
1 0 部分测量模式
↓
0 1 电流检测模式
0 0 空闲模式 低

4.1 正常模式 (Normal Mode)

在正常模式下，除了电流检测功能模块以外，其它所有功能模块都处于运行状态，所有寄存器都可以被访问，包括与电流
检测模式和部分测量模式相关的寄存器。

4.2 部分测量模式 (Partial Measurement Mode)

在部分测量模式下，芯片只保留三相电流采样以及相关的功能模块继续运行。在此模式下，SPI 通信可以正常进行，但只
有与部分测量功能相关的寄存器和一些特殊寄存器才能被外部 MCU 访问。部分测量模式下可访问的寄存器如下表所示：

地址 名称 地址 名称 地址 名称
00H SoftReset 14H PMOffsetA 1AH PMIrmsC
01H SysStatus0 15H PMOffsetB 1BH PMConfig
03H FuncEn0 16H PMOffsetC 1CH PMAvgSamples
07H ZXConfig 17H PMPGA 1DH PMIrmsLSB
0EH DMACtrl 18H PMIrmsA
0FH LastSPIData 19H PMIrmsB
部分测量功能有专门的使能控制位 ReMeasure (PMConfig 的 bit14)，控制位使能后，芯片按照 PMAvgSamples[1CH] 寄存器
确定的采样周期进行采样和测量。完成一次测量后，测量功能会自动关闭；如需要再次测量，要重新使能。在完成一次测量
后，IRQ0 引脚会输出高电平信号，MCU 可通过判断 IRQ0 引脚电平来确定测量是否完成。IRQ0 的高电平信号在重新使能测量
控制位 (ReMeasure) 或退出部分测量模式时被清除。
部分测量模式还有一个 " 忙 " 信号标识位 PMBusy (PMConfig 的 bit 0)，MCU 也可以通过判断 PMBusy 来确定测量是否完成。
由于部分测量模式下芯片的参考电源模块是开启的，所以其电流测量精度与正常模式下的测量精度相同。

4.3 电流检测模式 (Detection Mode)

在电流检测模式下，只有电流检测模块被使能，所有寄存器都不可以被外部 MCU 访问。在此模式下，芯片 I/O 会处于特定
的状态 ( 具体请参阅 Datasheet)，SPI 不能正常通信。所以电流检测的控制寄存器和阈值寄存器需要先在正常模式下设置好，
然后再进入电流检测模式。这些寄存器一旦写入后，在不同工作模式间切换时，无需重新设置。与电流检测相关的寄存器如
下表所示：

地址 名称
10H DetectCtrl
11H DetectThA
12H DetectThB
13H DetectThC
电流检测是由低功耗的比较器实现的，每相电流有两个比较器，分别检测正向和负向电流。当有单相电流或多相电流达到
设定的阈值时，IRQ0 会输出高电平；当所有相的电流都达到设定的阈值时，IRQ1 会输出高电平。IRQ0/IRQ1 的高电平信号只
有在进入或退出电流检测模式时才会被清除。
芯片认为所有相的电流是指三个电流通道 I1~I3 的电流 （即 A、B、C 三相电流）。在 3P3W 应用中，由于没有 B 相电流，
所以即使 A 相和 C 相的电流都超过设定的阈值，IRQ1 也不会输出高电平。

4.4 空闲模式 (Idle Mode)

在空闲模式下，所有的功能模块都被关闭，所有寄存器值都不能被访问。在此模式下，芯片 I/O 会处于特定的状态 ( 具体
请参阅 Datasheet)，SPI 不能正常通信。除了与电流检测功能相关的寄存器值被保存，其它寄存器的值都会被丢失。

工作模式 13 2011 年 12 月 16 日
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4.5 工作模式的切换和应用
芯片的四种工作模式通过 PM1/PM0 引脚进行切换的。在实际应用中，为了防止工作模式切换时造成寄存器值的紊乱和系统
状态的不确定，要求所有的工作模式切换都需经过空闲模式。在空闲模式下，所有功能模块都被关闭；而从空闲模式切换到
其它模式时，相关的功能模块会被使能，该使能动作等同于对功能模块的复位，可保证功能模块的正常运行。
从空闲模式切换到正常模式或部分测量模式时，需要对寄存器进行重新加载，才能使芯片正常工作。而从空闲模式切换到
电流检测模式时，则不需要重新加载寄存器。工作模式的切换如图 -3 所示：

正常模式 需要重新加载所有
PM1:PM0 = 11 用到的寄存器值

除了与电流检测相
空闲模式
关的寄存器，其它
PM1:PM0 = 00
寄存器值会丢失

电流检测模式 部分测量模式
PM1:PM0 = 01 PM1:PM0 = 10

与电流检测相关的寄 需要重新加载与部分
存器值不会丢失 测量相关的寄存器值
图 -3 工作模式切换
注：为了描述方便，下文提到工作模式切换时会省略经过空闲模式的中间过程。

工作模式切换最典型的应用场合是电能表的全失压检测。
所谓全失压，是指三相电压输入均低于电能表的临界电压，但负荷电流大于设定的电流值 ( 如 5% 额定电流 )。在全失压状
态下，电能表通常用后备电池供电，系统需要进入低功耗状态，并需要每隔一段时间对全失压事件进行测量和记录。
对于用 90E32/36 设计的电能表，对全失压的处理流程建议如下：
1 将电流检测的阈值设为全失压要求检测的最小负荷电流 ( 如 5% 额定电流 ) ；
2 在发生全失压时，系统进入空闲模式；
3 系统每隔一定的时间 ( 如 5 秒 ) 进入电流检测模式；
4 当检测到负荷电流大于设定的阈值时，系统进入部分测量模式，对负荷电流进行测量和记录；
5 测量和记录完毕后，系统回到空闲模式；
6 之后，系统每隔一段时间 ( 如 60 秒 ) 进入部分测量模式，对负荷电流进行测量和记录。

工作模式 14 2011 年 12 月 16 日
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系统失压
进入
部分测量模式

进入
空闲模式 N
测量电流>最小负荷电流?

Y
延时5秒
记录电流值
(全失压事件)

进入
电流检测模式
进入
空闲模式

N
IRQ0/IRQ1输出高电平 ?
延时60s
Y

图 -4 电流检测和部分测量的应用

应用说明：电流检测阈值的设计原则
建议实际应用中按照 3mVrms 的电流检测阈值进行系统设计。
例：
假设：
要求检测的最小负荷电流为 5% 额定电流，电流规格为 5(60)A
检测最小负荷电流用 Id 表示，其对应的 A/D 输入信号为 3mVrms
则各参数满足以下关系：

检测最小负荷电流 Id 额定电流 In 最大电流 Imax

与额定电流的比例 5% In In 12In
对应 A/D 输入信号 3mVrms 60mVrms 720mVrms
实际电流值 250mA 5A 60A

工作模式 15 2011 年 12 月 16 日
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5 校表
5.1 校表方法
我们一般把电压、电流、平均功率、相角、频率等称为测量值；而把有功电能、无功电能等称为计量值。
芯片的测量和计量功能都需要先校准后才能正常使用，如下表所示：

工作模式 参数 是否需要校准 校准方法

电压 / 电流 √ 失调 / 增益校准
功率 / 频率 / 相角 / 功率因数 X --
THD X --
正常模式
全波电能计量 √ 失调 / 增益 / 角差校准
基波电能计量 √ 失调 / 增益校准
谐波电能计量 X --
部分测量模式 电流测量 √ 失调 / 增益校准
电流检测模式 电流检测 √ 阈值校准

在三相电能表的典型应用中，电压 / 电流和全波电能计量是必须校准的，其它可根据实际应用情况进行校准，如果没有使
用，可以不校准。
芯片的校表流程按照先校准测量值再校准计量值的顺序进行。电能计量校准采用先校增益再校角差的方法，在整个计量动
态范围内只需要单点校准。芯片只需要对有功电能计量进行校准，无需校准无功电能计量，而由芯片保证其准确度。
频率、相角、功率因数无需校准，由芯片保证其准确度。

5.2 正常模式下的校表
电能表最基本的测量、计量、谐波分析等功能都只在正常模式下才具备，因此正常模式下的校表是最基本和必须的。在进
行校表之前，需要先对相关寄存器进行配置。校表流程如图 -5 所示。

校表 16 2011 年 12 月 16 日
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校表初始化

电压/电流失调校准

电压/电流增益校准

功率失调校准

电能增益校准

角差校准

结束

图 -5 正常模式下的全波有功电能计量校表流程
5.2.1 测量 / 计量启动命令寄存器 (ConfigStart/CalStart/HarmStart/AdjStart)
xxxStart 寄存器在不同的寄存器值下表现出不同的工作方式：

启动寄存器值 用途 工作
6886H 复位状态 复位起始值。不会对校验和进行检查。
5678H 校准 和 6886H 一样，不会对校验和进行检查。写入 5678H 会把相应的寄存器块的值复位到默认值。
8765H 工作 会对校验和进行检查，如果检查到错误，会产生中断和报警并且停止计量。
Other 错误 置位校验和错误标识，WarnOut 引脚会输出高电平。
在复位时，这些寄存器的值都是 6886H，此时芯片的测量功能会启动，而计量功能不会启动。如果这些寄存器被写入其它
值，则相应的测量 / 计量功能会停止，并且相应的校验和错误标识 (CSxErr) 会被置位，WarnOut 引脚会输出高电平。

寄存器块地址范围
启动寄存器 / 地址 寄存器块功能 CSx / 地址 复位时功能启动
(CSx 计算范围 )
ConfigStart / 30H 31H ~ 3AH 功能设置 CS0 / 3BH --
CalStart / 40H 41H ~ 4CH 电能计量校准 CS1 / 4DH 不启动
HarmStart / 50H 51H ~ 56H 基波 / 谐波电能计量校准 CS2 / 57H 不启动
AdjStart / 60H 61H ~ 6EH 测量值校准 CS3 / 6FH 启动

校表 17 2011 年 12 月 16 日
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在 xxxStart 写入 5678H 时，芯片会把相应的寄存器块的值复位到默认值，并立即启动测量 / 计量功能，而不会对校验和

进行检查。
在 xxxStart 写入 8765H 时，芯片不会复位寄存器块的值，而会对校验和进行检查。如果写入的校验和与芯片内部自己产
生的校验和相同，则芯片启动测量 / 计量功能。如果写入的校验和与芯片内部自己产生的校验和不相同，则芯片不会启动测
量 / 计量功能，并且相应的校验和错误标识 (CSxErr) 会被置位，WarnOut 引脚会输出高电平。需要注意的是，在启动寄存器
(xxxStart) 为 8765H 的情况下，当 CS2 错误时，只有谐波的测量和计量功能会被停止。而当 CS0、CS1 或 CS3 错误时，所有
的测量 / 计量功能都会被停止。
写入的校验和是指 MCU( 或其它外部处理器 ) 通过 SPI 向地址 3BH / 4DH / 57H / 6FH 写入的值。而 MCU 通过 SPI 读取这
些地址的值，得到的是芯片内部产生的校验和。在启动寄存器 (xxxStart) 为 5678H 或 8765H 的情况下，芯片内部都会实时计
算校验和，只要有寄存器被更新，则相应的 CSx 值也会立即更新。所以在应用中可以先读取 CSx 寄存器得到正确的校验和，
然后再把此校验和直接写回到该 CSx 寄存器，这样可以简化 MCU 的处理过程。

地址 名称 Bit15 ~ Bit0
Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8
- CS0Err - CS1Err - CS2Err - CS3Err
01H SysStatus0 Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
PhaseLos
URevWn IRevWn - - SagWarn - -
eWn
1 CS0Err：显示 CS0 的校验和状态
0：CS0 校验和正确 ( 默认值 )
1：CS0 校验和错误，同时 WarnOut 引脚输出高电平
2 CS1Err：显示 CS1 的校验和状态
0：CS1 校验和正确 ( 默认值 )
1：CS1 校验和错误，同时 WarnOut 引脚输出高电平
3 CS2Err：显示 CS2 的校验和状态
0：CS2 校验和正确 ( 默认值 )
1：CS2 校验和错误，同时 WarnOut 引脚输出高电平
4 CS3Err：显示 CS3 的校验和状态
0：CS3 校验和正确 ( 默认值 )
1：CS3 校验和错误，同时 WarnOut 引脚输出高电平
在实际应用中，建议启动寄存器 (xxxStart) 都设为 8765H，这样可通过定时检查启动寄存器 (xxxStart) 和校验和错误标
识 (CSxErr) 来判断系统是否处于正常工作状态，如图 -6 所示。

N
xxxStart == 8765H ? 重新初始化寄存器

N
CSxErr == 0 ?

图 -6 寄存器值有效性的检查

校表 18 2011 年 12 月 16 日
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5.2.2 高频常数设置 (PL_Constant)

电能表的电能计量和累积通常采用电能的单位，如 kWh，而计量芯片内部对电能的计算或计量是以电能脉冲 CF 来开展的，
这两者间的关系通过电表常数 (MC：Meter Constant，如 3200imp/kWh，即每 kWh 电能对应于 3200 个电能脉冲 ) 来体现的，
芯片的高频常数 PL_constant 就是一个与电表常数相关的参数，一个 PL_Constant 对应于 0.01CF 的电能，应用中需要按照不
同的电表常数来设定芯片的高频常数。
芯片提供有四个电能脉冲输出：全波有功电能 (CF1)、全波无功或全波视在电能 (CF2)、基波电能 (CF3) 和谐波电能 (CF4)，
其电表常数都由 PL_constant 统一设定，不能单独设置。
芯片的高频常数寄存器由 PLconstH[31H] 和 PLconstL[32H] 组成，分别表示高字 (High Word) 和低字 (Low Word)。
高频常数的计算公式如下
PL_constant = 450,000,000,000 / MC
450,000,000,000：常数
MC：电表常数，单位为 imp/KWh、imp/Kvarh 或 imp/KVA

例：高频常数 PL_constant 的计算

假设：
电表常数 MC = 3200
由公式计算得：
PL_constant = 450,000,000,000 / 3200
= 140,625,000 ( 十六进制表示为 8614C68H)
则寄存器设置为：
PLconstH[31H] = 0861H
PLconstL[32H] = 4C68H

5.2.3 计量模式设置 (MMode0)

芯片可应用于不同的系统环境和计量模式，这些可以通过 MMode0[33H] 寄存器来进行设置。

地址 名称 Bit15 ~ Bit0
Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8
- - I1I3Swap Freq60Hz HPFOff didtEn 001LSB 3P3W
33H MMode0
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
CF2varh CF2ESV - ABSEnQ ABSEnP EnPA EnPB EnPC
1 I1I3Swap：电流输入通道 I1 和 I3 交换控制位
0：I1 为 A 相电流输入，I3 为 C 相电流输入 ( 默认值 )
1：I1 为 C 相电流输入，I3 为 A 相电流输入
注：I2 总是为 B 相电流输入
在 PCB 布板时，芯片可能被放置在 PCB 板顶层 (Top Layer)，也可能被放置在 PCB 板底层 (Bottom Layer)。这两种放置方
式使 A 相和 C 相电流输入正好有一个交叉，从而影响整表的装配工艺，而通过该控制位的设置可以消除这种影响。
需要说明的是，I1 和 I3 的交换只是 A/D 通道的交换，不会影响到芯片内部的数据处理。
2 Freq60Hz：电网参比频率设置
0：50Hz ( 默认值 )
1：60Hz
芯片可适用于 50Hz 或 60Hz 的电网，按照不同的电网频率，芯片内部在数据处理时会采用不同的计算参数，为提高测量
和计量的准确度，请按照实际应用的电网频率设置此控制位。
3 HPFOff：高通滤波器使能控制位
0：打开高通滤波器 ( 默认值 )
1：关闭高通滤波器

校表 19 2011 年 12 月 16 日
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芯片除了能测量交流 (AC)50Hz 或 60Hz 电网下的电压 / 电流有效值，还可以测量直流 (DC) 情况下的电流平均值。在使用

直流测量功能时，需要把高通滤波器关闭。
4 didtEn：电流信号微分采样电路使能控制位
0：关闭微分采样电路，电流通道采用 CT 采样 ( 默认值 )
1：打开微分采样电路，电流通道采用罗氏线圈 （Rogowski coil）采样
芯片可以支持电流互感器 (CT) 方式的电流采样，也可以支持罗氏线圈方式的电流采样。请根据实际应用的电流采样方
式设置此使能控制位。应当指出，采用罗氏线圈时应采用不同的采样电路。
5 001LSB：电能寄存器最小单位设置
0：电能寄存器最小单位为 0.1CF ( 默认值 )
1：电能寄存器最小单位为 0.01CF
6 3P3W：三相电能表接线方式设置
0：三相四线接线方式 ( 默认值 )
1：三相三线接线方式
在不同的接线方式下，芯片会采用不同的相序判断，请根据实际应用的接线方式设置此控制位。
7 CF2varh：CF2 引脚脉冲输出源设置
0：CF2 引脚为视在电能脉冲输出
1：CF2 引脚为无功电能脉冲输出 ( 默认值 )
8 CF2ESV：当 CF2 引脚为视在电能输出时，此控制位用来设置总视在电能的计算方式。此控制位同时被用来设置计算总
功率因数 (PF) 时总视在电能的计算方式；
0：总视在电能为各相视在电能的算术和 ( 默认值 )
1：总视在电能为各相视在电能的矢量和
9 ABSEnQ：设置总无功电能和总无功功率的计算方式
0：总无功电能 / 功率等于各相无功电能 / 功率 / 的算术和 ( 默认值 )
1：总无功电能 / 功率等于各相无功电能 / 功率 / 的绝对值和
10 ABSEnP：设置总有功电能和总有功功率的计算方式
0：总有功电能 / 功率等于各相有功电能 / 功率的算术和 ( 默认值 )
1：总有功电能 / 功率等于各相有功电能 / 功率的绝对值和
11 EnPA：设置 A 相电能 / 功率是否加入总电能 / 功率的计算
0：A 相电能 / 功率不加入总电能 / 功率的计算
1：A 相电能 / 功率加入总电能 / 功率的计算 ( 默认值 )
12 EnPB：设置 B 相电能 / 功率是否加入总电能 / 功率的计算
0：B 相电能 / 功率不加入总电能 / 功率的计算
1：B 相电能 / 功率加入总电能 / 功率的计算 ( 默认值 )
13 EnPC：设置 C 相电能 / 功率是否加入总电能 / 功率的计算
0：C 相电能 / 功率不加入总电能 / 功率的计算
1：C 相电能 / 功率加入总电能 / 功率的计算 ( 默认值 )

应用说明：MMode0 的常用设置
(a)三相四线，电网频率 50Hz ' MMode0 = 0087H
(b)三相三线，电网频率 50Hz ' MMode0 = 0085H

5.2.4 信号增益设置 (MMode1)

MMode1 寄存器用来设置 A/D 采样通道的信号增益，使得芯片可适用于不同电流规格的电能表设计。

地址 名称 Bit15 ~ Bit0
Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8
DPGA_GAIN PGA_GAIN (V3) PGA_GAIN (V2) PGA_GAIN (V1)
34H MMode1
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
PGA_GAIN (I4) PGA_GAIN (I3) PGA_GAIN (I2) PGA_GAIN (I1)
1 DPGA_GAIN：四路电流采样通道的数字增益倍数

校表 20 2011 年 12 月 16 日
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00：1 倍增益 ( 默认值 )

01：2 倍增益
10：4 倍增益
11：8 倍增益
2 PGA_GAIN(V1~V3、I1~I4)：七路 A/D 采样的模拟增益倍数
00：1 倍增益 ( 默认值 )
01：2 倍增益
10：4 倍增益
11：N/A

应用说明：增益倍数的设置原则
(a)保证 A/D 通道的模拟输入信号在 0~720mVrms 的动态范围内
(b)在全动态范围内，增益倍数尽量设到最大值

5.2.5 电压 / 电流 / 功率的失调 (Offset) 校准

在实际应用中，芯片的输入信号经常会受到干扰信号的影响，这种干扰会经过 A/D 和高通滤波器进入到数据处理模块，给
电压 / 电流有效值和功率的计算带来误差，还会影响到电能计量的准确度。芯片提供了电压、电流和功率的失调校准功能，
可以减小干扰信号对测量 / 计量准确度的影响。
电压 / 电流失调的校准要分相进行。以 A 相为例，外部信号源为：UB=UC=Un，UA=0，IA=0 ；电压 / 电流失调的校准过程如下：
a. 将输入信号源设置为零，读取测量寄存器的值 (32bits)，建议多读几次取平均值；
b. 将 32bits 数据右移 7bits( 即忽略最低 7bits)
c. 结果取反加 1(2 的补码形式 )
d. 计算结果取低 16bits 写入失调寄存器
功率失调的校准要分相进行，以 A 相为例，外部信号源为：UA=UB=UC=Un，IA=0。功率失调的校准过程如下：
a. 将输入信号源设置为零，读取测量寄存器的值 (32bits)，建议多读几次取平均值
b. 计算：寄存器值 x 100,000 / 65,536
c. 计算结果数据右移 8bits( 即忽略最低 8bits)
d. 结果取反加 1(2 的补码形式 )
e. 计算结果取低 16bits 写入失调寄存器
失调寄存器值和测量寄存器值的数据对应关系如下表所示：

项目 数据宽度 数据对齐 最小单位

电压有效值 32bits 9bits 16bits 7bits 0.02mV
电流有效值 32bits 9bits 16bits 7bits 0.2µA
平均功率 32bits 8bits 16bits 8bits 0.00256W
Offset 寄存器
相关的失调寄存器和测量值寄存器如下表所示：

失调寄存器 测量值寄存器
地址 寄存器名称 地址 寄存器名称 地址 寄存器名称
63H UoffsetA 0D9H UrmsA 0E9H UrmsALSB
电压 67H UoffsetB 0DAH UrmsB 0EAH UrmsBLSB
6BH UoffsetC 0DBH UrmsC 0EBH UrmsCLSB
64H IoffsetA 0DDH IrmsA 0EDH IrmsALSB
68H IoffsetB 0DEH IrmsB 0EEH IrmsBLSB
电流
6CH IoffsetC 0DFH IrmsC 0EFH IrmsCLSB
6EH IoffsetN 0D8H IrmsN1 - -

校表 21 2011 年 12 月 16 日
 三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

41H PoffsetA 0B1H PmeanA 0C1H PmeanALSB

42H QoffsetA 0B5H QmeanA 0C5H QmeanALSB
43H PoffsetB 0B2H PmeanB 0C2H PmeanBLSB
全波功率
44H QoffsetB 0B6H QmeanB 0C6H QmeanBLSB
45H PoffsetC 0B3H PmeanC 0C3H PmeanCLSB
46H QoffsetC 0B7H QmeanC 0C7H QmeanCLSB
51H PoffsetAF 0D1H PmeanAF 0E1H PmeanAFLSB
基波功率 52H PoffsetBF 0D2H PmeanBF 0E2H PmeanBFLSB
53H PoffsetCF 0D3H PmeanCF 0E3H PmeanCFLSB
5.2.6 电压 / 电流测量的校准
测量值的校准是指电压有效值 (Urms) 和电流有效值 (Irms) 增益的校准。测量值的校准是电能计量校准的前提。
1 电压 / 电流失调 (Uoffset/Ioffset) 的校准：
校准方法请参考 5.2.5 电压 / 电流 / 功率的失调 (Offset) 校准。在一般应用中，如果电压 / 电流的失调值很小，可不用
校准。
2 电压 / 电流增益的校准：
可以三相同时进行。外部信号源为：UA=UB=UC=Un，IA=IB=IC=In(Ib)。校准方法如下：
a. 读取外部信号源 ( 标准表 ) 的电压 / 电流值，读取芯片寄存器得到电压 / 电流的测量值；
b. 计算电压 / 电流增益值；
电压增益 = ( 标准表电压值 / 电压测量值 ) x 52800
电流增益 = ( 标准表电流值 / 电流测量值 ) x 30000
c. 计算得到的值写入相应的电压 / 电流增益寄存器。
注：电压 / 电流增益的校准不一定要在增益寄存器值为默认值的情况下进行。也就是说，当第一次校准结果不理想时，
可以不必将增益寄存器复位到默认值，而在现有值的情况下进行再次校准。此时的计算公式如下：
新电压增益 = ( 标准表电压值 / 电压测量值 ) x 原电压增益
新电流增益 = ( 标准表电流值 / 电流测量值 ) x 原电流增益
相关的电压 / 电流增益寄存器和测量值寄存器如下表所示：

增益寄存器 测量值寄存器
地址 寄存器名称 地址 寄存器名称 地址 寄存器名称
61H UgainA 0D9H UrmsA 0E9H UrmsALSB
电压 65H UgainB 0DAH UrmsB 0EAH UrmsBLSB
69H UgainC 0DBH UrmsC 0EBH UrmsCLSB
62H IgainA 0DDH IrmsA 0EDH IrmsALSB
66H IgainB 0DEH IrmsB 0EEH IrmsBLSB
电流
6AH IgainC 0DFH IrmsC 0EFH IrmsCLSB
6DH IgainN 0D8H IrmsN1 - -
应用说明：
(a)电压有效值是无符号数，寄存器UrmsA/UrmsB/UrmsC的最小单位1LSB表示0.01V；寄存器UrmsALSB/UrmsBLSB/UrmsCLSB
只有高 8bits 有效，低 8bits 始终为 0，最小单位 1LSB 表示 0.01/256 V
(b)电流有效值是无符号数，寄存器IrmsA/IrmsB/IrmsC的最小单位1LSB表示0.001A；寄存器IrmsALSB/IrmsBLSB/IrmsCLSB
只有高 8bits 有效，低 8bits 始终为 0，最小单位 1LSB 表示 0.001/256 A

校表 22 2011 年 12 月 16 日
 三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

例：电压增益校准
假设：
A 相电压增益寄存器 UgainA 初始值为 0CE40H (52800)
标准表电压输出为 220.00V
读取电压有效值寄存器 UrmsA = 5BA0H (23456)
读取电压有效值低位寄存器 UrmsALSB 高 8bits = 4EH (78)
由公式计算得：
电压测量值 = (UrmsA x 0.01) + (UrmsALSB x 0.01 / 256)
= (23456 x 0.01) + (78 x 0.01 / 256)
=234.563 V
电压增益 = 220.00 / 234.563 x 52800 = 49521.88 = 0C172H
则寄存器设置为：
UgainA = 0C172H

5.2.7 全波电能计量校准
电能计量校准只需要校准有功电能，无功电能不需要校准，由芯片设计保证其准确度。电能计量按照先校增益，再校角差
的顺序进行。全波电能计量的校准过程中需要将全波有功电能的脉冲输出 (CF1) 接到校表装置的脉冲接收端口。
芯片的电能计量校准只需要在 In(Ib) 电流下进行单点校准。
1 功率失调 (Poffset/Qoffset) 的校准。
校准方法请参考 5.2.5 电压 / 电流 / 功率的失调 (Offset) 校准。在一般应用中，如果功率的失调值很小，可不用校准。
2 电能增益的校准。
电能增益的校准要分相进行，以 A 相为例，外部信号源为：UA=UB=UC=Un，IA=In(Ib)，IB=IC=0，PF=1.0。校准方法如下：
a. 读取校表装置给出的误差值为 ε ；
b. 计算电能增益值；

-ε
电能增益 = Complementary ( x 215 )
1+ε
c. 计算得到的值写入相应的电能增益寄存器。
3 角差的校准。以 A 相为例，外部信号源为：UA=UB=UC=Un，IA=In(Ib)，IB=IC=0，PF=0.5L。校准方法如下：
a. 读取校表装置给出的误差值为 εp ；
b. 计算角差；

角差 = ε p × Gphase
Gphase 是常数，当电网频率为 50Hz 时，Gphase=3763.739 ；当电网频率为 60Hz 时，Gphase=3136.449
c. 计算得到的值写入相应的角差寄存器。角差寄存器是有符号数，MSB 为 1 时表示负值。
相关的电能增益 / 角差寄存器如下表所示：

地址 寄存器名称
47H GainA
A相
48H PhiA
49H GainB
B相
4AH PhiB
4BH GainC
C相
4CH PhiC

校表 23 2011 年 12 月 16 日
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例：电能增益和角差的计算
功率因数 PF=1.0，电流为 Ib 的条件下，电能表误差 ε 为 -13.78%，则：
-ε/(1+ε)=0.159823707，
增益 = int(0.159823707× 2^15)=5237.10=1475H
即增益寄存器应写入 1475H。
增益校准后，在功率因数PF=0.5L，电流为Ib 且频率为50Hz的条件下，电能表误差εP 为0.95%，则：
角差 = εP×3763.739
=0.0095×3763.739=35.75553=24H，
即角差寄存器应写入 24H。

5.2.8 基波电能计量的校准
基波电能计量的校准只需要校准电能增益，和失调一样不需要校准角差，校表流程如图 -7 所示。基波电能计量的校准过
程中需要将基波电能的脉冲输出 (CF3) 接到校表装置的脉冲接收端口。基波电能计量的校准也只需要在 In(Ib) 电流下进行单
点校准。
基波电能校准的启动寄存器为 HarmStart [50H]，校准相关的寄存器地址为 51H~56H ；校准时只需要启动和设置这部分寄
存器，不要影响其它的寄存器。
基波电能计量的校准方法和全波有功电能计量的校准类似。
1 基波功率失调 (PoffsetxF) 的校准
校准方法请参考 5.2.5 电压 / 电流 / 功率的失调 (Offset) 校准。在一般应用中，如果功率的失调值很小，可不用校准。
2 基波电能增益的校准
基波电能增益的校准也要分相进行，以 A 相为例，外部信号源为：UA=UB=UC=Un，IA=In(Ib)，IB=IC=0， PF=1.0。校准方
法如下：
a. 读取校表装置给出的误差值为 ε ；
b. 计算电能增益值；

-ε
电能增益 = Complementary ( x 215 )
1+ε
c. 计算得到的值写入相应的电能增益寄存器。
相关的基波电能增益寄存器如下表所示：

地址 寄存器名称
54H PGainAF
55H PGainBF
56H PGainCF

校表 24 2011 年 12 月 16 日
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基波电能校准起动

基波功率失调校准

基波电能增益校准

结束

图 -7 基波电能计量校表流程

校表 25 2011 年 12 月 16 日
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5.3 部分测量模式下的校表
与部分测量模块相关的寄存器地址为 14H~1DH，没有专门的启动寄存器和校验和寄存器。在进行部分测量模块的校准时要
先由软件将相关寄存器逐一复位 ( 清零 ) 和设置初值。
5.3.1 测量模块的设置 (PMConfig)

地址 名称 Bit15 ~ Bit0
Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8
- ReMeasure MeasureStartZX MeasureType - - - -
1BH PMConfig
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
- - - - - - - PMBusy
1 ReMeasure：测量功能使能位
0：测量功能关闭 ( 默认值 )
1：触发一次测量
部分测量模块是单次触发的，即置位 ReMeasure 后，测量模块会完成一次电流测量，测量完毕后会关闭测量功能，如
果要继续测量，要重新置位 ReMeasure。
2 MeasureStartZX：测量起始条件设置
0：ReMeasure 置位后，立即开始测量 ( 默认值 )
1：ReMeasure 置位后，要再等到过零信号后再开始测量
3 MeasureType：测量类型设置
0：测量电流有效值 ( 默认值 )
1：测量电流平均值 ( 直流测量 )
4 PMBusy：测量模块 " 忙 " 标识
0：测量完成，" 空闲 " ( 默认值 )
1：测量正在进行，" 忙 "
5.3.2 采样周期的设置 (PMAvgSamples)
PMAvgSamples[1CH] 寄存器用来设置部分测量的采样周期，其单位是 A/D 的采样数。当电网频率为 50Hz，由于系统的 A/
D 采样速率为 8kHz， PMAvgSamples 的默认值为 160 (0A0H)。
5.3.3 信号增益的设置 (PMPGA)
部分测量模式下的 A/D 采样信号增益设置与正常模式下 MMode1 的设置类似。

地址 名称 Bit15 ~ Bit0
Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8
DPGA_GAIN - - - - - -
17H PMPGA
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
- - PGA_GAIN (I3) PGA_GAIN (I2) PGA_GAIN (I1)
1 DPGA_GAIN：四路电流采样通道的数字增益倍数
00：1 倍增益 ( 默认值 )
01：2 倍增益
10：4 倍增益
11：8 倍增益
2 PGA_GAIN(I1~I3)：三路 A/D 采样的模拟增益倍数
00：1 倍增益 ( 默认值 )
01：2 倍增益
10：4 倍增益
11：N/A
5.3.4 电流失调的校准
考虑到干扰信号的影响，部分测量模式也提供了电流失调的校准，其校准方法与正常模式下的电流失调校准略有不同，以
有效值测量为例，失调校准方法如下：
a. 将输入信号源设置为零；
b. 置位 MeasureType=1，置位 ReMeasure ＝ 1，触发一次电流测量；
c. 测量完成后，读取电流寄存器的值 (16bits)，

校表 26 2011 年 12 月 16 日
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d. 建议重复 b、 c 步骤，多读几次取平均值；
e. 将读取的寄存器值取反加 1(2 的补码形式 ) ；
f. 计算结果写入相应的失调寄存器。

失调寄存器 测量值寄存器
地址 寄存器名称 地址 寄存器名称
14H PMoffsetA 18H PMIrmsA
15H PMoffsetB 19H PMIrmsB
16H PMoffsetC 1AH PMIrmsC
部分测量模块也提供了测量值的低位寄存器 PMIrmsLSB，此寄存器的值在有效值测量 (AC) 和平均值测量 (DC) 下具有不
同的定义，如下所示：

地址 名称 Bit15 ~ Bit0
Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8
- - - - IrmsCLSB
1DH PMIrmsLSB
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
IrmsBLSB IrmsALSB
当测量有效值时，PMIrmsLSB 寄存器的值为测量值的低位数据 (LSB)。当测量平均值时，此寄存器值为测量值的高
位数据 (MSB)。
5.3.5 电流测量的校准
部分测量模式下芯片只具有电流测量功能，所以只需要校准电流增益就可以了。电流增益的校准可以三相同时进行，以有
效值测量为例，校准方法如下：
a. 置位 MeasureType=0，置位 ReMeasure ＝ 1，触发一次测量
b. 读取外部信号源 ( 标准表 ) 的电流值，读取电流寄存器的值 (16bits) ；
c. 计算电流增益
电流增益 = 标准表电流值 / 电流测量值
d. 部分测量模式没有专门的电流增益寄存器，计算得到的增益值需要用户自己存在 MCU 或外部存储器中。
需要说明的是，部分测量模块在正常模式和部分测量模式下都是使能的，即部分测量模块在这两种工作模式下都可以进行
电流值的测量。

起动部分测量

电流失调校准

起动部分测量

电流增益校准

结束

图 -8 部分测量校准流程

校表 27 2011 年 12 月 16 日
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5.3.6 部分测量功能的特殊应用
正常模式下对电流有效值的测量以 16 个周波为一个测量周期，即当电网频率为 50Hz 时，电流的测量周期为 320ms。当需
要进行特定周期的电流测量时，可以在正常模式下启动部分测量模块的功能，通过部分测量采样周期寄存器 PMAvgSamples 的
设置，实现特定周期的电流测量。需要说明的是，由于部分测量模块在正常模式下也是有效的，启用特定周期的电流测量功
能并不会影响常规的电能计量和参数测量功能。
部分测量模块除了能测量交流 （AC）信号下的电流有效值，还可以测量直流 （DC）信号下的电流平均值。电流平均值的
测量也可以通过在正常模式下启动部分测量模块功能来实现。

应用说明：如何用 90E32/36 测量直流 (DC) 的电流信号

直流测量功能由芯片的部分测量模块完成，直流测量功的使用流程如下：
a. 关闭高通滤波器 (HPFOff=1)
b. MeasureType 设置为 1
c. 置位 ReMeasure，触发一次电流测量
d. 检测 IRQ0 引脚或 PMBusy 状态位判断测量是否完成
e. 读取 PMIrmsA/PMIrmsB/PMIrmsC/PMIrmsLSB 寄存器，得到测量结果
f. 如果需要再次测量，请重复步骤 c~e

5.4 电流检测模式下的校表
电流检测由低功耗的比较电路实现，当外部电流小于设定的阈值时，比较电路输出低电平；当外部电流大于设定阈值时，
则输出高电平。如图 -9 所示。

输入电流

电流阈值 DAC IRQ 输出

图 -9 电流检测的实现原理
5.4.1 电流检测模块的设置
电流检测模块一共可以设置六个电流阈值比较器，分别用于三相正向和负向电流的检测，这六个阈值比较器可以由控制位
开启和关闭，如下表所示：

地址 名称 Bit15 ~ Bit0
Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8
- - - - - - - -
10H DetectCtrl
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
- - PDN3 PDN2 PDN1 PDP3 PDP2 PDP1
1 PDN3/2/1：电流通道 3/2/1 的负向电流检测控制位
0：检测使能 ( 默认值 )
1：检测关闭
2 PDP3/2/1：电流通道 3/2/1 的正向电流检测控制位
0：检测使能 ( 默认值 )
1：检测关闭
电流检测模块的六个电流阈值比较器的值有各自的寄存器设置，如下表所示：

地址 名称 Bit15 ~ Bit0
11H DetectThA Bit15 Bit14 Bit13 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8
- CalCodeN
12H DetectThB
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
13H DetectThC - CalCodeP
1 CalCodeN：负向电流检测的阈值，数据为 7bits 宽度。

校表 28 2011 年 12 月 16 日
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7’b000-0000 对应最小阈值 Vc=-4.28mV=-3.03mVrms

7’b111-1111 对应最大阈值 Vc=12.91mV=9.14mVrms
2 CalcodeP：正向电流检测的阈值，数据定义与 CalCodeN 相同。
5.4.2 电流检测阈值的校准
由于芯片设计中的低功耗考虑和生产工艺等原因，各芯片之间的电流检测阈值会有所差异，需要校准后才能正常使用。考
虑到芯片在 DAC 输出中存在的失调 ( 不超过 ±5mVrms)。电流检测模块 ( 低功耗比较器 ) 可精确检测的阈值电流范围为
2mVrms ~ 4mVrms，建议实际应用中按照 3mVrms 的电流检测阈值进行系统设计。
在电流检测模式下，所有寄存器是不能读 / 写的，所以电流阈值寄存器需要先在正常模式下进行设置，然后再进入电流检
测模式。
电流检测阈值的校准建议使用二分法，其推荐的校准流程如图 -10 所示：

标准源输出需要检测的电流信
号(如5%Ib)

Th_max = 80H
Th_max, Th_min, Th_temp：变量
Th_min = 00H
DetectThx：阈值寄存器
Th_temp = 40H

切换到正常模式
DetectThx = Th_temp

Th_min = Th_temp Th_max = Th_temp

Th_temp = (Th_max – Th_min) / 2 Th_temp = (Th_max – Th_min) / 2

切换到电流检测模式

N N

Y N
Th_max – Th_temp == 1 ? IRQ0输出高电平 ? Th_temp – Th_min == 1 ?

Y Y

检测电流阈值 = Th_temp 检测电流阈值 = Th_min

End

图 -10 电流检测阈值的校准流程

校表 29 2011 年 12 月 16 日
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6 起动电流设置
芯片与起动电流设置有关的寄存器如下表所示：
地址 寄存器名称 说明
35H PStartTh 合相有功起动功率
36H QStartTh 合相无功起动功率
37H SStartTh 合相视在起动功率
38H PPhaseTh 分相有功起动功率
39H QPhaseTh 分相无功起动功率
3AH SPhaseTh 分相视在起动功率
1 在电流为零的情况下，由于系统的干扰因素，电流采样通道可能会有微小的信号产生，从而产生一定的能量，影响电
能表的测量和计量准确度。而芯片提供的单相起动功率设置 / 判断功能可以避免这种情况的发生。
2 PPhaseTh、QPhaseTh 和 SPhaseTh 用来判断每一相 (A/B/C) 的起动功率。以有功为例，当单相输入功率小于 PPhaseTh
设定的值时，该相的有功功率输入会被强行置为零，即输入到后级处理的信号为零；反之则信号可流到后级处理。
要说明的是，此阈值是分有功 (P)、无功 (Q)、视在 (S) 进行设置的，而用来比较的值是 " 有功绝对值 + 无功绝对值
"( 即 |P|+|Q|)。
3 PStartTh、QStartTh 和 SStartTh 用来判断合相的起动功率。以有功为例，当合相功率小于 PStartTh 设定的值时，芯
片不进行能量累计；反之芯片则开始进行能量累计。
4 这两组寄存器值的计算方法相同，公式如下：
寄存器值 = N / 0.00032，(N 就是要设定的功率阈值 )。

例：起动电流的设置
假设：
电能表电压 220V，电流规格 5(100)A，有功起动电流为 0.1%。
考虑到小电流状态下的电流测量准确度，一般建议合相起动功率阈值按照起动电流的 50% 进
行设置 ( 也可以根据实际使用情况进行设置 )。
假设分相功率的起动阈值假设按照起动电流的 10% 进行设置。
则：
合相有功起动功率 = 3 x 5 x 0.1% x 50% x 220 = 1.65W
分相有功起动功率 = 5 x 0.1% x 20% x 220 = 0.11W
即寄存器值为：
PStartTh[35H] = 1.65 / 0.00032 = 5156 = 1424H
PPhaseTh[38H] = 0.11 / 0.00032 = 344 = 158H

起动电流设置 30 2011 年 12 月 16 日
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0 0 Total Active
Power Threshold Total Active Power
1 Energy Metering
|P|+|Q|>
PPhaseTh? ABS >
3 phases + PStartTh?

Phase Active 1
A/B/C
Power from DSP
1
0 Phase Active
0
Energy Metering
0 0

0 0 Total ReActive
Power Threshold Total ReActive Power
1 Energy Metering
|P|+|Q|>
QPhaseTh? ABS >
3 phases + QStartTh?

Phase ReActive 1
A/B/C
Power from DSP
1
0 Phase ReActive
0
Energy Metering
0 0

Power Threshold 0 0 Total (arithmetic

Total Apparent Power
|P|+|Q|> 1 sum) Apparent
SPhaseTh? Energy Metering
ABS >
3 phases + SStartTh?

Phase Apparent 1
A/B/C
Power from DSP
1
0 Phase Apparent
0
Energy Metering
0 0

图 -11 计量起动处理

起动电流设置 31 2011 年 12 月 16 日
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7 温度补偿
芯片自身具有良好的温度特性，考虑到系统应用中外部元件的温度特性，芯片还提供了对外部温度漂移进行补偿的功能。
芯片的温度补偿需要对一系列特殊寄存器进行设置，这些寄存器位于特殊的地址，访问这些寄存器要严格按照以下方式进
行。

7.1 片上温度传感器的设置
90E32/36 芯片内置了一个温度传感器。由于生产工艺的影响，各芯片之间的温度传感器会有所差异，所以在进行温度补偿
之前，先要对片内温度传感器进行设置。
设置方法如下：
a. 向 2FDH 地址写入 AA55H
b. 向 216H 地址写入 5122H
c. 向 219H 地址写入 012BH
d. 向 2FDH 地址写入 0000H
设置完成后，可直接读取 Temp[0FCH] 寄存器得到当前的温度。请注意 , 温度传感器会检测芯片温度 , 此温度与接点温度
以及环境温度可能有一定程度的差异。

7.2 基于 A/D 采样通道的温度补偿

该温度补偿的方式如下：
a. 向 2FCH 地址写入 AA55H
b. 向 270H 地址写入需要补偿的温度系数
c. 向 27BH 地址写入温度补偿的基准点温度
d. 向 2FCH 地址写入 0000H
温度补偿的基准点温度一般设置为校表时的温度，即在校表时可先读取 Temp[0FCH] 寄存器得到当前的温度，并保存为基
准点温度。

地址 寄存器名称 位 读/写 默认值 说明

15:8 - - 保留位，读取为 0
270H TempCompGain
7:0 读/写 0 温度补偿系数，bit7 为符号位，单位 ppm/ ℃
1: 使能温度补偿
15 读/写 0
0: 关闭温度补偿
27BH TempCompRef 14:9 - - 保留位，读取为 0
8:0 读/写 19H 温度补偿的参考点温度，bit8 为符号位，单位℃

温度补偿 32 2011 年 12 月 16 日
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举例说明：
没有温度补偿前测试数据曲线如下：

0.08
Error

0.06

0.04

0.02

0 Temp
-50 0 50 100
-0.02

-0.04

-0.06

-0.08

Error Linear Compesation

线性化处理后：
基准温度点 ( 即校表时的温度 ) 为 25 ℃，计量误差为 0.0000% ；
85 ℃温度点的误差为 0.06%
则温度系数计算如下：
(0.06% - 0.0000%) / (85 ℃ - 25 ℃ ) = 10ppm/ ℃
需要补偿的温度系数为 -10ppm/ ℃，寄存器设置如下：
a. 向 2FCH 地址写入 AA55H
b. 向 270H 地址写入 008AH
c. 向 27BH 地址写入 8019H
d. 向 2FCH 地址写入 0000H

7.3 基于参考电压的温度补偿
芯片具有高精度的片上参考电压，此参考电压具有良好的低温度系数。但在实际应用中，需要考虑的是整个系统的温漂影
响，因此芯片特别提供了基于参考电压的温度补偿，该机制可减小周边元器件对系统造成的温漂影响。
需要注意的是，由于电压和电流的 A/D 采样使用的是同一个参考电压，所以对参考电压的补偿会对功率和电能带来双倍的
影响。
参考电压的温度补偿采用每 8 ℃为一点进行分段处理，在实际使用时，可对同批次元器件做小批量测试，得到最佳的温度
补偿参数，然后将此补偿参数做为固定值在大批量生产的过程中直接写入寄存器。
该温度补偿的方式如下：
a. 向 2FDH 地址写入 AA55H
b. 向 202H~209H 地址写入分段补偿的参考电压系数
c. 向 201H 地址写入分段补偿曲线的曲率
d. 向 2FDH 地址写入 0000H
正常情况下，参考电压值为 1200mV，在该补偿机制下，参考电压补偿的单位为 0.020mV。
相关的补偿寄存器的默认值是芯片设计时计算的理想值，在实际应用中，只需要在此基础上稍做调整即可。

温度补偿 33 2011 年 12 月 16 日
三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

地址 寄存器名称 位 读/写 默认值 说明

15:4 - - 保留位，读取为 0
温度补偿曲线的曲率。
bit 3 为符号位，寄存器值为 -8 到 +7，
201H BGCurveK
3:0 读/写 0 曲率 = 1+ 寄存器值 ×1/8。
所以比率是从 0 开始，每 1/8 为一个步长，最
大到 1+7/8。
15:8 读/写 0 25 ℃温度点的补偿系数
202H BG_TEMP_P12
7:0 读/写 1 17 ℃温度点的补偿系数
15:8 读/写 6 41 ℃温度点的补偿系数
203H BG_TEMP_P34
7:0 读/写 2 33 ℃温度点的补偿系数
15:8 读/写 25 57 ℃温度点的补偿系数
204H BG_TEMP_P56
7:0 读/写 13 49 ℃温度点的补偿系数
15:8 读/写 53 73 ℃温度点的补偿系数
205H BG_TEMP_P78
7:0 读/写 39 65 ℃温度点的补偿系数
15:8 读/写 16 1 ℃温度点的补偿系数
206H BG_TEMP_N12
7:0 读/写 6 9 ℃温度点的补偿系数
15:8 读/写 54 -15 ℃温度点的补偿系数
207H BG_TEMP_N34
7:0 读/写 34 -7 ℃温度点的补偿系数
15:8 读/写 117 -31 ℃温度点的补偿系数
208H BG_TEMP_N56
7:0 读/写 79 -23 ℃温度点的补偿系数
15:8 读/写 205 -47 ℃温度点的补偿系数
209H BG_TEMP_N78
7:0 读/写 159 -39 ℃温度点的补偿系数

温度补偿 34 2011 年 12 月 16 日
 三相电能计量芯片应用笔记 AN-644

8 谐波分析
90E36内置的离散傅立叶分析(DFT)计算引擎可完成6个通道2-32次的谐波分析功能，当输入信号较小时，谐波分析的计算
误差将变大，针对这种情况，芯片设计了一个预放大器 (prescaler) 放置在 DFT 引擎前以放大待计算的信号。
芯片设计的 A/D 采样速率为 8kHz，谐波分析截取 4096 个采样点进行 DFT 计算，完成一次计算约需 0.5 秒时间。
考虑到 DFT 计算结果输出较多，为保证外部 MCU 每次均能读取到同一次 DFT 计算的数据，芯片的 DFT 计算引擎在默认
情况下是关闭的，需要使能后才能启动；并且 DFT 计算引擎完成一次计算后会自动关闭，计算结果保持在寄存器中。外部
MCU 可通过 SPI 接口直接读取这些寄存器获得计算结果。
90E36 谐波分析的准确度不需要校准，在完成全波电压 / 电流的校准后，由芯片保证谐波测量的准确度。
DFT 计算引擎的控制寄存器如下：

地址 寄存器名称 位 读/写 默认值 说明

0：Hanning 窗口开启
15 读/写 0
1：Hanning 窗口关闭
14:13 读/写 0 C 相电压预放大倍数
12:11 读/写 0 B 相电压预放大倍数
1D0H DFT_SCALE
10:9 读/写 0 A 相电压预放大倍数
8:6 读/写 0 C 相电流预放大倍数
5:3 读/写 0 B 相电流预放大倍数
2:0 读/写 0 A 相电流预放大倍数
15:1 - 0 保留位
1D1H DFT_CTRL 0：DFT 引擎关闭
0 读/写 0
1：DFT 引擎开启
1 Hanning 窗口的作用是在 DFT 计算时将 A/D 采样的信号变为周期性，以达到准确的计算结果，在一般应用中，请使能
此 Hanning 窗口。
2 电压预放大倍数
00：1 倍
01：2 倍
10：4 倍
11：8 倍
3 电流预放大倍数
000：1 倍
001：2 倍
010：4 倍
011：8 倍
100：16 倍
101：32 倍
110：64 倍
111：128 倍
4 DFT 引擎开关：置位 DFT 引擎开关后，DFT 计算引擎被使能，完成一次计算后，此位会自动清零，应用中可以通过检测
此位来判断 DFT 计算是否完成。
芯片的 DFT 应用步骤如下：
a. 设置 DFT 计算引擎，向 DFT_SCALE [1D0H] 寄存器写入 2A49H （假设电压和电流预放大 2 倍）
b. 启动 DFT 计算引擎，向 DFT_CTRL [1D1H] 寄存器写入 0001H
c. 检测 DFT_CTRL，当 DFT_CTRL=0 时，DFT 计算结束 ( 约 0.5 秒时间 )
d. 读取寄存器值，转换后得到谐波分量值 ( 占基波的百分比 ) 和基波电压 / 电流值
谐波分量（ %） = 寄存器值 / 163.84
寄存器地址 100H~1BFH
基波电流 = 寄存器值 x 1.6328 x 10 -3 / 电流预放大倍数
寄存器地址 1C0H, 1C2H, 1C4H

谐波分析 35 2011 年 12 月 16 日
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基波电压 = 寄存器值 x 1.6328 x 10 -2 / 电压预放大倍数

寄存器地址 1C1H, 1C3H, 1C5H
相关寄存器的具体说明请参阅 datasheet。

例：
假设：
电能表额定电压 220V，额定电流 5A
信号源输出 A 相电压 5 次谐波含量为 10%，A 相电流 5 次谐波含量为 40%
经 DFT 计算引擎处理后，得到寄存器值为：
[103H] = 0671H (1649)
[123H] = 19C9H (6601)
则测量得到的谐波含量值为：
5 次电压谐波含量 = 1649 / 163.84 = 10.0647 ( 即 10.0647%)
5 次电流谐波含量 = 6601 / 163.84 = 40.2893 ( 即 40.2893%)

在实际应用中，用户可设置三相电压和三相电流的 THD+N 阈值报警功能，通过查询相关状态位或芯片的中断输出信号，判

断当前 THD+N 值是否大于设定值。如大于设定值，则可以启动 DFT 计算引擎，对线路中的谐波信号进行分析和记录。

设置THD+N监测阈值

N
查询THD+N监测标识

起动DFT功能

N
查询DFT完成标识

直接读取DFT计算结果

图 -12 谐波分析应用流程

谐波分析 36 2011 年 12 月 16 日