Fall 2008 EE 410/510:

Microfabrication and Semiconductor Processes

M W 12:45 PM – 2:20 PM
EB 239 Engineering Bldg.

Instructor: John D. Williams, Ph.D.

Assistant Professor of Electrical and Computer Engineering
Associate Director of the Nano and Micro Devices Center
University of Alabama in Huntsville
406 Optics Building
Huntsville, AL 35899
Phone: (256) 824-2898
Fax: (256) 824-2898
email: williams@eng.uah.edu
 Microfabrication Process Technologies
• Micro and Semiconductor engineering have changed the way we perceive 
the world.
• The importance of the integrated circuit simply cannot be understated in 
today’s society.
• The commercialization of MEMS devices over the past decade is 
revolutionizing optics, medical diagnostics, and communication 
technologies
• “Nanotechnology is going to pave the way for a revolution in materials, 
information and communication technology, medicine, genetics and so 
on” First Sentence of the “Nanotechnology Market Forecast to 2011” June, 
2008
• This course introduces the top down fabrication processes utilized for 
these technologies and illustrates the fundamental schemes required to 
demonstrate complex micro‐ and nanodevices.
• Why study all this?????   Because this multidisciplinary engineering space 
where nearly all the sciences and engineering disciplines converge will one 
soon have even more impact on our lives than ICs have to date.
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 2
UAHuntsville
 What Exactly are We Studying?
• Microfabrication is the technique by which we make things 
small.  
• It requires collaborative efforts between Physics, Chemistry, 
Material Science, Electrical Engineering, Mechanical 
Engineering, Computer Engineering, Optical Engineering, and 
Biology*
• It began with the development of the integrated circuit but 
has now advanced to new science, new materials, and a 
plethora of engineering solutions for the coming generations
• In essence, we are learning the techniques required to build 
the integrated transducers that will sense and react 
automatically to environmental changes without us ever even 
having to notice.  Thus allowing the human mind to focus on 
more clearly on thought problems and solutions than ever 
before.
10/16/2009
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
UAHuntsville
3
 Required Reading
• All Students
– Class Handouts from numerous books, websites, and Journals in the field
– Mark Madou, Fundamentals of Microfabrication: The Science of Miniaturization, 2nd ed. , CRC 
Press, Boca Raton, 2002.
• Graduate Students should stay abreast of the latest fabrication efforts using:
– Science Magazine, AAA Press
– Nature, Nature
– Journal of the American Vacuum Society (A & B), AVS Press
– Sensors and Actuators (A), Elsevier Publishing
– Journal of Micromechanics, and Microengineering, IOP Press
– Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, SPIE Press
– Nanoletters, ACS Publishing

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 4
UAHuntsville
 Other Excellent References
• Ashby, Shercliff, and Cebon, Materials Engineering, Science, Processing , and Design, Elsevier, Amsterdam, 
2007.
• Wolf and Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era, Vol1: Process Technology, 2nd ed., Lattice Press, 1999.
• Cambell, The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, 2nd ed., Oxford, NY, 2004.
• Moreau, Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials, Plenum Press, NY 1998.
• Mack, Fundamentals Principles of Optical Lithography: Science of Microfabrication, Wiley Interscience, NY, 
2008.
• Lieberman, and Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, Wiley Interscience, 
NY, 1994.
• Brodie, Physics of Micro/Nano‐Fabrication, Plenum Press, NY, 1993.
• Ohring, Material Science of Thin Films: Deposition and Structure, 2nd ed., Academic Press, San Diego, 2002.
• Kovacs, Micromachined Transducers Sourcebook, McGraw Hill, Boston, 1998.
• Maluf and Williams, An Introduction to Micrloelectromechanical Systems Engineering, 2nd ed., Artech, 
Norwood, MA , 2004.
• Staff edited, CNF Nanocourses, Cornell Nanoscale Science and Technology Facility, 1998‐2008
• Goddard, et al., Handbook of Nanoscience Engineering and Technology, CRC Press, 2002.
• Bhushan, Handbook of Nano‐technology, 2nd ed., Springer Verlag, 2006.

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 5
UAHuntsville
 Common Journals
• Proceedings of the SPIE (largest series of conference proceedings in optics, 
photonics
• IEEE Transactions (several journals representing different topics), IEEE 
Press
• Sensors and Actuators (A & B), Elsevier Publishing
• Journal of Microelectromechanical Systems, IEEE Press
• Journal of Micromechanics, and Microengineering, IOP Press
• Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, SPIE Press
• Science Magazine, AAA Press
• Nature, Nature
• Journal of the American Vacuum Society (A & B), AVS Press
• Journal of the Electrochemical Society, AIP Press
• Journal of Applied Physics, AIP Press
• Nanoletters, ACS Publishing

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 6
UAHuntsville
 Course Outline
• Introduction and survey of the initial device development from a fabricators 
standpoint
• Survey of Materials Science and choice of substrate
• Vacuum Science
• Lithography
• Dry Etching
• Thin film science and deposition
• Wet etching
• Surface Micromachining
• LIGA technologies
• Comparison of top down technologies
• Metrology
• Packaging
• Scaling laws
• Applications

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 7
UAHuntsville
Early History of the Integrated Circuit
• 1947: Three scientists at Bell Telephone Laboratories, William Shockley,
Walter Brattain, and John Bardeen demonstrate the first transistor:
• 1955: Frosch and Derick at Bell Labs patent the diffusion furnace and
develop SiO2 passivation layers for silicon transistors
• 1955: Andrus and Bond at Bell Labs pattern oxide layers with
photolithography
• 1957: Lantrop and Nall (US Army) Pattern 200um leads to connect
discrete transistors
• 1958: Last and Noyce develop the first step and repeat cameras for
lithographic processing at Fairchild
• 1957/1958: Jean Hoerni at Fairchild conceptualizes the first planer
fabrication process for pn junctions using oxide barriers to protect pn
junctions underneath. Allowed all of the circuitry required for transistor
fabrication to be patterned on 1 side of the wafer.
• 1959: Fairchild’s Robert Noyce patents the monolithic IC that ties
transistors, capacitors, resistors together using micro lithographically Dec. 1947: First Transistor
patterned aluminum leads deposited on top of Heorni’s protective
coating.
• 1960:Fairchild sells planer npn transistor device utilizing SiO2 barrier
oxide for passivation that was patterned using a lithographic fabrication
process
• 1960: Fairchild demonstrates the first IC with 4 transistors and 5
resistors
• 1961 GCA Corporation commercializes the step and repeat reduction
device for optical lithography

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 8
UAHuntsville
1957: Lantrop Semiconductor Fabrication Patent 1960: Fairchild’s first IC
 Early History of the Integrated Circuit
• 1960: First MOS transistor
• 1960: Ian Ross of Bell Labs uses CVD to 
between the substrate and the collector 
to raise breakdown voltage and 
significantly increase the speed of the 
circuit
• 1961: Hoerni demonstrates Silicon 
transistor that exceeds Ge switching 
speeds: Computers take off!!
• 1963: San and Wanlass of Fairchild 
showed that p‐ and n‐ channel MOS 
transistors arranged into a 
complementary circuit (CMOS) drew 
close to zero power in standby mode
• 1964: Standard logic IC families 
introduced
• 1964: General Microelectronics releases 
the first commercial MOS IC

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 9
UAHuntsville
 Moore’s Law
• 1965: Fairchild’s Director Gordon Moore introduces Moore’s law which 
accurately predicts the exponential increase of transistor density in an IC  
and provides a guide for technological progression that is still in use today
• NSF is now preparing for the demise of Moore’s law
– reached the limits of optical lithography 
– Single bit logic is fading to quantum computing and the q‐bit

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 10
UAHuntsville
 Early History of the Integrated Circuit
• 1964: Multi‐chip SLT packaging 
technology introduced by IBM
• 1965: Fairchild Engineers develop 
Dual In‐Line (DIP) chip packaging
• 1966: Semiconductor bipolar RAM
• 1966/1967: Computer aided design 
leads to Application Specific IC (ASIC)
• 1967: Turnkey equipment supplies 
such as Applied Materials introduce  IBM SLT Packaging
commercial tooling
• 1969: Intel enters the scene with 
commercial tooling,  silicon gate 
technology, and embedded metallic 
leads  

10/16/2009 DIP Chip

JDW, Electrical and Computer Engineering,  Packaging 11
UAHuntsville
 Early History of the Integrated Circuit
• 1970: Intel DRAM challenges  First 256K Bipolar
magnetic memory devices.  Ion  Ram (1966)
Implantation is the key to 4K 
DRAMs
• 1971: Hoff and Mazor develop 
INTEL’s first microprocessor
• 1972: Reactive ion etching of 
semiconductors patented
• 1973:  LPCVD Patented
• 1974: Sputter deposition 
Patented
• 1974: Robbert Dennard and  PS3 CPU (~2006):
colleagues at IBM develop  236 Billion Transistors
scaling laws for semiconductor 
fabrication which give scientific  Sub 100
nm TFT
justification to Moore’s Law with only
2 metallic
inter-
JDW, Electrical and Computer Engineering,  connect
10/16/2009 12
UAHuntsville
st
Intel’s 1 Microprocessor: i4004 layers
 MEMS Timeline
• Dec 29,1959:  Richard Feynman’s Talk:  
There’s Plenty of Room at the Bottom
• 1962: Chapman and Long demonstrate 
silicon integrated piezo actuation
• 1965: Nathason and Wickstrom produce 
Surface micromachined FET 
accelerometer
• 1967: Anisotropic wet etching of silicon 
demonstrated by Wagganer
• 1977: Silicon electrostatic accelerometer 
developed at Stanford
• 1979: Terry, Jerman, and Angell produce  First MEMS Accelerometer (1965)
the first integrated gas chromatograph
• 1982: Kevin Peterson publishes “Silicon 
as a Mechanical Material”

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 13
UAHuntsville
 MEMS Timeline
• 1983: Integrated pressure sensor  LIGA MEMS:
developed by Honeywell
Nickel plated
• 1984: Draper Labs begins silicon MEMS  accelerometer
development
using comb drive
• 1982: LIGA developed by Ehrfeld et al at  Sensing.
Karlsruche
Guckel 1990
• 1986: Shimbo demonstrates silicon wafer 
bonding
• 1987: First inertial MEMS gyro measured 
by Draper
• 1987‐1988: Integrated fabrication of 
mechanical mechanisms appears using 
microfabrication processes in silicon
• 1989: The term MEMS coined at the  
IEEE Micro‐Tele‐Operated Robotics 
Workshop
• 1991: Guckel publishes paper on the 
possible applications of poly‐Si MEMS
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009
UAHuntsville
Polysilicon MEMS circa 199614
 MEMS Timeline
• 1992: SCREAM process developed by 
MacDonald’s group at Cornell
• 1992: Multi‐User MEMS Process  
MUMPS  ‐ First Foundry Service
• 1994: Analog Devices manufactures 
the first commercial surface 
micromachined accelerometer
• 1996: Sandia institutes a 3 layer 
surface micromachining process 
• 1997: Sandia’s SUMMiT V Foundry  Comb Drives using Sandia’s SUMMiT V
Process
• 1997 Bosch DRIE Etching

Bosch Etched Comb

Drive on SOI Wafer
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 15
UAHuntsville
 Modern MEMS Applications
NIR Spectrometers,
Commercially
available in 2005

3-D Tungsten Photonic Crystals

Lyn and Flemming (1998)
Plug-n play modular microfluidic system
Yuen, Lab Chip 2008,8,1374

EPCOS RF Variable
Capacitor, 2008
Kitching’s Chip Scale
Atomic Clock, NIST 2003 JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 16
Larry UAHuntsville
Hornback’s DLP Mirrors invented at TI in 1997
 Markets and Applications
• IC’s
– Computers
– Electronics
• MEMS
– Microfluidics
– Optics
– RF MEMS
– Accelerometers
• Nanosystems
– Materials
– Fabrics
– Biology
– Genetics

JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 17
UAHuntsville
The Beginnings of Nanotechnology
• 1857: Faraday makes colloidal gold 
nanoparticles
• 1959:  Richard Feynman’s Talk:  There’s  Colloidal Au
Plenty of Room at the Bottom nanoparticles
• 1974: Norio Taniguchi of Japan coins 
the word nanotechnology
• 1975: NSF solicits university proposals 
for submicron structures which was 
used to develop university based clean 
room and technology centers (Cornell 
Nanofabrication Facility)
• 1981: Billing and Rohrer of IBM invent 
the Scanning Tunneling Microscope 
• 1983‐1990: number of nano articles 
doubled every 7.7 years
• 1985: Curl, Kroto, Smalley discover 
Fullerenes

Eigler and Schweizer

Photo of the first STM
Using STM in 1990 JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009
UAHuntsville by Billing and Rohrer
18
 The Beginnings of Nanotechnology
• 1986: Atomic Force Microscopy (AFM) developed by 
Binning, Quate, and Gerber)  ‐‐‐ AFM is an open air 
probe that can be used to image any material
• 1986: Drexler publishes “Engines of Creation”
• 1987: Digital Instruments founded and sells STM/AFM 
commercially
• 1989: First commercial AFM from DI
• 1989: Park Scientific Instruments formed to sell AFMs
• 1989: Drexler founds the “foresight Institute” and hose 
the first comprehensive conference on 
Nanotechnology.
• 1990: Eigler and Schweizer create IBM logo created 
using individual atoms
• 1990: Baldeschwieler et.al. First report of AFM atomic  Atomic Force Microscopy
scale resolution of DNA
• 1991: Lijima discovers carbon nanotubes
• 1991: Haberle, Horber, and Binnin use AFM used on 
living cells
• 1991‐2005: number of nano articles doubled every 3.3 
years
• 2002: Nanotubes used for the first time to replace 
wires and are everywhere by 2005 C60 and Carbon Nanotubes
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 19
UAHuntsville
 How Can One Possibly Study 
All of This!?!?!
• The IC industry paved the way for making small devices
• Commercial MEMS process procedures have relied heavily on 
semiconductor process infrastructure
• Recent maturation of alternative processes has allowed 
commercial MEMS to branch out
• Much of this is due either to industrial need, extensions of 
semiconductor process engineering or push from 
nanotechnologies that are emerging through the use of 
MEMS
• In most cases single process steps for MEMS and top down 
nanofabrication are identical to those used in the 
semiconductor industry
• What varies is overall process sequence and variety of 
materials used for MEMS and Nanostructures
JDW, Electrical and Computer Engineering, 
10/16/2009 20
UAHuntsville